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EN FÍSICA ELECTRÓNICA
Curso 03-04 Tema 1
C 6 1s 2 2s2 p2
Si 14 1s 2 2s2 p6 3s2 p2
Fig. 1.1
exclusión de Pauli dice que en este sistema electrónico no habrá dos electrones con los
cuatro números cuánticos iguales.
Si se toma ahora una red cristalina de Si en la que hay N átomos, y suponiendo que se
puede aumentar y disminuir la distancia entre los átomos de la red a voluntad. Si se
alejan suficientemente, unos átomos de otros, los electrones de cada átomo no notarán la
interacción de los otros átomos y en particular los niveles energéticos de los cuatro
electrones de la última capa, 3s 2 3p2 , no habrán variado, los electrones de las capas más
cercanas al núcleo con más razón tampoco habrán variado sus estados energéticos. Por
tanto teniendo en cuenta que hay N átomos, habrá N veces repetida la distribución de
niveles energéticos de un átomo de Si aislado.
Fig. 1.2
Las diferencias en la conduc tividad del diamante, Si y Ge, como se verá posteriormente,
provienen del diferente valor que toma EG para cada uno de ellos (EG anchura de la
banda prohibida medida en eV). En el caso del diamante EG es del orden de 6 eV,
mientras que para el Si es de 1,1 eV y para el Ge de 0,72 eV, a temperatura ambiente.
En el caso del Sn y del Pb las distancias interatómicas en la red son mayores y no hay
banda prohibida, la banda energética en que se ha desdoblado la última capa electrónica
de los N átomos tendrá por tanto 8N estados y 4N electrones, que se podrán mover
tranquilamente por los estados próximos desocupados, la conclusión es obvia: ambos
materiales serán buenos conductores. Por eso se dice a veces que un conductor tiene la
banda de conducción parcialmente llena y que esto es lo que le confiere la propiedad de
ser buen conductor.
Pero veamos con más detalle el caso del diamante (C), Si y Ge. Para el primero la
banda prohibida es muy grande y a temperatura ambiente no hay prácticamente ningún
electrón que haya saltado de la banda de valencia a la banda de conducción, como en la
banda de valencia no hay estados libres para moverse, no habrá conducción eléctrica
apreciable aunque le apliquemos un campo eléctrico de gran magnitud.
En el caso del silicio y a temperatura ambiente, ya hay una cierta cantidad de electrones,
aunque pequeña, con energía térmica suficiente para saltar de la banda de valencia a la
banda de conducción por ser la anchura de la banda prohibida del orden de 1 eV, y más
aún en el caso del Ge ya que la anchura de su banda prohibida EG es menor que la del
silicio.
BANDA
DE
CONDUCCIÓN
Eg = 6 eV 1 eV 0 eV
BANDA
DE
VALENCIA
AISLANTE SEMICONDUCTOR CONDUCTOR
Fig. 1.3
2, 33 N A
nSi = = 5 10
22 3
átomos / cm (1-1)
28 ,1
El número de pares electrón- hueco que se han formado por cm3 ni , electrones que han
saltado a la banda de conducción, es función de la temperatura y a partir de la
estadística de Fermi-Dirac se obtiene la expresión:
− EG0
n 2i = A 0 T3 e kT (1-2)
Para hacerse una idea más concreta de sus posibilidades como conductor de la corriente
eléctrica, se propone el cálculo de la resistencia de un hilo de Si de 1cm de longitud y
sección de 1mm2 :
l 1
R=ρ = 2,3 105 − 2 = 23 106 Ω (1-4)
s 10
Ante esta situación cabe preguntarse cómo es posible que estos materiales sean útiles en
procesos de conducción de la corriente eléctrica, salvo que se quiera hacer resistencias
de valor elevado. La respuesta está en que los semiconductores no se utilizan en estado
puro si no dopados (contaminados) con átomos de ciertos elementos, átomos de
elementos trivalentes como el B, Ga o In o átomos de elementos pentavalentes como el
Sb, P o As.
BANDA CONDUCCIÓN
ESTADOS ENERGÉTICOS
NUEVOS, CREADOS POR
LAS IMPUREZAS ACEPTORAS
BANDA VALENCIA
Fig. 1.4
BANDA CONDUCCIÓN
ESTADOS ENERGÉTICOS
NUEVOS, CREADOS POR
LAS IMPUREZAS DADORAS
BANDA VALENCIA
Fig. 1.5
El nivel de dopado de los semiconductores extrínsecos suele estar entre 108 y 106
átomos de semiconductor por cada átomo de impureza. A pesar de que la proporción de
impurezas es pequeña, se verá que la resistividad del material cambia fuertemente.
Tomando el nivel más bajo de dopado, 1 átomo de impurezas dadoras cada 108 átomos
de silicio, y calculando nuevamente la resistencia de un hilo de 1 cm de longitud y 1
mm2 de sección, de este material de tipo N.
La resistividad del material es ahora de 9,62 Ω cm, luego la resistencia del hilo será:
l 1
R= ρ = 9,62 − 2 = 962 Ω (1-5)
s 10
5 10 22
n= 8
= 5 1014 electrones cm − 3 (1-6)
10
Mientras que el Si puro a temperatura ambiente tiene tan solo 1,45 1010 electrones cm-3
en la banda de conducción.
n = p = ni (1-7)
ni 2 = n p (1-8)
La ley de acción de masas dice que esta expresión se cumple también para un
semiconductor extrínseco. Dicha ley se demostrará posteriormente, al final del tema.
ND + p = NA + n (1-9)
ND + p = n (1-10)
A temperatura ambiente, supuestas todas las impurezas dadoras ionizadas, y para los
valores habituales de dopado de un semiconductor extrínseco se cumple:
ND >> p (1-11)
por tanto:
ND = n y n >> p (1-12)
n2i n2
pn = = i (1-13)
nn N D
NA = p y p >> n (1-14)
n2i n2
np = = i (1-15)
pp N A
vn = µn E y vp = µ p E (1-16)
J = q n vn + q p vp = q (nµ n + pµ p) E = σ E (1-17)
La movilidad es independiente del campo eléctrico para valores de éste menores de 103
V cm-1 , varía con E-1/2 para 103 V cm-1 < E < 104 V cm-1 , y para valores de E superiores
empieza a variar inversamente con el campo eléctrico alcanzando los electrones una
velocidad máxima de saturación del orden de 107 cm s-1 .
A temperatura ambiente, 300º K, en el Si µ n = 1300 cm2 V-1 s -1 y µ p = 500 cm2 V-1 s-1 .
1
ρ= (1-18)
q ( µn n + µ pp)
Se propone utilizar la expresión previa para confirmar los valores de la resistividad del
Si, a temperatura ambiente, que se ha utilizado en el apartado 1.2 del tema, en los casos:
Si puro y Si dopado con impurezas dadoras en la proporción 1 átomo de impurezas cada
108 de Si.
− EG0
n 2i = A 0 T3 e kT (1-19)
Si ahora se ilumina la barra semiconductora con una luz tal que su longitud de onda sea
capaz de generar pares electrón-hueco, las concentraciones nn0 y pn0 pasarán a ser nn y
pn , donde:
dp n p
= g− n (1-22)
dt τp
dp n p
= 0 ⇒ g = n0 (1-23)
dt τp
Por tanto:
dp n p − pn p'
= n0 =− n
dt τp τp
(1-24)
−t −t
p'n (t ) = p'n (0 ) e ( p n (0 ) − pn0 ) e
τp τp
=
dp
J p = − qD p (1-25)
dx
Dp Dn kT T
= = VT = = V (1-26)
µp µn q 11600
La expresión 1-26 se denomina relación de Einstein. A 300º K VT vale 25,86 mV. Esta
constante será muy usada en los temas posteriores y se suele redondear su valor por 25
o 26 mV para temperatura ambiente.
dp
J p = qµ ppE − qD p
dx
(1-27)
dn
J n = qµ nnE + qDn
dx
Ip Ip+dIp
x x+dx
Fig. 1.6
dI p
(1-28)
q
1 1 dJ p
dI p = (1-29)
qAdx q dx
Pero en el elemento de volumen se están recombinando huecos con una velocidad p/τ p y
generando con una velocidad p0 /τ p, por unidad de volumen. De la conservación de la
carga se deduce la expresión:
∂p p − p 1 ∂J p
= 0 − (1-30)
∂t τp q ∂x
∂pn p − pn 1 ∂J p
= 0 = n0 − (1-32)
∂t τp q ∂x
dp n
J p = − qD p (1-33)
dx
d 2p n p − pn p n − pn 0
= − n0 = (1-34)
dx 2
Dp τp D pτ p
d 2p n ' p'
2
= 2n (1-35)
dx Lp
−x x
p'n (x ) = K 1 e
Lp Lp
+ K2 e (1-36)
− x
p'n (x ) = p'n (0) e
Lp
(1-37)
dp n (x )
I p (x ) = A J p (x ) = − AqD p (1-38)
dx
nn ' = pn '
n n − n n 0 = p n − p n0 (1-39)
dn n dp n
=
dx dx
dn n ( x ) dp ( x)
I n ( x) = AqD n = AqD n n
dx dx
(1-40)
Dn
I n ( x) = − I p ( x)
Dp
Dado que el circuito está abierto la corriente total debe ser cero, y por otra parte
Dn /D p≅3. Por tanto debe existir una corriente de desplazamiento de electrones Ind(x), tal
que:
D
I n d( x ) = n − 1 I p ( x) (1-42)
Dp
J n d ( x) 1 Dn
E( x) = = − 1 I p ( x ) (1-43)
σn A q n n ( x ) µ n Dp
Para acabar este apartado se probará que la hipótesis inicial I pd (x) << I p (x) es cierta:
A q p n (x) µ p Dn
I pd (x) = A σp E(x) = − 1 I p (x) (1-44)
A q n n (x) µ n D p
Como pn (x) << nn (x) se cumple que Ipd(x) << Ip(x). Luego la corriente de portadores
minoritarios, en estas condiciones, es esencialmente una corriente de difusión. Es
decir si en un semiconductor extrínseco se inyectan portadores adicionales la
corriente de portadores minoritarios será mayoritariamente por difusión. Este
resultado, como se verá en temas posteriores es de gran importancia.
dp p 0 ( x )
J p ( x) = q µ p p p 0 ( x) E ( x) − q D p = 0
dx
(1-45)
dn p 0 ( x)
J n ( x) = q µ n n p 0 ( x) E ( x) + q D n = 0
dx
Dp dp p0 ( x ) VT dp p0 ( x )
E( x) = = (1-46)
µ pp p0 ( x) dx p p0 ( x) dx
dV ( x)
− = E( x)
dx
(1-47)
dp p0 ( x)
dV ( x ) = − VT
pp 0 ( x )
pp 0 (a )
Vba = VT ln (1-48)
p p0 ( b )
Vba
pp 0 (a ) = pp 0 ( b) e VT
(1-49)
n p0 (a )
Vba = − VT ln (1-50)
n p 0 ( b)
V
− ba V
n p 0 ( a) = n p 0 ( b) e T
(1-51)
n p = ni 2 (1-53)
PROBLEMAS
Puesto que:
J=σ E y V=lE
I 2 10− 6 A 1
J = = −8 2
= A cm − 2
S 1600 10 cm 8
J 0,125 A cm −2
E= = = 29.933 V cm −1
σ 4,176 10− 6 Ω −1cm −1
V = l E = 29.933 V
n p = n 2i
n + NA = p + ND
n (n + (N A − N D )) = n 2i
n 2 + n (N A − N D ) − n 2i = 0
2
N − NA ND − NA
n= D ± + n 2i
2 2
2
N − NA ND − NA
n= D + + n 2i
2 2
2
N − ND NA − ND
p= A + + n 2i
2 2
2 2
N ND N ND
nn = D + + n 2i pn = − D + + n 2i
2 2 2 2
2 2
N NA N NA
pp = A + + n 2i np = − A + + n i2
2 2 2 2
Ahora la conductividad vendrá dada por los conductores mayoritarios n, ya que pn <<
nn , y esta última se puede aproximar por la concentración de impurezas ya que:
5 10 22
ND = 8
= 5 1014 >> n i = 1,45 10 10
10
Por tanto:
I 2 10− 6 A 1
J = = −8 2
= A cm − 2
S 1600 10 cm 8
Sustituyendo J y σ:
J 0,125 A cm − 2
E= = = 1,25 V cm −1
σ 0,1 Ω − 1cm − 1
V = l E = 1,25 V
ni ≈ 2 1012 cm-3
2
5 1014
n n = +
5 10 14
2 + 2 10 (
12
)
2
2
= 2,5 1014 + 6, 25 10 28 + 4 10 24
= 2,5 1014 + 2,50008 1014 = 5 10 14 cm −3
= ND
2
5 1014
pn = −
2
+
5 10 14
2
(
+ 2 1012 )
2
= − 2,5 10 14 + 2,50008 10 14 = 8 10 9 cm − 3
n n p n = n 2i
pn =
n 2i
=
(
2 10 12
=
)2
4 10 24
= 8 10 9 cm − 3
nn 5 1014 5 10 14
1 l 10 cm
σ = = = −2
= 10 Ω − 1 cm − 1
ρ Rs 100 10 Ω cm 2
σ = q (µn np + µ p pp) = q pp µ p
σ 10 Ω −1 cm −1
pp = = −19 −1 − 1
= 1, 25 1017 hue cos cm − 3
q µp 1,6 10 C 500 cm V s 2