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PRIMERA SEMANA DE CIENCIA, TECNOLOGÍA Y CULTURA
CICATA-ALTAMIRA
Espectroscopía de electrones
fotoemitidos
(X-ray Photoelectron Spectroscopy)
Dr. Wencel De La Cruz H.

Centro de Nanociencias y Nanotecnología
Universidad Nacional Autónoma de México
Ensenada, B.C.
Sección 1
Introducción
Aspectos básicos
División spin-orbita
Análisis cualitativo
Electrones Auger inducidos por los rayos-X
Profundidad de información
Análisis cuantitativo por XPS
Error en la medición
Asimetría de los fotoelectrones
Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Wencel De La Cruz Pag. 1
CICATA-ALTAMIRA
Introducción
Efecto fotoeléctrico
Descubierto por Hertz (1887)

y explicado por Einsten en 1905 (premio Nóbel en 1921).
Átomo de oxígeno
El desarrollo del XPS como un método
Fotón de sofisticado de análisis es el resultado del
rayos-X trabajo meticuloso del sueco Kai
Siegbahn y sus colegas (1957-1967).
Kai Siegbahn premio Nóbel en 1981
Electrón fotoemitido O1s
XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy

ESCA Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
UPS Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy
PES Photoemission electron Spectroscopy
Fuente de rayos-X
Electrones fotoemitidos

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Aspectos básicos
K.E. = hν – B.E. - φ
Fotón
Energía Electrón fotoemitido
cinética
Espectro XPS:
Intensidad de los
electrones fotoemitidos
Vs. K.E. o B.E.
Energía de
enlace 9 Identificación elemental y estados
químicos del elemento.
9 Composición relativa de los
constituyentes de la superficie.
9 Estructura de la banda de valencia
Ilustración del proceso de fotoemisión para el Ni 3p donde los átomos de O 2p

son absorbidos por el metal.

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Referencia para la energía de enlace
Nivel de vacío
Nivel de vacío
Nivel de Fermi Mismo nivel Nivel de Fermi
Espectrómetro
Muestra
Instrumentación
• Analizador de energía del electrón.

• Fuente de rayos-X.
• Neutralizadora.
• Sistema de vacío.
• Controles electrónicos.
• Cañón de iones de Ar.
Sistema de Ultra Alto Vacío (<10-9 Torr)

• Detección de electrones.
• Se evita contaminación.

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Background:
Pico:
Fotoelectrón con
pérdida de energía Fotoelectrón
sin pérdida de
energía

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División Spin-Órbita
Notación de los picos:
Acoplamiento L-S ( j=l+s )
Área ~ 2j+1
Los valores de separación de un doblete

(producido por la interacción Spin-Órbita)
de un nivel interno de un elemento en
diferentes compuestos son casi los
mismos.
El cociente de las áreas de los picos en un
doblete de un nivel interno de un elemento
en diferentes compuestos son también los
mismos.
El valor de separación de los dobletes y el
cociente de las áreas son de gran ayuda
para la identificación de elementos.

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Análisis Cualitativo

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Electrones Auger inducidos por los rayos-x
Estado base Transición a un estado Estado final

excitado
La K.E. es independiente de la energía de los rayos-X.
Profundidad de información en XPS

Camino Libre Medio Inelástico (IMFP o λ):
Es la distancia promedio que un electrón con una energía dada viaja
entre dos colisiones inelásticas sucesivas.
Intensidad de electrones (Io) emitida a una profundidad d por debajo de
una superficie es atenuada acorde a la ley de Beer Lambert. Así, la
intensidad de esos electrones que alcanzan la superficie (Is) está dada por:
Para una longitud de

camino de un λ, la
intensidad de la señal ha
caído un 63%

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Profundidad de información en XPS
• La profundidad de información es definida como la profundidad

a la cual el 95% de todos los fotoelectrones son dispersados al
momento de alcanzar la superficie (3λ).
• La mayoría de los λ están entre 1 y 4 nm (usando fuente de Al

Kα).
• Así, la profundidad de información (3λ) será aproximadamente

de 3 - 12 nm, bajo las condiciones mencionadas anteriormente.
No es correcto hablar de una curva “Universal” para los IMFP, ya

que es función de cada material.
λ depende de:
• La energía cinética del electrón.
• De un material en específico.

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Camino Libre Medio Inelástico (IMFP o λIMFP)
TPP2M
λ IMFP =
E
(Å )
⎡ C D⎤
E ⎢ β ln(γE ) − + 2 ⎥
2
p
⎣ E E ⎦
donde:
0.944
β = − 0 .1 + + 0.069 ρ 0.1
E : Energía del electrón (eV)
(E 2
p + Eg )
1
2
Eg: Ancho de energía prohibida (eV)

γ = 0.191ρ −0.50
C = 1.97 − 0.91U Ep: Energía del plasmón (eV.)
D = 53 .4 − 20.8U ρ: Densidad (g/cm-3)
N ρ E p2
U= V = NV: Número de electrones de Valencia
M 829 .4
M: Peso atómico
Análisis Cuantitativo por XPS: I

Algunos análisis cuantitativos por XPS tienen una exactitud de ± 10%
donde: Ii = intensidad de un pico “p” de fotoemisión para un elemento “i”.

Ni = Concentración atómica promedio de un elemento “i” en la
superficie bajo análisis.
σi = Sección eficaz de fotoionización (Factor de Scofield).
λi = Camino libre medio inelástico de los electrones del pico “p”.
K = Todos los factores relacionados a la detección de la señal (asumidos
constante durante un experimento).

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¿Cómo medir la intensidad de un pico de fotoemisión?

Intensidad
Altura del pico La peor!!

• Error del 15% usando los
Intensidad
Energía cinética ASF.
Área del pico
• El uso de mediciones de
muestras patrón (o la
Intensidad
Energía cinética
ecuación descrita
Área del pico anteriormente) el error es
aproximadamente del 5%.
Energía cinética
Intensidad • En ambos casos la
La Mejor!!
Área del pico
reproducibilidad es de 98%
(Apro.)
Energía cinética
Debe incluir correcciones de pérdida

debida a plasmones y otros picos

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Función Respuesta de un Analizador
La función respuesta es la eficiencia de detección en un analizador de

electrones, la cual es función de la energía del electrón. La función
respuesta también depende de parámetros del analizador de electrones, tal
como la resolución del analizador.

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Análisis cuantitativo: II
Sección eficaz de fotoionización (σi ) ha sido calculado

teóricamente para todos los elementos y para las fuentes de Al
Kα y Mg Kα.
Camino libre medio inelástico (λi) varía con la energía cinética
del fotoelectrón y puede ser estimado de la fórmula TPP-2M.
Para una superficie compuesta por varios elementos i, j y k, la
concentración relativa se puede obtener de:
Ii
Ni σ i λi K i
=
Ni + N j + N k Ii Ij Ik
+ +
σ i λi K i σ jλ j K j σ k λk K k
Ejemplos de cuantificación: I
Tabla I: Óxidos superficiales: cuantificación obtenida a partir de la correspondiente

intensidad del pico.
Cociente atómico Oxígeno/metal

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Ejemplos de cuantificación: II
Tabla II: Comparación de las concentraciones obtenidas por XPS y EPMA

(SEM+EDS) para algunos minerales.
Sección eficaz de fotoionización (σi ) de Scofield

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Error en la cuantificación
Ii = El error principal que se comete durante la medición de

la intensidad es debida a la mala substracción del
background.
σi = Valores calculados teóricamente (se desconoce su
magnitud).
λi = el error estimado puede ser de hasta un 50%.
Asimetría de las picos de emisión
La probabilidad de que un fotoelectrón salga en la dirección en la que se

encuentra el analizador de electrones, requiere de la definición del término
anisotrópico L, la cual está dada por la siguiente expresión (fuente no
monocromática).
⎛3 ⎞
L(γ ) = 1 + 0.5β ⎜ sen 2 γ − 1⎟
⎝ 2 ⎠
β es una constante para cada nivel de energía.
γ es el ángulo entre la fuente de rayos x y el analizador.
La ecuación anterior implica la existencia de un ángulo mágico de 54.7

grados, para el cual L es igual a 1
I ≈ I 0σλMED ( E )T ( E ) ρ a L(γ )

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Sección 2
Corrimientos químicos en XPS
Estados inicial y final
Anchos de línea y resolución
Instrumentación
Efectos químicos en XPS

Corrimiento químico: Cambio en la energía de enlace de un electrón del
core debido a un cambio en los enlaces de ese elemento.
Cualitativamente hablando, la energía de enlace del core está determinada
por la interacción electrostática entre él y el núcleo y reducida por:
• Apantallamiento electrostático de la carga nuclear debido a todos los
otros electrones (incluyendo a los electrones de valencia).
• Remoción o adición de carga electrónica como un resultado de los
cambios se alterara el apantallamiento.
Remoción de la carga electrónica de valencia Incremento de B.E.
Aumento de la carga electrónica de valencia disminución de B.E.

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Corrimientos químicos: óxido vs. metal

Energía de enlace es menor
debido al incremento del
apantallamiento de los núcleos
por los electrones 2s.
2p6 Energía de enlace es mayor

debido a que los electrones 2s
del Li son cedidos al oxígeno.
Espectro XPS
Usualmente los corrimientos químicos son pensados como un

efecto del estado inicial (i.e. el proceso de relajación son
similares en magnitud para todos los casos)
Los corrimientos químicos son

una herramienta poderosa para
identificar ambientes químicos,
estados de oxidación y grupos
funcionales.
Corrimiento químico para el Ti 2p

al pasar de Ti a Ti4+

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Tabla III: Energías típicas para el C 1s de muestras orgánicas
Tabla IV: Energías típicas para el O 1s de muestras orgánicas
Ejemplos de corrimientos químicos

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Espectro de alta resolución de la Arsenopirita

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Corrimientos químicos

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Corrimientos químicos
Se cuenta con base de datos en el NIST
http://srdata.nist.gov/xps/
Hay muchas opciones y puedes escoger la que más te guste!!!

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Calibración de las energía
Instrumentación
Analizador de electrones
Analizador hemisférico Analizador de espejos

concéntrico (CHA) cilíndricos (CMA)
1. Estos analizadores deben de trabajar a resolución constante para XPS.

2. También pueden trabajar a resolución variable, pero no se usa para XPS.

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Influencia de la resolución del analizador

en la forma e intensidad del pico
Intensidad Normaizada
1.0
Intensidad (U.A.)
0.8
0.6
Resolución baja
Resolución baja
Resolución media
0.4
Resolución media
Resolución alta
Resolución alta
0.2
295 290 285 280 275 295 290 285 280 275
Energía de enlace (eV) Energía de enlace (eV)
Espectro de XPS del pico de C1s (muestra de BC)
Satélites de la fuente de rayos-X

Tabla VI: energías e intensidades de los satélites de rayos -X
100
Intensidad relativa a kα1,2
Mg
Al
10
1300 1500
Energía (eV)

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Fuentes monocromáticas
Para Al Kα
Usando los planos (1010) de

Un cristal de cuarzo tenemos:
`Ventajas de usar fuente de rayos-X monocromáticos:

• Ancho de picos XPS delgados
• Reduce el background
• No hay picos satélites en XPS ni picos fantasma
XPS de una muestra de SiO2 usando una fuente de Al kα
Radiación no
Monocromática
Radiación
Monocromática

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Anchos de línea y resolución

Experimentalmente, poder discernir entre átomos que tienen
un pequeño corrimiento químico está limitado por el ancho
del pico, el cual depende de:
1) El ancho intrínseco de los niveles iniciales y el tiempo

de vida del estado final (∆EP).
2) El ancho de línea de la radiación incidente (∆EF).
3) El poder de resolución del analizador de electrones (∆EA).
∆E = ∆E A2 + ∆E F2 + ∆E P2
Tabla V: Energías y anchos de las líneas de rayos-X
Más comunes

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Variación de la fuente de rayos-X
Métodos analíticos
Convolución
¿Cómo podemos obtener espectros XPS de alta resolución?
Deconvolución

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Sección 3
Pérdidas de energía electrónica (background)
Atenuación del electrón: dispersiones inelásticas
Modelo interpretativo: QUASES
Diferentes picos en un espectro XPS
Perfil de profundidad
Pérdidas de energía electrónica (background)

Origen del background
Los fotoelectrones pierden
energía por chocar con los
plasmones (volumen y
superficies) y por producir
cualquier excitación de los
niveles en la banda de
valencia.
¿Por qué es importante estudiar el background?
Por que se puede obtener información de la profundidad y

distribución lateral de los elementos, utilizando la
metodología desarrollada por Sven Tougaard.

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Background:
dispersiones inelásticas
Tougaard desarrolló un
procedimiento de ajuste a la
“cola” inelástica, la cual da
información de la
morfología de las capas
superficiales. Tal como, el
recubrimiento, alturas de
partículas (o películas)
Análisis de espectros XPS usando QUASES

• La cuantificación tradicional por XPS asume que:
• El área de análisis es homogénea.
• La concentración atómica superficial es directamente
proporcional a la intensidad del pico.
• Para una mayor exactitud en la cuantificación se debería
tener en cuenta la intensidad del pico, la forma del pico y la
energía del background.
• En XPS los electrones detectados resultan de dos
procesos:
• Los electrones intrínseco (los fotoelectrones).
• Los electrones extrínsecos (los fotoelectrones
dispersados inelásticamente).
• Los electrones extrínsecos dependen fuertemente de la
profundidad a la que fueron emitidos y de la distribución lateral.
• La figura muestra un cálculo teórico de la porción extrínseca
del espectro 2p de Cu, como una función de la posición y
distribución de los átomos de Cu en una cierta matriz.

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Formalismo matemático para la

descripción de un espectro XPS
Número de electrones por segundo, por átomo y por unidad de energía emitidos en ángulo sólido
Espectro medido Concentración atómica a una profundidad x
1
∫ dE 0 F( E 0 , Ω ) ∫ ds e ∫
−i 2πs (E − E 0 )
J(E,Ω ) = dx f(x) e− x Σ(s) / cos θ
2π
∞ Pérdida de energía del electrón
1
Σ( s) =
λi
− ∫ K(T) e
0
− isT
dT
Camino libre medio inelástico de Sección eficaz de dispersión inelástica

los electrones en el sólido
S. Tougaard, Surface and Interface Analysis 11, 453 (1988).

S. Tougaard and H.S. Hansen, Surface Interface Analysis 14, 730 (1989).
S. Tougaard, J. Electron Spectroscopy 52, 243 (1990).
⎡ P1 ⎤
⎢ J ( E, Ω ) − ∫ dE J ( E, Ω )∫ ds exp[ i 2πs( E − E )](1 − P( s ) )⎥
1
F ( E, Ω ) = ' '
P1 ⎣ ⎦
⎛ x ⎞
donde P( s) = ∫ dx f ( x ) exp ⎜ − Σ( s)⎟
⎝ cos θ ⎠
⎛ x ⎞
P1 = ∫ dx f ( x ) exp⎜ − ⎟
⎝ λi cos θ ⎠
• Para encontrar F(E,Ω) primero se deben evaluar Σ(s), P1 y P(s).

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Para una muestra homogénea
Superficie
SUSTRATO
f(x) = c , P1 = cλcosθ P(s) = c cosθ/(Σ(s))
⎡ ∞
⎤
F (E , Ω ) =
1
cλ cos θ ⎣
(' '
) (
⎢ J (E , Ω ) − λ ∫ dE J E , Ω K E − E ⎥
'
)
E ⎦
• Algoritmo de sustracción de Background por Tougaard

• También puede ser utilizado para determinar si una muestra es homogénea
Para el caso de nanopartículas
DX = Valor medio de las alturas

de las partículas
SUSTRATO SUSTRATO
Nanopartículas
⎧cf para 0 < x < DX
f (x ) = ⎨ 1
⎩0 para DX < x < ∞
DX DX Sustrato
⎧c (1-f1 ) para 0 < x < DX
f (x ) = ⎨
SUSTRATO SUSTRATO ⎩c para DX < x < ∞
⎛ ⎛ DX ⎞ ⎞
P1 = c ⋅ λ ⋅ f 1 ⋅ cos θ ⎜⎜1 − exp⎜ − ⎟ ⎟⎟ f1 es la fracción recubierta de la
⎝ ⎝ λ cos θ ⎠ ⎠
superficies con valores entre 0 y 1
cos θ ⎛⎜ ⎛ DX ∑ (s ) ⎞ ⎞
P(s ) = c ⋅ f1 ⋅ 1 − exp⎜ − ⎟⎟
(
∑ ⎝ s ) ⎜ ⎜
⎝ cos θ ⎟⎠ ⎟⎠

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Parámetros necesarios para el

análisis
K, λ, θ
• Camino libre medio inelástico de los
electrones que provengan de la señal de ∑ (s ) = FFT (K )
interés. Proponer una f(x)
• Sección eficaz de dispersiones P1
inelásticas. 1−
P(s )
• El ángulo entre el analizador y la
normal de la muestra. ⎛ P ⎞
FFT ⎜⎜1 − 1 ⎟⎟
⎝ P(s ) ⎠
Proponer una distribución en F (E )
profundidad de los átomos presentes en NO
la muestra. M.E.K.P. ~ 0
Terminar
Sección eficaz de dispersión

inelástica (K)
• Las secciones eficaces son obtenidas de mediciones de
pérdidas de energía electrónica por reflexión (REELS).
• La deconvolución de las dispersiones múltiples se realizan a
partir de la siguiente expresión:
i −1
λL
jl ( Ei ) − ∑ K ( E0 − Ei − m ) jl ( Em )∆E
λL λ +L
K ( E0 − Ei ) = m =1
λ+L jl ( E0 )∆E
Donde
jl ( E0 )∆E = Ap = Área del pico elástico

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Diferentes picos en espectros XPS
1) Picos de Fotoemisión
2) Picos Auger
3) Picos debido a Satélites de Rayos-X
4) Picos Fantasmas de Rayos-X
5) Picos debido al “shake-up”
6) Picos por división de multiplete
7) Picos debido a pérdidas de energía por plasmones
8) Picos y bandas de valencia
Picos debido a Satélites de Rayos-X

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Picos Fantasmas de Rayos-X
Picos debido al “shake-up”
Niveles
desocupados
Niveles de
valencia

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Picos por división de multiplete
Picos debido a pérdidas de energía por plasmones

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Espectros en la Banda de Valencia
Además de los niveles internos mostrados en los espectros XPS, la región de

baja energía de enlace del espectro (0-35 eV) contiene información de la
banda de valencia.
Método general para la identificación de los picos
1) Identificar los picos C1s, O1s, C(KLL), O(KLL) ya que son los más
sobresalientes en un espectro XPS si las muestras no han sido
preparadas en forma in-situ. Recuerde identificar los picos debidos a
los satélites y los debidos a pérdidas de energía.
2) Identifique las otras líneas intensa en el espectro (utilice el manual de
XPS) recuerde tener presente los picos debido a los satélites de rayos-x.
Realice una tabla con las posiciones en energía de los picos menos
intensos. Tenga presente que puede haber interferencia de los picos
más intensos con algunos otros elementos, por ejemplo: para el C1s el
Ru3d; para el O1s el V2p y el Sb3d; para el O(KLL) el I(MNN) y
Cr(LMM); para el C(KLL) el Ru(MNN).
2) Identifique los picos de menor intensidad que te hagan falta identificar,
asumiendo que estos picos son los más intensos de elementos
desconocidos. Los pequeños picos que no se puedan identificar pueden
ser picos satélites.
3) Observe que las separaciones debidas a los doblete de spin sean las
correctas (para los picos p, d y f) y, que el cociente entre los dobletes
del pico p es sea de 1:2; de los d sea de 2:3; y de los f sea de 3:4.

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Perfil de profundidad
Material
erosionado Se asume una velocidad
constante de erosión
Análisis por XPS
Área del pico

Erosión con iones de Ar+
Análisis por XPS

Tiempo de erosión
Concentración
Área del pico
Tiempo de erosión Profundidad
Calibración de la escala de profundidad:

• A partir de la velocidad de erosión, obtenida del tiempo que
se tarda en erosionar una capa del mismo material, la cual
tenga un grosor conocido.
• A partir de medidas de perfilometría de la profundidad del
cráter dejado por la erosión.

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Perfil de profundidad con rotación de la muestra

Iones de
Iones: 4 kV alta energía
Muestra en reposo
Ancho de la interfaz Muestra
Cr/Si = 23.5 nm
Iones de
alta energía
Iones: 4 kV
Muestra en rotación
Ancho de la interfaz Muestra
Cr/Si = 11.5 nm
Iones de
Iones: 500 V baja energía
Muestra en rotación
Ancho de la interfaz
Cr/Si = 8.5 nm Muestra
Factores que afectan un

perfil de profundidad
• Adsorción de los gases residuales.
• Redepósitos de las especies erosionadas.
Factor instrumental • Impureza en el haz de iones.
• Intensidad no uniforme del haz de iones.
• Dependencia en el tiempo de la intensidad del haz.
• Información de profundidad (IMFP).

Características de la • Rugosidad original de la superficie.
muestra • Estructura cristalina y defectos.
• Erosión preferencial y rugosidad inducida.
• Implantación de los iones primarios (Ar+)

• Mezcla atómica.
• Rugosidad inducida.
Efectos inducidos • Erosión preferencial y descomposición del
por la radiación compuesto.
• Difusión y segregación.

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Daños inducidos por los rayos - X
Para muestras sensibles

se deben hacer las
mediciones al menos
dos veces para ver si
hubo algún daño en la
muestra.
Sección 4
Compensación de cargas
Análisis de áreas pequeñas e imagen
Variaciones angulares
Parámetro Auger
Sistemas XPS en México

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Compensación de la carga
Para metales u otras muestras

conductoras son aterrizadas al
Fotoelectrones sistema.
Electrones Auger
Electrones secundarios
Background
Rayos-X
Muestra Los electrones se mueven

continuamente a la superficie
para compensar a los electrones
perdidos en la región de la
superficie.
Carga superficial no-uniforme
Muestra
Ensanchamiento de los picos!!

CICATA-ALTAMIRA
Técnicas para referenciar la energía de

enlace en muestras aislantes
Tomar ventaja de los contaminantes basados en carbono
- Contaminación del ambiente.
- Contaminación de bombas de aceite.
- Adicionar ciclohexano.
A menudo se utiliza una energía de enlace de 285 ± 0.2 eV

u otro pico de la muestra con posición bien conocida.
Técnicas de compensación de cargas
Usando un cañón de electrones de baja energía
Filamento
Óptica de los
electrones

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Análisis de áreas pequeñas e imagen con XPS
Apertura del Fotoelectrones Apertura del

Fotoelectrones
analizador analizador
Rayos -X Rayos -X
Muestra Muestra
Área de análisis determinada por el analizador Área de análisis determinada por tamaño
del haz de rayos -X

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Técnicas de imagen por XPS

Tamaño pequeño de los rayos-X
(1) - Moviendo el portamuestra
- Imagen: Posición x,y vs. la
intensidad de los fotoelectrones
• Resolución: 50 µm.
(2) - Usando placas para el barrido

- Imagen: Voltajes Vx,Vy de
barrido Vs. Intensidad de los
fotoelectrones.
(3) - Usando un arreglo de detectores

- Imagen: Posición x,y del detector
vs. la intensidad de los
fotoelectrones Detector MPC

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Ejemplos de imagen por XPS
Variaciones angulares
• Puede aprovecharse la sensibilidad angular de detección para obtener
información no destructiva de profundidad
• Este análisis está limitado a capas muy delgadas
• Para valores pequeños de θ la contribución
principal del espectro es de la muestra de Si
• Para valores mayores de θ se vuelve sustancial la
contribución de la capa de óxido

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Parámetro Auger
El parámetro Auger (insensible al efecto de carga electrostática) fue
definido como
α=Ek+EB-hν
Ek: Energía cinética del pico Auger más intenso
EB : Energía de enlace del pico XPS más intenso
Algunas limitaciones del XPS
• XPS no detecta Hidrógeno.

• Requieren ultra alto vacío.
• Las muestras generalmente son sólidos.
• Para muestras aislantes debe neutralizarse la
carga acumulada.

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Aplicaciones
Área de Información disponible
aplicación
Corrosión y Identificación elemental; oxidación; composición química en el
oxidación proceso
Metalurgia/ Identificación elemental; análisis de aleaciones; estudio de
tribología recubrimientos
Adhesión Enlace entre película y sustrato; cambios químicos durante la
adhesión
Catálisis Identificación de las especies intermedias formadas; estado
de oxidación de especies activas
Semiconductores Caracterización de recubrimientos de películas delgadas e
interfaces; identificación de óxidos nativos
Superconductores Estados de valencia; estequiometrías, estructura electrónica
Sistemas XPS en México

CCMC-UNAM
IICO
*
CINVESTAV *
**
IPN
IMP
IIM-UNAM
IF-UAP
UAM-IZTAPALAPA


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Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Descubierto por Hertz (1887)

Electrón fotoemitido O1s

XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy

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Ilustración del proceso de fotoemisión para el Ni 3p donde los átomos de O 2p

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Referencia para la energía de enlace

Nivel de Fermi Mismo nivel Nivel de Fermi

• Analizador de energía del electrón.

Sistema de Ultra Alto Vacío (<10-9 Torr)

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Los valores de separación de un doblete

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

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Electrones Auger inducidos por los rayos-x

Estado base Transición a un estado Estado final

La K.E. es independiente de la energía de los rayos-X.

Profundidad de información en XPS

Para una longitud de

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Profundidad de información en XPS

• La profundidad de información es definida como la profundidad

• La mayoría de los λ están entre 1 y 4 nm (usando fuente de Al

• Así, la profundidad de información (3λ) será aproximadamente

No es correcto hablar de una curva “Universal” para los IMFP, ya

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Camino Libre Medio Inelástico (IMFP o λIMFP)

Eg: Ancho de energía prohibida (eV)

Análisis Cuantitativo por XPS: I

donde: Ii = intensidad de un pico “p” de fotoemisión para un elemento “i”.

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

¿Cómo medir la intensidad de un pico de fotoemisión?

Altura del pico La peor!!

Debe incluir correcciones de pérdida

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Función Respuesta de un Analizador

La función respuesta es la eficiencia de detección en un analizador de

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Sección eficaz de fotoionización (σi ) ha sido calculado

Tabla I: Óxidos superficiales: cuantificación obtenida a partir de la correspondiente

Cociente atómico Oxígeno/metal

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Tabla II: Comparación de las concentraciones obtenidas por XPS y EPMA

Sección eficaz de fotoionización (σi ) de Scofield

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Ii = El error principal que se comete durante la medición de

Asimetría de las picos de emisión

La probabilidad de que un fotoelectrón salga en la dirección en la que se

La ecuación anterior implica la existencia de un ángulo mágico de 54.7

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Efectos químicos en XPS

Remoción de la carga electrónica de valencia Incremento de B.E.

Aumento de la carga electrónica de valencia disminución de B.E.

Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM.

Corrimientos químicos: óxido vs. metal

2p6 Energía de enlace es mayor

Usualmente los corrimientos químicos son pensados como un

Los corrimientos químicos son

Corrimiento químico para el Ti 2p