Diodos rectificadores para baja frecuencia

Figura II. Diodos para baja frecuencia

Características

IFAV: 1A – 6000 A

VRRM: 400 – 3600 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 10 µs

Aplicaciones

 Rectificadores de Red.

 Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Figura III. Diodos de conmutación rápida (Fast y Ultrafast

Características

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 0,1 - 10 µs

Aplicaciones

 Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).

 Inversores.
 UPS.
 Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky
Figura IV. Diodos Schottky

Características

IFAV: 1A – 120 A

VRRM: 15 – 150 V

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

trr: 5 ns

Aplicaciones

 Fuentes conmutadas.
 Convertidores.
 Diodos de libre circulación.
 Cargadores de baterías.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Figura V. Diodos de alta tensión

Características

IFAV: 0,45A – 2 A

VR: 7,5kV – 18kV

VRRM: 20V – 100V

trr: 150 ns

Aplicaciones

Aplicaciones de alta tensión.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Figura VI.Diodos de alta corriente

Características
IFAV: 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V

VF: 2V

trr:10 µs

Aplicaciones

Aplicaciones de alta corriente.