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Facultad Electrónica y Control

Laboratorio de Electrónica de Potencia


TRABAJO PREPARATORIO
Nombre: William Apupalo Naranjo Subgrupo: LEP_GR12_1

Practica #06
TEMA
CARACTERIZACION DEL IGBT
OBJETIVOS
- Construir el circuito de control para un IGBT.
- Tener en cuenta las características de conmutación de los IGBTs.

1. Investigar sobre los circuitos tótem pole como circuitos de disparo para transistores de potencia.

Con un circuito cualquiera de excitación si bien se lograra la conmutación los tiempos para el mismo
resultaran extremadamente elevados, además si la señal proviene de un dispositivo lógico digital de baja
tensión no será lo suficiente para lograr la conducción del MOSFET.
El circuito de excitación Tótem-Pole mejora la conducción. Este circuito está conformado en dos
transistores NPN Y PNP acoplados. En el momento que el voltaje de excitación es alto el transistor Q1
conduce, por lo contrario, Q2 está en corte, haciendo que el MOSFET conduzca. Cuando el voltaje de
excitación es bajo no tendría carga a la entrada por lo tanto el MOSFET se apaga.
Otra forma es conectarlo con un buffer el cual la señal de entrada proviene de un TTL de colector abierto
este se utiliza como circuito de control, mientras que el tótem pole absorbe y suministra corrientes de
puerta requeridas.

Fig1. Circuito de excitación Tótem-Pole Fig2. Circuito de excitación Buffer con Tótem-Pole
2. Construir y simular los circuitos de control PWM para frecuencias entre 1 y 10Khz, además
debe poder variar la relación entre 0,1 y 0,9.

1 KHz
Asumo capacitor 1 nf

1.46
1000 = (RA+2RB)∗1nf

𝑇𝑏𝑎𝑗𝑎 = 𝑌 = 100μs = 1nf ∗ RB

𝑅𝐵 = 100 kΩ , entonces:
→ 𝑅𝐴 = 1.26 𝑀𝛺

10 KHz
Asumo capacitor 1nf

1.46
10000 = (RA+2RB)∗1nf

𝑇𝑏𝑎𝑗𝑎 = 𝑌 = 10μs = 1nf ∗ RB


𝑅𝐵 = 10 kΩ , entonces:
→ 𝑅𝐴 = 126 𝑘𝛺

Fig3. Señal de Pulso de 10Khz

54,250𝜇𝑠 1
δ= 100𝑢𝑠
= 0.54 T= 10𝑘𝐻𝑧 = 100𝜇𝑠
3. Diseñar con los elementos de la figura que es el gate drive para encender y apagar el IGBT. El
esquema muestra el acoplamiento del circuito de control y de potencia sin aislamiento óptico.

Fig4. Circuito implementado para el encendido y apagado del IGBT

Rg por lo general se toma con valores pequeños, dependiendo del datasheet del dispositivo utilizado, el IGBT
utilizado se trata del IGT 4D10, el cual tiene una resistencia RG(ON)=50 Ω, por lo tanto, utilizamos un aproximado
de 39Ω. Para el cálculo de R1, utilizamos la señal de entrada que se trata de la señal de pulso de entrada.

5−1.25
𝑅1 = = 375Ω ≈ 390Ω
10𝑚𝐴
12−1.25
𝑅1 = = 950Ω ≈ 1𝑘Ω
10𝑚𝐴

El aislamiento entre el circuito de control y potencia se debe realizar a través de una optonand.
4. Considerar un diodo de conmutación rápida (Fast Recovery) para trabajar con una carga
inductiva que consuma igual potencia que la carga resistiva.

Fig5. Circuito implementado para encendido del IGBT, con carga inductiva

XL=R=144Ω

Referencias:
[1] http://www.incb.com.mx/index.php/articulos/9-articulos-tecnicos-y-proyectos/1473-conozca-el-555-cmos-
art235s
[2] C. J. Savant and G. L. Carpenter, Diseño electrónico circuitos y sistemas.

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