TIRISTOR DE CARBURO DE SILICIO

Introduccion:
un tiristor es un dispositivo semiconductor de potencia biestable que puede cambiarse de
estado apagado a estado activado, o viceversa. Los dispositivos semiconductores de potencia,
tales como tiristores, transistores de unión bipolar de alta potencia ("HPBJT"), o transistores de
efecto de campo de semiconductores de óxido de metal de potencia ("MOSFET"), son
dispositivos semiconductores capaces de controlar o pasar grandes cantidades de corriente y
bloquear altas tensiones. Los tiristores son generalmente conocidos y convencionalmente
tienen tres terminales: un ánodo, un cátodo y una compuerta. Un tiristor se enciende aplicando
un breve impulso de corriente a través de la puerta y el cátodo. Una vez que el tiristor se
enciende, la puerta pierde su control para apagar el dispositivo. El apagado se logra aplicando
una tensión inversa a través del ánodo y el cátodo.

la caída en los tiristores de silicio convencionales es de aproximadamente 1.5V a 2V, y para

algunos dispositivos de mayor potencia, aproximadamente 3V. Por lo tanto, el tiristor puede
controlar o pasar grandes cantidades de corriente y bloquear efectivamente altos voltajes (es
decir, un interruptor de voltaje). Aunque V F determina la pérdida de energía en el estado de
encendido del dispositivo a cualquier corriente dada, la pérdida de energía de conmutación se
convierte en un factor dominante que afecta la temperatura de la unión del dispositivo a altas
frecuencias de operación. Debido a esto, las frecuencias de conmutación máximas posibles
utilizando tiristores convencionales están limitadas en comparación con muchos otros
dispositivos de potencia.

Dos de los parámetros más críticos para un tiristor son el potencial incorporado (que es una
característica de cualquier intervalo de banda del material semiconductor dado) y la resistencia
de activación específica. La resistencia de encendido específica para un tiristor preferiblemente
debe ser lo más pequeña posible para maximizar la corriente por unidad de área para un
voltaje dado aplicado al tiristor. Cuanto menor sea la resistencia de activación específica,
menor será la caída de V F para una clasificación de corriente dada. El mínimo V F para un
material semiconductor dado es su potencial de voltaje incorporado.

Los tiristores convencionales se fabrican en silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs), como un
rectificador controlado de silicio ("SCR"). Sin embargo, los tiristores formados en Si o GaAs
tienen ciertas limitaciones de rendimiento inherentes al material de Si o GaAs, como el grosor
de la región de deriva. El factor más importante que contribuye a la resistencia de resistencia
específica es la resistencia de la región de deriva gruesa y baja dopada del tiristor. A medida
que aumenta la tensión nominal de un tiristor, generalmente aumenta el grosor de la región de
deriva y disminuye el dopaje de la región de deriva.

Los tiristores convencionales se fabrican en silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs), como un
rectificador controlado de silicio ("SCR"). Sin embargo, los tiristores formados en Si o GaAs
tienen ciertas limitaciones de rendimiento inherentes al material de Si o GaAs, como el grosor
de la región de deriva. El factor más importante que contribuye a la resistencia de resistencia
específica es la resistencia de la región de deriva gruesa y baja dopada del tiristor. A medida
que aumenta la tensión nominal de un tiristor, generalmente aumenta el grosor de la región de
deriva y disminuye el dopaje de la región de deriva. Por lo tanto, la resistencia de la región de
deriva aumenta dramáticamente. Por lo tanto, el grosor de la región de deriva debe
minimizarse, y el nivel de dopaje debe maximizarse, para cualquier voltaje nominal dado a fin
de minimizar la resistencia específica de encendido para el dispositivo.

Los problemas con la resistencia a la conexión han sido reconocidos y se han desarrollado
varias estructuras de tiristores en un intento de resolver los problemas de la resistencia en la
resistencia. Estos intentos anteriores para resolver el problema incluían varias estructuras del
material semiconductor de Si o GaAs para tratar de disminuir la resistencia de encendido. Sin
embargo, estos intentos anteriores estaban limitados por las características inherentes del
material semiconductor de Si o GaAs. Por ejemplo, el nivel de dopaje requerido para soportar
un voltaje dado en un tiristor Si o GaAs es relativamente bajo en comparación con el requerido
para un material de campo eléctrico de ruptura más alto. Como resultado, para formar tiristores
de mayor poder en arseniuro de silicio o galio, el dopaje en las partes apropiadas del
dispositivo debe mantenerse a niveles relativamente bajos. Esto a su vez, como material
semiconductor, el carburo de silicio (SiC) ofrece una serie de propiedades físicas y electrónicas
ventajosamente únicas. Estos incluyen su alto punto de fusión, alta conductividad térmica,
dureza de radiación (particularmente a la radiación de neutrones), banda ancha, campo
eléctrico de alta ruptura y alta velocidad de deriva de electrones saturados.

Recientemente, el cesionario común de la presente invención ha desarrollado varias técnicas

para fabricar dispositivos semiconductores a partir de SiC, un material de banda ancha, que
anteriormente se desconocía. El carburo de silicio es un material semiconductor menos maduro
que el Si o GaAs debido a su reciente desarrollo y el rendimiento de los dispositivos
semiconductores fabricados con material menos maduro generalmente es menos predecible. El
cesionario común de la presente invención ha desarrollado recientemente varios dispositivos
semiconductores, como los diodos de unión PN, los MOSFET de potencia, los JFET y los
diodos emisores de luz azul, lo que convierte al SiC en una alternativa comercialmente viable a
los dispositivos hechos de Si, GaAs y otros materiales semiconductores

Por lo tanto, un objeto de la presente invención es proporcionar un tiristor operable formado en

carburo de silicio y que aproveche favorablemente las características electrónicas del carburo
de silicio. Sumario de la invención

Algunas Ventajas del Tiristor de Carburo de Silicio (SiC)

La presente invención es un tiristor SiC capaz de manejar voltajes más altos operables en un
amplio rango de temperatura, y que tiene una resistencia de activación baja. Debido a las
características físicas y electrónicas de SiC, un tiristor formado en SiC proporciona una mejora
en el rendimiento de resistencia y alta temperatura en comparación con los tiristores
convencionales formados en Si o GaAs. La baja resistencia específica de encendido, a su vez,
aumenta las capacidades de frecuencia de conmutación del tiristor a altas temperaturas y altos
voltajes.

Debido a los altos niveles de dopaje permitidos para un voltaje dado en SiC, el tiristor de SiC
puede tener una capa de deriva más delgada y una resistencia de activación mucho más baja
que los tiristores de Si o GaAs de tamaño equivalente, o tiristores mucho más pequeños para la
misma resistencia de activación. El alto campo de ruptura eléctrica, la alta velocidad de deriva
de electrones saturados y la alta conductividad térmica ofrecen más ventajas físicas y
electrónicas en los tiristores de SiC. La capacidad de operar a altos niveles de potencia y altas
temperaturas, por ejemplo, reduce en gran medida el peso de los sistemas de refrigeración
electrónicos basados en el espacio requeridos para los dispositivos semiconductores, y la
dureza de la radiación del carburo de silicio aumenta su atractivo para aplicaciones militares y
de defensa.

Las características de rendimiento mejoradas del tiristor SiC proporcionan mayores

capacidades de frecuencia de conmutación del tiristor a temperaturas y niveles de potencia
significativamente más altos que los de Si o GaAs.

los métodos para formarlo, proporcionan un tiristor de SiC que tiene una baja resistencia
específica en amplios rangos de temperatura, incluidas altas temperaturas a las que los
dispositivos basados en Si fallarían térmicamente ("saltos térmicos") o se degradarían.

Estas realizaciones ilustran el tiristor como una estructura de cuatro capas generalmente
vertical, pero otras estructuras, como una configuración horizontal:
La Figura 1 es una vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor pnpn formado
en carburo de silicio de acuerdo con una primera realización de la presente invención

La Figura 2A es un gráfico gráfico del voltaje del colector frente a la corriente del colector a una
temperatura de 300 ° Kelvin según una realización de tiristor de carburo de silicio de la Figura 1

La Figura 2B es un gráfico gráfico del voltaje del colector frente a la corriente del colector a 623
° Kelvin según una realización de tiristor de carburo de silicio de la Figura 1

La figura 3 es una vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor de carburo de

silicio pnpn de acuerdo con una segunda realización de la presente invención
La figura 4 es una vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor de carburo de
silicio npnp según una tercera realización de la presente invención

La Figura 5 es una vista fotográfica de una máscara, con 200 aumentos, utilizada para formar
un tiristor de carburo de silicio según la primera realización de la presente invención

Deacuerdo a los dibujos mostrados, se describirá algunos detalles:

El tiristor SiC de la presente invención tiene un sustrato, un ánodo, una región de deriva, una
puerta y un cátodo. El sustrato, el ánodo, la región de deriva, la compuerta y el cátodo están
formados preferiblemente de SiC que tiene un politipo seleccionado del grupo que consiste en
3C, 2H, 4H, 6H y 15R. En las realizaciones ilustradas, las regiones n + y n, así como las p + y
p-, se designan "+" y "-" para simbolizar diferentes niveles de dopaje respectivamente del
mismo material de una manera bien entendida por los expertos en la materia. en este art. El
carburo de silicio de tipo p se dopa preferiblemente con aluminio o boro y el carburo de silicio
de tipo n se dopa preferiblemente con nitrógeno o fósforo. En las Figuras 1, 3 y 4, todos los
sustratos se ilustran con una capa adicional sobre el mismo tipo de conductividad; por ejemplo,
(11) y (12) en la Figura 1, (31) y (32) en la Figura 3, y (46) y (47) en la Figura 4. Estas capas
adicionales a menudo se agregan a un sustrato para ganar una región con un nivel de dopaje
algo más alto. En términos generales, tales niveles de dopaje más altos son más fáciles de
producir en capas epitaxiales que en sustratos tomados de cristales en masa. Sin embargo, se
entenderá que, en cada una de las realizaciones ilustradas y reivindicadas, una única capa que
puede ser, por supuesto, el sustrato, si se dopa satisfactoriamente, es todo lo que se
requiere. Figura 3 y 4, todos los sustratos se ilustran como si tuvieran una capa adicional sobre
el mismo tipo de conductividad; por ejemplo, (11) y (12) en la Figura 1, (31) y (32) en la Figura
3, y (46), (47) en la Figura 4.
En las realizaciones ilustradas, el sustrato se forma de SiC que tiene un tipo de conductividad y
el ánodo o el cátodo, dependiendo de la realización, se forma adyacente al sustrato y tiene el
mismo tipo de conductividad que el sustrato. En las Figuras 1 y 4, se forma una región de
deriva de carburo de silicio adyacente al ánodo o cátodo y tiene el tipo de conductividad
opuesta del ánodo o cátodo. En la Figura 3, se forma una puerta entre la región de deriva y el
cátodo (que puede ser el sustrato) y tiene el tipo de conductividad opuesta a la región de deriva
y el cátodo.

Más particularmente, la figura 1 ilustra una vista esquemática en sección transversal parcial de
una primera realización del tiristor SiC (10) de acuerdo con la presente invención. Una primera
región (11) de silicio de tipo p define un sustrato y una segunda región (12) de carburo de silicio
adyacente a la primera región (11) y también tiene conductividad de tipo p define un ánodo del
tiristor (10). Una tercera región (13) de carburo de silicio de tipo n adyacente a la segunda
región (12) define una región de deriva. Una cuarta región (14) de carburo de silicio de tipo p
adyacente a la tercera región (13) define una compuerta del tiristor (10) y una quinta región (15)
de carburo de silicio de tipo n adyacente a la cuarta región (14) define un cátodo del tiristor.

Bibliografia

- vol.24, núm.16, agosto 1988, ENAGE GB páginas 1031 – 1032

- Ciencia de semiconductores y tecnologia, vo1.7, núm.7, julio 1992, LONDRES
GB Páginas 863 – 880
- Dispositivos de electron internacional 1988, diciembre 1988, páginas 610-613
- Transacciones de IEEE Encima dispositivos de electrones, vol.40, paginas 645-
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