Recibido el 7 de octubre de 2014; 5 revisado diciembre de 2014 y 15 enero de 2015; aceptado el 20 de enero de 2015.

Fecha de la versión corriente

22 de abril de año 2015.
La revisión de este trabajo fue organizada por Editor D. Esseni.
Identificador de Objetos Digitales 10.1109 / JEDS.2015.2397694

Conmutación de Sharp por efecto de campo

de bandgap Modulación en el All-grafeno
Side-Gate Transistores
Lie-TING TUNG (Student, IEEE) y Edwin C. KAN (Senior Member, IEEE)
Facultad de Ingeniería Eléctrica e Informática, Universidad de Cornell, Ithaca, NY 14853 EE.UU.
Correspondencia: L.-T. TUNG (e-mail: lt277@cornell.edu)
Este trabajo fue apoyado por la Fuerza Aérea Oficina de Investigación Científica.

RESUMEN El grafeno es un material electrónico 2-D que ha atraído el interés intensiva debido a su alta
movilidad de portador, flexibilidad de la película, y de hueco de banda sintonizable. La modulación de
banda prohibida única por el campo eléctrico transversal en el nanocinta grafeno (GNR) ofrece una nueva
oportunidad de seguir con interruptores subumbral empinada no limitado por la tensión térmica. En este
trabajo, se demuestra un proceso de grafeno enrutamiento (GRP), que puede implementar el transistor
GNR lado-puerta con la modulación de efecto de campo de banda prohibida (FEBM). El GRP se alinea
con precisión las puertas laterales en el canal de transistor, y proporciona escalable W / L sin
preocupaciones de registro. Además, mediante el control del tamaño patrón, la metálico fuente / drenador,
puertas laterales, y semiconductor de canal están todos definidos en la gran área de grafeno de película
delgada a paso de una sola crítico litografía. El proceso de GRP por lo tanto se puede adaptar al proceso de
backend con transferencia de película fina incluso en sustratos flexibles. La doble lado-gate GNR
transistores exposición FEBM y un coeficiente de temperatura negativo para la conductancia en estado
ENCENDIDO que puede estabilizar el embalamiento térmico. Además, el encaminamiento de una sola
capa para la topología de circuito simple puede mejorar la densidad del paquete y reducir el número de vías
de contacto. Combinando FEBM con el control electrostático puede traer más alto en conmutación de
corriente y sub-60 mV / década. Estas características de los dispositivos ofrecen un potencial de la
tecnología de compuerta de potencia en aplicaciones de baja potencia. el encaminamiento de una sola capa
para la topología de circuito simple puede mejorar la densidad del paquete y reducir el número de vías de
contacto. Combinando FEBM con el control electrostático puede traer más alto en conmutación de
corriente y sub-60 mV / década. Estas características de los dispositivos ofrecen un potencial de la
tecnología de compuerta de potencia en aplicaciones de baja potencia. el encaminamiento de una sola capa
para la topología de circuito simple puede mejorar la densidad del paquete y reducir el número de vías de
contacto. Combinando FEBM con el control electrostático puede traer más alto en conmutación de
corriente y sub-60 mV / década. Estas características de los dispositivos ofrecen un potencial de la
tecnología de compuerta de potencia en aplicaciones de baja potencia.

TÉRMINOS DEL ÍNDICE El grafeno, nanocinta, transistores de película delgada, la modulación de banda prohibida,
gating poder.

I. INTRODUCCIÓN tecnología complementaria de metal-óxido-semiconductor

Las propiedades eléctricas únicas hacen que el grafeno como
material alternativo en muchas aplicaciones nuevas. La alta
movilidad de electrones / orificio [1] - [3] y las estructuras
de banda simétricos [2], [3] de grafeno son útiles para los
transistores de alta frecuencia [4] - [6]. Mientras tanto, la
falta de intervalo de banda semiconductor limita su
aplicación de conmutación donde Cur- alquiler sobresale
(CMOS). Sin embargo, la ment 2D quantum confinamiento
en el nanocinta grafeno (GNR) puede abrir un intersticio de
banda de magnitud inversamente proporcional a la anchura de
la cinta [7] - [9]. Por lo tanto, la GNR de semiconductores
como ha dibujado gran interés y motivó la idea de todos los
circuitos de grafeno-[10], [11].
 Con el fin de seguir la conmutación por debajo del umbral las soluciones potenciales para mejorar la pendiente
empinada, se han propuesto muchos nuevos conceptos [12] - subumbral sin complicar topología de circuito. En realidad
[14]. La modulación de efecto de campo de banda prohibida ninguna contribución banda prohibida a partir del tamaño de
(FEBM) [15] - [19] transistor es uno de cuantización en los semiconductores 2D expresará FEBM.
Sin embargo, previo doble spacer raphy lithog- y otro
proceso enfoques [9], [16], [20] son o bien un reto o que
tengan el problema de registro de dispositivo, especialmente
para la aplicación de la separación lateral de puerta. Las
dificultades de diseño y fabricación aumentan
significativamente la barrera de la integración en la
plataforma CMOS.
En este trabajo, se propone la grafeno enrutamiento Cess
pro- (GRP) para dual-lateral-gate transistores GNR, como se
representa en la Fig. 1, donde el canal, puertas laterales,
fuente, drenaje y la conexión entre los transistores están
todos en un solo capa de grafeno. Las separaciones de
dimensión de canal y de lado de la puerta se obtienen dentro
de un crítico a paso de la litografía de haz de electrones sin
máscara (EBL). Este enfoque evita la desalineación de la
GNR y los secundarios puertas, que es la más crucial
2168-6734 ×do 2015 IEEE. Se permiten traducciones y la minería de contenido sólo para la investigación académica.
También se permite el uso personal, pero republicación / redistribución requiere el permiso del IEEE.
144 Ver http://www.ieee.org/publications_standards/publications/rights/index.html para más información. Volumen 3, NO. 3, MAYO 2 015
Tung y KAN: CONMUTACIÓN POR SHARP FEBM en los transistores de grafeno ALL-SIDE-
GATE

característica para el transistor FEBM lado-gate. Además, Fig. 1 (b), los contactos metálicos de Ti / Pt / Au se cultivan
incluso si la separación entre el canal y laterales puertas por evaporación y definidos por EBL. Aquí estos electrodos
están determinados por EBL, FEBM es todavía de sólo se utilizan como sondeando parches y teclas de
suficientemente eficaces porque el campo transversal alineación.
requerida es pequeña, como sería más claro más adelante.
Además, GRP no sólo puede reducir el número de vías con-
tacto en la conexión del circuito, sino también permitir que
el canal, fuente, drenaje y puerta para ser todo nivelado en
una capa flexible, que ofrece grandes ventajas de integrar la
capa de grafeno como poder rejilla gating en el proceso de
backend.

FIGURA 1. proceso de enrutamiento grafeno (GRP) de flujo. (A) A partir

de la ECVgrafeno en 285 nm SiO2. (B) La colocación de las
almohadillas de metal (Ti / Pt / Au) para la medición eléctrica. (C)
que define el canal, fuente / drenador, y de las puertas laterales a
través de EBL y oxígeno grabado de plasma. El dispositivo se finalizó
mediante la eliminación de la dirección de haz de resistir.

II. la fabricación del dispositivo

GRP comenzó con el grafeno deposición química de vapor
(CVD) en el dióxido de 285nm de silicio (SiO2) crecido en
el sustrato de Si, como se muestra en la Fig. 1 (a). Para la
integración backend, la capa de grafeno puede ser
transferido en vez de crecimiento CVD in-situ [21]. En la
Volumen 3, NO. 3, MAYO 2
015 14
 =

Tung y KAN: CONMUTACIÓN POR SHARP FEBM en los transistores de grafeno ALL-SIDE-
GATE
Los patrones de dispositivos activos, incluyendo la fuente,
drenaje, PLA nar par de lado puerta y el canal, se
obtuvieron todos en EBL de un solo paso con-tono negativo
de silsesquioxano de hidrógeno (HSQ) y el grabado con
plasma de oxígeno, como se ilustra en la Fig. 1 ( do). La
región activa se examinó mediante microscopio de barrido
de electrones (SEM) que muestra la dimensión crítica:. W /
L de 20 nm / 2 micras del canal GNR en la figura 2 (a). La
separación 150 nm entre los bordes de las puertas laterales
se refiere al tamaño de la característica nominal en el diseño
de la disposición. La muestra se finalizó mediante la
limpieza de la dirección de haz residual resistir.
impulso (Ek) diagramas. Para probar las propiedades FEBM,
el dispositivo se hace funcionar bajo el modo de modulación
lado-gate, donde Vsg es independiente de la VBG a tierra y
Id muestra una fuerte dependencia en el campo transversal. .
El FEBM en la figura 3 (a) se extrae por mejora actual entre
diferentes estrategias de polarización:
(i) puesta a tierra una de las puertas laterales, mientras que
desvía el otro,
(ii) de empuje ambas puertas laterales entre sí, (iii) de
empuje las puertas laterales diferencialmente. La derivación
detallada había sido dis- cussed en el trabajo previo [16]. Sin
embargo, en este GNR

FIGURA 2. GNR FEBM transistor de W / L = 20 nm / 2 μmetro. (A)

SEM top-vista de la imagen de la doble transistor de grafeno lado-
puerta con un ancho de sub-20 nm canal. (segundo)yore - Vbg curvas
del transistor GNR en Vds = 3 V.

III. RESULTADO Y DISCUSIÓN

El back-puerta de transistor de efecto campo (FET) se
examina en la Fig. 2 (b). El ID de corriente de drenaje,
modulada por Vbg, presenta la conducción ambipolar
típico, que es una de las turas signa- para el grafeno
monocapa debido al cono de Dirac simétrica en la energía-

Volumen 3, NO. 3, MAYO 2

14 015
 borde rugosidad [22], [23]. En el proceso de litografía de
doble espaciador, la rugosidad borde de la línea (LER) se
suprime mediante la reducción de la variación de anchura
heredado del proceso anterior. En el futuro, el efecto LER en
FEBM debe ser estudiada mediante la sustitución de la GNR
modelado con los productos químicos GNR sintetizado [9],
que tiene bordes atómicamente afilados y razonablemente
grande de banda prohibida. Para optimización futura
agresivo, nitruro de boro (BN) como óxido de puerta
también debe integrarse para excluir la contribución de
conducción borde y estados de interfaz [24].
La relación funcional de la modulación de banda prohibida
de la OEG con
respecto al campo transversal Ftransverse en mV / nm se
ajusta a:

sg1 - Vsg2 (1)

Ftransverso = V
res
Σ . ΣΣ= ·
g -

OEg, -Ftransverso
12.8meV 1 exp (2)
5.53mV / nm
GRP OE Ftransverso
g,
= 1.2meV · exp . Σ (3)
trabajo spacer
muestra -
menos FEBM3.16mV /
en campos transversales
nm
mayores que los dispositivos de proceso de litografía de doble
espaciador. Esto puede explicarse por la modulación de banda
prohibida debilitada desde

= ·

FIGURA 3. (A) Extraídas FEBM en diferentes tecnologías de litografía,

donde las líneas y los símbolos de puntos son resultados empotrados
y experimentales, respectivamente. (B) Al conducir las puertas
laterales, simulóyore - Vsg curvas se muestran para la modulación de
banda prohibida y FET convencional. (C) simulada
yore - Vds curvas menores de escalonamiento de empuje lateral puerta.
(D) pendiente subumbralde barrido de una de las puertas laterales
en diversas separaciones de 160 a 5 nm.
donde dsg es la separación lateral de puerta. La ecuación
(2) se extrae de los dispositivos de GRP, mientras que (3) de
los dispositivos de litografía espaciador-. La teoría y la
derivación se dis- cussed en el trabajo previo [16]. Observe
que el campo crítico para FEBM es pequeño, 5.53mV / nm
para GRP y 3.16mV / nm para espaciador. La curva de
modulación de banda prohibida tailing-off para GRP se
puede atribuir a la pequeña banda prohibida cuántica-
confinamiento antes de que ocurra la modulación. tividad
Esta alta modulación sensi- de FEBM es deseable para el
funcionamiento de baja potencia. La estrategia de
aplicación es determinar primero el intervalo de banda
necesario para el mantenimiento de corrientes de baja OFF
y luego reducir el intervalo de banda tanto como sea posible
por Ftransverse de puertas laterales cuando el canal está en
ON. La inclusión de FEBM con la operación FET
convencional dará más control de la puerta, más alto en la
transición actual y más pronunciada sin comprometer el
consumo de energía estática. Para entender la mejora del
rendimiento de FEBM, Ec. (2) se combina con el modelo
modificado largo canal EKV [25] para simular las
características de IV bajo la estrategia de desviación lateral-
gate (i). El entorno de simulación se construye bajo el
DICIÓN con- vacío, W / L = 20 nm / 2 micras, dsg = 150
nm, y el portador E · movilidad, h 1500 cm2 / V s sin incluir
mecanismo de degradación movilidad. El valor de la
movilidad utilizada es cerrada a la de efecto de campo de
extracción de movilidad directo de la Fig. 2 (b). La
combinación de la modulación de banda prohibida con el
concepto de conmutación convencional ofrecerá mayor
control de la puerta, más grandes en transición actual y más
pronunciada. En la región de saturación, las curvas Id Vsg se
ilustran en la Fig. 3 (b) con una mejora notable para la
corriente ON, transconductancia gm relación y ON / OFF de
corriente en comparación con el FET convencional. Sin
embargo, FEBM afectará a la linealidad de las características
de salida, que deben ser tomados en cuenta para aplicaciones
analógicas. Las características de salida de Id Vds bajo pisar
Vsg demuestran mayor corriente de accionamiento y una
menor resistencia del canal en la región de oreja lin-, como
se muestra en la Fig. 3 (c). Bajo el largo del canal
aproximación, la corriente de difusión subumbral puede
escribirse como [26]:

qnorteef re0 ψ ES
J × expag . q Σ × Σ1 - expag .- qVds Σ Σ
re = -
exp L
× . Kdo Σ K
sg / 1
ΣqV T franjaΣ+KT T (4)
doóxido
OEsol
Neff = NPO x exp . Σ (5)
K
T

donde Neff es la concentración de portadores eficaz, D0 es a la magnitudes de banda prohibida. A partir de esta
la difusividad portador, ψes es el potencial de la superficie observación, la intensidad de campo de 0.02v / nm puede
electrostática en el canal de GNR, K es la constante de reducir el tamaño del hueco de banda por 17meV, que está
Boltzmann, T es la temperatura, Vds es el sesgo de drenaje, cerca del resultado en la Fig. 3 (a).
NPO es la de portadores minoritarios situación equilibrada
concentración y Cfringe y Coxide son las capacitancias de
franja y puerta lateral, respectivamente. Para investigar la
escalabilidad de la GNR FET, la simulación se realiza sin la
consideración de las capacidades parásitas. La pendiente
subumbral frente Vsg se muestra en la Fig. 3 (d) bajo
diversas separaciones de lado de la puerta. El ulación sim-
evalúa la intensidad de campo transversal necesaria para el
desempeño por debajo del umbral empinada. El principal
mecanismo de sub-60mV conmutación / década se debe a la
concentración de portadores intrínseco mejorada de FEBM.
Por simplicidad, la degradación de movilidad con respecto a
la anchura y LER no se consideran [27]. En este trabajo, la
=
pendiente sub-umbral se satura gradualmente en Vsg 0,5 V,
que se puede interpretar como insuficiente de banda
prohibida de confinamiento cuántico 2-D en Ftransverse = 0,
así como la fuerte LER en el presente proceso de impresión
directa EBL [16], [28]. El LER heredado en el canal GNR
afectará fuertemente confinamiento cuántico y mecanismos
de dispersión [9], [19], [29] que potencialmente cambiar la
eficiencia FEBM.
El coeficiente de temperatura en FEBM se investiga en
Fig. 4. La conductancia de salida muestra coeficiente de
tem- peratura negativo = αgd ∂gd / ∂T en la Fig. 4 (a) debido
principalmente a la degradación de la movilidad en la
corriente de deriva. Este coeficiente de temperatura negativo
para el estado ON será una retroalimentación favorable en la
redistribución actual bajo autocalentamiento bación pertur-,
= [30] para
que es esencial para el transistor de potencia gating
evitar el embalamiento térmico. Por otra parte, gm_sg ∂Id /
∂Vsg tiene un coeficiente de temperatura positivo en
regiones de baja Vsg en la Fig. 4 (b), que indica que la
corriente de difusión es la componente de corriente
dominante y Id todavía es sensible a la concentración de
portadores intrínsecos. Las dependencias de temperatura no
monótonas de gm_sg en ON y estados casi-ON también se
pueden ver como elementos de prueba en el FEBM
observado. El gráfico de Arrhenius de la corriente de drenaje
en escala log frente
- a 1 / T se utiliza para extraer el FEBM
paráme- tros para la confirmación en el recuadro de la Fig. 4
(b), porque las pistas en Id log 1 / cambio de T con respecto
 αgd = ∂solre/ ∂T versus Vds y (b) de transconductancia lado-gate
αgm_sg = ∂solmetro_sg/ ∂T versus Vsg a Vds = 1,5 V y baja Vsg. El FEBM
extraído de la gráfica de Arrhenius por variación de la temperatura se
representa en el recuadro.

IV. CONCLUSIÓN
En resumen, GRP proporciona la escalabilidad y registro trol
con- en los dispositivos de GNR, así como la conexión del
circuito con la complejidad topológica igual a 1. Este
proceso de paso crítico reduce barrera para la integración a
gran escala. El lado-gate transistor dual GNR hecha por GRP
también demuestra FEBM que no se limita por 60mV /
década de conmutación a temperatura ambiente. La forma
funcional de FEBM se extrae de dispositivos de GRP y se
utiliza para predecir la mejora Formance per-. A pesar de que
la LER reduce la eficiencia de modulación de banda
prohibida, las características de transferencia de muestra más
alto en corrientes, más grande ON / OFF relaciones de
corriente, y transiciones más pronunciadas en ambas las
regiones lineales y saturación. Además, subumbral inclina
menor que 60 mV / década se puede observar en diversas
separaciones de lado de la puerta. Sin embargo,
FIGURA 4. coeficiente de temperatura medida en (a) la conductancia
de salida
degrada la eficiencia FEBM. El coeficiente de temperatura [16] L.-T. tung,MV Mateus, y CE Kan, “grafeno Tri-gate transistores
nanorib- Bon con-campo transversal de modulación de banda
negativo para la conductancia del canal da redistribución prohibida”, IEEE Trans. Dispositivos de electrones, vol. 61, no. 9, pp.
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de backend. El coeficiente de temperatura itive posi- de la
transconductancia en la región de baja Vsg también
proporciona evidencia adicional de FEBM en los resultados
experimentales. Este trabajo da otra pieza del rompecabezas
de precisar los mecanismos físicos detrás FEBM. La
contribución detallada de la brecha de banda prohibida de
transporte o hacia FEBM necesita más evidencia para tener
olución res- eventual. El GRP proporciona la vía para
reducir el número de vías. Para la unidad de proceso central
(CPU) con más de
1 mil millones de transistores, todo-en-uno-capa de
dispositivos es, sin duda fuera del alcance. A pesar de que la
tecnología de semiconductores está llevando a cabo la
integración 3D para más funcionalidades, la escalable GRP
puede generar un impacto en la industria de delgada película
de transistor pantalla de matriz activa o en la red de
distribución de energía a causa de relativamente baja
complejidad del circuito.

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Lie-TING TUNG (S'09) recibió la BS y

una maestría en ciencia de materiales e inge-
niería de la Universidad Nacional Tsing Hua, en
Hsinchu, Taiwán. Actualmente cursa el doctorado
grado de la Facultad de Ingeniería Eléctrica e
Informática, Universidad de Cornell, Ithaca, NY,
EE.UU.. Sus intereses de investigación incluyen
interruptor de enlace de datos de alta velocidad
eficiente de la energía y.

Edwin C. KAN (S'86-M'91-SM'05) recibió

la licenciatura de la Universidad Nacional de
Taiwán, Taipei, Taiwán, en 1984, y la MS y
Ph.D. grados de la Universidad de Illinois,
Urbana, en 1988 y 1992, respectivamente, todos
en inge- niería eléctrica. En 1992, se unió a
Dawn Tecnologías como Ingeniero Principal de
CAD. Tenía entonces con la Universidad de
Stanford, como investigador asociado de 1994 a
1997. A partir de 1997, fue profesor adjunto de la
Escuela de Ingeniería Eléctrica y Computación
de la Universidad de Cornell,
Ithaca, Nueva York, donde actualmente es profesor. Ha pasado los veranos
de 2000 y 2001 en IBM Microelectrónica, Yorktown Heights y Fishkill,
Nueva York, en el Programa de Socios de la Facultad. En 2004 y 2005 fue
investigador visitante en Intel Research, Santa Clara, California, y profesor
visitante en la Universidad de Stanford durante su año sabático. Sus
principales áreas de investigación incluyen tecnologías CMOS, la física de