Está en la página 1de 3

1

Investigación sobre Estructuras para Mosfet’s


de Potencia
K. E. Sanchez, Estudiante de EIECRI, ESPOCH kerly96sanchez@hotmail.com

MOSFET’S DE ESTRUCTURA VERTICAL


Abstract— The objective of this report is to investigate the
main features that have power Mosfet's, the structure of each Todos los elementos del MOSFET plano están presentes en el
device is presented by an image; the construction of each device FET de silicio de óxido metálico vertical (VMOS) en donde la
is detailed and the greater benefits that each Mosfet possesses as conexión superficial metálica con las terminales del dispositivo,
well as its advantages and some comparisons.
la capa de SiO2 entre la compuerta y la región tipo p entre el
drenaje y la fuente para que crezca el canal n inducido. El
Palabras clave —Mosfet, agotamiento, construcción, capas y
término vertical se debe sobre todo a que ahora el canal se
estructura.
formó en la dirección vertical en vez de la horizontal como en
el caso del dispositivo plano. Sin embargo, el canal que se
I. INTRODUCCIÓN
muestra en la Fig 1, también tiene la apariencia de una “V”
A lo largo del documento hablaremos de algunos Mosfet’s de tallada en la base del semiconductor, la que a menudo sobresale
potencia correspondientes a estructuras verticales y algunas de como una característica para memorizar el nombre del
las ventajas y desventajas que cada uno de estos poseen, de cada dispositivo. La construcción de este Mosfet es un tanto sencilla
tipo de Mosfet se presentara su estructura en una imagen donde porque no incluye algunos de los niveles de transición de
se podrá apreciar los diferentes canales ya sean n o p y sus dopado, pero sí permite describir las facetas más importantes de
respectivos terminales (Source, Gate y Drain). Los Mosfet de su operación.
potencia tienen una estructura vertical con una capa ligeramente
dopada entre las conectadas a los terminales de Drain y Source
que son los que van a soportar la mayor parte de la tensión entre
Drain y Source. Algunos de los Mosfet que se van a mencionar
son V-Mosfet, D-Mosfet y U-Mosfet.

II. MARCO TEÓRICO


El transistor de efecto de campo MOS o MOSFET es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en
la estructura MOS. Los primeros son los MOSFET de
enriquecimiento o acumulación los cuales se basan en la
creación de un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una
tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores Fig 1. Construcción de un V-Mos
minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región
de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que VENTAJAS Y DESVENTAJAS
tenía el sustrato originalmente.
El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la - Comparados con los MOSFET planos comercialmente
conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de disponibles, los VMOS FET tienen niveles de resistencia
portadores de carga en la región correspondiente al canal. El de canal reducidos y valores de potencia y corriente más
canal puede formarse con un incremento en la concentración de altos.
electrones, o huecos. De este modo un transistor NMOS se - Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura
construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, positivo, el cual combate la posibilidad de
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato desbordamiento térmico.
tipo n y tiene un canal de tipo p. - Los niveles almacenados de carga reducidos aceleran los
tiempos de conmutación para la construcción de VMOS,
comparados con los de la construcción plana
convencional.
2

- Debido a la reducción de niveles de resistencia existe una "trinchera" o tecnología de semiconductores verticales ofrece
mayor inestabilidad de temperatura y un desbordamiento ventajas significativas en términos de velocidad y disminución
térmico. [1] de la resistencia de ENCENDIDO. Como resultado, muchos
fabricantes de componentes electrónicos semiconductores
D-MOSFET DEPLETION ENHANCEMENT ofrecen formas verticales de estructura para sus transistores
MOS.
Como su nombre lo indica, el MOSFET de mejora del El transistor UMOS es muy similar al VMOS FET. Es un
agotamiento (DE-MOSFET) se desarrolló para ser utilizado en desarrollo ligeramente posterior del mismo principio básico.
uno o ambos modos de agotamiento y mejora. Los UMOSFET son capaces de proporcionar una función útil
Sabemos que cuando el gate esta polarizado negativamente con en muchas aplicaciones de potencia relativamente alta, tanto en
respecto a la fuente en un JFET de canal N, los anchos de la fuentes de alimentación como en transistores de potencia de RF.
región de agotamiento se incrementan. El aumento en las
regiones de agotamiento reduce el espesor del canal, lo que La Fig.3, muestra el diseño básico utilizado para los UMOSFET
aumenta su resistencia. El resultado neto es que la ID de de potencia en SiC.
corriente de drenaje se reduce.
Si la polaridad de VGG se invirtiera para aplicar un pulso
positivo al gate con respecto al source, las uniones P-N entre el
gate y el canal tendrían una polarización directa. Como una
polarización directa reduce el ancho de una región de
empobrecimiento, el grosor del canal aumentaría con una
disminución correspondiente en la resistencia del canal. Como
resultado, la ID (corriente de drenaje) aumentaría más allá del
valor IDSS del JFET. En la Fig 2. Podemos observar la
estructura de un Mosfet de agotamiento de canal n.

Fig 3. Sección transversal de un transistor de potencia UMOS.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS

- El diseño de UMOS, en su forma más básica, no requiere


implantación de iones o pasos de recocido de implantes,
y fue el primer MOSFET de potencia realizado en SiC.
- Es muy similar al VMET FET, la principal diferencia es
que la parte inferior de la V se aplana para darle una
Fig 2. Construcción de un Mosfet de agotamiento forma de U, de ahí el nombre UMOS.
- La ranura "U" realiza la misma función que la ranura
VENTAJAS Y DESVENTAJAS "V" que se encuentra en VMOS FET.
- El dispositivo usa dos conexiones para la fuente y, en
- En este tipo de Mosfet existe una mayor resistencia consecuencia, hay un área muy grande a través de la cual
debido a el aumento en las regiones de agotamiento y por puede fluir la corriente. Esto reduce la resistencia ON del
ende su reducción en los canales. dispositivo, lo que le permite manejar poderes mucho
- Una polarización directa reduce el ancho de una región más altos que los FET convencionales. [3]
de empobrecimiento, el grosor del canal aumentaría por
lo que la corriente de drenaje aumentaría.
- La polarización directa de la unión P-N de silicio III. CONCLUSIONES
generalmente está restringida a un máximo de 0.5 V (el En los V-Mosfet el modo de construcción vertical reduce
límite más conservador es 0.2 V) para limitar la corriente considerablemente el área entre el canal y la región tipo n, lo
del gate. [2] que produce una reducción en la resistencia y el incremento del
área para el flujo de corriente.
U-MOSFET
En un D-Mosfet se genera un aumento en las regiones de
El transistor de efecto de campo UMOS o UMOSFET es una agotamiento lo que hace que se reduzca el espesor del canal,
forma de estructura de estilo vertical o de "trinchera" utilizada por lo que resulta en un aumento en su resistencia.
para los transistores MOS. Esta forma de semiconductor
3

En el dispositivo U-Mosfet se utilizan dos conexiones para el


source lo que provoca que el canal por donde circula la corriente
sea mayor, lo que a su vez provoca que la resistencia se reduzca
y permita manejar valores de potencia altos.

IV. BIBLIOGRAFÍA

[1] R. L. Boylestad, «Electrónica,» de Teoría de circuitos y


dispositivos electrónicos, 10ma Edición, 2009, p. 914.
[2] B. Baliga, «Conceptos avanzados de potencia de Mosfet,»
de Estructura D-MOSFET, 2010.
[3] I. I. Poodle, «U Mosfets´s,» http://www.radio-
electronics.com/info/data/semicond/fet-field-effect-
transistor/umosfet-basics.php, Radio Electronics.
[4] M. Juan Castro, «Electrónica Industrial,»
http://johalbiscastro.blogspot.com/p/el-scr.html, 2007.