REFERENCIAS 1. M.S. Ghausi, Electronic Devices and Circuits. Nueva York: Holt, Rinehart and Winston, 1985, p. 672. 2. P. R. Gray y R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. Nueva York: John Wiley & Sona, Ine. 1984, p. 1 3. M. H. Rashid, SPICE for Circuits and Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1990, 4, PW. Tuinenga, SPICE: A Guide to Circuit Sim. lation and Analysis Using PSpice. Englewood Cliffs, N.J.: Prentice Hall, 1992. 5. PSpice Manual. lrvine, Calif: MicroSim Corpora- tion, 1992. PREGUNTAS DE REPASO 2. 2-2, {Qué es la cortiente de fuga do los diodes? 23, {Cues som los tipos de diodos de potencia? {QUE es el Liempu de 1eeuperacidn inverse de los diodos? 2d, {Qué ef Ia corriente de recuperscién inversa de los diodos? 2-5, ;Quées el factor de suavidad de los diodos? 26, ;Cuéles son los tipos de recuperacién de los dioxios? {Cudl es 1a causa del tiempo de recuperacién {nversa de un diodo de unin pr? Cuil es el efecto del tiempo de recuperacion 2. 28. 29, (Por qué es necesatio uilizay dienlos de vecupe- raci6n rSpida para conversién de alta velocidad? 210. ;Qué-es el tempo de recuperacidn directo? 211, {Cusles son las diferencias principales entre los diovios de unin pr y los diodos Schowtky? 2412 ;Cudles son las limitaciones de los diodas Schottky? {Cuil es ol tiompo de recuperacién inversa tipi- ‘C0 de los diodos de uso general? {Cuil es el tiompo de recuperacién inversa tipi- ‘60 de los diodos de recuperacion rapida? {Cuales son los problemas de 10s diodos conec- tados on sorie, y cudles son las soluciones posi bles? {Cuales son los problemas de los diodos conec- lados en paralclo, y cuales son las soluciones posibles? Si dos diodos estin conectados en serie con igual reparticin de voltae, :por qué iferen las corriontse de fuga de los diodos? 213. 24, 2s. 216. 21. PROBLEMAS |. El tiempo de recuperacién inversa de un diodo es. fy = S us, y la velocidad de reduccién de Ia cor Mente del diodo es did! = BO A/us, Si el factor do suavidad es SF = 0.5, detcrmine (a) le carga de almacenamiento Qng, y (b) la corriente inversa pico ler. 2-2, Los valores modidos de un diodo a una tempera tura de 25 °C son Determine (a) el coeficiente de emision n, y (b) Ta corriente de fuga Jn 2-3, Dos djodos estén conectados en serie y el voltaje a tlavés de vada unu de ellos s¢ mnantioue igual mediante la conexidn de uma resistencia de distri- bucién de voltaje, de tal forma que Vox = Voi 2000 V y Ry = 100 kO, Las caracteristicas vi de los diodos aparecen en la figura P2-3, Determine las corrientes de Fuga de cada diodo y la resisten- cin Ra a través dl coda Da Problemas 3S2-4, Dos diodos estén concetados en paralclo siende Inceafda de voltaje directa » trav ellos de 1.5 V. Las caracteristicas vi de los dio- dos aparecen en la figura P2-3. Determine las co- rionles diroctas a traves de cada dod. ‘de cada uno le 2-5. Dos diodos estan conectados en paralelo, como se smweatra on Ia figure 2 110, con rosistoncian ds ro particién de corriente. Las caracteristicas ¥-i se ‘muesiran en I figura P2-3. La corriente total es Jy = 200 A. El voltaje a través de un diodo y su Pigura 2-8 resinencis ey v= 2.5 V. Determine los valores de las resistencias Rt y Ra sila corriente se comparte en Forma ideal entre ambos diodos. 2.6, Dos dindos estén conectados en serie, como apa- rece en la figura 2-9a, La resistencia a través de los diodos es Ry = Rz = 10 kQ. El voltaje de en- trada do corrionte diracta oe SkV. Lae eorrientes de fuga son fay = 25 mA e La = 40 mA. Determi- ne el voltaje a través de los diodos. 36 Diodos semiconductores de potencia _Cap.2