Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Igbt Con
Igbt Con
De esta combinación nace en los años 80, IGBT (del inglés, Insulated Gate
Bipolar Transistor) como un dispositivo semiconductor de gran capacidad que
generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de
electrónica realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20
KHz. Aunque no seamos conscientes de ello, los IGBT nos acompañan en todo
momento y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de potencia. Sus
aplicaciones principales se centran en los sectores de: control de motores,
sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminación de
baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los
automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los
electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que
controlan los motores eléctricos. Dichos transistores IGBT son la última
generación en el campo de los dispositivos de conmutación para alta tensión
que combina los atributos del BJT y del MOSFET. La combinación de una
puerta aislada tipo MOS y un colector/emisor bipolar le permite conmutar
tensiones y corrientes mucho mayores. El flujo de corriente se controla a través
de una fuente de tensión de alta impedancia que permite que se puedan
controlar intensidades elevadas con una potencia de control muy baja. De
hecho, uno de los éxitos de IGBT es su baja necesidad de energía de control
para pasar del modo conducción al modo bloqueo y viceversa.
Características de funcionamiento:
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
• La RBSOA se limita por la ∂VDS/∂t en el momento del corte para evitar el latch-
up dinámico.
CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde
puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, sera
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).
Recientemente los BJT y los MOSFETs han sido cómodamente usados para
esto, pero como una tercera posible alternativa los IGBT han emergido
recientemente. IBGT ofrece baja resistencia y requiere poca energía para la
activación.
La figura 3-8 nos muestra el circuito que puede cumplir con los requisitos
solicitados por la ecuación (3-4). Por lo tanto el motor AC puede ser controlado
a velocidades diferentes a su valor nominal y aún conservar las características
nominales de su torque.
La única forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con
el requisito de cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo
tiempo, es por medio de un circuito Inversor.
VOLTAJE SENO-PWM
El motor recibe dicha onda de voltaje por los bornes de salida U,V,W y la filtra
obteniendo corrientes (IU, IV. IW) casi senoidales. El promedio de voltaje eficaz
“V” depende del ancho de los pulsos y la frecuencia efectiva “f” vista por el
motor es 1/T. La velocidad de conmutación de los transistores IGBT es 1/t
denominada “frecuencia portadora”.
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
http://www.ibercom.net/UserFiles/File/industrial/IGBT.pdf
http://almadeherrero.blogspot.com/2010/01/transistores-igbt.html