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Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: N° DE MATRICULA:

Villalta Mamani, Diego Wrair 17190180

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS EL TRANSISTOR BIPOLAR


ELECTRONICOS PNP. CARACTERÍSTICAS
BÁSICAS.
INFORME: FECHAS: NOTA:

PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
22 /10/18 24/10/18
06

GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
03 miercoles Ing. Luis Paretto
2pm – 4pm
I. TEMA:

“EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS."

II. CUESTIONARIO PREVIO:


1. Determinar el punto de operación del circuito del experimento utilizando un
transistor bipolar PNP de modelo 2N6026. Llenar las tablas 2, 3 y 5.

Características del transistor modelo 2N6026:


 Número de Parte: 2N6026
 Material: Si
 Polaridad de transistor: PNP
 Especificaciones Máximas:
 Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
 Tensión colector-base (Vcb): 80 V
 Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
 Tensión emisor-base (Veb): 5 V
 Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
 Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
 Características Eléctricas:
 Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.8 MHz
 Ganancia de corriente continua (hfe): 30 (β)
 Empaquetado / Estuche: TO220
2. Circuito por analizar:

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En esta experiencia iremos variando los valores del potenciómetro P1, por ello
expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

𝑅 = 𝑅1 + 𝑃1

Luego hallamos su equivalente Thévenin:

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Donde:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = ; 𝑅𝐵 =
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

Hallamos los valores máximos de 𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 :


𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = 9.02 𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

 Haciendo 𝑅 = 56 𝐾Ω (𝑃1 = 0 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 3.38 𝑉 ; 𝑅𝐵 = = 15.79 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 3.12 𝑚𝐴
𝑅𝐵
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 7.85 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 0.0165 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = 1.02 𝑉

TABLA 2 (𝑹 = 𝟓𝟔 𝑲Ω)
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)
𝟑. 𝟏𝟐 𝒎𝑨 0.0165 µ𝐴 𝟑𝟎 7.85 𝑉 𝟎. 𝟕 𝑽 1.02 𝑉

 Haciendo 𝑅 = 68 𝐾Ω (𝑃1 = 12 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 2.93 𝑉 ; 𝑅𝐵 = = 16.62 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

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En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 2.52 𝑚𝐴
𝑅𝐵
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 8.64 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 0.83 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = 0.83 𝑉

TABLA 3 (𝑹 = 𝟔𝟖 𝑲Ω)
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)
𝟐. 𝟓𝟐 𝒎𝑨 0.83 µ𝐴 𝟑𝟎 8.64 𝑉 𝟎. 𝟕 𝑽 0.83 𝑉

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de
trabajo Q1 y Q2:

 Haciendo 𝑅 = 156 𝐾Ω (𝑃1 = 100 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 1.48 𝑉 ; 𝑅𝐵 = = 19.28 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 0.801 𝑚𝐴
𝑅
𝑅𝐸 + 𝐵
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 10.93 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 0.26 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

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 Haciendo 𝑅 = 306 𝐾Ω (𝑃1 = 250 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 0.80 𝑉 ; 𝑅𝐵 = = 20.52 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 0.98 𝑚𝐴
𝑅𝐵
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 10.69 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 3.25µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

 Haciendo 𝑅 = 556 𝐾Ω (𝑃1 = 500 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 0.46 𝑉 ; 𝑅𝐵 = = 21.16 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 0 𝑚𝐴
𝑅𝐵
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 12 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 0 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

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 Haciendo 𝑅 = 1056 𝐾Ω (𝑃1 = 1 𝑀Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 0.24 𝑉 ; 𝑅𝐵 = = 19.28 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 < 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 0 𝑚𝐴
𝑅𝐵
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ 12 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ≅ 0 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

TABLA 5
R 𝟏𝟓𝟔 𝑲Ω 𝟑𝟎𝟔 𝑲Ω 𝟓𝟓𝟔 𝑲Ω 𝟏𝟎𝟓𝟔 𝑲Ω
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 0.801 𝑚𝐴 0.98 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴 0 𝑚𝐴
𝑰𝑩 (µ𝑨) 0.26 µ𝐴 3.25 µ𝐴 0 µ𝐴 0 µ𝐴
𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 10.93 𝑉 10.69 𝑉 12 𝑉 12 𝑉

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a
la zona de saturación, donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el voltaje
colector-emisor (Vce) es máximo.

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