UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

EXPERIENCIA N° 1: Disparo de un tiristor con circuitos integrados UJT y UPT

DOCENTE: Huamaní Huamaní , Edilberto Segundo

CURSO: Electrónica de Potencia

CICLO: 7º

ALUMNO: Cuya Huarajo, Gerson Michael 20152119E

FECHA DE ENSAYO: 5 de octubre del 2018

Índice
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1. Introducción……………………………………………..…..…..….….. pág. 2
2. Fundamento teórico ……………………………………..………….…. pág. 3
2.1 Tiristor……….….………..……………………………................... pág. 3
3. Objetivos……….. …............................................................................... pág. 10
4. Equipos a utilizar…..……………………………………………….….. pág. 10
5. Cálculos y simulaciones.………………………………………….…… pág. 13
6. Referencias………………………………………………………..…….pág. 15

1. Introducción
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Este informe previo tiene como finalidad orientar al alumno en el laboratorio .para
que a partir de este documento se pueda comparar los errores obtenidos en el ensayo, así
mismo contamos con simulaciones hechas por los alumnos, las cuales nos ayudaran a
verificar el procedimiento y las gráficas en el laboratorio.

Este informe previo cuenta con una definición corta del tiristor como también se
menciona los elementos a utilizar en el laboratorio; las simulaciones se realizaron usando el
software PROTEUS , que facilita el experimento.

2. Fundamento teórico:

2.1. El transistor de Unijuntura (UJT):

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de

disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales:
dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:
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Fig 1. Modelo del Transistor de unijuntura UJT

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está

compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos.
Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen
muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender
mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de
la figura siguiente

Fig 2. Circuito equivalente del UJT

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos

entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los
cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.
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Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es

igual a: Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos
bases, la tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el circuito
equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y

VBB.Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,85 y
queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1 al
aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que

aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una
tensión de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D existe un
potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo
permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensión superior a
10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del diodo D), el diodo
comenzará a conducir, produciéndose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para
conseguir que el UJT entre en estado de conducción es necesario aplicar al emisor una
tensión superior a la intrínseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensión
de polarización directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios
del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el
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emisor y dicha base (recordar que el cristal P está fuertemente contaminado con
impurezas y el N débilmente). Este efecto produce una disminución repentina de la
resistencia R1 y, con ella, una reducción de la caída de tensión en la base 1 respecto
del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.

Fig. 3 Curva característica de un UJT

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el

diodo permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta corriente
se especifica normalmente en las hojas de características y suele ser del orden de
5mA.

En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas

características de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que
aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp =
V1 + 0,7). Una vez superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace
mayor que Ip), provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de
mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).

Aplicaciones del UJT

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Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en
diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos

Fig. 4 Generados de pulsos en dientes de sierra mediante UJT

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito

serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho
condensador comienza a cargarse. Como este condensador está conectado al emisor,
cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que
el valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará
rápidamente, y en el terminal de B1 aparecerá un impulso de tensión.
Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del
UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste se desceba y comienza otro nuevo
ciclo de carga y descarga del condensador. Así, se consigue que en el terminal de la
base 1 aparezca una señal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse
para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el
tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de la resistencia
variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de carga del
condensador.
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En la siguiente figura, se muestra una típica aplicación del generador de pulsos de

diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito
controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga:
estufas, lámparas, etc.) gracias a la regulación de la corriente que realiza sobre
medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la
frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor
del potenciómetro RS.

Fig. 5 Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT

2.2 Disparo Controlado de tiristores mediante transistores Unijuntura

Programables (PUT)

El Transistor Unijuntura Programable (Programable Unijunction Transistor,

PUT) es un dispositivo compuesto de 4 capas semiconductoras, similar a un SCR.
Sin embargo, el disparo del mismo es respecto del ánodo en vez del cátodo.
Mediante un divisor de tensión resistivo se establece precisamente la tensión de
disparo (tensión de pico, Vp, del PUT).
Los PUTs se utilizan casi exclusivamente para control de fase en circuitos de
rectificación controlada, y en algunos casos, se los utiliza como osciladores.

Operación del PUT:

El PUT tiene 3 terminales, un ánodo (A), un cátodo (K) y una compuerta (G). El
símbolo eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ven en la
figura 1.
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Figura 1

En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por ánodo, esto es, si la
compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el dispositivo pasará del estado de bloqueo
(o de corte) al estado de conducción.

Una característica interesante que presenta este dispositivo es que tiene una región o
zona de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo,
Vak, supera a la tensión de pico Vp (la cual es programada mediante el divisor
resistivo; R1, R2), el dispositivo entra en conducción, con lo cual cae la tensión Vak
y aumenta la corriente. Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), el
cual es un punto estable de operación. De esta forma, se obtiene la región de
resistencia negativa, delimitada entre los puntos de pico y de valle. Esto puede verse
claramente en la figura 2.

La tensión de pico Vp es esencialmente la misma que la tensión de referencia del

divisor de tensión, excepto por la caída de tensión en la juntura de la compuerta.
Una de las aplicaciones típicas de este dispositivo es en un oscilador de relajación, como el
de la figura 3. Para analizar más fácilmente como funciona este circuito, es conveniente
hablar del equivalente de Thevenin para la fuente de tensión externa y el divisor resistivo,
aplicado en la compuerta. Estos parámetros quedan definidos:
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Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia

equivalente en la compuerta, Rg, y de la tensión de alimentación Vs. Por lo tanto, la
curva característica del PUT es sensible respecto de variaciones en Rg y Vs.

Figura 3

La red RC compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación junto con R1 y R2. El

periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por:

3. Objetivos:

3.1 Comprobar experimentalmente el disparo de un tiristor con elementos

discretos y este está conectado a una carga.
3.2 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y
PUT.
3.3 Armar circuitos de activación de un tiristor y observar las ventajas y
desventajas de cada uno de ellos.
4. Equipos a utilizar:

4.1 Multímetro:
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Fig 3. Multímetro

4.2. Osciloscopio:

Fig. 4. Generador de ondas TDS 2022C (osciloscopio)

3.5 Resistores:

Fig. 5. Juego de resistores

3.6 Condensadores:
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Fig. 6. Condensadores electrolíticos

3.7. Protoboard

Fig. 7. Protoboard

3.8. Tiristor

Fig. 8. Tiristor 2N3669

3.8. Potenciómetro
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Fig. 9. Tiristor 2N3669

3.8. Interruptores

Fig. 10. Interruptores

3.8. Focos con socket

Fig. 11. Focos

5. Cálculos y simulaciones:

Primera Parte: UJT

5.1 Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=24V

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2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar

potencias de 2W o más.
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3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre
el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.

4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.

5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del

condensador y grafique la forma de onda.

Segunda Parte: PUT 2N6027

5.2. Diseñar e implementar el circuito de la figura para V Z=30V

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2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.

6. BIBLIOGRAFÍA Y REFERENCIAS:

[1] Disparo de un tiristor con componentes discretos. Laboratorio de Electrónica de

Potencia (ML -839), pp. 6-10

[2] Unicrom (2010). Funcionamiento del tiristor. Recuperado de

https://unicrom.com/funcionamiento-de-oscilador-con-ujt/

[3] Morales, R. (2006). Introducción a los tiristores. Recuperado de

http://electronika2.tripod.com/info_files/ujt.htm