ClaseSolidos PDF

Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E.
Jacobo
Sólidos
Estructuras Cristalinas
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo Sólidos inorgánicos
Ordenamientos atómicos
• En gases no hay orden

• En líquidos hay orden de corto alcance
• En sólidos hay orden de largo alcance
• El ordenamiento está determinado por el tipo de enlaces
presentes
Tipos de sólidos……
• amorfos: azufre plástico, caucho, goma, vidrio
• cristalinos: sales inorgánicas, óxidos, sulfuros,

hidróxidos, elementos
CLASIFICACION DE SOLIDOS
• Por la forma geométrica (7 redes cristalinas)
• Por el tipo de partícula que ocupan los nodos

(iónicos, moleculares, covalentes, metálicos)
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo Sólidos iónicos
Propiedades de los
compuestos iónicos
• Puntos de fusión y ebullición elevados (tanto más
cuanto mayor ΔUo) ya que para fundirlos es necesario
romper la red cristalina tan estable por la cantidad de
uniones atracciones electrostáticas entre iones de
distinto signo. Son sólidos a temperatura ambiente.
• Gran dureza.(por la misma razón).
• Solubilidad en disolventes polares (tanto más cuanto
menor U) e insolubilidad en disolventes apolares.
• Conductividad en estado disuelto o fundido. Sin
embargo, en estado sólido no conducen la electricidad.
• Son frágiles.
Disolución de un cristal iónico en un

disolvente polar
Solubilidad de un cristal iónico

Fragilidad en un cristal iónico
presión
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo Sólidos covalentes y moleculares
Propiedades de los compuestos

covalentes y moleculares
• Sólidos covalentes:
covalentes • Sólidos moleculares:
moleculares
• Los enlaces se dan a lo • Están formados por
largo de todo el cristal. moléculas aisladas.
• Gran dureza y P.F alto. • P.F. y P. E. bajos (gases).
• Son sólidos. • Son blandos.
• Insolubles en todo tipo de • Solubles en disolventes
disolvente. moleculares.
• Malos conductores. • Malos conductores.
• El grafito que forma • Las sustancias polares
estructura por capas le son solubles en
hace más blando y disolventes polares y
conductor. tienen mayores P.F y P.E.
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo Sólidos metálicos
Propiedades de los compuestos metálicos…
• Son dúctiles y maleables debido a que no existen

enlaces con una dirección determinada. Si se
distorsiona la estructura los e– vuelven a estabilizarla
interponiéndose entre los cationes.
• Son buenos conductores debido a la deslocalización
de los e–. Si se aplica el modelo de bandas, puede
suponerse que la banda vacía (de conducción está
muy próxima a la banda en donde se encuentran los
e– de forma que con una mínima energía éstos saltan
y se encuentran con una banda de conducción libre.
Propiedades de los compuestos metálicos.
• Conducen el calor debido a la compacidad de los átomos

que hace que las vibraciones en unos se transmitan con
facilidad a los de al lado.
• Tienen, en general, altos P. F. y P. E. Dependiendo de la
estructura de la red. La mayoría son sólidos.
• Tienen un brillo característico debido a la gran cantidad de
niveles muy próximos de energía que hace que
prácticamente absorban energía de cualquier “λ” que
inmediatamente emiten (reflejo y brillo).
Enlace metálico
• Lo forman los metales.
• Es un enlace bastante fuerte.
• Los átomos de los metales con pocos e− en su última
capa no forman enlaces covalentes, ya que
compartiendo electrones no adquieren la estructura
de gas noble.
• Se comparten los e− de valencia colectivamente.
• Una nube electrónica rodea a todo el conjunto de
iones positivos, empaquetados ordenadamente,
formando una estructura cristalina de alto índice de
coordinación.
– Modelo de bandas
Maleabilidad de un metal
presión
.
Algunas definiciones básicas…
Red cristalina: arreglo infinito de puntos en el espacio,

donde cada punto tiene vecinos idénticos (bidimensional
2D, tridimensional 3D)
Estructura cristalina: ordenamiento periódico de los

átomos en el cristal
Celda unidad: “caja” fundamental que define el

ordenamiento. Por repetición tridimensional de la celda
unidad, se genera el cristal
Redes
• Modelo de ordenamiento
• Composición de las celdas unitarias
• Las celdas unitarias se empaquetan juntas para formar
las redes (sin espacios vacíos entre las celdas)
Celdas Unitarias
• Hay siete formas diferentes de celdas unitarias

• Los parámetros que determinan la celda unitaria son:
– Longitud de aristas
– ángulos
• 14 Redes de Bravais
Ordenamientos típicos
• Metales • Cerámicos
– CCC – Cúbico simple
– CC – CC
– HCP – HCP
Empaque cúbico simple (AAA…)
Capa A
Las capas sucesivas

están superpuestas a la
primera formación.
Empaquetamiento compacto
x x x
o o
x x
o o o
Empaque compacto hexagonal (ABAB)

Capa A
o o La segunda capa (B)

cubre la mitad de los
huecos de la primera
o o (A). La tercera (A) se
coloca entonces sobre
los huecos de la
segunda,
Capa A superponiéndose a la
Capa B primera
Empaque cúbico centrado en caras (ABCABC…)

Capa A
Capa B
En este caso la tercer

capa (C ) se acomoda
de modo de cubrir
los huecos de la
segunda capa (B).
Así la cuarta capa
(A) coincide con la
primera.
Capa C
¿Qué fracción de partícula corresponde a la celda unidad?

Celda unitaria cúbica
• Es la más sencilla
• Simple (CS)
– Un átomo por celda unitaria
• Cúbica centrada en cuerpo (CCC)

– Dos átomos por celda unitaria
• Cúbica centrada en caras(CC)

– Cuatro átomos por celda unitaria
Relaciones
• El problema surge al relacionar el radio (r) del átomo

presente en la red con el parámetro de celda (ao)
• A partir de estos valores es posible conocer la densidad
del sólido (ρ ) y el factor de empaquetamiento
Cúbico simple (CS)
ao = 2r
r r
ao
Cúbico centrado en caras (CC)
2 a 0 = 4r
a0
a0
Cúbico centrado en cuerpo (CCC)
3a 0 = 4r
2a0
3a 0
a0
4r
Cúbico centrado en cuerpo (CCC)

Número de coordinación
• Es el número de vecinos próximos

• CS es 6
• CCC es 8
• CC es 12
Densidad
ρ = m/V
• m = #átomos * Peso atómico
número de Avogadro
• V = longitud de la arista ao^3
Factor de empaquetamiento
• Es la fracción de celda ocupada por átomos (el resto

está vacío)
• Factor de empaquetamiento = Volumen atómico
Volumen de celda
• Hallar el máximo factor de empaquetamiento
Modelos de empaquetamientos de esferas
Empaquetamiento compacto
hexagonal
Coordenadas fraccionarias
• La posición de un átomo o ión en la celda unitaria se

describe con sus coordenadas fraccionarias (ej: en
celda cúbica donde a= 1000pm, un átomo con
coordenada 500pm tiene una coordenada en la
dirección de x, de x/a= 500/1000= 0.5.
y
0.5
x
Esquema de empaquetamiento de una celda unitaria centrada en el cuerpo
Cloruro de sodio (NaCl)
4 unid.NaCl/celda unidad r/R = 0.54

CC
Cl- y Na+ en los huecos octaédricos

Red: CC
Coordenadas : Cl en (0,0,0); Na en (1/2,0,0)
4 NaCl / celda unidad
Coordinación: 6:6 (octaédrica) r/R = 0.54
Fluoruro de calcio- fluorita (CaF2)
Ca2+ con F- en los huecos tetraédricos

Red: CC
Coordenadas: Ca2+ en (0,0,0); 2F- en (1/4,1/4,1/4) & (3/4,3/4,3/4)
4 CaF2 / celda unidad
Coordinación: Ca2+ 8 (cúbica) : F- 4 (tetraédrica) r/R = 0.74
En la estructuta relacionada anti-fluorita las posiciones anión/catión
están invertidas
ZnS: Blenda de Zn
S2- con Zn2+ en la mitad de los huecos tetraédricos

Red: CC
4 ZnS /celda unidad
Coordenadas: S en (0,0,0); Zn en (1/4,1/4,1/4)
Coordinación: 4:4 (tetraédrica) r/R = 0.4
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo
Índices de Miller
• Todos los ejes tiene un índice de Miller similar

– <1 0 0>
• Todas las diagonales de las caras presentan un índice
de Miller similar
<1 1 0>
• Todas las diagonales del cuerpo presentan un índice de
Miller similar
– <1 1 1>
– < > indica una familia de direcciones llamadas
direcciones de una forma
Coordenadas
1,1,1
0,0,0
Y
X
Direcciones
[0 1 0]
[1 0 1]
X
Planos
( 1 1 1)
X
Transformaciones alotrópicas
• Muchos materiales poseen más de una estructura

cristalina
• Ej.: Carbono
– Grafito
– Diamante
– Fullerenos
Carbono diamante
Fullerenos C60
Sólidos iónicos
• Concepto de energía reticular
• Expresión teórica
• Ciclo de Born-Haber
• Aplicaciones
Energía reticular
La energía reticular o energía de red es la energía necesaria para
separar completamente un mol de un compuesto iónico sólido en sus
iones en estado gaseoso. No es posible medir la energía reticular
directamente. Sin embargo, si se conoce la estructura y composición de
un compuesto iónico, puede calcularse mediante la Ley de Coulomb.
También puede ser calculada a partir del ciclo de Born-Haber. Su fórmula
es:
Donde Na es el número de Avogadro, A la constante de Madelung, que

varía depiendo de la estructura del compuesto iónico, Z + la carga del
catión y Z − la carga del anión, q la carga del electrón, ε0 la permitividad
del vacío, d0 la distancia entre el anión y el catión y n los exponentes de
Bohr.
Ejemplo: En el caso de la formación de NaCl la Δ U corresponde a la
reacción:
Na+ (g) + Cl– (g) → NaCl (s) (ΔUo < 0)
Factores de los que depende la Energía

reticular
• Al ser siempre negativa consideraremos siempre valores
absolutos.
• A mayor carga de los iones mayor “U”.
Ejemplo: Así el CaO (Ca2+ y O2–) tendrá “U” mayor que el
NaCl (Na+ y Cl–).
• A menor tamaño de los iones menor “U”.
Ejemplo: Así el NaCl (Na+ y Cl–) tendrá “U” mayor que el
KBr (K+ y Br–).
VALORES PARA LA ENERGÍA RETICULAR DE

CRISTALES IÓNICOS
Ec. Born-Lande
Experimentales
kJ/mol
LiF 1034 1008
LiCl 840,1 811,3
LiBr 781,2 766,3
NaF 914,2 902,0
NaCl 770,3 755,2
NaI 680,7 663,2
ESTRUCTURA DE
A
CRISTAL
NaCl 1,7475
CsCl 1,7627
ZnS (blenda) 1,6381
CaF2 (fluorita) 2,5194
TiO2 (rutilo) 2,408
Ciclo de Born y Haber

• La reacción global de formación de NaCl es:
• Na (s) + ½ Cl2 (g) → NaCl (s) (ΔHf = –411,1 kJ)
• que puede considerarse suma de las siguientes reacciones:
• Na (s) → Na (g) (ΔHsubl = +107,8 kJ)

• ½ Cl2 (g) → Cl (g)(½ ΔHdis= +121,3 kJ)
• Cl (g) → Cl– (g) (Ae = –348,8 kJ)
• Na (g) → Na+ (g) (I = +495,4 kJ)
• Na+ (g) + Cl– (g) → NaCl (s) (ΔUo = ?)
Ciclo de Born y Haber

Na (s) + ½ Cl2 (g) → NaCl (s) (ΔHf = –411,1 kJ).
• Na (s) → Na (g) (ΔHsubl = +107,8 kJ)

• ½ Cl2 (g) → Cl (g) (½ ΔHdis= +121,3 kJ)
• Cl (g) → Cl– (g) (Ae = –348,8 kJ)
• Na (g) → Na+ (g) (I = +495,4 kJ)
• Na+ (g) + Cl– (g) → NaCl (s) (ΔUo = ?)
• De donde puede deducirse que:
• Δ Uo = ΔHf – (ΔHsubl + ½ ΔHdis + Ae + I)
• Δ Uo = –411,1 kJ – (107,8 kJ + 121,3 kJ –348,8 kJ + 495,4
kJ) = –786,8 kJ
Aplicando la Ley de Hess tenemos:

ΔH formación= ΔH sublimación + ½ ΔH disociación + ΔH ionización + ΔH
afinidad + ΔH energía de red
ΔH energía de red = ΔH formación – ΔH sublimación – ½ ΔH disociación – ΔH
ionización – ΔH afinidad
ΔH energía de red = – 411,1 – 107,8 – 121,3 – 495,4 + 348,8 = – 786,8 kJ mol–1
Sólidos metálicos
• Modelos de Bandas en sólidos
• Conductores, aisladores, semiconductores
• Semiconductores intrínsecos y extrínsecos
• Ejemplos
Modelo de bandas (enlace metálico).
• Se basa en la T.O.M (bandas en el espectro de

emisión).
• Se combinan infinidad de orb. atómicos con lo que
se producen bandas de orb. moleculares.
• Los e– ocupan los O.M. enlazantes de menor
energía (banda de valencia).
• Quedan los orbitales antienlazantes de mayor
energía libres formando la banda de conducción
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo Modelos de Bandas
Conductores
Aisladores
Semiconductores
Semiconductor intrínseco: silicio
1,1 y 0,72 eV para el silicio y el germanio

Semiconductor extrínseco: silicio
Tipo p
Tipo n
Ge: semiconductor tipo p y n
B-Al P-As
Tipo p Tipo n
Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E. Jacobo
Microscopía de Efecto túnel de Hierro en el

plano (110)

ClaseSolidos PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

ClaseSolidos PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Química Inorgánica-63.13- Dra.Silvia E.

• En gases no hay orden

• amorfos: azufre plástico, caucho, goma, vidrio

• cristalinos: sales inorgánicas, óxidos, sulfuros,

• Por la forma geométrica (7 redes cristalinas)

• Por el tipo de partícula que ocupan los nodos

Disolución de un cristal iónico en un

Solubilidad de un cristal iónico

Fragilidad en un cristal iónico

Propiedades de los compuestos

Propiedades de los compuestos metálicos…

• Son dúctiles y maleables debido a que no existen

Propiedades de los compuestos metálicos.

• Conducen el calor debido a la compacidad de los átomos

Algunas definiciones básicas…

Red cristalina: arreglo infinito de puntos en el espacio,

Estructura cristalina: ordenamiento periódico de los

Celda unidad: “caja” fundamental que define el

• Hay siete formas diferentes de celdas unitarias

Empaque cúbico simple (AAA…)

Las capas sucesivas

Empaque compacto hexagonal (ABAB)

o o La segunda capa (B)

Empaque cúbico centrado en caras (ABCABC…)

En este caso la tercer

¿Qué fracción de partícula corresponde a la celda unidad?

Celda unitaria cúbica

• Cúbica centrada en cuerpo (CCC)

• Cúbica centrada en caras(CC)

• El problema surge al relacionar el radio (r) del átomo

Cúbico simple (CS)

Cúbico centrado en caras (CC)

Cúbico centrado en cuerpo (CCC)

Cúbico centrado en cuerpo (CCC)

• Es el número de vecinos próximos

• Es la fracción de celda ocupada por átomos (el resto

Modelos de empaquetamientos de esferas

• La posición de un átomo o ión en la celda unitaria se

Cloruro de sodio (NaCl)

4 unid.NaCl/celda unidad r/R = 0.54

Cl- y Na+ en los huecos octaédricos

Fluoruro de calcio- fluorita (CaF2)

Ca2+ con F- en los huecos tetraédricos

S2- con Zn2+ en la mitad de los huecos tetraédricos

• Todos los ejes tiene un índice de Miller similar

• Muchos materiales poseen más de una estructura

• Concepto de energía reticular

Donde Na es el número de Avogadro, A la constante de Madelung, que

Factores de los que depende la Energía

VALORES PARA LA ENERGÍA RETICULAR DE

Ciclo de Born y Haber

• que puede considerarse suma de las siguientes reacciones:

• Na (s) → Na (g) (ΔHsubl = +107,8 kJ)

Ciclo de Born y Haber

• Na (s) → Na (g) (ΔHsubl = +107,8 kJ)

Aplicando la Ley de Hess tenemos:

• Modelos de Bandas en sólidos

• Conductores, aisladores, semiconductores

• Semiconductores intrínsecos y extrínsecos

Modelo de bandas (enlace metálico).

• Se basa en la T.O.M (bandas en el espectro de

Semiconductor intrínseco: silicio

1,1 y 0,72 eV para el silicio y el germanio