Está en la página 1de 5

(/(&75Ï1,&$%È6,&$

'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN

241$.'/#5
de Amplificadores de pequeña señal

Amplificadores de pequeña señal con transistores FET


Amplificadores en cascada y con varios transistores
(/(&75Ï1,&$%È6,&$
','4%+%+15FG#ORNKHKECFQTGUFGRGSWGÌCUGÌCN

3UREOHPD

drenador ID a 25ºC tome valores dentro del rango 1.5mA d ID d 2.5mA,


En el circuito amplificador de la figura, se desea que el valor de la corriente de

independientemente de las variaciones máximas y mínimas de los parámetros del


transistor JFET canal n utilizado alrededor de sus valores típicos, representadas en la

D Los valores de RG1, RG2 y RS necesarios, sabiendo que el valor de la


característica de transferencia de la figura F1. Determinar:

E La ganancia de tensión AV=VO/VI , considerando el valor típico de los


impedancia de entrada debe ser ZIN=100k:.

parámetros característicos del transistor JFET, expresada en dB.

V CC = 2 4 V
I D ( mA)

R G1 R D = 5 k:
10
f
f vo
vi
7

f
R G2 RS 4
max typ m in
V GS ( V)
-4 - 2 .6 - 1 .2

6ROXFLyQ D 5* 0:5* N:56 N:E $9 G%

3UREOHPD

D Ganancias de tensión AV1=VO/VI y AV2=VO/VS , expresadas en dB.


En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

E Impedancia de entrada ZIN.


F Ganancia de corriente AI=IO/II, expresada en dB.
G Impedancia de salida ZOUT.

Considerar que VDD=15V, RG1=820k:, RG2=100k:, RG3=1M:, RD=2.2k:, RS=1k:,


RI=600: y RL=10k:, siendo los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña
señal, gm=2.6mA/V, rds=100k:.


VDD= 1 5 V

R G1 RD

f f
Ri
io
vo
ii
R G3 RL
+
vi
-

f
vS R G2 RS

6ROXFLyQ D $9 G%$9 G%E =,1 0:F $, G%G =287 :

3UREOHPD

D Ganancia de tensión referida al generador de señal de entrada AV=VO/VS ,


En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

E Impedancia de entrada ZIN.


expresada en dB.

Considerar que VDD=15V, RS=600:, RG=100k:, RS1=1k:, RS2=1k: y RL=22k:, siendo


los parámetros del transistor JFET utilizado, en pequeña señal, gm=10mA/V, rds=500k:.
VDD= 1 5 V

f f
RS io
vo

ii
RG R S1
+
vi RL
-
vS
R S2

6ROXFLyQ D $9 G%E =,1 N:

3UREOHPD

D Ganancia de transimpedancia AR1=V1/II.


En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

E Ganancia de tensión AV2=V2/V1.


F Ganancia de tensión AV3=VO/V2.
G Impedancia de entrada ZIN.
H Impedancia de salida ZOUT.

son: E=100, r’e1=10:, r’e2=8.5:, y que los parámetros característicos del transistor
Considerar que los parámetros en pequeña señal de los transistores bipolares Q1 y Q2

JFET de canal n Q3, son: gm=20mA/V y rds=100k:.


V CC

R B2 = 1 M :
R D = 5 k:
R C1 = 5 .6k: R C2 = 3.6 k: R G1 = 1 80k:
vo
Q3

f R G3 = 1 00 k:
+
Q2
ii +

Q1

R E1 = 40 :
v1 v2
R G2 = 56 k: R S = 1k:

f
R E2 = 2 20:

Z in - - Z ou t

6ROXFLyQ D $5 N:E $9 F $9 G =,1 N:H =287 N:

3UREOHPD
Se dispone de un circuito amplificador de dos etapas con acoplo directo, como se
muestra en la figura, constituyendo un amplificador CASCODO.
V CC= 15V

R L = 500 :
R B1 = 5 k: f
vo

Q2

f R B2 = 2 5k:

f
R S = 5 0:
Q1

R G= 1M :
vS +

f
- R S = 1 k:

Suponiendo que VBE=0.6V, E>>1, IDSS=10mA y Vp=-4V:

D Identificar cada una de las etapas formadas por Q1 y Q2.


E Calcular los puntos de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
F Calcular la ganancia de tensión AV=VO/VS, expresada en dB.
G CalcuIar la impedancia de entrada vista desde el generador de señal ZIN.
H Calcular la impedancia de salida ZOUT.

6ROXFLyQ D )XHQWH&RP~Q±%DVH&RP~QE ID1=2.1467mA, VDS1=9.7533V, IC2=2.1467mA, VCE2=2.026V.


F $9 G%G =,1|0:F =287 :


3UREOHPD
En el circuito amplificador de la figura, los parámetros característicos de los

D La ganancia de tensión de cada etapa.


transistores JFET canal n Q1, Q2 y Q3, son: gm=1mA/V y rds=40k:. Calcular:

E La ganancia de tensión global AV=VO/VS.

VDD

R D 1 = 4 0 k: R D 2 = 1 0 k:

Q1 Q2 Q3

vo

vS +
- R S1 = 2 k: R S3 = 5 k:

6ROXFLyQ D $9 $9 $9 E AV=64.5.