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CAPÍTULO
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
3

3.1 Física De Semiconductores

En los materiales semiconductores, la banda prohibida es mucho menor ancha

que los aislantes. Por lo general, a 0 K los materiales semiconductores se
comportan como aislantes. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace
su capacidad de conducción ya que este aporte de energía sirve para que los
electrones puedan saltar de la banda de valencia a la de conducción.

La anchura de la banda prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los

electrones para que pasen de la banda de valencia a la de conducción. El ajuste
de engría debe superar lo 0.78 [eV ] . en el caso del germanio y los 1,21 [eV ] .
Para el silicio.

Un electronvoltio en el caso del energía que adquiere un electrón al estar

sometido a la acción de un campo eléctrico en un punto cuyo potencial es de un
voltio.

Al saltar de la banda de valencia a la de conducción, los electrones dejan un

hueco. Por lo tanto, se establecen dos corrientes, una producida por los
electrones situados en el banda de conducción y otra originada por los huecos.

3.2 Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.-

3.2.1 Semiconductores intrínsecos.- Son los semiconductores puros, en los

que la conducción se debe al aumento de electrones originados por la

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temperatura. Los portadores de carga son los electrones y huecos. Los

semiconductores intrínsecos no presentan impurezas en su estructura, y
están constituidos solamente por el elemento tetravalente semiconductor,
Germanio y Silicio puro

3.2.2 Concentración de portador intrínseco.- Se dice que un semiconductor

si es químicamente puro, es decir no contiene impurezas o sustancias
distintas, de las que constituyen el material semiconductor.

Se dice también que el semiconductor es intrínseco cuando la cantidad de

impurezas que contiene es pequeña comparada con los electrones y
huecos generados térmicamente (Ni).

Función de distribución de Fermi-Dirac- El objetivo final de toda teoría

estadística es la de encontrar una expresión matemática (distribución) que
a una temperatura absoluta T proporciona cual es la probabilidad de que
una partícula ocupe un nivel dado de energía E en equilibrio térmico.

Semiconductores extrínsecos.-

Cuando un semiconductor intrínseco es dejado con impurezas, el semiconductor

se convierte en extrínseco. La aparición de impurezas crea en el diagrama de
bandas nuevos niveles de energía. Existen tres tipos de procesos para la adición
de impurezas a la red cristalina, difusión, implantación de iones y crecimiento
epitaxial.

Los semiconductores extrínsecos se forman al añadir pequeñas cantidades de

determinadas impurezas al semiconductor intrínseco. Esta adición produce
efectos considerables en las propiedades de conducción del material
semiconductor. El efecto de añadir impurezas causará el incremento de la
concentración de uno de estos portadores de carga (electrones o huecos) y, en
consecuencia afectará considerablemente a la conductividad eléctrica. A estas

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impurezas se conoce como sustancias dopantes, y al proceso de adición de

impurezas se llama dopado del semiconductor.

El dopado produce dos tipos de semiconductores extrínsecos, identificados

según el tipo de portador de carga cuya concentración ha incrementado
semiconductor de tipo N, si es que ha incrementado la concentración de
electrones y semiconductores de tipo P si existe incrementado de huecos.

• Semiconductor de tipo N.

Cuando se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones de

valencia), entonces cuatro átomos de las sustancias dopantes formarán enlaces
covalentes con los átomos de Si, el quinto electrón que no comparte enlaces, es
un electrón de conducción el cual será donado a la banda de conducción.
Entonces diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido a que recibe
una cantidad adicional de portadores de carga negativa y la sustancia
pentavalente (P, As, Sb) se llama donador.

+4 * +4 * +4
Si Si Si
* * -q* Electrón de Conduccion

+4 * +5 * +4
Si Si Si

+4 +4 +4
Si Si Si

Fig. #1 Adicion de un electrón de Arsénico de 5 electrones de valencia

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En un semiconductor de tipo N, la energía necesaria para llevar el quinto

electrón de la sustancia pentavalente a la banda de conducción de manera que
éste electrón se convierta en un electrón libre, dando lugar a un átomo dador
ionizado (cargado positivamente). Se dice que es la energía necesaria para la
ionización del átomo dador.

0.044ev (P)
EC
+ + + +
Ed +

1.12 ev
Ei

Ev
T=0K T = 100 K T = 300 K

Fig # 2 Representación de bandas de energía al introducir impurezas

donadoras en el Si y efecto de temperatura.

En la fig. # 2, para el caso del fósforo el nivel energético ED está muy próximo a
la banda de conducción, cuando mayor sea la temperatura de la muestra
(semiconductor + impurezas), mayor será la energía conseguida por efecto
térmico y mayor será el número de electrones que accederán a la banda de
conducción.

• Semiconductor de tipo P.-

De manera similar, si introducen en la red de Si. Impurezas de tipo trivalente

(tres electrones de valencia), aparece un enlace covalente con el resto de los
átomos de Si. Sin formar, entonces es un enlace roto o una ausencia del electrón
de valencia para llevar enlace. Esta deficiencia de electrón en los enlaces que

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puede formar el átomo trivalente provoca que sea aceptado un electrón de los
enlaces covalente de los átomos de Si. Formándose en consecuencia hueco en
la banda de valencia. El semiconductor dopado con sustancias triviales se llama
de tipo P y dichas sutancias (B, Al, Ga) se denominan aceptores.

+4 +4 +4
Si * Si * Si

* * * * * *

+4 * +3 * +4
Si * B * Si
* *
+q Hueco
+4 º +4
Si * Si * Si

Fig # 3 Introducción de impurezas de Boro

El electrón se consigue de la banda de valencia del semiconductor, el átomo

aceptor queda ionizado negativamente. La condición para la ionización de los
átomos aceptores es similar a la de los átomos donores. La energía EA necesaria
para la ionización del átomo aceptor está ubicado en un nivel energético
ligeramente superior a la banda de valencia a temperatura ambiente, existe
suficiente energía térmica para excitar los electrones desde la banda de valencia
hasta el nivel EA.

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EC
Ei
0.045ev (B)
Ea
Eg

_ _ _ _
_
EN
T=0K T = 100 K

Fig # 4Nivel energético aceptor EA en el diagrama de bandas de energía del

Si y efecto de la temperatura sobre la ionización de los átomos aceptores.

Condición de ionización completa.-

A temperatura ambiente la energía térmica debida a la propia vibración de las

partículas es suficiente para que todos los átomos donores estén ionizados
positivamente y cada átomo aceptor esté ionizado negativamente. Vale decir
cada átomo donor ha proporcionado un electrón libre a la banda de conducción y
cada átomo aceptor ha generado un hueco en la banda de valencia.

En el semiconductor de tipo N, por tanto, se produce el mismo número de

electrones que de sustancia donora. Esta condición se llama condición de
ionización completa. Entonces bajo estas condiciones puede decirse con
respecto a la concentración de electrones.

( EC − E F )
−
n = Nd = NC ⋅ e k BT
… (1)

Siendo N D la concentración de átomos donores.

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EC EC
Ed
Iones clonores
Ei Ei

Iones aceptores
EV Ea
EV

Fig # 5 Representación esquemática de las bandas de energía para

semiconductores extrínsecos con iones donores y iones aceptores

La figura # 5 muestra la misma concentración de electrones en la banda de

conducción (los cuales son móviles) que de iones donores en su nivel energético
ED (los cuales son fijos). Luego de la ecuación anterior se puede obtener.

N 
E C − E F = k B T ln c  … (2)
 Nd 

Tenemos el nivel de Fermi para el semiconductor de tipo N, con respecto al nivel

EC

Si N D >> ni (la concentración de electrones en la banda de conducción

producidos por la introducción de impurezas es mucho mayor que los electrones

producidos por efecto térmico, ni )

En la misma forma para el semiconductor de tipo P, se cumple la condición de

ionización completa para concentración de los huecos.

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( E F − EV )
−
p = N a = NV ⋅ e k BT
… (3)

Siendo AA la concentración de átomos aceptores. Entonces el nivel de Fermi,

con respecto al nivel EV en un semiconductor de tipo P.

N 
E F − EV = k B T ln V  … (4)
 Na 

Si N a >> ni (la concentración de huecos en la banda de valencia producidos por

la introducción de impurezas es mucho mayor que la producida por efecto

térmico, ni )

Concertaciones extrínsecas.-

Se expresa la concentración de portadores en un semiconductor extrínseco en

función de los parámetros que definen el semiconductor intrínseco,
concretamente la concentración de portadores intrínseca y el nivel de Fermi
intrínseco, ni y E i , respectivamente.

( EC − E F ) ( EC − Ei ) ( E F − Ei ) ( E F − Ei )
−
n = NC ⋅ e k BT
= NC ⋅ e k BT
e k BT
= ni e k BT
…(5)

( EF − EV ) ( EV − E i ) ( Ei − E F ) ( Ei − E F )
−
y p = NV ⋅ e k BT
= NV ⋅ e k BT
e k BT
= ni e k BT
…(6)

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Fig. # 6 Semiconductor de tipo N. a) Diagrama de bandas b) densidad de

estados, c) Función de distribución de Fermi, d) concentración de
portadores.

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Cuando el semiconductor tiene adulteraciones tipo N (tipo p) el nivel de Fermi se

mueve hacia el borde de la banda de conducción (de valencia). En este caso, la
aproximación de Boltzmann no es muy buen y las expresiones simples que
relacionan la concentración de portador y el nivel de Fermi no son muy precisas.
Un enfoque para una relación mas precisa es utilizar una función tabulada que
de el valor de la integral para la densidad de carga.

La densidad del portador es:

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3
2 ∞
1  2me∗  ( E − EC )
1

∫
⋅dE
n=  2 
2
… (7)
2π 2
( E − EF )

 η  EC e k BT
+1

E − EF
Se define n= … (8)
k BT

E F − EC
nF = … (9)
k BT

La concentración de los electrones n es:

3
2∞
1  2me∗ k BT  1

∫
⋅dn
n=   n 2

2π 2  η2  e ( n − nF )
+1 … (10)
0

La integral de Fermi Dirac (o media integral de Fermi)

∞ 1

F1 (nF ) = ∫ e ( n−nF⋅) +1 … (11)

n 2 dn
2
0

Y al aplicar la definición de la densidad efectiva N C .

2
n= N C ⋅ F1 (n F ) … (12)
π 2

3
 E F − EC 
2
4
nF > 3 ⇒ F1 ≅   … (13)
2
3 π  k BT 

3
 E − EC 
2

nF < − 3 ⇒ F1 ≅ exp F  … (14)

2
 k BT 

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3
 m∗k T  2

La densidad efectiva de estado N C = 2 e B 2  … (15)

 2π η 

3
 m∗   T  2
[ ]
2 3

N C (T ) = 2.512 × 10  de  
19
 cm
−3
… (16)
 e  
m 300 

La densidad de estado de huecos

3
 2m ∗  2
N h ( E ) = 4π  2h  (EV − E ) 2
1
… (17)
 η 

La densidad de huecos (o concentración de huecos) esta dada por:

Ev

p= ∫N
−∞
h ( E ) ⋅ f h ( E ) ⋅ dE = N V ⋅ F1 (n h )
2
… (18)

Es la concentración de densidad de estados de huecos, donde

3
 m∗ k T  2

NV = 2 h B 2  … (19)
 2 ⋅π ⋅ η 

Es la densidad efectiva de estados de huecos, para la banda de valencia y

EV − E F
nh = … (20)
k BT

Ahora la densidad de estados de electrones y huecos

3
 2m∗ 
2

N e ( E ) = 4π  2 e  (E − EC ) 2
1
… (21)
 η 

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3
 2mh∗ 
2

N h ( E ) = 4π  2  (EV − E ) 2
1
… (22)
 η 

Semiconductor compensado.- Con frecuencia cada átomo donor en un

semiconductor de tipo n, suministra un electrón a la banda de conducción, y el
electrón de concentración n, en la banda de conducción es aproximadamente
igual a la concentración donora N d . En una manera similar a la temperatura

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ambiente o temperatura elevada, cada aceptor crea un hueco en la banda de

valencia de un semiconductor de tipo -p es aproximadamente igual a la
concentración aceptora N a . Si ambos, tanto los aceptores y donores son

agregados a un semiconductor, éstos compensan de cada electrón suministrado

que los donores ocupan los niveles vacantes, en la banda de valencia creado por
los átomos aceptores

Semiconductores no degenerados.- Cuando el nivel de Fermi EF esta en la

energía de brecha, entonces (EC − E F ) y (E F − EV ) son mucho mayores que la

energía ( k BT ). En consecuencia se dice que es un semiconductor no

degenerado, cuando (EC − E F ) >> 3k BT y la integral de Fermi- Dirac.

EF − EC
F1 ( )
2 k BT

EF − EC
Se reduce a una función exponencial F1 = exp. ( )
2 k BT

La concentración de electrones está definido como:

E F − EC

n = NCe k BT
… (23)

La concentración de huecos es:

EV − E F

p = NV e k BT
… (24)

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Semiconductor degenerado.- Cuando el nivel de Fermi E F ,está en la banda de

conducción, y (E F − EC ) > 3k BT ó donde el nivel de Fermi, está en la banda de

valencia y (EV − E F ) > 3k BT ,entonces el semiconductor se llama degenerado.

Para un semiconductor degenerado de tipo – n:

4  E F − EC  2

F1 ≅   … (25)
2 3 π  k BT 

( )
2
EF − EC = η 3π 2 ⋅ n
3
2
… (26)
∗
2mdos e

e (E F − EC )
3
 2mdos
∗

2
1
n≅ 2   … (27)
3π  η
2


Para un semiconductor degenerado de tipo p:

4  EV − E F 
2

F1 ≅   … (28)
2 3 π  k BT 

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( )
2
EV − EF = η 3π 2 ⋅ p
3
2
… (29)
∗
2mdos h

h (EV − E F )
3
 2mdos
∗

2
1
p≅ 2   … (30)
3π  η
2


En este caso el semiconductor se llama compensado

Neutralidad de la carga.-

De manera general, si en el semiconductor extrínseco están presentes ambos

tipos de impurezas (donores y aceptoras) aquella concertación mayoritaria es la
que determinará el tipo de semiconductores extrínseco (p ó n), así como la
conductibilidad del semiconductor. A temperaturas finitas, los electrones, serán
distribuidos, pero sus números serán conservados y satisfacen la siguiente
igualdad de la neutralidad de carga:

n − ni + n d = N d … (31)

p − pi + pa = N a …(32)

La concentración intrínseca de portadores se cumple que ni= pi, entonces,

restando de la primera ecuación la segunda, resulta que:

n − p + nd − pa = N d − N a

n + nd = ( N d − N a ) + p + pa …(33)

Donde:

n= total de los electrones libres en la banda de conducción

nd = electrones ligados a los átomos donores

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p= total de huecos libres en la banda de valencia

pa = huecos ligados a los átomos aceptores

Nd = Los iones donores fijos ubicados en el nivel donador

Na = Los iones aceptores fijos en el nivel aceptor

Esta neutralidad de carga en equilibrio térmico como

n + Na = p + Nd …(34)

Considerando la Ley de acción de masas y esta última de masas y esta última

igualdad se pueden obtener las concentraciones de portadores en equilibrio
térmico para un semiconductor extrínseco

n ⋅ p = ni2 …(35)

nn ⋅ pn = ni2 ( para tipo − n ) …(36)

nn + N a = pn + N d …(37)

ni2
nn + N a = + N d ⇒ nn2 + nn N a = ni2 + nn N d
nn

nn2 + nn ( N a − N d ) + ni2 = 0 ó nn2 − nn ( N d − N a ) + ni2 = 0

nn =
1
2
[
( N d − N a ) + ( N d − N a ) 2 + 4ni2 ] …(38)

Se considera el semiconductor extrínseco de tipo–n, si (Nd > Na), ahora, para el

semiconductor de tipo – p (Na > Nd), implica que el portador mayoritario es el
hueco y el minoritario el electrón, considerando la ley de acción de masas y la
concentración de los huecos en equilibrio térmico es:

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p p ⋅ n p = ni2 ( para tipo −p ) …(39)

np + Na = p p + Nd …(40)

ni2
+ N a = p p + N d ⇒ ni2 + p p N a = p 2p + p p N d
pp

p 2p − p p ( N a − N d ) + ni2 = 0

pp =
1
2
[
( N a − N d ) + ( N a − N d ) 2 + 4ni2 ] …(41)

En resumen, en un semiconductor de tipo – n (Nd >> Na) ⇒ nn ≅ N d

nn pn = ni2 …(42)

Básicamente, en una material de tipo – n la población de electrones es

mayoritaria respecto a la de huecos, se dice que el electrón es el portador
mayoritario y que el hueco es el portador minoritario.

En un semiconductor de tipo - p (Na >> Nd);

ni. << Na = pp ≅ Na

n p p p = ni2 …(43)

Función de distribución para los átomos de impurezas.-

La función de distribución de Fermi – Dirac para calcular la función de

probabilidad para un nivel de donador que tiene una energía Ed medida desde
que el borde de la banda de conducción. La probabilidad de que un estado
donador, esté ocupado dado por (nd es el numero de electrones ligados a los
donadores, Nd es la densidad del donador)

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nd 1
= …(44)
Nd 1  E − EF 
exp d  + 1
2  k BT 

El factor ½ surge esencialmente del hecho de que hay dos estados que un
electrón puede ocupar en un sitio de donador correspondiente a los estados de
Spin.

La probabilidad de que un hueco sea atrapado para un nivel de aceptor esta

dado por (pa es el número de huecos ligados a los aceptores, Na es la densidad
de aceptor)

pa 1
= …(45)
Na 1  E − Ea 
exp F  + 1
4  k BT 

El factor ¼ se debe a la presencia de las dos bandas, hueco ligero, hueco pesado
y los dos estados de spin.

Para encontrar el número de electrones en la banda de conducción y de huecos

en la banda de valencia, de electrones en los átomos donadores y huecos en los
niveles aceptores, se necesita emplear una computadora. Sin embargo, se puede
obtener una expresión aproximada al aplicar la aproximación de Boltzamann, que
es válida si Ed – Ef >> kbT y Ec – Ef >> kbT, con esta aproximación tenemos (si se
supone un material de tipo – n, para el cual Na sea cero).

Nd   E − EF 
nd = = 2 N d exp −  d  …(46)
1  E − EF    k BT 
exp d 
2  k BT 

Además, tenemos que para la densidad de electrones en la banda de conducción

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  E − EF 
n = N c exp −  c  …(47)
  k BT 

Entones la fracción de electrones ligados a los niveles de donador es ahora

(para concentraciones intrínsecas pequeñas Nd = n + nd)

 (E − EF )
2 N d exp − d
nd  k BT 
=
n + nd  Ec − EF   E − EF 
N c exp −  + 2 N d exp − d
 k BT   k BT 

nd 1
= …(48)
n + nd Nc  E − Ed 
exp − c +1
2Nd  k BT 

Con esta aproximación el nivel de Fermi no aparece en la relación y la energía

de ionización del donador (Ec – Ed) y la temperatura determinan la fracción de
electrones ligados

nd
≅1
A bajas temperaturas, la relación n + nd (se aproxima a la unidad), de modo

que todos los electrones se encuentran ligados a los donadores. Esto se

denomina inmovilización de portador ahora, la fracción de huecos ligados a los
niveles de aceptor (para concentraciones intrínsecas pequeñas Na = p + pa)

4 Na  (E − Ea )
pa = ≅ 4 N a exp − F
k BT 
…(49)
 EF − Ea  
exp  + 1
 k BT 

La densidad de huecos en la banda de valencia

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 E − EF 
p = N v exp v  …(50)
 k BT 

 (E − Ea )
4 N a exp − F
pa  k BT 
=
p + pa  Ev − EF   E − Ea 
N v exp −  + 4 N a exp − F
 k BT   k BT 

pa 1
= …(51)
p + pa Nv  E − Ev 
exp − a +1
4 Na  k BT 

La operación de dispositivo electrónica a temperatura ambiente se supone n = Nd

para materiales de tipo – n y p = Na para materiales de tipo – p.

Las ecuaciones relativas para dopar.-

Nivel de Fermi intrínseco

Ec + Ev 3  m* e 
EFi = + k BT ln dos
*
 …(52)
2 4  mdos h 

Niveles donores pronosticados para un módulo parecido a hidrógeno.

 ε 0  me  me e 4
Ec − Ed =   *  …(53)
 ε s  me  32π ε 0 η
2 2 2

2
ε   me* 
Ec − Ed (eV ) = 13.6 0   
 εs   me 

Radio donora de Bohr

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4πε 0η2  me  ε s 
aBeff =    …(54)
e 2 me  me*  ε 0 

 m  ε 
aBeff ( A°) = 0.52917 e*  s 
 me  ε 0 

Conductores, semiconductores y aislantes.-

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El modelo de bandas expuesto anteriormente podrá aplicar satisfactoriamente la

existencia de conductores, semiconductores y aislantes. Entonces para los
electrones respondan al campo eléctrico externo y por tanto contribuyan a la
corriente eléctrica, los electrones deben ganar energía y situarse en estados
energéticos superiores. En consecuencia, solo aquellos electrones que posean
estados superiores próximos disponibles vacios y permitidos responderán a la
acción de un campo eléctrico externo. Con este razonamiento podemos
concluir que aquellos electrones cuyas energías corresponden a las de una
banda completamente llena, no contribuirán a la corriente.

I banda llena = O [A] …(1)

Para explicar el comportamiento eléctrico de los sólidos se distinguen dos

situaciones en función de la temperatura T = 0[0K] y T > 0[0K]

• A T=0[0K], un sólido que tiene la banda de valencia llena será un

aislante debido a que los electrones de dicha banda bajo la acción de
una campo eléctrico externo. Además la existencia de la banda prohibida
impide que los electrones puedan desplazarse hacia la banda de
conducción, por el contrario, si la banda de valencia está parcialmente
llena y no hay banda prohibida entonces los electrones pueden

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desplazarse hacia niveles más altos de energía en el interior de dicha

banda y el sólido se comporta como un conductor.

Ahora, un aislante cuya banda prohibida sea relativamente pequeña, se

denominará semiconductor, aunque a T = OK, tanto el aislante como el
semiconductor como aislantes perfectos

• A T > 0[0K] es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos

electrones de la bandad de valencia sean excitados térmicamente y
lleguen a la banda de conducción y por tanto, que hagan algunos
portadores disponibles para la conducción de la corriente eléctrica. La
probabilidad de salto de electrones de la banda de valencia a banda de
conducción será directamente proporcional a la temperatura e
inversamente proporcional a la anchura energética, Eg de la banda
prohibida. En consecuencia, a mayor Eg menor concentración de
electrones en la banda de conducción y menor conductividad eléctrica.
Por otra parte, dado para estos materiales la concentración de electrones
en la banda de conducción aumenta con la temperatura, la conductividad
crecerá a medida que la temperatura aumenta, lo que explica así, la
conecta dependencia de la conductividad con la temperatura para
aislantes y semiconductores.

En los conductores la situación energética de los electrones ligados en la banda

de valencia y parcialmente llena la banda de conducción es muy similar para
los electrones libres en el modelo de Sommerfeld dentro del pozo de potencial
finito. Los conductores tienen una conductividad muy alta debido al número
mucho mayor de electrones que participan en el transporte de corriente. Es
difícil alterar la conductividad de los metales en cualquier forma simple como
resultado de lo anterior. Por otra parte, los semiconductores tienen
conductividad cero a 0 [0K] y una conductividad bastante baja a temperaturas
finitas, pero es posible alterar su conductividad en órdenes de magnitud.

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Función de trabajo es la diferencia de energía ente el nivel vacío y el estado

electrónico ocupado mas alto en un metal.

Afinidad electrónica es la diferencia de la energía entre el nivel vacío y la parte

baja de la banda de conducción.

Semiconductores directos e indirectos.-

• Semiconductores directos.- En semiconductores directos la transición se

realiza en la parte baja de la banda de conducción en k = 0, con el máximo
de la banda de valencia. Este hecho permite que pueda darse la mínima
transición energética entre las dos bandas sin que haya un cambio en el
momento lineal (debido a que k no varia).

En este tipo de transiciones se observa un fotón simultáneamente a la transición

electrónica entre bandas. Los semiconductores como: GaAs, InP, Ingaes, etc.
son semiconductores de banda de separación directa y óptimamente activos.

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• Semiconductores indirectos.- En semiconductores indirectos, la forma de

las bandas es tal que el mínimo de la banda de conducción y el máximo de
la banda de valencia no ocurren para el mismo valor de k. Lo que implica
que una transición electrónica entre Bv y Bc debe llevar aparejado un
proceso que da cuenta del cambio de momento lineal necesario. En la
práctica esto implica que el electrón debe primero realizar una transición
hacia otro estado (es un estado energético provocado por la presencia de
algún defecto en la red) y desde ahí realizar la transición entre bandas sin
intercambio de momento. Los semiconductores como: Si, Ge, Al, As, etc.
Estos materiales tienen interacciones muy agudas con la luz y no pueden
utilizarse para dispositivos ópticos eficaces. Las razones están basadas en
las reglas de conservación de momento en transiciones ópticas, lo que hace
difícil tener transiciones fuertes en semiconductores indirectos.

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La energía cerca de los bordes de la banda en el punto k = ko, se representa la

estructura de bandas mediante la relación:

E (k , k0 ) = E (k0 ) + η
(ki − k0i )2
2
∑
i = x, y, z mi
∗ …(2)

Donde el índice i representa las componentes x, y, Z de k y ko, para materiales

con banda de separación directa ko = (0,0,0). Entonces la relación para
semiconductores directos, se transforma en:

κ 2 2
E (k ) = Ec + η ∗ …(3)
2me

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Donde Ec, es el borde de la banda de conducción y la estructura de bandas es

una simple parábola con superficies de energía iguales a las superficies de una
esfera.

Para materiales indirectos como el Si, la parte baja de la banda de conducción

2π 2π
se presenta en los seis puntos equivalentes: (0.85,0,0), (0, 0.85,0),
a a
2π
(0,0,0.85), y sus inversos. La relación del momento de energía es:
a

2
κ 2
κ 2 2
E (k ) = Ec + η ∗l + η ∗t …(4)
2ml 2mt

Donde kl es la parte longitud de k (es decir paralela al valor de k en el borde de

la banda) y kt es la parte transversal medida desde el borde de la banda de
conducción.

La superficie de energía constante de la estructura de bandas es un elipsoide.

Cerca de los bordes de las bandas, los electrones en semiconductores se

comportan como si tuvieran una masa me que se conoce como la masa
efectiva. Para semiconductores de brecha directa, la masa efectiva de los
electrones en el borde de la banda de conducción está dada por la relación:

1 1 2Ρcv2
∗
= + …(5)
me me E g

Donde para la mayoría de los semiconductores,

2Ρcv2
= 20[ev] …(6)
me

Donde me es la masa del electrón libre.

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Ahora, cerca de la parte superior de la banda de valencia hay tres curvas

importantes (fig. 3). La banda de masa más pesada se denomina banda de
hueco pesado (I). La segunda banda mas ligera se conoce como banda de
hueco ligero (II), y la tercera, separada, por una energía ∆ i se llama banda de
separación (III). Las masas de los electrones de la banda de valencia son
generalmente mucho más pesadas que los situados en la banda de conducción
y también son negativos. En general, la masa efectiva está definida como:

1 1 ∂2E
∗
= …(7)
η ∂κ
2 2 2
me

La densidad de estados en un sistema tridimensional

N (E) =
( )∗
2 mdos
3/ 2

E1 / 2 …(8)
π 2η2

Donde m*dos es la masa de densidad de estados para los semiconductores de

banda de separación directa se cumple que:

∗
mdos = me∗ (masa efectiva ) …(9)

Para materiales como el Si, la masa de densidad de estados para un vale:

∗
= (m1.m2 .m3 )
1/ 3
mdos …(10)

Donde m1, m2 y m3 son las masas efectivas en las tres direcciones principales
para el silicio.

m*e = m1, m *t = m 2 = m 3

m*e = es la masa efectiva longitudinal

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m*t = es la masa efectiva transversal

El silicio tiene 6 valles de bordes de la banda de conducción, entonces la

densidad de estados calculada para un valle debe multiplicarse por seis para
obtener la densidad total de los estados

N ( E )( Si ) =
∗
6 2 mdos ( ) 3/ 2

E1 / 2 …(11)
π 2η2

En el caso de las masas de la banda de valencia, existen las masas de los

huecos pesados y los huecos ligeros. Se puede definir el efecto de estas dos
bandas mediante una masa de densidad de estados efectiva esta dada por:

∗
mdos
3/ 2
(
= mlh∗
3/ 2 ∗
+ mhh
3/ 2
) …(12)

Donde m*lh= es la masa efectiva de huecos ligeros

m*hh= es la masa efectiva de huecos pesados

Huecos en semiconductores.- Un estado electrónico vacío en la banda de

valencia se comporta como si fuera una partícula con carga positiva y una
masa efectiva dada por las propiedades de la banda de valencia. Los
semiconductores están definidos como materiales en los que la banda de
valencia se encuentra llena de electrones y la banda de conducción esta vacia a
0 [0K]. A temperaturas finitas algunos de los electrones abandonan la banda de
valencia y ocupan la banda de conducción. La banda de valencia se queda
entonces con algunos lugares sin ocupar.

Cuando todos los estados de la banda de valencia están ocupados, la suma

sobre todos los estados del vector de onda es cero, es decir.

∑k i = 0 ⇒ ∑ ki + ke
…(13)
ki ≠ ke

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Este resultado es apenas una indicación de que hay tantos estados k positivos
ocupados como negativos. Ahora, en la situación donde un electrón con vector
de onda k, se pierde, el vector de onda total es:

∑k i = −ke
…(14)
ki ≠ k e

El estado perdido se denomina hueco y el vector de onda del sistema es –ke.

Es importante advertir que el electrón se pierde del estado ke y el momento
asociado con el hueco esta en – ke. La posición del hueco se presenta como la
del electrón perdido. Pero en realidad el vector de onda kh del hueco es –ke,
entonces kh = -ke.

Cuando se aplica un campo eléctrico al sistema, todos los electrones se

mueven en dirección opuesta al campo eléctrico. Al mismo tiempo esto resulta

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en el estado no ocupado moviéndose en la dirección del campo. El hueco

responde entonces como si tuviera carga positiva. Por tanto responde a los
campos externos eléctricos y magnéticos respectivamente, entones la ecuación
del movimiento es:

ρ ρ ρ
∂kh ρ v 
η = e ξ + h × B  …(15)
∂t  c 

Donde • kh y vh son el momento y la velocidad del hueco. Los huecos se

comportan como si tuviera una carga positiva. Esto ocurre porque los huecos
de los estados ocupados en la banda de valencia responden a las fuerzas
externas con una respuesta de carga negativa propia, pero el estado del
electrón perdido responde con una respuesta de carga positiva. La masa del
hueco tiene un valor positivo, aunque la masa del electrón en su banda de
valencia sea negativa.

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CAPÍTULO
Fenómeno de transporte de
4 portadores

INTRODUCCIÓN

Un movimiento de portadores libres en un conductor conduce a una corriente.

Este movimiento puede ser causado por un campo eléctrico debido a un voltaje
externo aplicado. Pero, la citación externa puede ser también, térmico u óptico.
Los mecanismos provocarlos en los portadores por acción de citación alternas
reciben el nombre de fenómenos de transporte.

Entre los fenómenos de transporte cabe mencionar como fundamentales a los

fenómenos de arrastre, difusión y efecto es Hall.

• Conducción por arrastré.- Se produce cuando se somete la sustancia

semiconductora a una definida de potencial o a la acción de una campo
eléctrica externo.
• Conducción por difusión.- Las corrientes de portadores generados por
difusión se deben a diferente concentración de estas en el semiconductor.
• Efecto de Hall.- La corriente de portadores se crea por la acción conjunta
de un campo eléctrico y una magnético sobre el semiconductor.

4-1. Fenómeno de arrastré de portadores.-

Se considera una muestra de semiconductor de tipo N con una concentración
demora constante y en equilibrio térmico.

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Los electrones en la banda de conducción son partículas libres, y no están

asociados a ninguna estructura en particular. La influencia de la Estructura
cristalina está en la masa efectiva de los electrones en conducción, la cual es
ligeramente diferente a la de los electrones libres, bajo las condiciones de
equilibrio térmico. La energía térmica promedio de los electrones en la banda de
conducción se puede obtener a partir del teorema de equipartición de energía:
1
KT por cada grado de libertad, donde K es la constante de Boltzmann y T es la
2
temperatura absoluta.

3
K = kT …(1)
2
Los electrones en un semiconductor tiene tres grados de libertad ya que pueden
moverse en un espacio tridimensional. Por lo tanto, la energía cinética de los
electrones es:
1 * 2 3
mnVth = kT …(2)
2 2
Donde mn* = masa efectiva de los electrones y Vth = velocidad térmica. A
temperatura ambiente (T= 300 oK) Vth = 107[m/s] para Si y GaAs.

3kT
Vth = …(3)
mn*

Debido a la energía térmica, los electrones están en un movimiento constante en

todas las direcciones. Los electrones están continuamente en movimiento, no
están asociados con ninguna particular posición de la estructura. El movimiento
térmico de un electrón individual se puede ver como una sucesión de
movimientos aleatorios con colisiones con átomos de la estructura cristalina, con
impurezas, etc. como se ve en la figura # 1,

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Este movimiento aleatorio de los electrones conduce a un desplazamiento neto

cero de un electrón en un periodo de tiempo largo. Entonces, la velocidad media
de los electrones es nula. La distancia promedio entre colisiones es llamado
recorrido libre medio l y el tiempo promedio entre colisiones tiempo libre medio
Tc. Estas magnitudes están relacionadas con la velocidad térmica es:
λ
Vth = …(4)
Tλ

Para los electrones, • = 10-5 (cm) y T• = 1ps (para T= 300 oK).

4.1.2. Velocidad de arrastre.- Cuando se aplica al semiductor un campo
ρ ρ ρ
eléctrico (∈) , cada electrón experimenta una fuerza Fe = −e ∈

Los electrones se mueven en sentido contrario al campo eléctrico y los huecos en

el mismo sentido. En consecuencia, adquieren una nueva componente de

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ρ
velocidad de arrastre Vr . Esta velocidad es, en la mayor parte de los dispositivos,
mucho más pequeña que la velocidad térmica, por lo que la velocidad de arrastré
puede considerarse como una perturbación de la velocidad térmica. La acción
combinada de la velocidad de arrastré puede considerarse como una
perturbación de la velocidad Térmica. La acción combinada de la velocidad
térmica y la de arrastré da lugar a un movimiento neto de los electrones en
sentido contrario al capo eléctrico aplicado.
Suponiendo que todos los portadores en el semiconductor se mueven con al
misma velocidad, entonces la corriente debe expresarse como la fuerza total en
un semiductor por el tiempo necesario para viajar de un electrodo a otro.

Q = Q = Q vr
i= …(5)
τ r λ/ vr λ

Donde • r es el tiempo de tránsito de una partícula, que viajan con una velocidad
Vr.
La densidad de corriente se puede escribir como una función de cualquiera de
densidad de carga • o densidad de portadores n en el semiconductor:
Q vr = ζ
J= vr = e n vr …(6)
Aλ
Ahora, analizaremos el movimiento de portadores considerado solamente la
velocidad promedio Vr de los portadores. En virtud de la segunda ley de Newton:
ρ ρ ∂vρ
F = ma = m …(7)
∂t
La fuerza consiste de la diferencia entre la fuerza electrostática y la fuerza de
dispersión al momento en el tiempo de dispersión. Esta fuerza de dispersión es
igual al momento dividido por el tiempo promedio entre eventos de dispersión.
m*v
F = −e ε − n r …(8)
τr

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Combinando ambas relaciones proporcionan una expresión para la velocidad

promedio entre eventos de dispersión
Combinando ambas relaciones proporcionan una expresión para la velocidad
promedio de la partícula.
∂v r m n* v r
m *
= −eε − …(9)
∂t τr
n

Podemos considerar solamente la situación de estado estacionario en el que la

partícula ha sido acelerado y alcanza una velocidad promedio constante. Bajo
estas condiciones la velocidad es proporcional al campo eléctrico aplicado y se
define la movilidad como la razón entre velocidad con campo eléctrico.
m n* v r eε τ
eε = − ⇒ vr = − * r
τr mn

eτ r
vr = − ε …(10)
m n*

v rn = − µ n ε …(11)

e τ r v rn
µn = = …(12)
m n* ε

La movilidad de una partícula en un semiconductor se espera, por tanto que sea

grande si su más efectiva es pequeña y el tiempo de vida media entre intervalos
de dispersión sea grande.
La movilidad es un parámetro importante en el transporte de portadores ya que
expresa cuantitativamente la facilidad o no de movimiento de los electrones frente
 cm 2   m2 
a la acción del campo eléctrico. Su unidad de medida es   o  
 Vs   Vs 
Para los huecos en la banda de valencia se define:
Vrp = µ p ε …(13)

 eτ 
µ p =  *r  …(14)
 mh 

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La densidad de corriente de electrones en función de movilidad es:

J n = enµ n ε …(15)

J p = enµ p ε …(16)

La densidad de corriente de huecos en función de movilidad es:

4.1.3.- Resistividad.- Supongamos un semiconductor de tipo N, dopado
homogéneamente cuyo diagrama de bandas en la figura # 3 donde se muestra al
diagrama de bandas cuando se aplica una tensión de polarización en el terminal
de la parte derecha.

Cuando se aplica un campo eléctrico al semiconductor, dicho campo realiza una

fuerza sobre cada electrón. Además esta fuerza ejercida es igual al valor negativo
del gradiente de la energía potencial del electrón.
∂E Fi
F = −eε = − …(17)
∂x
Para el gradiente de la energía potencial se puede utilizar cualquier parte del
diagrama de bandas que sea paralelo a Ec, (EF,Ei o Ev). Es conveniente utilizar Ei
pues esta magnitud es ampliamente utilizado en el caso de uniones p-n, entonces
el campo es

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1 ∂E Fi
ε= …(18)
e ∂x
La caída de tensión entre dos puntos se define como la energía empleada para
mover una carga positiva unidad desde uno al otro terminales.
Para mover una carga positiva desde un punto a otro entre los cuales existe una
diferencia de potencial V y realiza un trabajo y la energía empleada es Eo=eV,
cuando la carga llega a su destino gana una energía potencial Eo=eV. Para el
electrón, se lleva desde B hasta con una diferencia de potencial V, el electrón
pierde una energía potencial Eo=-eV.
Variación de la energia potencial ∆E p = −eV

Entonces el campo electrón, se define como:

1 ∂E ∂V
ε =− =− …(19)
e ∂x ∂x
Para un campo eléctrico constante, V diferencia de potencial y • la longitud del
semiconductor.
V 
ε =  …(20)
 λ
Ahora, la densidad de corriente neta de portadores debida a la acción del campo
eléctrico externo.
J = J n + J p = enµ n ε + epµ p ε

J = e(nµ n + pµ p )ε …(21)

La conductividad se define como (• m) -1:

σ = e(nµ n + pµ p ) …(22)

La contribución de los electrones y los huecos a la conductividad es simplemente

aditiva. La resistividad del semiconductor • (• m), es el valor recíproco de la
conductividad, esta definido como:
1 1
ρ= =
σ e(nµ n + pµ p )
…(23)

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Para el caso de semiconductor extrínsecos, generalmente hay una concentración

de portadores de carga que es mayoritaria respecto a la otra, entonces:
Semiconductor tipo N (n>>p);• n=1/enµn
Semiconductor tipo P (p>>n);• p=1/enµp
Para una concentración de impurezas (donoras y aceptoras) la resistividad de un
semiconductor de tipo P es mayor que la de un semiconductor de tipo N: µn > µp,
(mn* > mh*) →• p >• n.

4.2.- Fenómenos de difusión de portadores.- se considera ahora el flujo de

corriente por difusión. Si no hay campos eléctricos aplicados, los portadores se
mueven aleatoriamente, chocan con la red cristalina y son dispersados al azar.
Un flujo neto de corriente, en tal proceso ocurre si hay gradinete de concentración
de portadores.
Si consideramos conducción por huecos, entonces P sea la concentración de
∂p ∂p ∂p
huecos y sea ∇p su gradiente con componentes , y . Luego la densidad
∂x ∂y ∂z

de corriente de huecos será:

J p = −D p ∇ p …(24)

Se considera un perfil de concentración n(x,t) de electrones de al Fig # 4,

entonces se calcula el flujo de electrones ∅(x,t) a través del plano x=xo en
cualquier instante del tiempo.

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Podemos considerar en una región del espacio una trayectoria libre media • a
cada lado de xo, de la que los electrones pueden provenir a través de la frontera
x=xo en el tiempo de dispersión • disp. Los electrones de regiones adicionales
aparte sufrirán colisiones que cambiarán en forma aleatoria sus direcciones.
En las dos regiones denominadas n1 y n2 las regiones se mueven de manera
aleatoria, la mitad de los electrones en la región n1 irán a través de x=xo hacia la
derecha y la otra mitad irán hacia al izquierda en le tiempo de dispersión • disp. El
flujo hacia la derecha es entonces
(n1 − n 2 )λ
φ n ( x, t ) = …(25)
2τ disp

donde n1 y n2 son las densidades de portador promedio en las dos regiones. Ya

que las dos regiones propiamente tales se encuentran separadas por la distancia
• , entonces:
∂n( x, t )
n1 − n 2 ≈ − λ …(26)
∂x
Donde • es la distancia libre media para los electrones, ese decir la distancia que
viajan los electrones entre colisiones, luego, el flujo neto es:

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2
∂n( x, t ) ∂n ( x , t )
φ n ( x, t ) = − λ = − Dn …(27)
2τ disp ∂x ∂x

Donde Dn es el coeficiente de difusión del sistema electrónico y dependen de los

procesos de dispersión que controlan • y el tiempo • disp. Puesto que la
trayectoria libre media es esencialmente:

λ = v th τ disp …(28)

Donde Vth es la velocidad térmica media, el coeficiente de difusión de la

temperatura, entonces:
2
Dn = λ …(29)
2τ disp

De la misma forma, el coeficiente de difusión de los huecos proporcionan el flujo

de huecos debido a un gradiente de huecos.
∂p ( x, t )
φ p ( x, t ) = − D p …(30)
∂x
Donde Dp es el coeficiente de difusión de los huecos. En consecuencia el flujo de
electrones y huecos, puede fluir una corriente en la estructura cristalina, que en
ausencia de un campo eléctrico está dada por la carga multiplicada por el flujo de
partículas.
∂n ( x , t ) ∂p ( x, t )
J diff = Jn (diff ) + Jp (diff ) = eD n − eD p …(31)
∂x ∂x
Tanto los electrones como huecos se mueven en la dirección de la menor
concentración de electrones y huecos respectivamente, las corriente que
conducen ellos son opuestas debida a la diferencia de sus cargas.
Transporte por deriva y difusión; la relación de Einstein.- en muchos
dispositivos electrónicos la carga se mueve bajo la influencia combinada de
campos electrónicos y gradiente de concentración. La densidad de corriente está
dada por:
dn( x , t )
J n ( x ) = − eµ n n( x )ε ( x ) + eDn … (32)
dx

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dp( x , t )
J p = eµ p p( x )ε ( x ) − eD p … (33)
dx

Las movilidades de electrones y huecos no son constantes. En campos de gran

intensidad las movilidades disminuyen y el factor alcanza una constante
correspondiente con la velocidad de saturación. Así la corriente de deriva se
satura y llega ser independiente del campo.
El efecto de los campos eléctricos sobre las bandas de energía del
semiconductor. Las bandas de energía representan los niveles de energía del
electrón, incluso el efecto de la carga negativa. Si se aplica un campo eléctrico
ε ( x ) , la fuerza sobre los electrones es − e ε ( x ) y por lo tanto la energía potencial
u( x ) y la fuerza estarán relacionados por:
F = −∇u( x ) … (34)
Para un campo eléctrico uniforme podemos escribir:
u( x ) = e ε ( x ) ⋅ x … (35)
Así, puesto que la carga del electrón es negativa, las bandas se encurvan.
Ec ( x ) = Ec ( ε = 0 ) + e ε ( x ) ⋅ x … (36)

Si un potencial positivo es aplicado a la izquierda del material y el otro negativo a

la derecha, las bandas se doblarán. La deriva de los electrones descenderá en al
imagen de la banda de energía y así opuesto al campo (Fig.#3).
En equilibrio, las corrientes totales de electrón y hueco son individualmente cero.
dn( x , t )
J n ( x ) = − e µ n n( x )ε ( x ) + eDn =0
dx
1 Dd dn( x , t )
ε( x ) = … (37)
n( x ) µ n dx

Si suponemos que la función de distribución del electrón esta dado por la

distribución de Boltzmann:

n( x ) = ni exp −[ EF − EF ( x )
k BT
] … (38)

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Donde EFi y EF son el nivel de Fermi intrínseco y el nivel de Fermi en presencia

de cargas extrínsecas:
dn( x )
dx
=−
ni
k BT
[
exp −
E Fi − E F ( x )
k BT
] dEdx
Fi
−
dE F 
dx 


dn( x) n( x)  dE F i dE F 
=−  −  … (39)
dx k B T  dx dx 

En equilibrio, el nivel de nivel de Fermi no puede variar espacialmente de otro
modo la probabilidad de hallar electrones a lo largo de una posición de energía
constante variará a lo largo del semiconductor. Puesto que no está permitido por
difusión de las condiciones de equilibrio, el nivel de Fermi tiene que ser constante
en equilibrio.
dE F
=0 … (40)
dx
dE F i
El campo eléctrico está definido en función de
dx
1 dE F i
ε =− …(41)
e dx
dn( x) n( x) dE F i
Si =−
dx k BT dx
Luego, con la ecuación (37)
dn( x) n( x) e Dn 1 dn( x, t ) e Dn dn( x, t ) dn( x)  e Dn 
= = 1 − =0
dx k B T µ n n( x) dx µ n k B T dx dx  µ n k B T 
dn( x) e Dn
⇒ ≠ 0 ∨ 1=
dx µ n k BT

k B T Dn
= … (43)
e µn
Por el mismo procedimiento se obtiene:
k BT D p
= … (44)
e µp

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Estas últimas educaciones son la relación de Einstein que satisface para

electrones y huecos.
Para campos eléctricos de gran magnitud, la movilidad disminuye como un
inverso del campo eléctrico debido a la
Disminución del tiempo de dispersión El coeficiente de difusión también tiene
el mismo final. Para campos de gran intensidad la relación de Eisntein no se
mantiene, así como también lo hace para campos de baja intensidad, puerto que
la función de distribución electrónica es bastante complicada.
Efecto de Hall.- Cuando por una muestra semiconductora circula una densidad
ρ ρ
de corriente J perpendicular a un campo magnético B , éste provoca la aparición
ρ ρ
de un campo eléctrico normal al plano determinado por B y J . Este mecanismo
recibe el nombre de efecto Hall y puede ser usado para determinar algunas
características de semiconductores como: el tipo de portador (hueco o electrón),
la concentración o la movilidad. También es la base de dispositivos utilizados en
la medida de campos magnéticos.

Supongamos una muestra de semiconductor de tipo P,(Fig.# 1) sometida a una

diferencia de potencial V en la dirección X. Esta diferencia de potencial origina un
campo eléctrico en la dirección de x, ε x el cual por el fenómeno de arrastre
proporcionará una velocidad a los huecos Vx en la dirección x. En esta situación

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se aplica a la muestra semiconductora un campo magnético a lo largo de la

dirección z,Bz.
ρ ρ ρ
La fuerza de Lorentz F = e v × B (en magnitud, e v x ⋅ B z ) debida a la presencia

del campo magnético ejercerá una fuerza ascendente (en la dirección y) sobre los
huecos que juegan en el eje x. Como consecuencia de esta fuerza, la velocidad
de los huecos presentará una componente en el eje y.
El resultado será una acumulación de cargas positivas en la parte superior de la
muestra y negativos en la parte inferior de la misma. Esta acumulación de cargas
creará ahora otro campo eléctrico en la dirección y orientado hacia abajo ε y .

Entonces, no se produce un flujo neto de corriente en la dirección y, en las

fuerzas eléctrico y magnético son iguales tal que la fuerza resultante es cero.
F0 = e ε y − e v x ⋅ B z = 0 ⇒ e ε y = e vx ⋅ Bz
ε y = vx ⋅ Bz

La única corriente existente en el semiconductor es la corriente I proporcionada

por la fuente externa V, de arrastre en la dirección x es VX.
Donde ε y es campo eléctrico Hall, y la diferencia de potencial eléctrico creado

por este capo, se llama voltaje de Hall vH. Luego la velocidad VX es la velocidad
de arrastre de huecos, la densidad de los huecos:
Jp
J p = e p vp ⇒ vx = v p =
ep
En consecuencia:
Jp
ε y = vx ⋅ Bz = B z = RH J p Bz
ep
1
Donde: R H = coeficiente de Hall ( R H > 0 )
ep
El campo eléctrico de Hall es proporcional al producto de la densidad de corriente
y el campo magnético. El coeficiente de proporcionalidad de RH es llamado
coeficiente Hall.
Para los electrones en un semiconductor de tipo N:

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Jn
v x = vn = − ⇒ J n = −e n v n
en

Jn
ε y = vx ⋅ Bz = − Bz = RH J n Bz
en
1
Donde: R H = − coeficiente de Hall ( R H < 0 )
en

A partir de al medida de este coeficiente, se pueden obtener las medidas de

concentración de portadores. Así para un semiconductor de tipo P.
1 J p B z (I A) ⋅ B z I Bz w
p= = = =
e RH eεy e (V H w) e V H A

Donde: w es el espesor de la muestra (eje y)

A sección transversal
I corriente de huecos
Para semiconductor de tipo P los portadores mayoritarios son los huecos, la
corriente I es debida a la densidad de huecos Ip (mucho mayor que la densidad
de electrones). El campo eléctrico es:
VH
εy = VH = ε y w = (RH I
A
B z )w
w
En un semiconductor de tipo P; R H > 0 ⇒ V H > 0
En un semiconductor de tipo N; R H < 0 ⇒ V H < 0

1 J B
n= = n z
e RH eεy

Inyección de Portadores.- El proceso por el cual se introducen portadores de

carga en exceso recibe de inyección de portadores. A los portadores que se han
introducido externamente se les llama portadores en exceso. Existen varios
métodos diferentes de inyección de portadores en un semiconductor entre las
cuales cabe destacar la excitación óptica. También hay un proceso de inyección
de portadores en exceso para el caso de unión P-N directamente polarizada. En

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el caso de excitación óptica, se irradia la muestra del semiconductor. Si la

energía del fotón de la luz hf > E g (anchura de la banda prohibida E g del

semiconductor), el fotón es absorbido por el semiconductor por el semiconductor

generándose un par electrón – hueco.

Proceso de generación – recombinación directa entre bandas.- El proceso de

generación directa ocurre cuando un electrón es excitado directamente desde al
banda de valencia a la banda de conducción, dando como resultado un gran
electrón – hueco. Por el contrario, la recombinación directa ocurre cuando un
electrón cae desde al banda de conducción directamente a la banda de valencia,
eliminándose tanto el electrón como el hueco.
Si llamamos Gth al número de electrón – hueco producidos por generación por

unidad de volumen y por unidad de tiempo y Rth al número de pares de electrón –

hueco aniquilados por recomendación, pero en equilibrio térmico ambas.

Son iguales, entonces se cumple la ley de acción de masas pn = n i2 .

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Cuando es introducido un exceso de portadores en el semiconductor, hay una

alta probabilidad de que los electrones y huecos se recombinen directamente. En
forma general es lógico pensar que la velocidad de recombinan R sea
proporcional al número de electrones disponible en la B. de C. (n) y al número de
huecos disponibles de la B. de V. (p), entonces:
R= βnp … (1)
Donde β es la constante de proporcionalidad. En equilibrio térmico las
velocidades de generación y recombinación son iguales. Por tanto para un
semiconductor de tipo N.
Gth = Rth = β nn 0 pn 0 … (2)

Donde nn0 y pn0 son las concentraciones respectivas de electrones y huecos en el

semiconductor de tipo N en el equilibrio térmico. Cuando se produce una
excitación externa (hay luminoso) Que incrementa la concentración de portadores
minoritarios. Entonces el proceso de generación recombinación actúa para
reducir la concentración de estos portadores causando que la velocidad de
recombinación supere a la velocidad de generación.
G = GL + Gth … (3)

El efecto es doble. Por un lado se altera la velocidad de generación de poner

electrón – hueco ahora ya no solo se atribuye al caso de equilibrio térmico sino
también la excitación térmica. Al existir un exceso de portadores, las poblaciones
en las dos bandas quedarán alteradas, (nn 0 + ∆n ) y ( pn 0 + ∆p )
respectivamente de forma que la nueva velocidad de recombinación será
R = β (n n 0 + ∆n )( p n 0 + ∆p ) … (4)

Donde ∆n y ∆p son las concentraciones en exceso de portadores introducidas,

se cumple ∆n = ∆p (se conserva la neutralidad de carga). El cambio que
experimentará la concentración de huecos (portadores minoritarios) vendrá dado
por la velocidad neta de generación recombinación:

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dp n
= G − R = G L + Gth − R
dt
Existe un proceso de variación de dicha concentración con el tiempo hasta
llegar al caso estacionario se estabiliza en un valor constante (dicho valor
constante será superior al equilibrio térmico p n 0 , ya que se ha inyectado

portadores minoritarios en exceso):

dp n
= 0 ⇒ G L = R − Gth = u
dt
La cantidad U recibe el nombre de velocidad recombinación neta.
Siguiendo el estado estable y sustituyendo R y Gth queda:

u = β (n n 0 + ∆n )( p n 0 + ∆p ) − β n n 0 p n 0 ∆p∆n = 0

u = β [n n 0 p n 0 + n n 0 ∆p + ∆np n 0 + ∆n∆p − n n 0 p n 0 ] = β (n n 0 ∆p + p n 0 ∆n )

Bajo nivel de inyección ∆p , n n 0 >> ∆p (concentración de portadores mayoritarios

mucho mayor que la concentración de portadores en exceso). Para

semiconductor tipo N, n n 0 >> p n 0 y ∆p = p n − p n 0

p n − p n0 p n − p n0
u = β n n 0 ∆p = β n n 0 ( p n − p n 0 ) = =
1 τp
β nn0

∆p = p n − p n 0 → Exceso de portadores minoritarios.

Significa que la velocidad de recombinación neta es proporcional al exceso de

1
portadores minoritarios. La constante de proporcionalidad τ p = es el tiempo
β nn0
de vida media de portadores minoritarios en exceso.
Para un semiconductor de tipo P:
n p − n p0 1
u= y τn =
τn β p n0

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El significado físico del tiempo de vida media puede ser comprendido analizando
la respuesta del dispositivo cuando se retira súbitamente cuando se retira la
fuente de luz.
Consideremos una muestra del semiconductor de tipo N, que esta iluminada y en
la cual los pares electrón – hueco son generados de forma uniforme en toda la
muestra con una velocidad de generación G L .
dp n
= G − R = G L + Gth − R = 0 ⇒ G L = R − Gth = u
dt
p − p n0
GL = n p n = p n 0 + τ pG L
τp

En un tiempo arbitrario, la luz es apegada. La variación que experimentará la

concentración de huecos será ( G L = 0 ):
dp n p − p n0
= Gth − R = −u = − n
dt τp

(-) es debido a que la concentración de huecos experimente una disminución

8predomina la recombinación frente a la generación), se obtiene p n (t )

resolviendo la ecuación diferencial:

dp n
+
1
( p n − p n0 ) = 0
dt τ p

t=0 ⇒ p n (t = 0) = p n 0 + τ p G L
t →∞ ⇒ p n (t → ∞) = p n 0
(La concentración de huecos tiende a la concentración de huecos en equilibrio
térmico).
− t
τp
La solución será: pn (t ) = p n 0 + τ p GL ⋅ e

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Proceso de generación – recombinación indirecta.

Existen 4 procesos que dan lugar a la generación y recombinación indirecta en

semiconductores. En la fig # 4, donde existe un estado localizado aceptar
ligeramente por encima del centro de la banda prohibida. El 1er proceso es el de
captura de un electrón por el estado localizado, mientras que el inverso, segundo
proceso, ocurre cuando el electrón es llevado desde el estado localizado a la
banda de conclusión y es conocido como emisión de un electrón.

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El 1er proceso, conocido como captura de un hueco, corresponderá a la

transferencia de un electrón desde el estado localizado hasta la banda de
valencia. Finalmente, el 4to proceso corresponde a la transición de su electrón
desde la banda de valencia hasta el estado localizado, dejando un hueco detrás y
el llamado emisión de un hueco.

Los estados localizados son centros de generación, recombinación o desvíos.

Estos centros de recombinación son debidos a imperfecciones en la estructura
cristalina, causados por dislocaciones o defectos del cristal o por la presencia de
impurezas, las cuales pueden haber sido introducido de forma deliberada.
a) En volumen.- En primer se considerará una situación de equilibrio térmico. La
existencia de impurezas o defectos en el cristal da lugar a la presencia de niveles
de energía incluidos en la banda prohibida del semiconductor. Estos niveles de
energía son los centros de generación – recombinación que son utilizados por los
electrones y huecos como etapas en los procesos de generación –
recombinación indirecta.

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Un electrón de la B.C. es capturado por el centro cuando un centro es ocupado

por un electrón ya no puede ser ocupado ese nivel por otro electrón que se
capture. En consecuencia, la velocidad de captura de ese u los electrones serán
proporcionales a la concentración de centros que toda vía no están ocupados (los
centros que permanecen neutros). Sea N t la concentración de centros en el

semiconductor, entonces la concentración de centros no ocupados vendrá dado

por N t (1 − F ) . Siendo F la probabilidad de que un centro sea ocupado por un

electrón. Luego es función de distribución de Fermi – Dirac.

1
F( E ) =
1 + e ( Et − E F ) / k B T
E t : nivel de energía del centro.

E F : nivel de Fermi.
Ra = K a nN t (1 − F ) (velocidad de captura de electrones)

De esta forma, la velocidad de captura de electrones R por este proceso será

proporciona a la concentración de centros no ocupados y a la de electrones de la
B.C.

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La velocidad de emisión electrónica Rb será proporcional a la concentración de

centros ocupados por electrones, o sea N t F entonces:

Rb = K b N t F (velocidad de emisión de electrones)

La constante Kb recibe el nombre, la probabilidad de emisión. Bajo las

conclusiones de equilibrio térmico, las velocidades de captura y emisión
electrónica consideran:
K a n(1 − F )
R a = Rb ⇒ Kb =
F
Luego la concentración de electrones en equilibrio término y la función de
contribución de Fermi para el nivel energético del centro.

n = n i e ( E F − Et ) / k BT
1− F
= e ( Et − E F ) / k BT
F
K b = K a n i e ( Et − E F ) / k B T
Esta última expresión significa que si el nivel del centro E esta cerca de la banda
de conducción (Et – Ei aumenta), la emisión de electrones desde los centros
aumenta la probabilidad.
La velocidad de captura de un hueco por parte de un cuerpo será proporcional a
la concentración de electrones presentes en los centros:
Rc = K c pN t F (velocidad de captura de un hueco por parte del centro)

La velocidad de emisión de un hueco (o lo que es lo mismo de que un electrón de

la B.V. pase al centro) será proporcional a la concentración de centros no
ocupados por electrones:
Rd = K d N t (1 − F ) (velocidad de emisión de un hueco)

Kd → la probabilidad de emisión de un hueco.

K d = K c n i e ( E F − Et ) / k B T
La probabilidad de emisión de un electrón de la B.V. aumenta a medida que el
nivel del centro esté más cercano a la banda de valencia.

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Experimentalmente se pueden medir las constantes N t , E t , K c y K a , mediante el

uso de las expresiones iniciales para R a , Rb , Rc y Rd determina la emisión de una

recombinación indirecta bajo condiciones de no equilibrio.

Bajo la situación de no equilibrio de un semiconductor de tipo N, el cual mediante

excitación uniforme produce una velocidad de generación G L .
En situación de estado estable, la velocidad de abandono de los electrones de la
B.C. será igual a la de incorporación a esta banda:
dn n
= G L − ( R a − Rb ) = 0
dt
dp n
Para huecos en la B. de V. = G L − ( Rc − R d ) = 0
dt
Bajo condiciones de equilibrio térmico GL = 0 y Ra = Rb y Rc = Rd
pero en equilibrio dinámico Ra ≠ Rb y Rc ≠ Rd , entonces

G L = R a − Rb = Rc − R d

Tomando las expresiones anteriores

 ( Et − E F )
  ( E F − Et )

K a N t  n n ( 1 − F ) − ni e k BT
⋅ F  = K c N t  p n F − ni e k BT
⋅ ( 1 − F )
   
Eliminando F y resolviendo para la velocidad de recombinación neta definida
como:
pn − pn0
u = Ra − Rb u ≅ K c N t ( pn − pn0 ) =
τp

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Bajo inyección en un semiconductor de tipo N ( nn >> pn ,después de la inyección

de portadores la concentración de electrones en la B. de C. sigue siendo mucho

mayor que la de los huecos en la B. de V.)y que los centros presentan un nivel
cercano a la B.P.:
nn >> ni e( Et − E F ) k BT

El tiempo de vida media para los electrones y los huecos. El caso considerado, el
tiempo de vida media para los huecos en el semiconductor de tipo N es:
1
τp =
K c Nt

EESSTTAA EESS UUNNAA CCOOLLAABBOORRAACCIIÓÓNN DDEE LLOOSS AALLUUMMNNOOSS

DDEE EETTNN--550011 FFÍÍSSIICCAA DDEELL EESSTTAADDOO SSÓÓLLIIDDOO;; DDEELL
SSEEMMEESSTTRREE II//22000055 UUNNIIVVEERRSSIITTAARRIIOOSS,, CCAAPP..11--44::

VVIICCTTOORR SSEERRAAFFÍÍNN AARRRROOYYOO AAZZOOGGUUEE..

EESSTTEEFFAANNNNYY EELLIIZZAABBEETTHH CCÁÁRRDDEENNAASS AARRCCEE..

JJUUAANN PPAABBLLOO NNAAVVIIAA EESSQQUUIIVVEELL..

RRUUDDDDYY RREENNAANN TTIINNIINNII HHIILLAARRIIÓÓNN..

RROOBBYY JJHHOONNNNAATTAANN PPOORRTTUUGGAALL ZZAAMMBBRRAANNAA..

BBAAJJOO LLAA RREEVVIISSIIÓÓNN DDEE EELL IINNGG.. TTEEOODDOORROO BBUUSSHH DD..

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