REVISTA COLOMBIANA DE FÍSICA, VOL. 38, No. 3.

2006

OBTENCIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE NUEVAS PELÍCULAS DELGADAS

FERROELECTRICAS

C. Ostos1-2, M. L. Martínez-Sarrión2, L. Mestres2, P. Prieto3, A. Cortés3, E. Delgado3

1
Universidad Nacional de Colombia, Ciudad Universitaria, Bogotá, Colombia.
2
Universidad de Barcelona, España.
3
Universidad del Valle, Cali, Colombia.
(Recibido 09 de Sep.2005; Aceptado 21 de Jun. 2006; Publicado 04 de Oct. 2006)
RESUMEN
En este trabajo se crecieron distintas películas delgadas del tipo Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3 (BLZT)
por la técnica de magnetron sputtering de radio-frecuencia (RF) a alta presión de O2 con una tem-
peratura de substrato de 600°C. La estructura cristalina de las películas se analizó mediante difrac-
ción de rayos-X mostrando los máximos de difracción correspondientes a una orientación prefe-
rencial en la dirección (00l) para el BLZT. Por microscopía de fuerza atómica se evidenció el cre-
cimiento de películas homogéneas con un valor de rugosidad promedio de 4.25 Å para el sustrato
de SrTiO3.Nb y de 12.3 Å para el sustrato de Pt/TiO2/SiO2/Si. Para la caracterización ferroeléctrica
se utilizaron estructuras de capacitor con Ag como electrodo superior y el respectivo substrato co-
mo elecrodo inferior. Mediante el sistema de la Radiant Technologies RT66A se obtuvieron curvas
de histéresis de polarización- campo eléctrico (P-E) para los distintos capacitores. Los resultados
mostraron que las películas delgadas de BLZT presentan un comportamiento ferroeléctrico.

Palabras claves: peliculas delgadas ferroelectricas, BLZT, AFM, magnetron sputtering

ABSTRACT
In this work several thin films of Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3 (BLZT) were grown by RF-magnetron
sputtering at oxygen background high pressure at 873 K substrate temperature. The thin films
crystalline structure was determined by X-ray diffraction showing the BLZT main peaks corres-
ponding to (00l) preferential orientation. By atomic force microscopy was showed thin film homo-
geneous surfaces with an average roughness of 4.25 Å for SrTiO3.Nb substrate and 12.3 Å for
Pt/TiO2/SiO2/Si substrate. The ferroelectric measurements were made on capacitor structures with
Ag as top electrode and the corresponding substrate as bottom electrode. By mean of Radiant
Technologies System RT66A, hysteresis loops of electric field – polarization (E-P) were obtained
for each capacitor. The results showed a ferroelectric behavior for BLZT thin films.

Key Words: ferroelectric thin films, BLZT, AFM, magnetron sputtering

1. Introducción
La ciencia y la tecnología de las películas delgadas ferroeléctricas han experimentado un gran
desarrollo durante la última década en el campo de dispositivos electrónicos y de telecomunica-
ciones para el desarrollo de memorias NVFRAM (Non-Volatile Ferroelectric Random Access
Memory,), las cuales son incorporadas actualmente en productos comerciales como smart cards
y teléfonos celulares. Estas nuevas tecnologías han sido una realidad por los avances en la sínte-
sis y caracterización de películas delgadas ferroeléctricas, las cuales son la base de la relación

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entre las propiedades micro-estructurales del material y la física asociada a la dinámica de do-
minios de polarización a escala micrométrica [1].
Los compuestos del tipo Pb(Ti,Zr)O3 (PZT) han sido estudiados exhaustivamente de-
bido principalmente a sus excelentes propiedades como ferroeléctricos [2]. El empleo de meta-
les pesados en el caso del plomo ha generado un interés por encontrar materiales alternativos
que cumplan con los requerimientos tecnológicos y al mismo tiempo estén acordes a las actua-
les normativas ambientales. Dentro de este contexto, los óxidos mixtos con estructura perovski-
ta derivados del BaTiO3 han mostrado ser materiales prominentes para su empleo en el desarro-
llo de condensadores ferroeléctricos [3]. Los estudios que se han realizado para la obtención de
películas delgadas de este tipo de compuestos mediante la técnica de magnetron sputtering de
radio frecuencia (RF), han mostrado las mejores propiedades dieléctricas para los compuestos
de la familia BaTi1-xZrxO3 (BZT) con 0.07<x<0.20 [4].
En recientes investigaciones se ha encontrado que la incorporación estequiométrica de
lantano en la estructura perovskita (BLZT) genera modificaciones importantes en las propieda-
des dieléctricas en bulk, disminuyendo la temperatura de Curie-Weiss (Tc) y aumentando el
valor de la constante dieléctrica relativa (ε’) con un factor de pérdida del dieléctrico nulo (tanδ)
para los compuestos obtenidos por chimie douce [5]. En este trabajo se estudia el crecimiento de
nuevas películas delgadas de BLZT y su respectiva caracterización ferroeléctrica con la obten-
ción de curvas de polarización – campo eléctrico (P-E).
2. Parte Experimental
El compuesto Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3 (BLZT) fue obtenido a partir de un método de
química suave [6] con la formación de un complejo peroxo-oxalato que contiene las cantidades
estequiométricas de los distintos iones metálicos. La fase perovskita única, Pm3m, fue detectada
por XRD sobre polvo cristalino después del tratamiento térmico a 900°C durante 5 horas.
El crecimiento de las películas delgadas se realizó en un equipo magnetron sputtering
de radio-frecuencia (RF) a alta presión de oxígeno. El target empleado se obtuvo a partir del
compuesto BLZT previamente prensado en pastilla a 500 MPa y sinterizado a 1400°C durante 2
horas con una rampa de calentamiento de 4°C/min bajo atmósfera de aire. Los substratos em-
pleados en las deposiciones fueron SrTiO3.Nb 0.1% (STO) y una heteroestructura compuesta
por Pt/TiO2/SiO2/Si (Si), donde el platino, el óxido de titanio y el óxido de silicio son películas
delgadas de 10 nm de espesor sobre una oblea de silicio. Las condiciones óptimas de crecimien-
to establecidas se muestran en la tabla 1.
El análisis superficial de las películas delgadas se realizó mediante microscopía de
fuerza atómica (AFM) en un equipo Autoprobe PC de la Park Scientific Instruments, utilizando
un cantilever de Si3N4 con una fuerza constante de 95-100 nN. Las imágenes obtenidas fueron
analizadas estadísticamente usando el programa SPIPTM con el cual se obtuvo información
estructural y morfológica de las películas crecidas. El análisis estructural de las películas fue
llevado a cabo utilizando la técnica de difracción de rayos-X con radiación Cu-Kα en un equipo
Siemens entre 20 - 70° 2θ.
Para la caracterización ferroeléctrica se utilizó un sistema Radiant Technologies (RT66A). Los
sensores se ubicaron directamente sobre los electrodos del capacitor y después de aplicar una
diferencia de potencial se obtuvieron las curvas de polarización – campo Eléctrico (P-E).

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Tabla 1. Condiciones utilizadas para el crecimiento de las películas delgadas de BLZT

Parámetros Sputtering Condiciones
Target Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3
Pt/TiO2/SiO2/Si; SrTiO3.Nb 0.1%
Sustratos
(STO)
D (target –sustrato) 28 mm
Atmósfera O2
Presión de vacío 3.4 x 10-2 bar
Presión de trabajo 4.0 x 10-1 bar
Tiempo de deposición 30 min
Rata de deposición 100 nm /h
Potencia RF 50 W
BIAS 400 – 650
Temperatura sustrato 600 °C

3. Resultados y Análisis
Los resultados de difracción de rayos- X (XRD) mostraron que efectivamente hubo el creci-
miento epitaxial de la película delgada de BLZT con una dirección preferencial (00l) para el
substrato STO. Los índices hkl corresponden a los máximos de difracción reportados en la lite-
ratura para el BZT [7].

(a) (b)
Figura No. 1. Imagenes de AFM para las películas de BLZT crecidas sobre Si a), STO b).

Las películas delgadas obtenidas presentaron una uniformidad en su tonalidad y su bri-

llantez. En la figura 1 se muestra un ejemplo de las imágenes obtenidas mediante AFM que
fueron empleadas para confirmar el efectivo crecimiento de la película sobre cada sustrato. El
análisis sobre estas imágenes permitió deducir que el comportamiento en el crecimiento de
película delgada es diferente según el sustrato utilizado, encontrando una rugosidad promedio

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de 4.25 Å para el substrato STO y de 12.3 Å para el substrato de Si policristalino (heteroestruc-

tura).

40

30
Polarization (µC/cm2)

20

10

-10

-20 5V

-30

-40

-200 -150 -100 -50 0 50 100 150 200

E (kV/cm)

Figura No. 2. Curva de histéresis de un capacitor de Si/BLZT/Ag.

En la Figura 2 se observa una curva histerética a temperatura ambiente, correspondien-

te a un capacitor de Si/BLZT/Ag. En la curva P-E se reconocen los valores de 37.3 µC/cm2,
11.9 µC/cm2 y 38.6 kV/cm correspondientes a polarización de saturación, polarización rema-
nente y campo coercitivo respectivamente. El comportamiento asimétrico de la curva es debido
a la asimetría de los electrodos usados en la estructura capacitiva.
4. Conclusiones
Se encontraron experimentalmente las condiciones más adecuadas para el crecimiento epitaxial
de películas delgadas de la familia de compuestos del tipo BLZT mediante la técnica RF-
magnetron sputtering. Las películas presentaron un comportamiento histerético para las curvas
P-E lo que demostró el comportamiento ferroeléctrico de este tipo de materiales, siendo de esta
manera, posibles candidatos para ser utilizados en aplicaciones tecnológicas.
Agradecimientos : El presente trabajo fue parcialmente financiado por el Centro de Excelencia
de Nuevos Materiales (COLCIENCIAS) - contrato 043-2005 y por el Ministerio de Ciencia y
Tecnología de España – proyecto BQU 2002- 00619.
Referencias
[1] Buffer, O. Materials with Novel Electronic Properties 6. Academic Press, 2004
[2] Delgado, E., Cortés, A., Lopera, W., Osorio, J., Prieto. P. Phys. Stat. Sol. (b), 1-4, 2005
[3] Hennings, D., Waser, R., Weber, U.,Greuel, G., Boettger, U., Weber, S.Journal of American Ceramic
Society. 84(4), 759, 2001
[4] His, C-H., Wu, N-C., Chen, C-H., Wang, M-C. Journal of Applied Physics. 94 (1), 598, 2003
[5] Ostos, C., Martínez-Sarrión, M.L., Mestres, L. J. Mat. Chem. Submitted.
[6] van der Gijp, S., Winnubst, L., Verweij, H. Journal of American Ceramic Society. 82 (5), 1175, 1999
[7] Pantou, R., Dubourdieu, C., Weiss, F.,Kreisel, J., Köbernik, G., Haessler, W. Materials Science in
Semiconductor Processing. 5, 237, 2003

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