DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES JASPRIT SINGH University of Michigan ‘Traduccién Efrén Alatorre Miguel Licenciado en Ciencias Fisicas Facultad de Ciencias, UNAM Revision técnica David Gonzdlez Maxinez Profesor-investigador Instituto Tecnolégico y de Estudios Superiores de Monterrey, Campus Estado de México McGRAW-HILL MEXICO + BUENOS AIRES + CARACAS + GUATEMALA * LISBOA MADRID « NUEVA YORK * PANAMA + SAN JUAN SANTAFE DE BOGOTA + SANTIAGO * SAO PAULO AUCKLAND * HAMBURGO + LONDRES + MILAN + MONTREAL NUEVA DELHI « PARIS * SAN FRANCISCO * SINGAPUR ST. LOUIS * SIDNEY + TOKIO » TORONTOGerente de producto: Carlos Mario Ramfrez Torres Supervisor de edicién: Mateo Miguel Garcia Supervisor de produccién: Zeferino Garefa Garcia DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Prohibida la reproduccién total o parcial de esta obra, por cualquier medio, sin autorizacién escrita del editor. DERECHOS RESERVADOS © 1997, respecto a la primera edicién en espaiiol por McGRAW-HILL/INTERAMERICANA EDITORES, S. A. de C. V. Cedro Num. $12, Col. Atlampa 06450 México, D. F. Miembro de la Cémara Nacional de la Industria Editorial Mexicana, Reg. Nim. 736 ISBN 970-10-1024-8 ‘Translated of the first edition in English of SEMICONDUCTOR DEVICES: AN INTRODUCTION Copyright © MCMXCIV, by McGraw-Hill, Inc., U.S.A. ISBN 0-07-057625-4 1284567890 P.E.-97 9086543217 Impreso en México Printed in Mexico Esta obra se terminé de imprimir en Febrero de 1997 en Programas Educativos, S.A. de C.V. Calz. Chabacano No. 65-A Col. Asturias Delegacién Cuauhtémoc G.P. 06850 México, D.F, Se tiraron 4500 ejemplaresContenido Acerca del autor Prefacio Introduccién 1.1 Laelectrénica de estado s6lido en Ja vida moderna. 12 Laerade la informacién 1.3 Retos para el ingeniero de dispositivos 14 Objetivo de este libro 5. Consejos para instructores 1 Mecénica cudntica y fisiea estadistica de los electrones Descripcién clasica del mundo fisico: particulas y ondas Descripeién cudntica del mundo fisico Ges La ecuacién de Schridinger para los electrones... El problema del electrén libre. Be Lienado de los estados electrénicos: estadistica persiGn de electrones Resumen del capftulo Un poco de historia Problemas ..... 0 Lecturas recomendadas Ree uaneoee 2 Electrones en cristales: estructura de bandas del semiconductor vat El reto de la clectrénica de estado sélido: 22 Periodicidad de un cristal .......... on Tipos de red basicos 2.4 Electrones en un potencial perisdico . aoe Metales, semiconductores y aislantes. 2.6 — Huecos en semiconductores 2.7 Estrueturas de bandas de algunos semiconductores 2.8 — Modificacién de la estructura de bandas .. ekg Resumen del capitulo. 2.10 Un poco de historia 2.11 Problemas aS 2.12 Lecturas recomendadas wee xiii xv xix XX xxii xxv 65 95Contenido Adulteracién de semiconductores ..... 31 32 33 34 3.5 3.6 37 3.8 Concentracién de portador intrinseco Adulterdcién: donadores y aceptores .... Portadores en semiconductores adulterados Adulteracién con modulacién Resumen del capitulo... Un poco de historia. Problemas : Lecturas recomendadas.. Transporte y propiedades dpticas en semiconductores 4a 42 43 44 45 46 47 48 49 4.10 41 4.12 4.13 414 Dispersién en semiconductores . Relaciones de velocidad-campo eléctrico en nn semiconductores Transporte en campo muy intenso: fenémenos de ruptura Transporte de portadores por difusién ‘Transporte por deriva y difusién: La relacién de Einstein . Propiedades épticas de los semiconductores Inyeccién de carga y cuasi-niveles de Fermi Inyeccién de carga y recombinacién radiativa Inyeccién de carga: efectos no radiativos - La ecuacién de continuidad: longitud de difusién Resumen del capitulo . . . Un poco de historia Problemas Lecturas recomendades Uniones en semiconductores: diodos p-n 5.1 5.2 53 5.4 55 5.6 5.7 58 5.9 5.10 5.1 Uniones de semiconductores con metales y aislantes, 61 62 63 64 Demandas del dispositive... La unién p-n no polatizada Unién p-n bajo polarizacién . El diodo real: consecuencias de los defectos ... Efectos de alto voltaje en diodos ............ Modulacién y conmutacién: respuesta de ca . Aplicaciones de los diodos Resumen del capitulo... Un poco de historia . . . Problemas ...... Lecturas recomendadas ... Metales como conductores: interconexiones ........ El diodo de barrera Schottky Contactos éhmicos A Uniones aisiante-semiconductor 97 98 104 109 119 122 122 123 125 127 128 131 140 146 149 152 159 162 166 169 173 1B 17 180 181 181 184 195 a 24 218 229 230 233 234 237 239 239 242 257 262Contenido 6.5 Aplicaciones y cuestiones tecnoldgicas ...... 6.6 Resumen del capitulo 6.7 Un poco de historia 68 — Problemas 6.9 Lecturas recomendadas Transistores de unién bipolar... . 7.1 Introduccién .. . 7.2 Transistor bipolar: imagen conceptual... 7.3 Caracteristicas estéticas de los transistores bipolares 74 Pardietros de rendimiento estatico del BIT . 7.5 Efectos secundarios en dispositivos reales 7.6 EI BIT como dispositive de conmutacién VT Comportamiento del BJT a alta frecuencia 78 Limitaciones de disefio en BJT: la necesidad de adaptacién de banda y HBT 7.9 Dispositivos evanzades y y sus aplicaciones 7.10 Resumen TAL Unpoco de historia 7.12 Problemas 7.13 Lecturas recomendadas Transistores de efecto de campo: JFET, MESFET y MODFET 8.1 Introduccién 82 El transistor de efecto de campo de unién 83 El transmisor de efecto de campo de metal semiconductor 8.4 Efectos en dispositives reales . 8.5. Transistores de efecto de eampo de heteroestructura 8.6 Cuestiones de alta frecuencia-alta velocidad ..... 8.7 Cuestiones avanzadas de dispositive 8.8 Resumen 8.9 Unpoco de historia 8.10 Problemas 8.11 Lecturas recomendadas ‘Transistores de efecto de campo: MOSFET. 9.1 Introduecién . . 9.2 El capacitor de metal-6xido-semiconductor 9.3 Caracteristicas de capacitancia-voltaje de la estructura MOS. 9.4 Transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor 9.5 Cuestiones importantes en MOSFETs reales 9.6 Cuestiones de alta frecuencia 9.7 El dispositivo acoplado de carga . 9.8 Dispositivos MOS avanzados ... ix 266 269 269 272 273 275 275 216 282 296 301 309 317 320 325 332 333 335 338 339 339 34 346 355 358 365 373 316 379 380 384 385 385 386 307 404 419 424 427 430x 10 u 12 Contenido 9.9 Resumen 9.10 Problemas 9.11 Lecturas recomendadas Dispositivos optoelectrénicos: de fotones a electrones 10.1 La promesa del procesamiento de informacién éptica 10.2 Absorci6n éptica en un semiconductor 10.3 Fotocorriente en un diodo p-n 10.4 El detector fotoconductivo 10.5 El fotodetector P-I-N 10.6 El fotodetector de avalancha 10.7 El fototransistor . 10,8 Detectores de metal-semiconductor 10.9 Limites de deteccién y ruido 10.10 Detectores avanzados 10.11 Resumen del capitulo . 10.12 Un poco de historia . 10.13. Problemas 10.14 Lecturas recomendadas Dispositivos optoclectrénicos: emisi6n de luz Wl Introduccién 11.2 El diodo emisor de luz 11.3. Cuestiones de rendimiento de LED 11.4 — Bstructuras avanzadas de LED. ILS El léser de semiconductor: prinipios bésicos 11.6 — Cuestiones de disefio de léser de semiconductor 11.7 Bstructuras de laser avanzadas . 11.8 Moduladores épticos 11.9 Resumen del capitulo 11.10 Un poco de historia 1.11 Problemas a 11.12 Lecturas recomendadas . . Sistemas de comunicacién épticos: necesidades del dispositive 12.1 Introduccién 122 Una imagen conceptual del sistema de comunicacién dptica 12.3. Contenido de informacién y capacidad de canal . 12.4 Algunas propiedades de las fibras 6pticas 12.5 Resumen de requerimientos de dispositivos 12.6 Dispositivos avanzados:circuitos integrados optoclectr6nicos (OEICS) 12.7 Dispositivos avanzados: integracién de diferentes tecnologfas de semi- conductor 12.8 Resumen dei capitulo 432 432 438 491 491 492 508 512 515 531 536 538 540, 540 344. 546 547 847 548, 549) 553 566 568 568 S71Contenido 12.9 Un poco de historia. 12.10 Problemas 12.11 Lecturas recomendadas .... Lista de simbolos Propiedades importantes de los semiconductores B.1— Introduccién Diodos de microondas de impedancia negativa Cl Introduceién C2’ Resistencia negativa e inestabilidad de carga C3 Dispositivos de transferencia de electrones C4 IMPATTy dispositivos de tiempo de trénsito relacionados C5 Lecturas recomendadas Alguna informacién adicional y problemas El misterio de la emisién espontanea y de la emisién estimulada indice xi 371 572 3573 515 581 581 591 591 592 596 601 608 609 627 629Acerca del autor Jasprit Singh recibié su Doctorado (Ph.D.) en fisica del estado s6lido de la Universidad de Chicago. Ha dirigido sus investigaciones en electrnica de estado s6lido en la Universidad de! Sur de California, en la Base Wright Patterson de la Fuerza Aérea y la Universidad de Michigan, Ann Arbor, donde actualmente es profesor en el Departamento de Ingenierfa Electronica y Ciencias de la Computacién. Sus intereses de investigacién cubren las dreas de materiales semiconductores y sus dispositivos para procesamiento de informacién. También es autor de La fisica de los semiconductores y sus heteroestructuras, McGraw-Hill (1993).Prefacio La tecnologia de la electr6nica del estado sélido se esta transformando a grandes saltos en las iiltimas décadas. Esto ha creado nuevas oportunidades y retos para el ingeniero electrénico. Las oportunidades son notables en las nuevas industrias que han sido incubadas por los dispo- sitivos electr6nicos y 6pticos. Las nuevas industrias no solamente se basan en la tecnologia de silicio, sino que también en la del arseniuro de galio, arseniuro de galio-indio y otros semicon- ductores. La litografia de lineas finas, los nuevos sistemas de semiconductor y los nuevos conceptos de dispositivos son impulsores de lo iitimo en la materia. Incluso también subyace el reto para los estudiantes de ingenierfa electrénica y los libros de texto para ingenierfa elec- trénica. Los nuevos avances en la tecnologfa también significan que se necesita una gran base de conocimientos para comprender y explotar los nuevos dispositivos. Considérense los si- guientes conceptos importantes que se aplican en los dispositivos actuales: i) efectos de elec- trén térmico en dispositivos del orden de los submicrones; if) confinamiento de unién heterogénea para dispositivos bipolares; ii/) confinamiento cudntico para liseres de barrera cuéntica, etc. Estas ya no son cuestiones alcanzadas s6lo por investigadores en sus laboratorios aislados en torres de marfil: son cuestiones relevantes para los dispositivos més recientes de la actualidad, {Cémo responde un libro para estudiantes universitarios a los cambios que ocurren en la tecnologia de semiconductores? El estudio de los dispositivos semiconductores involucra tres ingredientes: i) la fisica de semiconductores; i) los dispositivos electrénicos de semiconductor; y iti) los dispositivos optoclectrénicos de semiconductor. La mayor parte de los instructores, tienen diferentes puntos de vista de cémo deberfa repartirse un semestre efectivo de clases entre estos tres temas. Por tradici6n, predomina el segundo tema. Se presenta una base mfnima de fisica con el fin de establecer el Ienguaje basico de semiconductores. El tercer tema con frecuencia es ignorado. Los libros de texto de dispositivos semiconductores también siguen por lo regular este enfoque tradicional, se basa en buenas razones y ha servido mucho a los ingenieros electrnicos. Sin embargo, en vista de los cambios ocurridos en la tecnologfa de los semiconductores, puede que no sea la eleccién obvia. Claro, es necesario un entendimiento de los dispositivos optoelectrnicos importantes en vista de la importancia de su crecimiento. Y también son esenciales algunas bases en fisica si el ingeniero electrnico va a apreciar los conceptos de los dispositivos que evolucionan répidamente. En este libro he intentado presen- tar un tratamiento balanceado de estos tres temas de modo que el instructor pueda elegir los que serdn cubiertos, dando su particular sentido de prioridades y segtin las limitantes de tiempo de la clase. Examinemos brevemente los tres temas mencionados. Fisica de semiconductores. Con el fin de comprender completamente la fisica sobre la cual se basan los conceptos como masa efectiva, movilidad, coeficiente de absorcién, es- tructura de bandas, etc., se necesitan uno 0 més cursos a nivel de posgrado, Sin embargo, ta ruta que conduce a estos conceptos puede ser explicada sin todo el rigor matemético a estu-xvi Prefacio diantes universitarios. En los primeros cuatro capitulos de! libro se revisa la fisica de los semi- conductores haciendo uso de un mfnimo de mateméticas y un mfnimo de mecdnica cudntica. He intentado hacer completas las secciones. Un instructor que no quiera insistir en algunas ‘reas puede saltérselas o asignarlas como material de lectura. Al hallar cerca de 60 ejemplos resueltos en estos capitulos relacionados con la fisica, espero que los estudiantes puedan seguir la mayorfa de los temas con bastante facilidad. Dispositivos electrénicos de semiconductor. Los dispositivos electrénicos de semiconductor forman el niicleo de la mayor parte de los cursos universitarios. En este libro se cubren con detalle todos los dispositivos importantes. Se incluyen alrededor de 50 ejemplos resueltos para ilustrar los conceptos discutidos. dems, se presentan las motivaciones para de nuestro “dispositivo ideal” hacia los dispositivos del mundo real de la actualidad y del futuro. En cada capitulo se revisan aspectos acerca de dispositivos avanzados. Estas secciones pueden ser discutidas brevemente por el instructor o tan slo asignarse como material de lectu- ra, Al exponer al estudiante los conceptos de los dispositivos avanzados, creo que se rompe el rigor de la manipulacién de las ecuaciones de Poisson y de continuidad de corriente, y el estudiante puede sentir mayor interés en las cosas por venir. Dispositivos optoelectrénicos de semiconductor. Tradicionalmente, los dispositivos optoelectrénicos se han revisado con brevedad en los textos y curricula universitarios. Parte de la raz6n se deriva de un sentimiento de que algo como los dispositivos optoelectrénicos son “ms mecdnica cudntica” que dispositivos electr6nicos. Mientras que, hist6ricamente, los efectos 6pticos pueden estar més vinculados a la mecénica cudntica, en realidad el nivel de necesario no es muy diferente en los dispositivos electrénicos y optoclectrSnicos. Considere, por ejemplo, la movilidad en un semiconductor y la absorci6n éptica o procesos de emisién Un proceso de dispersién dominante en la movilidad es la dispersién de electrones por los “fonones 6pticos” o “fonones dpticos polares”. Para estudiar verdaderamente este fenémeno, se necesita el entendimiento de la formulacién matricial de la mecénica cudnt cuantizacién”. El concepto de emisiGn esponténea y estimulada es necesario para comprender la movilidad del GaAs (0 Si). El mismo nivel de mecénica cudntica es necesario para entender Ia absorcién éptica y los procesos de emisién que intervienen en los léseres y detectores de semiconductor. La interesante drea de los dispositivos electrénicos es conducida dentro del aleance de un estudiante universitario, haciendo que tenga un “acto de fe” al aceptar el concepto de movi- lidad en los semiconductores. En este texto intento motivar el mismo acto de fe para el estu- diante al darle el concepto de absorci6n y emisién épticas. Esto me permite tratar los dispositivos optoelectrénicos al mismo nivel de detalle con el que trato los dispositivos electrénicos. Con la creciente importancia de los dispositivos optoelectrénicos, espero que este texto serviré a las necesidades de los instructores que deseen discutir estos dispositivos. Con base en la discusién anterior, espero que este texto pueda ser utilizado para un curso introductorio de dispositivos semiconductores a nivel de principiantes y avanzados. En un curso de esta naturaleza, el enfoque puede estar centrado en los dispositivos electrénicos. Por otro lado, también podrfa ofrecerse un curso introductorio en optoelectrénica de semiconduc- tores, tal vez aun nivel de avanzados o incluso a nivel de principiantes en posgrado. Al ofrecer una discusién balanceada y alrededor de 150 ejemplos trabajados, tengo la esperanza de que este libro de texto no s6lo sirva para las necesidades del curso de los estudiantes, sino que también pBdrfa ser una amplia fuente de término para sus futuras carreras, El nivel de dificul- tad de las diversas secciones se sefiala como se discute en detalle en a Introduccién