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Receptor Mezclador PDF
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1 Conceptos básicos
Los estudios relativos a este tema llegaron a la conclusión de que era necesaria la
utilización de elementos no lineales para su realización. De este modo, los mezcladores
pueden usar tanto diodos como transistores BJTs, FETs. Por lo tanto a lo largo de este
capítulo se estudiarán los distintos montajes cuyo funcionamiento es no lineal,
analizando sus ventajas e inconvenientes.
v 0 (t ) = a1vi (t ) + a 2 vi (t ) 2
∞ ∞
v0 (t ) = ∑∑ Kmαβ v LO (t )α v IF (t ) β
α =0 β =0
El mezclado de señales genera ciertos problemas que son debidas a la naturaleza del
propio proceso. A parte de los productos de intermodulación pueden surgir otros
problemas que deterioren la señal a la salida. Los inconvenientes más destacados se
enumeran a continuación:
La solución más común es colocar un filtro antes del mezclador que elimine
estas señales.
• Frecuencia imagen: se sitúa a 2 f LO + f IF y es idéntica a la señal deseada
pero desplazada en frecuencia. Esta frecuencia puede situarse cerca de la
señal de información por lo que será necesario eliminarla. Para ello se puede
eliminar con un filtro adecuado o eligiendo la frecuencia del oscilador local
( S / N ) IN
F= ≥1
( S / N ) OUT
Algunos de los parámetros que se han comentado se ilustran en la figura 2.4, que
muestra la característica de un mezclador. A la entrada de cero dBm la salida es de 6
dBm indicando la ganancia de conversión. En este nivel de entrada, el producto de
intermodulación de dos tonos y tercer orden está 30 dB por debajo de la salida deseada.
En un valor de entrada más alto, se indica el punto de compresión de 3 dB y a un nivel
de entrada aún más alto, el punto de intercepto.
IM = nPlin − (n − 1) IPn
donde IPn es el punto de intercepto de orden n y Plin es el nivel de cada uno de los
tonos suponiendo que los dos tienen el mismo nivel.
En función del ancho de banda cabe distinguir entre dos tipos de mezcladores:
• Banda estrecha: se caracterizan porque utilizan filtros para separar las bandas
sin que estas se solapen. Son mezcladores de un solo componente y se suelen
utilizar en aplicaciones de consumo o muy alta frecuencia.
• Banda ancha: utilizan circuitos híbridos para separar las bandas y pueden
combinar varios componentes. Son más complejos y con mejores
prestaciones que los de banda estrecha. Se suelen utilizar para aplicaciones
profesionales hasta microondas.
2.2.5 Aislamiento
Se define como el rango de amplitud dentro del cual el mezclador puede actuar sin
degradación en la operación. Depende del nivel de compresión y de la cifra de ruido del
mezclador. El rango va desde potencias altas (acotado por la distorsión) y potencias
muy bajas (acotado por el ruido).
2.2.7 Distorsión
frecuencias como por ejemplo la de RF. Pero puede ocurrir que una señal de IF cree una
respuesta no deseada en la banda de RF. Esto se soluciona con la elección de las
frecuencias de trabajo adecuadas y mediante el uso de filtros que rechacen señales de
IF que puedan generar respuestas espurias.
Destacar que también existen mezcladores que eliminan respuestas de orden impar
pero no interesan porque pueden eliminar la señal deseada.
Los dispositivos más comunes que se utilizan en el diseño de mezcladores son los
diodos Schottky, los transistores bipolares (BJTs) y los transistores de efecto de campo
(FETs). A continuación se verá con más detalle algunos de estos tipos de
semiconductores.
tensión a partir de la cual el diodo conduce) de 0.6 V., los diodos Schottky tienen una
tensión umbral de aproximadamente entre 0.2 y 0.4 V.
tiene una densidad de corriente de saturación inversa típica del orden de 10 −6 A/cm 2
comparada con los 10 −11 A/cm 2 de un diodo de unión pn convencional basado en Si.
El electrodo metálico está en contacto con una capa epitaxial con un dopado débil de
semiconductor tipo n que crece sobre un substrato dopado muy fuerte de tipo n + . Se
asume que el dieléctrico es ideal, es decir, la conductancia es cero.
unión y Rs , es la resistencia serie del diodo, que está formada por las resistencias
Figura 2.6. (a) Modelo de gran señal del diodo Schottky. (b) Modelo de pequeña
señal
∂I (v) e
g (v ) = = I (v )
∂v ηkT
La capacidad de la unión del diodo sigue una ecuación tal que así:
C j0
C j (v ) = γ
⎛ V ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ Vbi ⎠
C j 0 y Rs son los parámetros más importantes del diodo que afectan al rendimiento
1
fc =
2πRs C j 0
4. Hetero FET: como el mismo nombre implica (y a diferencia de los tres casos
previos, cuya construcción depende de un material semiconductor simple
como Si, GaAs, SiGe InP) la heteroestructura utilizas transiciones abruptas
entre capas de diferentes materiales semiconductores. El HEMT pertenece a
este grupo. Este transistor ha sido elegido para el diseño del mezclador de este
proyecto por lo se va a dedicar un capítulo para describir con más detalle su
funcionamiento.
En los tres primeros tipos el flujo de corriente es directo desde la fuente al drenador,
con la puerta controlando dicho flujo.
Por último se va a realizar una comparación con los BJTs, enumerando varias
ventajas de los transistores FETs que se detalla a continuación:
E2
EF
E1
En la figura 2.9, se muestra una estructura del HEMT con una puerta de barrera
Schottky que posee una altura de barrera de φ b . En ella se observan los parámetros más
importantes del HEMT y el perfil de banda bajo condiciones donde existe un 2DEG en
el material de banda de separación baja. La región espaciadora donde la región de
barrera se encuentra sin adulterar tiene un grosor d s y la distancia de la puerta al canal
se supone que φ 2 ( z = 0) = 0 .
eV2 ( x = −d )
eφ b
eV2 (0) = 0
− eVG ∆E c
EF
−d − ds 0
z
Región
es paciadora
ε b Fi 2 = ens
eN ( z )
∇ 2φ 2 = −
εb
N ( z) = N d −d ≤ z ≤ d
N ( z) = 0 − ds ≤ z ≤ 0
dφ 2 dφ e
z
dz ' z
− 2
dz ' z =0
=−
εb ∫ N ( z ' )dz'
0
Nótese que
∂φ 2
= Fi 2
∂z ' z =0
de modo que
dφ 2 e
z
dz ' z
= Fi 2 −
εb ∫ N ( z' )dz'
0
d z
e eN d
φ 2 ( z = −d ) − φ 2 ( z = 0) = Fi 2 d −
εb ∫ dz ∫ N ( z' )dz' =F
0 0
i2 d−
2ε b
(d − d s ) 2
eN d
V2 ( d ) = (d − d s ) 2 − Fi 2 d
εb
Se define
eN d
Vc 2 = (d − d s ) 2
εb
εb
ens = (Vc 2 − V2 (d ))
ed
De la figura 2.9 se puede ver que (empleando la posición V2 (0) como cero)
E F ∆E c
V2 (d )φ b − VG + −
e e
Ahora se hace la suposición de que E F está cerca del borde de la banda del canal de
εb
ns =
ed
[V
G − Voff ]
donde
∆Ec
Voff = φ m − − Vc 2
e
Como en el caso de los MESFETs, los HEMTs pueden diseñarse para estar en el
modo mejorado o de agotamiento. Esto requiere de una elección adecuada de la altura
de la barrera Schottky y del producto de grosor de adulteración. En general, el efecto de
la puerta sobre la carga del canal es discutido de manera sistemática en las figuras 2.10
y 2.11. Si la polarización de puerta tiene una valor negativo grande de modo que
V g > Voff , el canal no tiene carga como se ilustra en la figura 2.10. Por otro lado, si la
Control de corriente
Como en el caso de un MESFET, para obtener la corriente del canal como una
función de la polarización del drenador y de la puerta se necesita utilizar un modelo
apropiado para el transporte de los portadores. Si se hace una aproximación (conocida
como aproximación gradual), se puede escribir la distribución electrónica en el canal
como
n s ( x) =
eb
(VG − Voff − V ( x))
ed
donde V (x ) es el potencial del canal debido a la polarización entre la fuente y el
drenador. La corriente viene dada por
I D = ens v( F ) Z
Para hallar las dos expresiones anteriores se ha supuesto la aproximación gradual del
canal, introducida por Shockley. En ausencia de cualquier polarización fuente-drenador,
la anchura de agotamiento está dada simplemente por el modelo unidimensional del
diodo p-n. En esta región de agotamiento las bandas están curvadas y hay un campo que
ha barrido los portadores móviles dejando detrás aceptores negativamente cargados en
la región p y donadores positivamente cargados en la región n. Sin embargo,
estrictamente hablando, cuando hay una polarización fuente-drenador, se tiene que
resolver un problema de dos dimensiones para hallar la anchura de agotamiento y, de
manera subsecuente, el flujo de corriente. En la aproximación de canal gradual, se
supone que el campo en la dirección de la puerta hacia el substrato es mucho más fuerte
que de la fuente hacia el drenador, es decir, el potencial varía “lentamente” a lo largo
del canal en comparación con la variación del potencial en dirección de la puerta al
substrato. De esta forma la anchura del agotamiento, para un punto x a lo largo del
canal, está dada por el potencial en ese punto empleando los resultados
unidimensionales simples. Esta aproximación es buena si la longitud de la puerta L es
más grande que la profundidad del canal h .
HEMT vs MESFET
Es importante comentar que el HEMT requiere de una interfaz de alta calidad ya que
de otra manera los electrones sufrirían una fuerte dispersión de la aspereza de la
interfaz. Los problemas enumerados pueden ser fácilmente superados, y los HEMTs ya
han llegado a ser un dispositivo probado en sistemas de microondas de alto rendimiento
y algunos sistemas digitales.
En este apartado del proyecto se van a describir los distintos tipos de mezcladores.
Los mezcladores se pueden clasificar en función de la ganancia o de su estructura.
Esta topología tiene mejor capacidad de potencia operable (desde que la señal de RF
es dividida entre los componentes activos), presenta ligeramente mayores pérdidas de
conversión y requiere mayor potencia de señal LO que los mezcladores simples. Gracias
a su estructura balanceada proporciona un buen aislamiento y suprime mejor las
respuestas espurias.
A favor de este tipo de mezclador se puede resaltar que presentan un ancho de banda
grande y tienen un bajo coste. Además, los diodos no necesitan polarización DC para
operar y tienen una capacidad de conmutación rápida.
i (t ) = g (t )v(t )
Puesto que uno de los diodos está invertido, la diferencia de fase entre la forma de
onda de la conductancia del diodo (dada por la ecuación anterior) y la señal RF es la
misma para ambos diodos. Como ambos diodos tienen el mismo desfase, las corrientes
de IF serán sumadas en fase en el puerto de salida.
Figura 2.14. Diagrama de bloques de un mezclador a diodos simplemente
balanceado con híbrido de 90º
Este tipo de mezcladores es más práctico que el mostrado en la figura 2.14. Algunas
de las ventajas que presenta son un ancho de banda mayor, mejor respuesta de espurias
y mejor rechazo de la intermodulación.
La potencia dividida de la señal LO alcanza las puertas de los dos mezcladores con
la misma fase. El híbrido de 90º a la frecuencia RF, separa la señal RF por encima y por
debajo de la frecuencia LO. La banda superior de la componente de IF aparece en una
de las ramas del híbrido IF mientras que la banda inferior de dicha componente sale por
el otro puerto del híbrido.
El rechazo completo de la imagen podría lograrse si las pérdidas de conversión y los
cambios de fase de los mezcladores fuesen idénticos. Puesto que en mezcladores reales
estos parámetros no son idénticos, el rechazo de imagen es incompleto y será una
función de la fase y de la amplitud desequilibrada.
Los FETs se caracterizan por tener menor ruido, mejor respuesta en frecuencia y la
capacidad de operar con mayor potencia. También son favorables para la integración en
circuitos monolíticos. La distorsión causada por las no linealidades inherentes a los
diodos es reducida en los mezcladores con FETs.
Los receptores de comunicación suelen necesitar mezcladores que posean una figura
de ruido baja y buena ganancia de conversión. Los mezcladores con FETs de una puerta
(existen FETs de doble puerta, que serán vistos en un apartado posterior) ofrecen varias
ventajas sobre los mezcladores a diodos en este aspecto. Los mezcladores con FETs
tienen una mejor figura de ruido y una ganancia de conversión más alta que los
mezcladores a diodos.
intrínseca, Ri y la resistencia de salida Rds , son mucho más pequeñas que las
I d = g m v g (t )
Si se considera que la transconductancia varía con el tiempo la expresión anterior
cambia:
i d (t ) = g m (t )v g (t )
Excepto por la necesidad de usar un híbrido de 180º en la salida IF, esta clase de
mezcladores son análogos a los mezcladores a diodos y sus propiedades similares a las
de un mezclador a diodos simplemente balanceados. Estos mezcladores poseen el
mismo aislamiento LO-RF, rechazo de señales espurias y una características de rechazo
del ruido LO que los mezcladores a diodos doblemente balanceados. Las propiedades de
rechazo de la intermodulación del mezclador con híbrido de 180º son significativamente
mejor que las de un mezclador en cuadratura y el balance del mezclador de 180º es
mucho menos sensible a la fuente VSWR en sus puertos RF y LO. En ambos
mezcladores, la señal IF esta siempre en el puerto delta del híbrido de salida.
(a)
(b)
1
Z in (ω ) = Rs + Ri + R g +
jωC gs 0
Esta configuración de mezclador ha sido la elegida para realizar este Proyecto Fin
de Carrera. En capítulos posteriores se entrará en más detalles que caracterizan a estos
mezcladores.
Los FETs de puerta dual y sus ventajas en el diseño de mezcladores han sido
estudiados de manera exhaustiva. El diseño de los DGFETs es similar a un FET de una
puerta excepto por la introducción de otra puerta entre la primera puerta y el drenador.
Un voltaje aplicado a esta segunda puerta puede usarse para controlar de forma efectiva
la transconductancia del dispositivo y por tanto la ganancia RF. En un mezclador de
puerta dual, el voltaje del oscilador local es aplicado en la segunda puerta y la señal de
RF en la segunda. Puesto que la señal RF y la de LO se aplican en puertas separadas que
tienen una capacidad muy baja entre ellas, los mezcladores DGFETs tienen un
aislamiento LO-RF muy bueno (en el orden de 20 dB) y mejores características de
intermodulación. Sin embargo, los mezcladores DGFET presentan una ganancia de
conversión menor y una figura de ruido más alta que los mezcladores FETs de una sola
puerta.
Figura 2.25. Esquemático de un FET de puerta dual
El diseño óptimo de esta clase de mezcladores puede ser logrado si el FET inferior
es conducido dentro y fuera de saturación de corriente para el oscilador local. El
esquemático de la figura 2.27 representa esta operación. Cuando el voltaje del drenador
del FET inferior es bajo, su transconductancia es baja y cuando el voltaje es alto, la
transconductancia también lo es. La conductancia de salida del FET inferior cambia
durante el ciclo de la señal LO. El cambio de estos parámetros provoca la mezcla
frecuencial en el FET inferior. El FET superior se encuentra en saturación durante la
mayor parte del ciclo de la señal LO y se comporta como un seguidor de fuente para la
frecuencia LO y como un amplificador de puerta común para la señal IF. La puerta 2
deberá ser adaptada a la frecuencia LO para conseguir la máxima transferencia de
potencia y comportarse como un cortocircuito a la frecuencia IF. Como en los
mezcladores con FETs de una sola puerta, el drenador del mezclador DGFET debe ser
cortocircuitado a las frecuencias LO y RF.
Figura 2.27. Mezclador con DGFET genérico
Este tipo de mezcladores son una idea relativamente novedosa. Las ventajas más
destacadas son: distorsión muy baja, bajo ruido flicker y ausencia de ruido de disparo.
La pérdida de conversión de estos mezcladores es comparable a con la de los
mezcladores a diodos, sobre 6 dB.