Está en la página 1de 9

UNIVERSIDAD DEL AZUAY

FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA


ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

Ciclo Materia Período


Marzo 2018
Sexto (6) Electrónica Analógica II
Julio 2018

Nombre del estudiante: Fecha de entrega:

Victor Baculima, Paul Salamea 10 de abril de 2018

Práctica Duración
Laboratorio de: Título de la práctica
No. (Horas)

1 Analógica II Estabilización de Polarizacion. 2

1 DESCRIPCIÓN DE LA PRÁCTICA
 Polarización del transistor
o Conectar el circuito dado en el protoboard
o Girar el potenciómetro todo en sentido anti horario
o Con el circuito conectado, ajustar las fuentes a 6 y12 V respectivamente
o Girar poco a poco el potenciómetro en sentido horario para obtener las
corrientes de base Ib que se pide en la tabla
o Reconocer las conas de funcionamiento del transistor

2 OBJETIVOS
 Comprobar que los cambios de temperatura afectan directamente a la corriente de
colector en un circuito de emisor común.
 Demostrar la importancia de la estabilización en un amplificador de emisór común.
 Comprobar la estabilización al variar la resisnecia de emisor.

3 FUNDAMENTO TEORICO
 Los parámetros del transistor más afectados por la temperatura son: ganancia de
corriente, corriente de base, corriente de emisor y voltaje base emisor. Cuando se
aplica temperatura al transistor la corriente de base tiende a duplicarse, la corriente
de colector hará lo mismo debido a que están directamente relacionados.
 El voltaje base emisor disminuye conforme la temperatura va aumentando.

Página 1|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

 Si la corriente de colector aumenta puede ocurrir una fuga, hasta que el transistor se
averíe.
4 IMPLEMENTOS
Equipo necesario Material de apoyo
 Transistor 2N3904
 2 Resistencias 10kΩ ½ W
 Fuente de 15VCD 1A
 Resistencia 100Ω ½ W
 Protoboard
 Resistencia 6,8kΩ ½ W
 Acometida
 Resistencia 1,5kΩ ½ W
 Multimetro
 Resistencia 50Ω ½ W
 Resistencia 1kΩ ½ W
 Potenciómetro 1kΩ ½ W

5 DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
1. Comprobar el funcionamiento del circuito en el protoboard
1.1. Construcción del circuito
Realizando el circuito sin resistencia de estabilización o de emisor se observa que los valores de
corriente de colector y voltaje base emisor con forme va subiendo la temperatura.

1.2. Simulación

Sin resistencia de estabilización

Ilustración 1 simulación sin resistencia de emisor

Página 2|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

Con resistencia de establizacion

Ilustración 2 simulación con resistencia de emisor

2. Calculo de resistencia de emisor


2.1. Calculos
Voltaje de base y resistencia de base
𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2
9,7𝑘
𝑉𝐵𝐵 = 15 ∗ = 7,5𝑉
9,7𝐾 + 9,7𝑘
𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑅𝐵 = = 4,85𝐾Ω
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸
7,5 = 4,85𝐾 ∗ 𝐼𝐵 + 0,7 + 𝑅𝐸 ∗ (𝛽 + 1)𝐼𝐵
7,5 − 0,7
𝐼𝐵 =
4,85𝐾 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 ∗ 𝛽
15 − 99 ∗ 𝐼𝐶 − 𝑅𝐸 ∗ (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) = 𝑉𝐶𝐸

Página 3|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

Donde la resistencia va a variar

2.2. Simulación

Ilustración 3 simulación variando la resistencia de emisor

Ilustración 4 simulación variando la resistencia de emisor

Página 4|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

Ilustración 5 simulación variando la resistencia de emisor

Ilustración 6 simulación variando la resistencia de emisor

Página 5|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

6 RESULTADOS Y CONCLUSIONES
1. Resultados al calentar el transistor:

1.1. Sin resistencia de emisor:

T (min) Ic (mA) Vbe


0 2 0,63
1/2 2,4 0,44
1 2,5 0,37
1 1/2 2,6 0,30
2 2,6 0,29
Tabla 1 resultados al calentar sin resistencia de emisor

1.2. Con Resistencia de emisor:

T (min) Ic (mA) Vbe


0 0,5 0,75
1/2 0,9 0,73
1 1,2 0,71
1 1/2 1,4 0,70
2 1,4 0,70
Tabla 2 resultados al calentar con resistencia de emisor

Página 6|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

2. Resultados al variar la resistencia de emisor:

2.1. Resultados calculados:

R [Ω] Ib [µA] Ic [mA] Vce [V] Vbe [V]

970 66,13 6,61 7,86 0,7

485 126,31 12,63 7,56 0,7

323.5 189,31 18,93 6,94 0,7

242.5 277,60 27,76 5,51 0,7


Tabla 3 resultados calculados al variar la resistencia de emisor

Ilustración 7 punto de trabajo al variar la resistencia de emisor (valores calculados)

Página 7|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

2.2. Resultados medidos:

R [Ω] Ib [µA] Ic [mA] Vce [V] Vbe [V]

970 51,8 6,89 7,76 0,71

485 95,9 13,7 7,44 0,72

323.5 142,4 20,1 6,87 0,72

242.5 184,8 26,1 6,83 0,73


Tabla 4 resultados medidos al variar la resistencia de emisor

Ilustración 8 punto de trabajo al variar la resistencia de emisor (valores medidos)

Página 8|9
UNIVERSIDAD DEL AZUAY
FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

PRACTICA TRES

Conclusiones

 al trabajar con una resistencia de emisor tenemos que tener en cuenta que
(Rb/Re=aprox10) para que el punto de funcionamiento se mantenga estable ante
cualquier variación.
 Al calentar el transistor pudimos notar que sin Re el Vbe varía mucho, caso contrario con
Re el Vbe se mantiene constante, debido a el flujo atreves de Re desarrolla una caída de
tensión en Re, de esta manera cualquier aumento e Ic varia el voltaje de emisor lo que
mantiene relativamente constante a Vbe
 Para trabajar con un transistor en zona lineal es recomendable utilizar la configuración
con divisor de tensión, ya que si no se utiliza esta el transistor puede trabajar en zona de
saturación y para evitar eso tendríamos que utilizar una Rb muy grande.

7 ANEXOS
(A ser llenado por el estudiante)

8 REFERENCIAS

Azuay, U. d. (s.f.). Laboratorio de Ciencia y Tecnologia .

Página 9|9

También podría gustarte