EXPERIENCIA N5

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN, CARACTERISTICAS BÁSICAS.

I. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

 Un miliamperímetro DC.
 Un multímetro digital.
 Un micro amperímetro DC.
 Un voltímetro de C.C.
 Un transistor 2N3904.
 Un osciloscopio.
 Resistores: Re=220Ω, Rc=1KΩ, R1=56KΩ, R2=22KΩ.
 Condensadores Cb=0.1µF, Cc=0.1µF, Ce=3.3µF.
 Una fuente de C.C variable.
 Un potenciómetro de un 1MΩ.
 Cables conectores.

II. PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS:

i. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar la

tabla 1.

RESISTENCIA DIRECTA(Ω) INVERSA(Ω)

Base – emisor 0.907 K >>30 M
Emisor – colector 0.899 K >>30 M
Colector -Emisor >>30 M >>30 M

ii. Armar el circuito:

 a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (usar P1=0).
b) Medir los voltajes entre el colector-emisor (Vce), entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1= 56K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Teóricos 3.695 123.148 30 7.492 0.6 0.839
Medidos 6.6 240 27.5 3.96 0.68 1.39

d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en
la tabla 3 (por ajuste de P1).

Valores (R1= 68K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Teóricos 2.986 99.522 30 8.357 0.6 0.876
Medidos 5.4 200 27 5.24 0.68 1.16

e) Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ.

observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5.

P1 100 K 250 K 500 K 1 M

Ic (mA) 1.4 0 0 0
Ib(uA) 5.02 0 0 0
Vce (v) 10.08 11.63 11.63 11.64
(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)
iii. Ajustar el generador de señales a 50mv.pp, 1KHz., onda senoidal. Observar
la salida de Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.

TABLA Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) 1.1 7.12 154.5 3.2 343.8
III. CUESTIONARIO FINAL:

(a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el Ohmímetro.

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-

colector y colector-emisor en polarización directa son bajas, ya que en
polarización directa el transistor conduce corriente. En polarización
inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual está
bien ya que en polarización inversa el transistor no conduce corriente.

(b) Representar la recta de carga en un gráfico Ic VS Vce del circuito

del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2,
3 y 5.

Ic (µA) vs Vce(v)
7

0
0 2 4 6 8 10 12 14

(c) ¿En qué regiones de trabajar se encuentran los puntos de las Tabla
2 y 3?

Los puntos de la tabla 2 y 3 se encuentran en la región activa

(d) ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambios R1 a 150kΩ?

Explicar lo ocurrido e indicar sus valores teóricos.

Si aumentamos el R1 el punto de operación se desplazará hacia la

región de corte.
 (e) Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este
experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
PNP).
La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la
polaridad de sus electrodos
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un
polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno
para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia
es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda
determinado si es un NPN o un PNP.

IV. CONCLUSIONES:

 En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto de

operación se desplaza hacia la región de corte ya que la corriente de
colector y la corriente de base empezó a disminuir y el voltaje de colector-
emisor a aumentar cuando aumentamos R1.

 También notamos lo mismo en el caso de la Re ya que cuando hicimos

Re=0 el punto de operación se desplazó hacia la región de saturación.

V. BIBLIOGRAFIA:

 http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/9/2N3904.shtml
 http://www.futurlec.com/Transistors/2N3904.shtml