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DIOSDOS Y

TRANSISTORES
Las décadas que siguieron a la introducción del transistor en los
años cuarenta han atestiguado un cambio sumamente drástico
en la industria electrónica. En la actualidad se encuentran
sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el
más sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas
asociadas con los sistemas semiconductores en comparación
con las redes con tubos de los años anteriores son, en su mayor
parte, obvias: más pequeños y ligeros, no requieren
calentamiento ni se producen pérdidas térmicas (lo que sí
sucede en el caso de los tubos), una construcción más resistente
y no necesitan un periodo de calentamiento.

Materiales semiconductores
tipo N y tipo P.

Configuración Electrónica de los elementos Semiconductores:

Elemento _electrones 1S 2S 2P 3S 3P 3d 4S 4P 4d 4f 5S 5P
Boro _____ B __ 5 2 2_1
Carbono __ C __ 6 2 2_2
Aluminio __ Al __13 2 2_6 2_1
Silicio ____ Si __ 14 2 2_6 2_2
Fósforo ___ P __15 2 2_6 2_3
Galio ____ Ga __31 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_1
Germanio__Ge __32 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_2
Arsénico __As __33 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2_3
Indio _____In __ 49 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_1
Estaño ____Sn__ 50 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_2
Antimonio__Sb_ 51 2 2 _ 6 2 _ 6 _ 10 2 _ 6 _ 10 2_3
Electrones por 2 8 18 32

Nivel (2 )

Al hablar de materiales semiconductores vemos que en un


material tipo N el electrón se denomina portador mayoritario y
el hueco, portador minoritario.

Cuando el quinto electrón (electrón sobrante) de un átomo


donador abandona al átomo padre, el átomo que permanece
adquiere una carga positiva neta: a éste se le conoce como ion
donador y se representa con un círculo encerrando un signo
positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el
ion aceptor.

Tipo N
- Portadores Mayoritarios.

+ Portador Minoritarios.

(Huecos generados cuando algunos electrones de átomos de


silicio adquieren suficiente energía para romper el enlace
covalente y convertirse en electrones libres y/o portadores
Mayoritarios).

Tipo P

- Iones Aceptores-

+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.

El primer dispositivo electrónico semiconductor que se


presentará se denomina diodo. Es el más sencillo de los
dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en
los sistemas electrónicos, con sus características que se
asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor.

El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el


símbolo y las características que se muestran en la figura 1.1a y
b, respectivamente.

(a)
(b)

Figura 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) característica.

En forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección


definida por la flecha en el símbolo y actuará como un circuito
abierto para cualquier intento de establecer corriente en la
dirección opuesta. En esencia:

Las características de un diodo ideal son las de un


interruptor que puede conducir corriente en una sola
dirección.
Figura 1.2 Estados (a) de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal.

Región de Agotamiento

En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y


el otro tipo P), los electrones y los huecos que están en, o cerca
de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado
una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como
minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de
iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de
Región de Agotamiento por la ausencia de portadores.
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las
terminales del diodo:

- No hay polarización (VD = 0 V).

- Polarización directa (VD > 0 V).

- Polarización inversa (VD < 0 V).

VD = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores


minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran
dentro de la región de agotamiento pasarán directamente al
material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de
polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en
cualquier dirección es cero para un diodo semiconductor.
La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones
en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para
recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de
la región de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7 V
para diodos de Silicio.

ID = Imayoritarios - IS

Condición de Polarización Inversa (VD < 0 V). Bajo esta


condición el número de iones positivos descubiertos en la región
de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor
número de electrones libres arrastrados hacia el potencial
positivo del voltaje aplicado. El número de iones negativos
descubiertos en el material tipo P también aumentará debido a
los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales
ocuparán los huecos.

La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa


se denomina corriente de saturación inversa, IS.

El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su


máximo nivel (se satura) en forma rápida y no cambia
significativamente con el incremento en el potencial de
polarización inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico
inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse


antes de entrar en la región Zener se denomina Voltaje Pico
Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de
VPI y de corrientes más altas e intervalos de temperatura más
amplios que los diodos de germanio.

Existen diodos con funciones específicas que trabajan en la región Zener


y que por tanto llevan su nombre. Otro diodo de uso común es el diodo
LED o diodo emisor luz. Entre los usos a nivel de circuito que se le ha
dado a los diodos están: la DTL o Lógica Transistor-Diodo.

El BJT y sus principios de


construcción.
El transistor original (un transistor de punto de contacto) se
muestra en la figura 3.1. De inmediato, las ventajas de este
dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el tubo
electrónico fueron evidentes: era más pequeño y ligero; no tenía
requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas; ofrecía una
construcción de mayor resistencia y resultaba más eficiente
porque el propio dispositivo absorbía menos potencia;
instantáneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un
periodo de calentamiento; además, eran posibles voltajes de
operación más bajos. El lector descubrirá que todos los
amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje,
corriente o potencia) tendrán al menos tres terminales con una
de ellas controlando el flujo entre las otras dos.
Figura 3.1 El primer transistor.

CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas,


compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de tipo
p o dos capas de material tipo p y una de tipo n. El primero se
denomina transistor npn, en tanto que el último recibe el
nombre de transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2
con la polarización de corriente directa (cd) adecuada. En el
capítulo 3 encontraremos que la polarización de cd es necesaria
para establecer una región de operación apropiada para la
amplificación de corriente alterna (ca). Las capas exteriores del
transistor son materiales semiconductores con altos niveles de
dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los
correspondientes al material emparedado de tipo p o n. Este
menor nivel de dopado, en la capa emparedada, reduce la
conductividad (incrementa la resistencia) de este material al
limitar el número de portadores "libres".

En la polarización que se muestra en la figura 3.2, las terminales


se han indicado mediante letras mayúsculas, E para el emisor, C
para el colector y B para la base. Una justificación respecto a la
elección de esta notación se presentará cuando estudiemos la
operación básica del transistor. La abreviatura BJT (bipolar
junction transistor = transistor de unión bipolar) se aplica a
menudo a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar
refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan en
el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente.
Si sólo uno de los portadores se emplea (electrón o hueco), se
considera que el dispositivo es unipolar.

Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

OPERACION DEL TRANSISTOR


La operación básica del transistor se describirá ahora
empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operación del
transistor npn es exactamente igual si se intercambian los
papeles que desempeñan los electrones y los huecos. En la
figura 3.3 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarización
base a colector. Nótense las similitudes entre esta situación y la
del diodo polarizado directamente. El ancho de la región de
agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo
que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del
material tipo p al tipo n.

Figura 3.3 Unión polarizada directamente de un


transistor pnp.

Eliminaremos ahora la polarización base a emisor del transistor


pnp de la figura 3.2a como se indica en la figura 3.4.
Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero, por
lo que sólo se presenta un flujo de portadores minoritarios,
como se ilustra en la figura 3.4. Por tanto:
Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente, en
tanto que la otra presenta polarización directa.

En la figura 3.5 ambos potenciales de polarización se han


aplicado a un transistor pnp, con un flujo de portadores
mayoritario y minoritario que se indica. En la figura 3.5 nótense
los anchos de las regiones de agotamiento, que indican con toda
claridad qué unión está polarizada directamente y cuál
inversamente. Como se indica en la figura 3.5, un gran número
de portadores mayoritarios se difundirán a través de la unión
p~n polarizada directamente dentro del material tipo n. La
pregunta es entonces si estos portadores contribuirán en forma
directa a la corriente de base IB o pasarán directamente hacia el
material tipo p. Puesto que el material tipo n emparedado es
sumamente delgado y tiene una baja conductividad, un número
muy pequeño de estos portadores seguirá la trayectoria de alta
resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la
corriente de base es por lo general del orden de microamperes
en comparación con los miliamperes de las corrientes del emisor
y del colector. El mayor número de estos portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada
inversamente dentro del material tipo p conectado a la terminal
del colector, como se indica en la figura 3.5. La causa de la
relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden
cruzar la unión polarizada inversamente puede comprenderse si
consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los
portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores
minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, ha habido
una inyección de portadores minoritarios al interior del material
de la región base de tipo n. Combinando esto con el hecho de
que todos los portadores minoritarios, en la región de
agotamiento cruzarán la unión polarizada inversamente, se
explica el flujo que se indica en la figura 3.5.

Figura 3.4 Unión polarizada inversamente de un


transistor pnp.

Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si


fuera un solo nodo, obtenemos
I E = I C + IB

y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el


colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector está formada por dos
componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios. La componente de
corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO
(corriente IC con la terminal del emisor abierta = open). Por lo tanto, la corriente
en el colector se determina completamente mediante la ecuación (3.2).

IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria

Hoja de especificaciones del


transistor.

Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el


fabricante y el usuario, es de particular importancia que la información
proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han
presentado todos los parámetros, un amplio número será ahora familiar. Se hará
referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se
presenta el parámetro.

La información proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la


publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola
Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propósito general con el encapsulado y la
identificación de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la
figura 3.23a. La mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores
nominales máximos, características térmicas v características eléctricas. Las
características eléctricas se subdividen además en características en estado
"encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las características en
estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las
características de pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la
operación de ca.

Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax = VCEO = 30 V con


ICmax = 200 mA. La máxima disipación de colectora . = 625 mW. El factor de
degradación bajo los valores nominales máximos especifica que el valor nominal
máximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la temperatura
sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado" ICBO se
especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat = 0.3 V. El nivel
de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC = 2 mA y VCE =1 V y un valor
mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.

Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a


continuación en el formato de la ecuación (3.17) empleando hFE = 150 (el límite
superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 uA = 0.0075 mA se
pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada.

Límites de Operación

7.5 uA ≤ IC ≤ 200 mA

0.3 V ≤ VCE ≤ 30 V

VCEIC ≤ 650 mW

En las características de pequeña señal el nivel de hfe (β ca) se proporciona junto


con una gráfica de cómo varía con la corriente de colector en la figura 3.23f. En
la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector
sobre el nivel de hFE (β ca). A temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE
(β cd) tiene un valor máximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A
medida que IC, se incrementa más allá de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor
con IC igual a 50 mA. También decae a este nivel si IC disminuye al nivel inferior
de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor
con β cd = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor máximo a 8 mA es de 50. A
IC = 50 mA habrá decaído a 50/ 2 = 25. En otras palabras, la normalización revela
que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor máximo
de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.
PUNTO DE OPERACIÓN

El término polarización que aparece en el titulo de este capítulo es un vocablo


que incluye todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd para establecer un
nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores de transistor, el voltaje y la
comente de cd resultantes establecen un punto de operación sobre las
características, el cual define la región que se empleará para la amplificación de
la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las
características, se le conoce también como punto quiesciente (abreviado punto
Q). Por definición, quiesciente significa quieto, inmóvil, inactivo. La figura 4.1
muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos
de operación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para
establecer la operación del dispositivo en cualquiera de estos puntos o en otros
dentro de la región activa. Los valores nominales máximos se indican sobre las
características de la figura 4,1, por una linea horizontal para la corriente de
colector máxima ICmáx y por una línea vertical para el voltaje de colector-emisor
máximo VCEmax. La máxima potencia de operación máxima se define por la curva
Pcmáx en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se localizan la
región de corte, definida por IB ≤ 0 uA, y la región de saturación, definida por
VCE ≤ VCEsat.
Figura 4.1 Diversos puntos de operación dentro de los límites de operación de un
transistor.