Universidad Tecnolégica de Panama Facultad de Ingenieria Eléctrica Licenciatura en Ingenieria Electronica y Telecomunicaciones Parcial #1 Fecha: 26/09/2017 Grupo: 11E132 (2389) Nombre: Suponiendo diodos ideales: (10pts) | II. Determine el estado del diodo. (10pts) | Determine e! estado de los diodos | © Hallar los valores de voltaje y | cortiente en R3. 2 Ker = Te | 2. y Da 4 = (Geter) Re s | or 3 tk op a | H¢ + “| oa ba bs: +t ji [ tn e Fl dtodd wm ala Cuavoradd | 4 la Lt Esta donodo tiv Ill. Disefie un circuito sujetador para que IV. Dibuje la sefial de salida (10 pts) la salida sea: (10 pts) * R2 = ode Ny ba og sinteos SFansser Circuitos Electrénicos 1Nombse: Yosimnr loronedle B-415-% ~— Universidad Tecnolégica de Panama Facultad de Ingenieria Eléctrica Licenciatura en Ingenieria Electronica y Telecomunicaciones Py dye far Parcial #1 V. Diseite un circuito rectificador de onda completa. Use los siguientes datos dentro de su _ diseio: Voltaje de alimentacién= 120.0 Vrms, frecuencia: 60Hz, np=2, ns=1, IN4003, ~~ b A 1=1%, RIF50Q (40 pts) — ay a. Dibuje la etapas y su respectiva sefiales b. Vp(primario) = c. Vp(secundario) Lw d. Vp(salida) = as e. PIV = 2 f. Capacitor 12 g. Vrtpp) ve he Vep VI. Compare graficamente el diodo de Si, Ge y GaAs. Gpts) VII. Describa graficamente la resistencia de CD y CA. Gpts) VIII. De la siguiente ecuacién defina los términos, (10 pts) kT Ip = Is(¢* *-1) Vr=— IX. Cuéles de los siguientes materiales se utilizan en la fabricacién de diodos?. (Bonus - 10 pts). a. Arseniuro de galio, Fosfuro de galio, Nitruro de galio e indio. b. Fosfuro de galio, Seleniuro de zinc, Arseniuro fosfuro de galio. c. Nitruro de galio, Arseniuro de galio, Carburo de silicio. a. Cuiles psted los materiales? ; Seder os" maienala son avechys para la Labucawah & odes Nu Mi OW N ow \ baTv | A dod ssta di _m dona