ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PRÁCTICA 10

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

PRÁCTICA No.10
Semana: 13/06/11 – 17/06/11

Tema: Simulación de circuitos con FETs

Objetivo: Comprobar mediante simulación el comportamiento de circuitos con FETs

TRABAJO PREPARATORIO:

1. Consultar las principales características de los transistores de efecto de campo y

presente un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y los de
juntura bipolar.

http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20
de%20Efecto%20Campo.pdf
2. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N5457 y 2N3819 y K161, presente un cuadro
con los valores de los parámetros más importantes.

3. Calcular los voltajes de polarización para los circuitos de las figuras 1 y 2.

4. Realizar la simulación de los circuitos diseñados en un software computacional (Proteus)

y presentar las formas de onda de entrada y salida.

Señales de entrada y salida:

Hoja 1
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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PRÁCTICA 10

Bibliografía:

- Paquete computacional Circuit Maker, 2000

- Boylestad- Nashelsky, Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, PEARSON
Prentice Hall, 8va. Edición, 2003
- Sánchez Tarquino, Dispositivos Electrónicos, Agosto 2006, Cap. 05, Págs. 149-156
- C.J. Savant, Diseño Electrónico, Prentice-Hall Tercera Edición, Cap. 3, Págs. 129-136

Hoja 2