TRANSISTORES DE

UNIÓN BIPOLAR

Electrónica Analógica I
INTRODUCCIÓN
De 1904 a 1947, el tubo de vacío o bulbo
fue el dispositivo electrónico de mayor
interés y desarrollo. J.A. Fleming. Presentó
en 1904 el diodo de tubo de vacío y en
1906 , Lee de Forest agregó un tercer
elemento, llamado rejilla de control al diodo
de tubo de vacío y el resultado fue el
primer amplificador, el tríodo. En los años
siguientes la radio y la televisión dieron
impulso a la industria de los bulbos y la
producción pasó de 1 millón de bulbos en
1922 a cerca de 100 millones en 1937.

El 23 de diciembre de 1947, Walter H.

Brattain y John Bardeen demostraron la
acción amplificadora del primer transistor
en los laboratorios Bell. El transistor
original se muestra en la figura.
.
Comparado con el bulbo, el transistor tenía varias ventajas:
• Más pequeño y liviano
• No requería de un período de calentamiento
• Construcción más robusta
• Consumía menos potencia
• Voltajes de operación más bajos

Construcción del transistor

El transistor es un dispositivo de tres capas, puede construirse como npn o
pnp. Ambos se muestran en la figura adjunta con la polarización adecuada.
Construcción del transistor
Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del
material tipo p o n intermedio, para los mostrados en la figura la relación
es 150:1. El dopado de la capa intermedia también es
considerablemente menor que el de las capas externas, por lo común
10:1 o menor. El nivel de dopado reduce la conductividad del material al
limitar el número de portadores libres.

Los terminales se identifican con letras mayúsculas: E para el emisor, B

para la base y C para el colector.
Operación del transistor
A continuación se describirá la operación básica para el transistor pnp.
La unión p-n de un transitor se polariza en inversa en tanto que la otra
se polariza en directa.
Operación del transistor
Cuando se aplica ambos potenciales de polarización a un transistor pnp,
se tiene los flujos de portadores mayoritarios y minoritarios de la figura.

Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff se tiene:

IE = IC + I B
Operación del transistor
La corriente del colector tiene dos componentes:

IC = ICmayoritarios + IC0minoritarios

La corriente de portadores minoritarios se denomina corriente de

fuga con emisor abierto.

Para transistores de uso general, IC se mide en miliamperios e IC0

en microamperios o nanoamperios. IC0 es sensible a la
temperatura y hay que examinarla con cuidado cuando se
consideren aplicaciones de amplios intervalos de temperatura.
Mejoras en las técnicas de construcción han reducido
significativamente los niveles de IC0, al grado que su efecto a
menudo puede ser ignorado.
 Configuración en base común

PNP NPN
La terminologı́a en base comú n se deriva del hecho de que la base es comú n
tanto para la entrada como para la salida de la configuració n.
La flecha en el sı́ mbolo grá fico define la dirección de la corriente del emisor
(flujo convencional) a travé s del dispositivo.
Configuración en base común
El conjunto de salida relaciona
una corriente de entrada (IC)
con un voltaje de salida (VCB)
para varios niveles de corriente
de entrada (IE)
En la región activa la unión
base-emisor se polariza en
directa, en tanto que la unión
colector-base se polariza en
inversa.
Configuración en base común
La polarización en región activa corresponde a
las gráficas mostradas anteriormente. En el
extremo inferior de la región activa la corriente
del emisor (IE) es cero y del colector es la
corriente de saturación en inversa (IC0), esta
corriente es tan pequeña (microamperios)
comparada con la escala vertical de IC
(miliamperios), que prácticamente aparece sobre
el eje horizontal. Las condiciones que se dan
cuando IE=0 en la configuración de base común
se muestran en la figura adjunta.
La notación más común para IC0 que aparece en las hojas de
especificaciones es ICB0, que se puede despreciar para transistores de
baja y mediana potencia. Sin embargo debe ser tomada en cuenta para
unidades de alta potencia debido a su sensibilidad a la temperatura que
la haría llegar a los miliamperios.
Configuración en base común
Las curvas mostradas anteriormente indican que una primera
aproximación a la relación de IE e IC en la región activa está dada por:
IE ≅ I C
La región de corte es aquella en la que la corriente en el colector es de
0 amperios, como se muestra en la figura 3.8 y además las uniones
base-emisor y colector – base se polarizan en inversa.
En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base
se polarizan en directa

Para todos los análisis DC del

curso se empleará el modelo
equivalente de la figura 3.10c ,
una vez que el transistor se
enciende, se supondrá que el
voltaje base-emisor será:
VBE= 0,7 V
Configuración en base común
EJEMPLO 1.
a. A partir de la curva mostrada (Fig 3.8), determine lC si IE = 3 mA y VCB= 10 V
b. Utilizando la misma figura 3.8 determine lC si IE = 3 mA y VCB= 2 V
c. Con las características de las figuras 3.7 y 3.8 determine VBE si lC = 4 mA y VCB=
20 V
d. Repita la parte c utilizando las características de las figuras 3.8 y 3.10 c
Polarización en base común
La polarización adecuada para la región activa se determina con la
aproximación IC ≅ IE y suponiendo que IB= 0 µA . El resultado para
transistores pnp es la configuración de la figura 3.11. Las fuentes DC se
colocan con una polaridad que soporte la dirección de la corriente. Para
el transistor npn, las polaridades se invertirían.
Configuración en Emisor común

Se llama
configuració n en
emisor comú n
porque el emisor es
comú n o sirve de
referencia para las
terminales de
entrada y salida (en
este caso es
comú n para las
terminales base y
colector).
Configuración en Emisor común
Caracterı́sticas de un transistor de silicio en la configuració n en emisor comú n:
(a) caracterı́sticas; (b) caracterı́sticas de base.
Configuración en Emisor común
Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección
convencional real. Aún cuando la configuración del transistor cambió,
las relaciones anteriores de corriente se mantienen. Es decir:
IE = I C + I B

IC = α I E

La característica de entrada es IB vs VBE y la de salida es IC vs VCE para

un intervalo de corrientes de entrada IB. Observe que la magnitud de IB
está en microamperios comparada con los miliamperios de IC. También
se puede observar que las curvas de IB no son tan horizontales como en
base común, lo que indica que el VCE influye en la magnitud de la
corriente de colector.
La región activa es el cuadrante superior en la parte de mayor
linealidad, la región de curvas de IB son casi rectas y equidistantes. En
la figura 3.14a la región está a la derecha de las líneas verticales en
VCEsat y arriba de la curva de IB igual a cero. La región a la izquierda de
VCEsat se llama región de saturación.
Configuración en Emisor común
En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base emisor
se polariza en directa en tanto que la unión colector-base está en inversa.

Estas eran las mismas condiciones en la región activa de base común. La región
activa en emisor común se emplea para amplificar voltaje, corriente o
potencia.
La región de corte no está bien definida, es decir que IC no es igual a
cero cuando IB es cero. La razón está en el manejo de la ecuación:

IC = α IE + ICB0

Al sustituir IE por IC+IB y despejar IC se llega a IC = 250 ICB0.

Si ICB0 fuera de 1 µA, IC sería de 0.25 mA, como se refleja en la curva
característica 3.14. De forma general, IC para IB= 0 µA estará dada por:
Configuración en Emisor común
Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), IC = ICE0
define el corte para la configuración en emisor común.

En otras palabras, hay que evitar la región debajo de IB = 0 µA, cuando se

requiere una señal de salida no distorsionada.

Cuando se emplea como interruptor en los circuitos lógicos de una

computadora, un transistor tendrá dos puntos de operación de interés, uno
en la región de corte y otro en la región de saturación. La condición de
corte idealmente deberá ser de IC = 0 mA para el voltaje VCE seleccionado.
Generalmente ICE0 es de baja magnitud en materiales de silicio, por lo que
para efectos de conmutación el corte se dará cuando IB = 0 µA ó IC = ICE0.
Para transistores de germanio el corte será cuando IC = ICB0

Para la configuración de emisor común se hará la misma aproximación que

en el caso de base común para la característica de entrada, con lo cual VBE
= 0.7 V y se tendrá la curva de la figura 3.16.
Configuración en Emisor común
EJEMPLO 2.
A partir de la curva mostrada (Fig 3.14), determine:
a. lC si IB = 30 µA y VCE= 10 V
b. lC si VBE = 0.7 V y VCE= 15 V
Beta (β)
En forma general se puede utilizar de manera indistinta los valores de
βcd y βca, debido a que siempre serán cercanos

Es posible desarrollar una relación entre α y β, sin necesidad de

especificar si son en directa o alterna, utilizando la ecuación IE = IC + IB

α = β / (β+1)

β = α / (1 – α)

Y a partir de las restantes ecuaciones, se puede llegar a:

ICE0 = β ICE0

IC = β I B

IE = (β + 1) IB
Polarización en emisor común
La polarización adecuada para la región activa se determina de forma
similar al procedimiento explicado en base común. Las fuentes DC se
colocan con una polaridad que soporte la dirección de las corrientes IB e
IC. Para el transistor npn, las polaridades se invertirán.