Transistor JFET

El Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET) es un dispositivo mediante el

cual se puede controlar el paso de una cierta cantidad de corriente haciendo variar
una tensión, esa es la idea principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de
canal p, se comentará para el caso de JFET de canal n, lo que se comente para el
de canal n, es similar para el de canal p, la diferencia será el sentido de las corrientes
y las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales reciben los nombres
de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el JFET es controlar la
cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente
se controla mediante la tensión que exista entre la compuerta y la fuente.
Un transistor JFET está formado por el semiconductor que se conecta a las
terminales de fuente y drenaje. El material restante está conectado entre sí para
directamente a la compuerta. Cabe señalar que en la unión tenemos una región de
empobrecimiento. La polarización del JFET está en función a la diferencia de
potencial entre los materiales semiconductores. Esto aumenta la región de
agotamiento y regula la cantidad de corriente que circula en el canal drenaje-fuente.
Una vez que el voltaje genere una región de agotamiento suficientemente grande,
se tiene la condición de estrangulamiento.

En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en este caso el 2N3819, se

muestran los 3 pines que tiene con sus nombres, el orden va depender del JFET,
se tiene que ver su hoja de datos para conocerlos.
Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que los
diodos; la figura que sigue es una representación para comprender como están
distribuidos los materiales semiconductores para el de canal n y el de canal p, y las
conexiones de los pines a estos semiconductores, la figura servirá para tener una
idea del comportamiento del JFET.

A partir de aquí se va a comentar para el caso del JFET de canal n, pero la idea es
similar para el caso del de canal p; en la figura anterior se puede ver que para el
JFET de canal n, al material semiconductor tipo n se le han conectado en extremos
opuestos el drenador(D) y la fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la
compuerta(G), se observa que hay un paso o un canal entre el drenador y la fuente,
formado por el semiconductor tipo n de allí el nombre de canal n, el cual está
rodeado por el material semiconductor tipo p, entre la compuerta y la fuente se
forma un diodo, en el transistor JFET lo que se hace es polarizar en inversa este
diodo, para el caso del JFET de canal n la tensión de polarización de dicho
diodo tiene que ser negativa y a lo mucho igual a cero, se la representa
como VGS (tensión compuerta fuente), lo que se logra al hacer esto es
que la región de agotamiento del diodo se puede controlar variando la tensión VGS,
cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo será mínima y el canal n será
lo mas ancho que pueda; si poco a poco la tensión VGS se hace negativa, esta
hará que la región de agotamiento del diodo crezca, ya que el diodo se polariza en
inversa, esto a su vez hace que el canal semiconductor se angoste, llegará un
momento que la VGS sea lo suficientemente negativa que hará que la región de
agotamiento sea tan grande como para que el canal semiconductor desaparezca o
se cierre; a esa tensión se le conoce como tensión compuerta fuente de apagado o
de corte del JFET y se representa como VGSoff.
Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de alimentación VGG que
se use entre la compuerta y la fuente se conectará su polo negativo hacia la
compuerta(G) y hacia la fuente(S) su polo positivo; la batería o fuente de
alimentación VDD que se conecta entre el drenaje y la fuente, es la encargada de
suministrar la corriente que se controla con la VGS, VDD se conecta con su polo
positivo en el drenaje(D) y el negativo a la fuente(S); si el JFET es de canal p las
conexiones de las alimentaciones se inverten, tal como se ve en la imagen siguiente.

De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta
y la fuente en inversa, la corriente que se aparece a través de la compuerta IG es
muy pequeña, del orden de los nA, por eso se considera que IG=0, también es por
este motivo que se dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada,
propiedad que se aprovecha en los amplificadores basados en el JFET; la corriente
que circula entre el drenaje y la fuente se conoce como corriente de drenaje ID, el
valor de esta corriente depende del valor de la tensión VGS; como se ha visto
anteriormente al hacer variar la VGS se logra que la región de agotamiento
aumente o disminuya, lo que hace que el canal por el que circula la corriente de
drenaje ID disminuya o aumente, al disminuir o aumentar el canal se controla la
cantidad de ID que circula por el JFET; esta es la forma que se controla la corriente
por tensión con el transistor JFET.
Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la tensión
entre el drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentará
también, pero llegará un momento que la corriente ID deje de aumentar por mas
que se aumente la VDS, en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en
un JFET la VDS tiene un límite que si se sobrepasa el JFET se dañará, ese valor
máximo para VDS se encuentra en su hoja de datos), a esa corriente ID que ya no
aumenta mas se la conoce como corriente de drenaje fuente de saturación la cual
se simboliza como IDSS, es un dato muy importante característico de los JFET que
se encontrará en su hoja de datos; cuando la VGS=VGSoff la corriente ID=0, como
se puede ver la ID variará desde un mínimo de 0A hasta un máximo de IDSS y todo
esto controlado por la VGS.
Por ejemplo si se ve la hoja de datos del JFET de canal n 2N3819 se verá
que VDSmáx=25V, si se pasa de este valor posiblemente se dañe el JFET, también
se ve que IDSS esta entre 2mA y 20mA esto varía porque los JFET así sean de la
misma familia presentan este tipo de variaciones, por ejemplo puede que un 2N3819
tenga una IDSS=5mA y en otro 2N3819 sea IDSS=14mA; para la tensión de corte
es decir la VGSoff la hoja de datos dice que será como máximo -8V; en la hoja de
datos también aparece un dato al que se le llama corriente compuerta fuente
inversa IGSS que para este caso tiene un valor de 2nA, esta vendría a ser la
corriente por la compuerta, pero como se ve es una cantidad muy pequeña, por
ejemplo esta se a medido para una VGS=-15V según la hoja de datos, como se ve
para una tensión de VGS=-15V se tiene IG=2nA, es de suponer que para una VGS=-
5V la corriente IG será mucho menor por eso se puede considerar que IG=0, con
este dato se puede calcular la impedancia de entrada de este JFET sería así:
Rent=Zent=|(VGS)/(ID)|
Zent=|(-15V)/(2nA)|
Zent=7500MΩ
La siguiente es la representación simbólica de los JFET
El circuito de polarización visto anteriormente ahora con los símbolos quedaría así:

El JFET, Pruebas con el transistor jfet

Una forma de familiarizarse con el JFET es haciendo pruebas, medidas en el JFET,
un inicio puede ser por ejemplo mantener la tensión compuerta fuente VGS=0, luego
variar la tensión drenaje fuente VDS y ver como varía la corriente de drenaje ID, lo
que si hay que tener en cuenta y ver en la hoja de datos es cuál es el valor de la
VDSmáx que se le puede aplicar al JFET que se esté utilizando para no dañar el
transistor. El circuito que se puede utilizar es el siguiente:

Como se puede ver en el circuito propuesto la tensión VGS=0, la tensión VDS será
variable del que se pueden ver sus valores con la ayuda del voltímetro, ese voltaje
variable lo proporcionará la fuente de alimentación VDD, la corriente ID a través del
drenaje se mide con el amperímetro, en un inicio la VDS será la mínima que
proporcione VDD por ejemplo VDS1, para esta tensión se tendrá un valor de ID1,
luego se aumenta la tensión poco a poco por ejemplo a VDS2 al cual le
corresponderá un valor de corriente de ID2, se verá que en un principio estos
cambios son en forma lineal, es decir si VDS aumenta entonces ID aumenta en
forma proporcional, esto es se cumple la ley de Ohm, en este caso se dice que el
JFET se encuentra polarizado en la región ohmica; si se sigue aumentando VDS se
verá que llega un momento en que la corriente ID ya no aumenta en forma lineal, si
no que tiende a no cambiar o cambia muy poco por mas que se aumente el valor de
VDS, en ese momento se dice que el JFET se ha saturado, esa corriente que se
mida es la máxima cantidad de corriente que podrá conducir el JFET, a esa corriente
se la llama corriente drenaje fuente de saturación IDSS, y a la tensión VDS a partir
de la cual se ve que la corriente de drenaje ya no cambia, es decir ID=IDSS se la
conoce como tensión de estrangulamiento y se simboliza como Vp, mayormente los
valores obtenidos en forma experimental no coinciden de un dispositivo a otro aun
sean de la misma familia, esto es normal, pero los valores obtenidos se encontrarán
dentro del rango que se especifica en la hoja de datos del JFET utilizado.
Después de realizar esas medidas y llevarla a un gráfico de ID vs VDS se
obtendrá algo como se muestra a continuación:

Se ha visto la forma en que se puede conocer la máxima corriente IDSS que

llega conducir un JFET, esa corriente obtenida ya no se puede variar una vez que
se alcanzó la tensión de estrangulamiento Vp, si se aumenta VDS la corriente ya no
aumentará; ahora si se deja VDS en un valor mayor que Vp pero sin pasarse de la
VDSmáx que indica la hoja de datos, se puede variar la corriente de drenaje desde
el máximo que es ID=IDSS hasta un mínimo que será ID=0, esto se logrará variando
la VGS; para ver esto en la práctica se colocará una fuente negativa variable entre
la compuerta y la fuente, habrá que ver nuevamente la hoja de datos para no
pasarse en cuanto al valor de la VGS, el circuito que se usará es el siguiente:

La tensión VGG procederá de una fuente de continua negativa, que se puede

fabricar por ejemplo con el LM337T, es necesario que la fuente sea negativa porque
se trata de un JFET de canal n, ya se ha comentado que la forma de polarizar la
compuerta es con una tensión negativa; también se puede usar una fuente de
alimentación VGG variable positiva, lo único que hay que hacer es conectar el
polo positivo de VGG al común que será el negativo de VDD, y el polo negativo de
VGG a la compuerta, no se provocará cortocircuito porque la impedancia de entrada
del JFET será la carga de la fuente VGG, este tipo de conexiones de fuentes se ve
cuando se estudia las leyes de Kirchoff.
En la malla de la entrada, cuando VGS=0 la corriente del drenador será ID=IDSS,
si la VGS se hace poco a poco negativa la ID empezará a disminuir, por ejemplo
para un valor VGS=-VGS1 la corriente será ID=ID1, entonces la corriente de
saturación cuando VGS=-VGS1 será ID1, si se sigue haciendo más negativa la VGS
por ejemplo hasta VGS=-VGS2 la corriente disminuirá hasta ID=ID2, entonces
cuando VGS=-VGS2 la corriente de saturación será ID2, se irá viendo que al hacer
cada vez más negativa la VGS se provoca que la corriente de drenaje fuente con la
cual el JFET se sature es cada vez menor, llegará un momento en que ID=0, esa
VGS para cuyo valor ID=0, se le conoce como tensión compuerta fuente de corte y
se le representa como VGScorte o VGSoff, el cual es un valor negativo y cuyo valor
absoluto es igual a la Vp, es decir |VGSoff|=Vp; en este caso la variación de la ID
vs VGS no es lineal, una vez obtenidas una cantidad de medidas y sus coordenadas
se unan en un gráfico se verá que el gráfico obtenido corresponde a una parábola,
de allí que se diga que el JFET es un dispositivo que obedece a una ley cuadrática;
se ve que variando la VGS se logra variar la ID, en otras palabras se
está controlando la cantidad de corriente que circula por el drenador ID
mediante la VGS; eso es lo que hace un JFET.
Hay que darse cuenta que el cambio en la corriente ID con respecto a la VGS es
propia del dispositivo, no importa en qué circuito este el JFET, siempre que le llegue
una tensión VGSx, a esa tensión le va corresponder una corriente IDx. la corriente
del drenaje solo depende de la tensión compuerta fuente, siempre y cuando la VDS
sea mayor a Vp.
En la siguiente figura se observa la gráfica que se obtiene en la entrada y a su vez
como afecta esta al gráfico de salida cuando se varía la VGS, manteniendo
VDS>>Vp; la parte de la gráfica de salida que corresponde a las representaciones
de cómo va variando la corriente de saturación del JFET, se le llama la zona activa
y es en este lugar que se debe polarizar el JFET cuando se le quiere usar como
amplificador.

Se obtiene la gráfica de transferencia para el JFET 2N3819, los resultados

obtenidos se representan en la siguiente figura:
Estas mismas gráficas también se pueden obtener si se deja a un valor fijo la VGS,
siempre y cuando este entre la VGSoff y VGS=0, luego se puede variar la VDS
desde cero hasta un valor que no se pase de VDSmáx, mientras se va aumentando
el valor de VDS desde 0, se verá por ejemplo que si se deja VGS=-1V, llegará un
momento en que la ID se hace constante o tiende a ser constante, y esa corriente
en este caso es ID=4,7mA, lo mismo para los demás valores de VGS.
Curva de transferencia del JFET.
La curva que resulta de al unir los puntos que se obtienen al realizar las medidas en
la malla de entrada del circuito visto en el tema anterior, se conoce como curva de
transferencia o de transconductancia, esto porque se transfiere corriente ID por el
drenador del JFET en este caso uno de canal n, al variar la VGS, en otras palabras
sería algo así, la corriente que se circule por el drenador va a depender de la tensión
que esté presente entre la compuerta y la fuente; como se ve es una curva
parabólica y esa curva obedece en forma aproximada a una ecuación
cuadrática, se dice aproximada porque en los circuitos con JFET reales los valores
obtenidos con la ecuación muchas veces se alejan del valor medido, esta ecuación
es conocida como ecuación de Shockley.
Para cualquier circuito que se realice con un JFET será necesario tener a mano la
curva de transferencia, algunas hojas de datos traen la curva de transferencia, pero
es más útil si la obtiene uno mismo y esta se consigue con la ayuda de esa
ecuación. En la figura se ve la ecuación de Schockey, con la cual se puede calcular
la ID si se conoce el valor de VGS, o también se puede calcular VGS si se conoce el
valor de ID, el valor de IDSS y el de VGScorte serán valores conocidos ya que se
encuentran en la hoja de datos del JFET que se esté utilizando.
Ejercicio 1:
En este ejercicio estudiaremos los requerimientos de polarización de un FET Canal-
N.
El circuito a utilizar es el de la Fig. 4.

Mediremos la corriente de drenaje y la fuente de tensión de puerta según un

número de fuentes de tensión de drenaje y graficaremos las características de
drenaje del FET. Monte el circuito como se lo demuestra en el Diagrama de
Conexiones de este ejercicio.

Asegúrese de haber montado el circuito como se lo demuestra en el Diagrama de

Conexiones y de que coincida con el circuito de la siguiente figura:
 Fig. 5 Circuito de Prueba de un JFET Canal-N Típico

• Configure el potenciómetro en sentido anti horario y la tensión variable en

dc en cero. Alimente la fuente.
• Ingrese el valor de VDS en el primer valor de la tabla y luego lea el valor de
ID según cada valor de VGS.
• Repita este procedimiento para todos los valores de VDS en la tabla,
ingresando los valores correspondientes de ID.
Bibliografía:

https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-mosfet/
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria
/tema-7-teoria.pdf