Transistor en HF

ELECTRÓNICA II
Bibliografía:
 Dispositivos y Circuitos Electrónicos.
Millman y Halkias.
 Fundamentals of RF Circuit Design.
Everard Jeremy.
 Datasheets
 Transistor en Alta Frecuencia

En bajas frecuencias suponemos respuestas

INSTANTANEAS,
lo cual es físicamente erróneo, debido al proceso
de transporte de
portadores de carga desde el E al C llamado
DIFUSION
que demanda un tiempo
 Transistor bipolar

C(++)

Q1
B(+)

Qbreak NPN

E(-)
 Modelo de Transistor
C(++)

D1
Pol. Inversa

B(+)

D2
Pol. Directa

E(-)
 Modelo de "T" en baja frecuencia
i_e i_c
E C

R1 I1 R2

Vb'e
r'e o ie r'c
Vcb'

V1 Vcb
µ Vcb'

B'
Vbe

R3
r_bb'
B
Modelo “T” - Valores Típicos

µ = 5 x 10-4
α = 0.98
rbb’ = 100 ohms
r’c = 40 ohms
r’e = 2 Mohms
 Podemos tener en cuenta el
fenómeno de difusión si:

1. Incorporamos Ce
2. Incorporamos Cc
3. Generador proporcional a i1 - corriente
que circula por r’e
 Modelo de "T" en HF
i_e i_c
E C

i_1 R4 C1 I2 R5 C2

Vb'e
r'e Ce
 ie 0
r'c Cc
Vcb'

V2 Vcb
µ Vcb'

B'
Vbe

R6
r_bb'
B
 
f 
2
ic

ie
1
ie  i1 r 'e
 1 
  j  Ce 
 r 'e 
ie 1
 i1
r 'e  1 
  j  Ce 
 r 'e 
ie
 i1
1  j  Ce r 'e 
 1
Hacemos  
Ce r 'e
ie
Entonces  i1

1 j

 0 i1  ie  suponiendo   f ( )
 i  0 ie
 0 1
ie   
1  j  ie
  
0

  
1  j 
  
 ic

ie
0

  
1  j 
  
0
Si      
2
Con   45º
 Modelo  híbrido (Giacolleto)

 Análisis simple
 Resultados que concuerdan con los
experimentales
 Componentes se obtienen de los
parámetros “h” de LF
 Se supone que los parámetros R y C son
independientes de la frecuencia
 Modelo  configuración EC
i_b i_c
Cc

B B' C

r_bb' rb'c

rce gm Vb'e

rb'e Ce

E E E
 Transconductancia gm

Al variar Vb’e aumentan los portadores

minoritarios en la base,
inyectados desde el emisor
y con ello la corriente de colector de
manera proporcional
(si está la unión CE en c.c.)
 Efecto Early rb’c

Pone de manifiesto como la variación de

tensión en la unión CB provoca una
modulación de la anchura de base.
Cambio de corriente de emisor
Cambio de corriente de colector
Realimentación
 Modelo “” –
Valores Típicos

gm = 50 mA / V
i_b Cc i_c
B
r_bb'
B'
rb'c
C rbb’ = 100 ohms
rce gm Vb'e rb’c = 4 Mohms
E
rb'e Ce
E E
rb’e = 1 Kohms
rce = 80 Kohms
Cc = 3 pF
Ce = 100 pF
MOSFET – Modelo equivalente
MOSFET – Frecuencia de transición

𝑔𝑚
𝑓𝑇 = 2𝜋𝐶 [Hz]
∥

𝐶∥ = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑

(𝐶𝑔𝑑 ≪ 𝐶𝑔𝑠 )
MOSFET – Parámetros de admitancia “y”
MOSFET de doble compuerta
MOSFET de doble compuerta
transadmitancia
MOSFET de doble compuerta
circuito típico
MOSFET de doble compuerta
I vs V (V =4V)
D G1S G2S
MOSFET de doble compuerta
I vs V (V =4V)
D DS G2S
MGF1801B Parámetros S
MGF1801B Parámetros S
MGF1801B