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campo
Objetivos
Identificar los terminales de un FET.
Probar el estado de un FET
Mostrar y medir el efector del voltaje de drenaje con polarización cero
en la compuerta y determinar el voltaje de estrangulamiento para
producir una corriente de drenaje constante.
Medir el calor del voltaje de polarización inversa compuerta-fuente
requerido para producir estrangulamiento para un valor dado de voltaje
de fuente a drenador.
Implementar un circuito básico de polarización con FET
Medir los calores DC en un circuito básico con FET.
Introducción
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.
Símbolos gráficos para un FET
Canal N Canal P
La interpretación de la característica de salida
La tensión VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando en forma no
se sobrepase la tensión de arranque V (= 0,6V, Si). Al sobrepasar 0,6 V el diodo conduce y se
destruye, porque está fabricado para baja corriente directa. En síntesis, es una barra de Si,
con impurezas controladas, N si el canal es N, e impurezas P para el de canal P, que tiene
cierta resistencia
Preparación
Equipos y Materiales
Osciloscopio
Generador de Funciones
Multimetro digital
Fuente doble de DC
Protoboard
Pelacables
Resistencia de 1M Ohm 1/2 W
Resistencia de 47 Ohm 1/2 W
FET de canal N. 2N5433 ó k104 ó NTE 312
Resistencia de 100 Ohm 16 W
PRIMERA PARTE:
RECONOCIMIENTO FÍSICO
- El transitor JFET
Símbolo:
El símbolo de JFET es el mostrado; en él identifique y nombre sus terminales:
Forma Física:
A continuación se muestran las diversas formas físicas que presentan los JFETs; con la ayuda
del manual ECG identifique sus terminales y anótelos en cada uno de ellos así como su tipo
de encapsulado
Vp = 3.98 Vdc
Observaciones
• Tener consideración en tocar la jfet pues es sensible a la energía
estática.
• Tener en cuenta en que zona se piensa trabajar, puesto es sensible a
pequeños cambios de corriente.
• Tomar consideraciones al medir valores en la zona ohmnica.
Conclusiones
• Los transistores JFET son usados para implementar osciladores y
amplificadores debido a sus características
• Los transistores JFET tienen 3 zonas.
• Los voltajes pico y la corriente dss son datos dados por el fabricante.
Aplicación de lo aprendido
1. ¿Cuál de los siguientes transistores se puede clasificar como
dispositivo unipolar?
o a) Un transistor de unión NPN
o b) Un transistor de unión PNP
o (respuesta)c) Un transistor de efecto de campo de unión
o d) Todos los anteriores.
2. ¿De cual de los siguientes transistores se puede esperar que tenga
elevada impedancia de entrada a bajas frecuencias?
o a) Un transistor bipolar NPN
o b) Un transistor bipolar PNP
o (respuesta)c) Un transistor de efecto de campo
o d) Ninguno de los anteriores.
3. Un JFET en conducción presenta una caída de voltaje a lo largo de
su canal que hace que se forme una región de agotamiento, este
efecto produce.
o a) Una característica de corriente constante de drenador
o b) Ruptura de compuerta
o c) Corriente de drenador no controlada
o (respuesta)d) Excesiva corriente de compuerta
4. Los JFET presentan una alta impedancia de entrada debido a que:
o a) Los terminales de compuerta – fuente están polarizados
directamente.
o b) Los terminales de compuerta – fuente están polarizados
inversamente.
o c) El canal esta polarizado directamente.
o (respuesta)d) El canal esta polarizado inversamente.
5. Si se aplica el voltaje Vp de estrangulamiento a la unión de
compuerta – fuente , se puede esperar que la corriente de drenaje sea:
o a) Excesiva.
o b) Moderada.
o c) Baja.
o (respuesta)d) Cero.
6. ¿Cuál de los siguientes enunciados no puede usarse para describir
los JFETS?
o a) Normalmente son dispositivos encendidos.
o (respuesta)b) Sólo hay una polaridad de portadores mayoritarios de
corriente en movimiento.
o c) El voltaje de compuerta controla la corriente de drenador.
o d) Tienen baja impedancia de entrada.
7. Las fuentes de corriente constante se caracterizan por:
o a) Impedancia muy baja.
o b) Impedancia moderada.
o (respuesta)c) Impedancia muy alta
o d) Ninguna de las anteriores.
8. Los JFETs presentan una característica de corriente constante igual
a Idss condicionado a que:
o a) Vds sea mayor que Vp.
o b) Vgs sea igual a cero.
o c) Tanto a) como b)
o (respuesta)d) Ni a) ni b)
9. Como una fuente de corriente constante la caída de voltaje a través
del JFET debe:
o (respuesta)a) Variar directamente con los cambios en la impedancia de
carga
o b) Variar inversamente con los cambios en la impedancia de carga.
o c) Permanecer igual.
o d) Ninguno de los anteriores.
10. Para que fluya corriente constante a través de una carga y esta
disminuya, el voltaje de carga debe:
o (respuesta)a) Disminuir.
o b) Aumentar.
o c) Mantenerse constante
o d) Ninguno de los anteriores.
Webgrafía:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/8619/NSC/LM317.html
http://unicrom.com/fet-mosfet-ventajas-desventajas-caracteristicas/
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/pruebas-con-el-jfet/
https://www.centralsemi.com/get_document.php?cmp=1&mergetype=pd&mergepath=pd&pdf_i
d=2n4391-4393.PDF
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/S/T/P/2/STP25NM60N.shtml