Está en la página 1de 10

MODELO DE DRUDE

• Thomson descubrió el electrón en 1897


Fı́sica Cuántica
• Tres años más tarde Drude propuso su modelo teórico para la
Sólidos III. Electrones en sólidos. conducion térmica y eléctrica en metales.
• Un metal se aproxima por un gas de electrones encerrados en el
interior del volumen macroscópico del metal.
• Debe existir otro tipo de partı́culas cargadas positivamente y que
Drude supuso inmóviles.
• Se puede aplicar a este ”gas” la teorı́a de los gases.

José Manuel López y Luis Enrique González • Entre dos choques consecutivos los electrones se mueven sin in-
Universidad de Valladolid. fluencia de los otros electrones y las partı́culas positivas inmóviles.
La aproximación de suponer que los electrones se mueven sin in-
fluencias de los otros electrones se conoce como la aproximación
de electrones independientes, la suposición de la no influencia
de los ”iones” se conoce como la aproximación de electrones
libres

Conductividad eléctrica de un metal

El modelo de Drude permite explicar la ley de Ohm y se puede estimar,


• Las colisiones, en el modelo de Drude, son eventos instantáneos dentro del modelo, la resistencia de un conductor,
que alteran la velocidad del electrón de forma abrupta. 1 ne2τ
=σ=
• La probabilidad de que un electrón sufra una colisión por unidad ρ m
de tiempo es 1/τ donde τ se conoce como tiempo de relajación, siendo n la densidad de electrones. A partir de esta relación se puede
tiempo de colisión o tiempo libre medio. obtener el tiempo de relajación τ , puesto que la resistividad es una
magnitud medible experimentalmente. A temperatura ambiente re-
• En el modelo de Drude el tiempo de colisión se supone indepen- sulta ser del orden de 10−15 − 10−14 s. Vease Tabla 1.3
diente de la la velocidad o posición del electrón.
En tiempos de Drude es totalmente natural estimar la velocidad a
• Durante el tiempo τ los electrones recorren una distancia l =
partir del principio clásico de equipartición de la energı́a, lo que nos
voτ , llamada recorrido libre medio. vo es la velocidad electrónica
lleva a una velocidad vo de 107 cm/sg y a un camino libre medio de
promedio.
1-10 Å(del orden de la distancia interatómica).
• Los electrones adquieren el equilibrio térmico solamente por medio
de colisiones. Sin embargo, medidas experimentales realizadas sobre materiales cuida-
dosamente preparados se pueden conseguir caminos libres medios del
orden de centimetros, lo que significa que los electrones no ”rebotan”
en los iones como supone Drude.
Conductividad térmica de un metal

El mayor exito del modelo de Drude fue la explicación de la ley empir-


ica de Wiedemann y Franz (1853), que establece que la razón entre
la conductividad térmica y eléctrica de un metal es directamente pro-
porcional a la temperatura con una constante de proporcionalidad
universal. Vease Tabla 1.6

A partir del modelo de Drude se obtiene:


1 2
κ= v cv τ
3 o
siendo cv el calor especı́fico electrónico.
Aplicando la estadı́stica clásica ( 1 2 3 3
2 mvo = 2 kB T , cv = 2 nkB ) se obtiene
µ ¶
κ 3 kB 2
=
σT 2 e
en total acuerdo con la citada ley.

El valor de la constante es de 1.11 × 10−8 watios ohm/K2, que es del


orden de la mitad de los valores experimentales.

MODELO DE SOMMERFELD

Drude utilizó la estadistica de Maxwell-Boltzmann (la única conocida


en la época) para determinar las propiedades electricas y térmicas
del gas de electrones. Esta estadistica predice una contribución de
3 k por electrón al calor especifico que está en total desacuerdo con
2 B
los resultados experimentales (100 veces menos). Este hecho fue
inexplicable durante un cuarto de siglo, hasta que Pauli propuso el
principio de exclusión para electrones en átomos. Sommerfeld intuyó
que este principio deberı́a aplicarse a los electrones del gas, es decir,
que la estadı́stica que debia usarse era la de Fermi-Dirac.

Empezaremos examinando el estado fundamental de un gas de elec-


Casualmente, Drude se equivocó en la deducción de la conductividad trones, que es el que corresponderı́a a una temperatura T=0 K, y
eléctrica encontrando la mitad del resultado correcto, con lo cual el veremos que a temperatura ambiente este gas de electrones no di-
valor de κ/σT obtenido era el doble, es decir 2.22 × 10−8 watios- fiere apreciablemente del gas a T=0 K.
ohm/K2, en acuerdo excelente con el experimento.
El estado fundamental de un gas de electrones Condiciones de contorno
• Sólido infinito ⇒ V −→ ∞, esta no es la situación más real.
Consideremos N electrones (≡ 1023) encerrados en un volumen V. • Sólido finito muy grande (comparado con el tamaño atómico), la
solución para el interior del mismo no ”verá” las paredes
• Electrones libres

• Electrones sin interacción Ψ(x, y, z + L) = Ψ(x, y, z) 

• Calculamos los niveles posibles y colocamos los electrones de Ψ(x, y + L, z) = Ψ(x, y, z) condiciones de Born-von-Karman

Ψ(x + L, y, z) = Ψ(x, y, z) 
acuerdo con el principio de exclusión de Pauli.
• Consideremos un cubo de lado L
En nuestro caso en concreto

ei(kxx+ky y+kz z) = ei(kxx+ky y+kz (z+L)) 


Ecuación de Schrodinger:
ei(kxx+ky y+kz z) = ei(kxx+ky (y+L)+kz z) ⇒ eikxL = eiky L = eikz L = 1

h̄2 ei(kxx+ky y+kz z) = ei(kx(x+L)+ky y+kz z)


− ∇2Ψ = EΨ
2m
z complejo ⇒ ez = 1 ⇒ z = 2πni, siendo n un entero.
La solución es
1 ~ h̄2k2 kz L = 2πnz ky L = 2πny kxL = 2πnx nx, ny , nz = 0, ±1, ±2, ±3, .....
Ψ = √ eik~r E(k) =
V 2m
2π 2π 2π ~k = ( 2π nx, 2π ny , 2π nz )
kx = nx ky = ny kz = nz ⇒
L L L L L L
El factor √1 garantiza que la función de onda está normalizada.
V Cuantización

4 3 V 3V
kF
¿Cuantos puntos están contenidos en una región de volumen Ω del
El número total de vectores ~k permitidos será: ( πkF ) ( 3) = .
espacio-k? 3 8π 6π 2

Si la región es muy grande una muy buena aproximación es el volumen Dado que para cada valor de ~k permitido podemos colocar dos elec-
de la región dividido por el volumen por punto en el espacio-k. trones, para acomodar N electrones necesitaremos llegar hasta
Ω ΩV k3 V
= N =2 F2
( 2π
L)
3 (2π)3 6π
por tanto la densidad de puntos (número de puntos por unidad de Si tenemos N electrones en un volumen V (densidad electrónica n=N/V)
volumen) será: el estado fundamental de este gas de electrones se obtiene ocupando
V todos los niveles para k menor que kF y dejando desocupados todos
8π 3 los niveles de k mayor que kF , donde kF está dado por la condición
3
kF
Consideremos N electrones (≡ 1023), puesto que los electrones no in- n=
3π 2
teractuan entre ellos, podemos construir el estado fundamental colo-
• La esfera de radio kF se llama esfera de Fermi
cando estos electrones en los niveles más bajos de energı́a que queden
libres, es decir, el primero en ~k = 0 .... ası́ hasta completar una es- • La superficie de la esfera (superficie que separa los niveles ocu-
fera de radio kF que corresponde a la enegı́a del último electrón ²F : pados de los no ocupados a T=0) se llama superficie de Fermi
²F = h̄2kF2 /2m.
• Otras magnitudes de Fermi (momento, velocidad, ....)

²F se denomina nivel (o energı́a) de Fermi y kF vector de onda de


Fermi Todas estas cantidades pueden medirse experimentalmente.
X h̄2k 2
La energı́a del estado fundamental será la suma: E = 2 .
k<kF
2m
En el espacio-k el volumen por punto vale ∆~k = 8π 3/V por tanto es
útil escribir:
X V X ~
F (~k) = 3
F (k)∆~k .
~
8π ~
k k

En el lı́mite en que ∆~k → 0, es decir, cuando V → ∞, podemos


sustituir la suma por la integral
Z
1X ~ d~k
lim F (k) = F (~k)
V →∞ V
~
8π 3
k
Aplicando esto a nuestro caso:
Z 2 2 2 5
E
=
1
d~k h̄ k = 1 h̄ kF
V 4π 3 k<kF 2m π 2 10m
La energı́a por electrón será:
E 3 3
= ²F = kB TF
N 5 5
donde TF es la temperatura de Fermi.

Recordemos que la distribución de Fermi-Dirac nos daba la probabil-


idad de ocupación de un nivel ²
Propiedades térmicas del gas de electrones
1
f (²) =
Para que la distribución de Fermi-Dirac y el llenado de niveles a T = 0 e(²−µ)/kB T
+1
sean consistentes entre sı́ es necesario que el potencial quı́mico a esa La energı́a del gas de electrones a temperatura T será entonces la
temperatura sea igual a la energı́a de Fermi. suma de las energı́as de los niveles multiplicadas por su ocupación
media, que será dos veces (por el spin) la probabilidad dada por f :
lim µ = ²F
T →0 X h̄2k2
E= ²(~k)2f (²(~k)) con ²(~k) =
A T 6= 0 se tiene µ 6= ²F pero la diferencia es muy pequeña para casi 2m
~k
todas las temperaturas de interés (incluyendo temperatura ambiente).
Esta energı́a depende de µ, que a su vez está determinado por la
Esta diferencia, a pesar de ser pequeña, tiene importantes consecuen-
condición
cias, por ejemplo en el cálculo del calor especı́fico electrónico. X
N = 2f (²(~k))
~k
à !
∂E/V
El calor especı́fico por otra parte es cv = .
∂T V
Por tanto, para calcularlo primero hemos de obtener µ en función de
T y n = N/V , sustituir esto en la expresión anterior de la energı́a y
finalmente hacer la derivada respecto a T .
Las ecuaciones son (pasando al lı́mite V → ∞) Conductividades electrica y térmica

Z Z ∞ Z ∞


 d~k dk k2 Ha de usarse la estadı́stica de F-D en lugar de la de M-B en los

 E/V = ²(k)f (²(k)) = ²(k)f (²(k)) = d²g(²)²f (²)
 4π 3 0 π2 0 promedios. Esto implica que la “velocidad promedio” utilizada en el

 Z ∞ modelo de Drude debe ser la velocidad de Fermi vF lo cual afecta al



 N/V = d²g(²)f (²) recorrido libre medio, que queda aproximadamente multiplicado por
0
10, y que el calor especı́fico que aparece en la conductividad térmica
donde hemos hecho un cambio de variable de integración y definido
debe ser el recien obtenido. Haciendo las cuentas resulta que
la densidad de estados
s à !1/2 κ π 2 kB 2
m 2m² 3n ² = ( ) = 2.44 × 10−8watios-ohm/K2
g(²) = 2 2
= σT 3 e
h̄ π 2 h̄ 2 ²F ²F
en acuerdo excelente con el experimento.

Las integrales son complicadas dada la expresión de f (²). Su forma sin


ALGUNOS MISTERIOS DEL MODELO DE ELECTRONES
embargo difiere de la correspondiente a T = 0 en una zona alrededor
LIBRES
de ² = µ de anchura aproximada kB T . Por tanto la dependencia de
las integrales con la temperatura puede calcularse de manera aproxi-
¿Qué determina el número de electrones de conducción? ... Elemen-
mada desarrollando los integrandos en serie de Taylor entorno a ² = µ
tos polivalentes ...
(expansión de Sommerfeld) y quedandose solo con el primer término.
¿Cómo es posible que algunos sólidos evidencien experimentalmente
Cuando se lleva a cabo resulta en este caso concreto
(efecto Hall) conducción eléctrica por cargas positivas?
π2 2T ¿Por qué hay sólidos no metálicos? ... O dependiendo de la estructura
cv = g(²F )kB
3 (C) ...

ELECTRONES EN UN POTENCIAL PERIODICO. TEOREMA En cuanto a los vectores de onda ~k tambien es suficiente considerar
DE BLOCH Y BANDAS DE ENERGIA. que están en la primera zona de Brillouin. Si no lo estuviera podrı́amos
siempre encontrar un vector G ~ ∈ red recı́proca tal que ~k = ~k0 + G
~ con
El potencial que sienten los electrones en un sólido presenta todas las ~k0 en la primera zona de Brillouin. Dado que exp[iG ~ R]
~ = 1 para todos
simetrı́as de la red que define su estructura. La más importante de
los vectores de las redes real y recı́proca se ve que si la forma de
todas es la traslacional, que implica que el potencial es periódico con
Bloch de la función de onda es válida para ~k tambien lo es para ~k0.
la periodicidad de la red.
V (~ ~ = V (~
r + R) r) ~ ∈ red real
∀R Para cada valor de ~k la función de onda ψ se obtiene resolviendo
Esto tiene importantes implicaciones en las funciones de onda y au- la ecuación de Schrödinger, que se traduce en una ecuación para la
tovalores electrónicos en un sólido. En primer lugar enunciamos el función de Bloch u, que habrá que resolver en una celda unidad y con
Teorema de Bloch: condiciones de contorno periódicas u(~ ~ = u(~
r + R) r). Esta ecuación
Las funciones de onda de un electrón en un sólido pueden escribirse tendrá una serie de autovalores ²n~k y n simplemente nos los indexa.
de la forma
~
r) = eik~r un~k (~
ψn~k (~ r) En la ecuación para u el vector ~k aparece como un parámetro y por
tanto las funciones de onda y los autovalores variarán con ~k de manera
siendo un~k (~
r) una función que presenta la periodicidad de la red
continua, lo cual suele expresarse escribiendo los autovalores como
un~k (~ ~
r + R) = un~k (~
r) ²n(~k). Además ésta función debe ser periódica con la periodicidad de
Alternativamente, ψn~k (~ ~ = ei~kR
r + R)
~
ψn~k (~
r) la red recı́proca, ²n(~k + G)
~ = ²n(~k). Continua + periodica ⇒ acotada,
Se trata por tanto de ondas planas, cuya amplitud está modulada por es decir hay un valor máximo y uno mı́nimo ⇒ cada n define una
una función con la periodicidad de la red ⇒ es suficiente estudiarla banda de energı́a. El conjunto de todas las bandas de energı́a nos da
en una celda unidad. la estructura de bandas del sólido.
Imponiendo condiciones de Born-von-Karman a un sólido formado por
N = N1N2N3 celdas primitivas, siendo Ni el número de celdas en la
dirección del vector ~ai, es facil demostrar que el número de vectores ~k
permitidos es precisamente N , es decir, el número de celdas primitivas
del cristal, y que la densidad de puntos en el espacio recı́proco es
V /8π 3 exactamente igual que en el caso de los electrones libres.

Estado fundamental

Se obtiene llenando las bandas de energı́a con los electrones disponibles


(2 por nivel) en orden creciente de energı́as.

Como resultado podemos encontrar los siguientes casos:


• Existe una última banda llena y una primera banda vacı́a separadas
por un intervalo de energı́as (gap). Si el gap es grande comparado
con la energı́a térmica (kB T ) el sistema es un aislante. Si el gap es
comparable con la energı́a térmica el sistema es un semiconductor.
• La última banda ocupada no está completamente llena, o bien
existe un solapamiento grande entre la “última llena” y la “primera
vacı́a”. El sistema es un metal.
• Existe un solapamiento muy pequeño entre la ultima banda llena
y la primera vacı́a. En este caso el sistema es un semimetal.

Origen de las bandas de energı́a

En un átomo tenı́amos niveles energéticos atómicos (1s, 2s, 2p, etc).

Al juntar 2 átomos para formar una molécula diatómica los niveles


electrónicos que a separación infinita coincidı́an con los atómicos,
pero degenerados, se separaban en 2 niveles distintos al disminuir
la distancia, debido fundamentalmente al solapamiento entre los or-
bitales correspondientes.

Al considerar el butadieno, los orbitales pz de los 4 átomos de C, que


a separación infinita tendrı́an la misma energı́a, se desdoblaban en 4
niveles moleculares.

En un sólido, los niveles atómicos que corresponden a una separación


infinita entre los N átomos se desdoblan en N niveles, dando lugar a
las bandas de energı́a. Ası́ en principio podremos asignar una banda
al nivel atómico 1s, otra banda al 2s, etc.
La anchura de la banda dependerá de la distancia de equilibrio de la
red (separación entre los átomos) y será mayor para los niveles altos Conducción electrica, movimiento semiclásico, masa efectiva
en energı́a que para los más bajos, debido a que el solapamiento de
los orbitales correspondientes será mayor.
Si consideramos un electrón descrito por un paquete de ondas cen-
De hecho es posible que la anchura de la banda sea tan grande que trado en un vector ~k de la primera zona de Brillouin y con dispersión
solape con la banda anterior y en lugar de tener una banda s y una ∆~k pequeña comparada con el tamaño de la propia primera zona de
banda p tengamos que hablar de una banda sp. Brillouin, resulta que podemos definir la velocidad de dicho electron
como la velocidad de grupo asociada al paquete de ondas:
1 ∂²n(~k)
~v =
h̄ ∂~k

Esta serı́a la velocidad que en la teorı́a de Bloch debe asociarse a


cada electrón a la hora de calcular la corriente eléctrica. Se puede
demostrar que sumando la contribución de todos los electrones de
una banda n que se encuentre completamente ocupada, el resultado
para la corriente es nulo. En otras palabras, los electrones que están
en bandas llenas son “inertes”. Esto permite determinar el número de
portadores: son aquellos que estan en bandas parcialmente ocupadas.

Si un sólido tiene todas las bandas llenas o vacı́as entonces no con- Juntando ambas expresiones obtenemos la ecuación semiclásica del
ducirá la electricidad. Teniendo en cuenta que el número de niveles movimiento del electrón:
por cada banda es 2 veces el número de celdas primitivas del cristal, d~k ~
h̄ =F
está claro que si el número de electrones por celda primitiva es impar dt
necesariamente ha de haber bandas ocupadas sólo parcialmente y el De manera similar, si derivamos respecto del tiempo la ecuación que
sistema será conductor. Por tanto, condición necesaria para que un define la velocidad de grupo y aplicamos la ecuación semiclásica del
sistema no sea conductor es tener un número de electrones par por movimiento obtenemos:
celda primitiva (No es condición suficiente porque el solapamiento de d~v 1d 1 d~k 1
= ∇~k ²(~k) = ∇~2²(~k) = 2 ∇~2²(~k)F
~
bandas puede producir bandas parcialmente ocupadas ...) dt h̄ dt h̄ k dt h̄ k
que tiene la forma “fuerza = masa aceleracion” si identificamos
Supongamos un electrón sometido a una fuerza externa. El trabajo 1 1
= 2 ∇~2²(~k)
realizado por la fuerza durante un intervalo de tiempo δt será m ∗ h̄ k

A esta masa m se la denomina masa efectiva electrónica, y depende
~ ~
~ δ~
δ² = F ~ ~v δt = F ∂²(k) δt
r=F
h̄ ∂~k de la banda que se esté considerando y tambien de ~k en general. Para
Por otra parte electrones libres la masa efectiva es igual a la masa del electron pero
para electrones en una red periódica m∗ puede tomar cualquier valor,
∂²(~k) ~
δ² = δk incluso negativo, lo cual ocurre habitualmente en la zona superior de
∂~k
las bandas.
Huecos

Consideremos una banda que tiene ocupados todos sus estados ex- La situación se puede describir más facilmente diciendo simplemente
cepto uno, asociado un vector de onda ~ke. Si la banda estuviera que tenemos un hueco en la banda, al cual asignamos un vector
completamente llena el valor que podrı́a asignarse a toda la banda de onda ~kh = −~ke y que se mueve según la ecuación semiclásica
serı́a cero. Por tanto con todos los estados ocupados excepto ~ke h̄d~kh/dt = −F~e, siendo F~e la fuerza que actuarı́a sobre un electrón.
podemos asignar a la banda un vector de onda −~ke. Pero esta fuerza es la misma que sufrirı́a una partı́cula identica a un
electron pero con carga positiva. Por tanto si asociamos al hueco
Supongamos que aplicamos un campo eléctrico externo. Todos los
una carga contraria en signo a la del electron podremos escribir su
electrones de la banda se moverán según su ecuación semiclásica
ecuación semiclásica del movimiento como h̄d~kh/dt = F ~h, siendo F~h
del movimiento. Por ejemplo, si la fuerza correspondiente es hacia
la fuerza que sufre el hueco.
la izquierda, el electron que ocupa el estado inmediatamente a la
derecha de ~ke pasará a ocupar éste y ası́ sucesivamente, mientras que
los electrones que ocupaban estados inicialmente a la izquierda de Utilizando argumentos análogos se puede asignar al hueco una en-
~ke igualmente se moverán hacia la izquierda, dejando libre el estado ergı́a, medida desde el tope de la banda, ²h(~kh) = −²e(~ke) y una masa
inmediatamente a la izquierda de ~ke. Es como si el estado desocupado efectiva m∗h = −m∗e . Recordando que la m∗e cerca del tope de la banda
se hubiera desplazado hacia la izquierda como consecuencia de la suele ser negativa resulta que la correspondiente masa del hueco cerca
fuerza aplicada. Es importante notar que el vector de onda total que del tope de la banda será habitualmente positiva.
se puede asignar a la banda, que era inicicalmente −~ke se habrá por
tanto desplazado hacia la derecha.

Resumiendo un hueco es simplemente la ausencia de un electron en


una banda, pero todo puede describirse como si tuviera una entidad
fı́sica, con masa efectiva igual a la negativa de la del electron, carga Al aumentar la temperatura evidentemente aumentará el número de
igual a la del electron pero de signo positivo, vector de onda contrario electrones y de huecos y por tanto la densidad de portadores y con-
al del electron que falta y energı́a que crece hacia abajo de la banda. secuentemente aumentará la conductividad electrica del sistema.
Este dependencia de σ(T ) es justamente contraria a la que se tiene en
Evidentemente los huecos contribuyen a la corriente electrica (son un metal, en el cual la densidad de portadores es constante, pero al
equivalentes a una banda que no está totalmente llena) y de hecho aumentar T las vibraciones de la red aumentan (se crean más fonones)
su contribución es muy importante no solo en semiconductores sino
con lo cual los choques aumentan y τ disminuye, disminuyendo por
tambien en algunos metales.
tanto σ al aumentar T .
Semiconductores intrinsecos y extrinsecos
Este tipo de semiconductores, con concentraciones iguales de elec-
Hemos comentado que un semiconductor es un sólido en el que ex- trones y huecos se llaman semiconductores intrı́nsecos. Tambien se
iste un gap de energı́as entre la última banda ocupada (de valencia) y pueden construir semiconductores extrı́nsecos en los cuales la con-
la primera desocupada (de conducción) que no es muy grande com- centracion de uno de los dos tipos de portadores es mayor que la de
parado con la energı́a térmica kB T . Esto implica que la agitación otro, dando lugar a semiconductores de tipo n (más electrones) o de
térmica puede excitar algunos electrones que pasan de la banda de tipo p (más huecos). Estos se pueden construir añadiendo impurezas
valencia a la de conducción. Interpretandolo de otra manera, la ag- (envenenando, en ingles doping, en espanglish dopando) al sistema.
itación térmica crea huecos en la banda de valencia y electrones en
la de conducción (en un número igual).
La union pn (diodo)
Juntemos un semiconductor tipo p que tiene una alta concentración
Para el silicio (valencia 4) podemos por ejemplo añadir impurezas de de huecos (p) con un semiconductor tipo n con alta concentración de
arsénico (valencia 5) que crean niveles (o bandas muy estrechas) muy electrones (n).
cerca del fondo de la banda de conducción que albergan los electrones
extra debidos a la mayor valencia del arsénico. Estos niveles están tan Contacto ⇒ difusión de huecos hacia el lado n y de electrones hacia
cerca de la banda de conducción que la energı́a térmica básicamente el lado p.
los vacı́a completamente y los electrones pasan a la banda de con-
ducción ⇒ semiconductor extrı́nseco de tipo n. Efectos:

Si en cambio añadimos impurezas de boro (valencia 3) lo que ocurre • En la zona cerca del contacto se recombinan electrones y huecos
es que se crean niveles (bandas muy estrechas) vacı́os muy cerca de la formando una región vacı́a de portadores.
banda valencia del silicio, con lo cual la agitación térmica básicamente
los llena todos, dejando los correspondientes huecos en la banda de
valencia ⇒ semicondutor extrı́nseco de tipo p. • El lado p queda cargado negativamente y el lado n queda car-
gado positivamente, creando una barrera de potencial y un campo
eléctrico de n a p que inhibe la difusión, hasta que se alcanza una
situación de equilibrio.

Fotodiodos, células fotovoltaicas


Corrientes en una unión pn

Consideraremos sólo las debidas a los huecos, el caso de los electrones


es completamente análogo.

• de recombinación. Si en la zona n se produce una recombinación


e-h entonces p disminuye y hace posible una difusión de huecos
desde p a n. Esta corriente Ir está dificultada por la barrera de
potencial.

Si en la zona vacı́a de portadores un fotón de la energı́a adecuada es • de generación térmica. En la zona n la excitación térmica puede
absorbido entonces puede crearse un par electrón-hueco, el electrón ~
crear pares e-h, y los huecos generados son empujados por E
es empujado hacia el lado n y el hueco hacia el lado p por el campo
hacia la zona p. Esta corriente Ig solo depende básicamente de
eléctrico existente en esa zona, dando lugar a una cierta corriente
la temperatura.
eléctrica desde n hacia p.

Este es el funcionamiento básico de los fotodiodos y las células foto-


En el equilibrio Ig + Ir = 0.
voltaicas.
Polarización directa Polarización inversa
Si conectamos una diferencia de potencial externa V con el polo
Si conectamos una diferencia de potencial externa V con el polo
positivo en el lado p ocurre lo siguiente:
positivo en el lado n ocurre lo contrario:

• Los huecos de la zona p son empujados hacia n y los electrones de


n hacia p, reduciendo de esta manera la zona vacı́a de portadores. • La zona vacı́a de portadores se hace mayor.

• La barrera de potencial disminuye. • La barrera de potencial aumenta.

¿Qué ocurre con las corrientes? ¿Qué ocurre con las corrientes?

• Ig no varı́a (depende sólo de T). Ig = Ig (V = 0)


• Ig no varı́a (depende sólo de T). Ig = Ig (V = 0)

• Ir aumenta ≈ en un factor relacionado con la comparación entre


la energı́a electrostática ganada debido al potencial externo (eV ) • Ir disminuye. Ir = Ir (V = 0)e−eV /kB T
y la energı́a térmica (kB T ). Ir = Ir (V = 0)eeV /kB T
Resultado neto: corriente de n a p, pero muy pequeña (practicamente
Resultado neto: corriente de p a n. sólo la de generación térmica).

Caracterı́stica V-I para un diodo

Tomando V como negativo si colocamos polarización inversa, y sumando


las corrientes debidas a los electrones el resultado final para la corri-
ente puede escribirse como
à !
eV
I = Is e kB T −1