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UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE-L
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA GENERAL CARRERA: ING. MECATRÓNICA
NOMBRE: ERIKA CENTENO NIVEL: QUINTO NRC: 1793
PATRICIO CHANCUSIG
DENNIS PUENTES
TEMA: DIODOS SEMICONDUCTORES FECHA: 24/05/2017

1. Tema:

Diodos semiconductores

2. Objetivo General:

Comprobar el funcionamiento de los diodos semiconductores

3. Objetivos Específicos:
 Identificar los terminales del diodo semiconductor
 Comprobar el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa.
 Visualizar el funcionamiento del diodo en diferentes configuraciones.
4. Marco Teórico:
4.1. Generalidades de diodos
Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en solo una dirección. La
unión pn es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores
y otros dispositivos.
Es un dispositivo semiconductor de 2 capas una tipo P (terminal ánodo) y una
tipo N (terminal cátodo). Idealmente se comporta como un interruptor, sus
principales aplicaciones son: Circuitos rectificadores y Circuitos de protección
de retorno de corriente. [1]

4.2. Explicación funcionamiento diodo


(Curvas)
Diodo sin polarización:

4.3. Circuitos equivalentes


(Ideal y 1ra aproximación)

Diodo:

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Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección. La unión
pn es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros
dispositivos. [ CITATION Flo08 \l 12298 ]

Polarización de un Diodo:

En general el término polarización se refiere al uso de un voltaje de cc para


establecer ciertas condiciones de operación para un dispositivo electrónico. En
relación con un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera
de estas condiciones de polarización se establece conectando un voltaje de cc
suficiente y con la polaridad apropiada a través de la unión pn. [ CITATION
Nas09 \l 3082 ]

Polarización en Directa:

Es la condición que permite la circulación de corriente a través de la unión pn. Para


que se produzca la polarización en directa el lado negativo del VPOLARIZACIÓN está
conectado a la región n del diodo y el lado positivo está conectado a la región p.
Además se debe tomar en cuenta que el VPOLARIZACIÓN debe ser más grande que el
potencial de barrera.[ CITATION Flo08 \l 12298 ]

Figura1.- Polarización Directa

Autor: Floyd Thomas.

Polarización en Inversa:

Es la condición que en esencia evita la circulación de corriente a través del diodo. El


lado positivo del VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n y el lado negativo está
conectado a la región p.[ CITATION Flo08 \l 12298 ]

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Figura2.- Polarización en Inversa.

Autor: Floyd Thomas.

5. Materiales Utilizados:

Tabla 1 Materiales Utilizasdos

MATERIALES CANTIDAD CARACTERÍSTICAS GRÁFICO


Resistencias de:
4.7KΩ,5.6KΩ,2 La resistencia eléctrica es la
5 oposición (dificultad) al
KΩ,1KΩ paso de la corriente
eléctrica.

Diodos 1N4007 Un diodo muy usado en


(Si) electrónica como
5 rectificador en fuentes de
alimentación y supresor de
picos en bobinas.

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Es un tablero con orificios
Protoboard 1 conectados eléctricamente
entre sí.

Multímetro de
Es un instrumento eléctrico
mano portátil para medir
1
directamente magnitudes
eléctricas activas

Fuente de
alimentación DC Tiene una regulación lineal
1 estable y se fabrica con las
últimas tecnologías.

Cables para la
fuente y el
Cables que permiten la
multímetro. 3
conexión.

6. Cálculos
6.1. Dimensionamiento y selección de resistencia limitadora

Datos:
Vf=0.93v
Imax=1 A
Vrrm=1000v

Resistencia limitadora R lim ¿


V −V F
I Dmax = ¿
PDmax =I Dmax∗V F
V −V F
PDmax =1 ( A )∗( 0.93 w ) lim ¿=
PDmax =0.93 w I Dmax
R¿

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15V −0.93 V 15 V −0.93V
lim ¿= I Dmax =
1A 1.5 KΩ
R¿ I Dmax =9.38 mA
lim ¿=14.07 Ω
R¿ PR =I ∗R
2

lim ¿ ≥ 14.07 Ω 2
PR =( 2.38∗10−3 ) ∗( 1.5∗1 03 )
R¿
PR =0.13 w
2
PR =I ∗R
PR =( 1 A )2∗( 14.07 Ω )
PR =14.07 w
Resistencia comercial 1,5KΩ
R lim ¿
V −V
I Dmax = ¿ F

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6.2. Cálculos polarización directa
V D =0,1 V
I D =0 mA
V D =0,2 V
I D =0 mA
V D =0,3 V
I D =0 mA
V D =0,4 V
I D =0 mA
V D =0,5 V
I D =0 mA
V D =0,6 V
I D =0 mA
V D =0,65 V
I D =0 mA
V D =0,7 V
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
0,7 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =0 mA
V D =0,7 V
R lim ¿
V −V
I D= ¿ F
0,8 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =0,0667 mA
V D =0,7 V
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
0,9 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =0,133 mA
V D =0,7 V
R lim ¿
V −V
I D= ¿ F
1 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =0,2 mA
V D =0,7 V
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
1,5 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =0,533 mA
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
2 V −0,7V
I D=
1,5 kΩ
I D =0,867 mA
R lim ¿
V −V
I D= ¿ F
3 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =1,53 mA
R lim ¿
V −V
I D= ¿ F
4 V −0,7V
I D=
1,5 kΩ
I D =2,2mA
R lim ¿
V −V
I D= ¿ F
6 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =3,53 mA
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
8 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =4,87 mA
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
10 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =6,2 mA
R lim ¿
V −V
I D= ¿ F
12 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =7,53 mA
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
14 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =8,867 mA
R lim ¿
V −V F
I D= ¿
15 V −0,7 V
I D=
1,5 kΩ
I D =9,53 mA
6.3. Cálculos polarización inversa

V ¿ =V D
V D =0,1 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =0,5 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =1 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =2 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =4 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =6 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =8 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =10 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =12 V
I D =0 mA
V ¿ =V D
V D =14 V
I D =0 mA

6.4. Cálculos circuito mixto


3
7 V −0.7 V −100 I A −0.7 V −1∗1 0 I A +3 V =0
−8.6 V
I A=
−1100 Ω
−3
I A =7.8182∗10 A
I A =7.8182 mA
I 1 =7.8182mA

I 5 =−I A
I 5 =−7.8182 mA

IA
I 4 ⌃ I 3=
2
7.8182∗10−3 A
I3 =
2
−3
I 3 =3.9091∗1 0 A
I 3 =3.9091mA
I 4=3.9091 mA

−3
3 V + V 2−0.7 V −1∗1 0 I A =0
3 V + V 2−0.7 V −1∗1 03 ( 7.8182∗1 0−3 A )=0
V 2=5.5182 V

7 V −0.7 V −2.2∗1 03 I 2 −V 1=0


−V 1 =−7 V + 0.7V −( 2.2∗10 3 Ω )
V 1=6.3 V

7. Simulaciones
7.1. Generalidades software usado
7.2. Simulaciones polarización directa
7.3. Simulaciones polarización inversa
7.4. Simulaciones circuito mixto

8. Procedimiento:
8.1. Verificación estado del diodo
1. Se utilizó el multímetro para realizamos la prueba con el óhmetro.
2. Colocamos los terminales del diodo en polarización directa con el
multímetro, esto nos debe medir una resistencia baja.
3. Colocamos los terminales del diodo en polarización inversa con el
multímetro, esto nos debe medir una resistencia alta.
4. De esta forma se comprueba que el diodo funciona correctamente.
5. Si se muestra una lectura que muestra un nivel alto de resistencia en ambas
direcciones, se trata de una condición abierta (dispositivo defectuoso)
6. Si se obtiene una lectura que muestra un nivel muy bajo de resistencia en
ambas direcciones, se trata de probablemente de un dispositivo en corto.
8.2. Circuito en polarización directa
1. Utilizamos el multímetro para realizamos la prueba con el óhmetro.

8.3. Circuito en polarización inversa


1. Utilizamos el multímetro para realizamos la prueba con el óhmetro.

8.4. Circuito mixto

1) Arme el circuito de la figura 3 del trabajo preparatorio (usando la Resistencia


seleccionada en el trabajo preparatorio) y mida el voltaje y corriente a través del
diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 2.

Figura 3.- Polarización en Inversa.


Tabla 2 Valores medidos para el diodo en polarización directa.

2) Con la información de la tabla 2 y haciendo uso de papel milimetrado, grafique la


curva real de operación del diodo en polarización directa. (Éste ítem realizarlo en
el informe de práctica).
3) Invierta la polaridad de la fuente del circuito del apartado anterior (diodo en
polarización inversa) y mida el voltaje y corriente a través del diodo, a los valores
de voltajes de entrada mostrados en la tabla 3.
4) Arme el circuito de la figura 4 del trabajo preparatorio y mida los
parámetros indicados en la tabla 4.

Figura 4.- Circuito con diodos en conexión mixta.


Tabla 3 Valores medidos para el circuito en conexión mixta.

9. Análisis de Resultados
9.1. Estado diodo

Resistencia en polarización directa: 45,20 kΩ


Resistencia en polarización inversa: 73,50 kΩ
9.2. Polarización directa

Calculado Simulado Medido

Vin(V) Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir

9 0.6 8.35 4.2 4.2


5

9.3. Polarización inversa

Calculado Simulado Medido

Vin(V) Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir

9 9 0.0 0.00 0.00


0

9.4. Polarización directa con fuente variable

Calculado Simulado Medido

Vin(V) Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir

3 0.6 2.3 2.3 2.3


3 7

4 0.6 3.3 3.33 3.33


4 4

5 0.6 4.3 4.3 4.3


5 3

6 0.6 5.3 5.4 5.4


6 7

7 0.6 6.3 6.35 6.35


7 5

8 0.6 7.3 7.4 7.4


8 7

9 0.6 8.3 8.4 8.4


6 3

10 0.6 9.3 9.4 9.4


9 3

9.5. Polarización directa con una resistencia en paralelo a la resistencia actual

Vd

Vr1

Vr2
Calculado
Id

Ir1

Ir2

Vd

Vr1

Vr2
Simulado
Id

Ir1

Ir2

Medido Vd 0.71 V

Vr1 8.27 V

Vr2 8.27 V

Id 16.7 mA

Ir1 8.3 mA
Ir2 8.3 mA

9.6. Polarización directa con un diodo en paralelo a las resistencias

Vd1

Vd2

Vr1

Vr2
Calculado
Id1

Id2

Ir1

Ir2

Vd1

Vd2

Vr1

Vr2
Simulado
Id1

Id2

Ir1

Ir2

Medido Vd1 0.86 V

Vd2 0.9 V

Vr1 0.88 V

Vr2 0.86 V

Id1 1.14 A

Id2 1.13 A

Ir1 0.9 mA
Ir2 0.9 mA

10. Conclusiones
11. Recomendaciones
(Opcional)
12. Referencias bibliográficas
(ieee)
13. Anexos
(firmas, datasheet, fotos,etc)
Resultados por calculos

R min

Pmax=V D∗Imax

3w
Imax=
0.7

Imax=4.28 A

Vsmax−0.7
Imax=
R

5−0.7
R=
4.28

R=1

R comercial 20 veces más grande

Rcomercial=1 ×20

Rcomercial=20

Rcomercial=33

Calculo de ID con la R comercial

Vin
ID=
Rcomercial

V
VD ID
in
0.
0 0
1V
0. 0 0
2V
0.
0 0
3V
0.
0 0
4V
0.
0 0
5V
0.
0 0
6V
0.
0 0
65 V
0.
0.7 0.021
7V
0.
0.7 0.0227
75 V
0.
0.7 0.02
8V
0.
0.7 0.027
9V
1
0.7 0.030
V
1.
0.7 0.045
5V
2
0.7 0.0606
V
2.
0.7 0.0757
5V
3
0.7 0.0909
V
3.
0.7 0.106
5V
4
0.7 0.1212
V
5
0.7 0.1515
V
Valores medidos para el diodo en polarización directa.

V
VD ID
in
1
1 0
V
2
2 0
V
3
3 0
V
4
4 0
V
5
5 0
V
Valores medidos para el diodo en polarización inversa.

Segundo circuito

−7 v +0.7 v +100 I A +0.7 v+ 1000 I A −3 v=0

−8.6 v + I A 1100=0

8.6
I A=
1100

I A =7.8182∗10−3 A
−3 v−v 2+0.7 +1000∗I A =0

−v 2−2.3+1000 ( 7.8182∗10−3 )=0

v 2=5.5182 v

0.7 v +1000∗I 3 ∇ 4−3 v=0

I 3 ∇ 4=2.3∗10−3 A
−3
I 3=1.15∗10 A

I 4=1.15∗10−3 A
−3
I 1 =I A =7.8182∗10 A

−( I 4 + I 5 + I 3 )=I A

−3
I 3 =−5.5182∗10 A

I 5 =−5.5182∗10−3 A
Parámet I1(m I2 I3 I4 I5 V1
V2(V)
ro A) (mA) (mA) (mA) (mA) (V)
Valor
calcul 7,8182 0 3.9 3.9 -7.8182 6.3 5.55
ado Valores medidos para el circuito en conexión mixta.

Resultados por práctica en el laboratorio

V VD ID
in
0. 0.1130 0.03
1V uA
0. 0.2238 0.12
2V uA
0. 0.2824 0.36
3V uA
0. 0.3877 20.40
4V uA
0. 0.5277 32.20
5V uA
0. 0.5930 146.22
6V uA
0. 0.5940 147.22
65 V uA
0. 0.6325 175.16
7V uA
0. 0.63 177.16
75 V uA
0. 0.6682 9.42
8V mA
0. 0.6787 8.47
9V mA
1 0.7 8.84
V mA
1. 7382 23.85
5V mA
2 0.7945 38.36
V mA
2. 0.7683 51.93
5V mA
3 0.7760 67.47
V mA
3. 0.7842 82.57
5V mA
4 0.7895 96.65
V mA
5 0.8013 124.50
V mA
Valores medidos para el diodo en polarización directa.

V VD ID
in
1 1.0069 0.04
V uA
2 2.058 0.11
V uA
3 3.042 0.22
V uA
4 4.0158 0.28
V uA
5 5.0415 0.34
V uA
Valores medidos para el diodo en polarización inversa.

Parámet I1(m I2 I3 I4 I5 V1
V2(V)
ro A) (mA) (mA) (mA) (mA) (V)
Valor
calcul 10.23 0.09 3.15 3.15 10.21 6.312 5.32
ado Valores medidos para el circuito en conexión mixta.

Los resultados obtenidos por calculos comparados con los de la práctica son
levemente variables, entonces se comprobo que los resultados de las cálculos son
correctos ya que coinciden con los de la práctica.

14. Conclusiones:
 La importancia de incorporar la practica con la parte teórica permite que los
estudiantes relacionen los conceptos aprendido con anterioridad de manera más
efectiva permitiéndoles que cualquier duda que se llegó a generar sea
respondida.
 La interacción de los señores estudiantes en el laboratorio permite que conozcan
de mejor manera los instrumentos de medida.
15. Recomendaciones:
 Se recomienda que los señores estudiantes revisen con anterioridad los datasheet
de los integrados a utilizarse en la práctica, evitando demora en la realización de
las mismas.
 Realizar las simulaciones con anterioridad evitando que la elaboración se
demore más del tiempo necesario para su ejecución.
 Todos los integrantes de cada grupo de trabajo deben practicar en el laboratorio
de practica.

16. Anexos:
Bibliografía:
[1] T. Floyd, Dispositivos Electrónicos, México: Pearson Educación,
2008.
[2] B. y. Nashelsky, Teoría de circuitosd y dispositivos electrónicos,
México: Pearson Prentice Hall, 2009.