MOSFET de empobrecimiento:

Durante el proceso de fabricación se ha añadido una implantación n + en la región del canal

(definida por W y L). Esta modificación permite incrementar el número de cargas negativas en
el canal (e). De este modo puede existir corriente entre el drenador y la fuente para valores de
VGS nulos e inclusive negativos

Mosfet de canal n en modo de empobrecimiento:

Características IDS, VDS

MOSFET de enriquecimiento:

El substrato p se extiende a lo ancho hasta el dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre la

fuente y el drenador. La figura muestra las tensiones de polarización normales. Cuando la
tensión de puerta es nula, la corriente de fuente y el drenador es nula. Por esta razón, el
MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte cuando la tensión de puesta es cero.

Los valores típicos de VGS(th) para dispositivos de pequeña señal puede variar entre 1 y 3 V.