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Brayan Stiven Gómez-Piñeros1,*, Gilma Granados-Oliveros1,*

9
ãrupo de Nuevos Materiales Nano y SupramolecularesE Tepartamento de QuímicaE
Universidad Nacional de PolombiaE HogotáE TO POE Polombia
*Autor para correspondenciaF ggranadosokunalOeduOco4 bsgomezpkunalOeduOco
RecibidoF 9j de Noviembre de 0é9hO IceptadoF 69 de Mayo de 0é9jO

Fisicoquímica y Química Inorgánica


Síntesis y caracterización Synthesis and Síntese e caracterização
de las propiedades ópticas characterization of optic das propriedades ópticas
de puntos cuánticos de properties of CdSe and do pontos quânticos de
CdSe y CdSe/ZnS CdSe/ZnS quantum dots CdSe e CdSe/ZnS

Resumen Abstract Resumo


Se prepararon puntos cuánticos de PdSe y PdSe and PdSe2ZnS úcore2shell) quantum dots Pontos quânticos PdSe e PdSe2ZnS únúcleo2
PdSe2ZnS únúcleo2capa) con ácido oleico como with oleic acid as stabilizing agent in organic couraça) com ácido oleico como um agente de
agente estabilizante en medio orgánico y se medium were prepared and their optical estabilização em um meio orgânico foi preparado
examinaron las propiedades ópticas de los properties were examinedO çor PdSe synthesisE e as propriedades ópticas dos nanocristais
nanocristales obtenidosO ân la obtención de the influence of O0 in the growth kinetics of obtidos são examinadosO Na obtenção de PdSeE a
PdSeE se estudió la influencia del O0 en la quantum dots was determinedO õn the first 5é sE influência da O0 foi estudada em cinética de
cinética de crecimiento de los puntos cuánticosO the nanocrystals growth was 9Oh higher in crescimento de pontos quânticosO Turante o
Turante los primeros 5é sE el crecimiento de los presence of O0 than when reaction was carried primeiro crescimento de 5é s dos nanocristais na
nanocristales en presencia de O0 fue 9Eh veces out in N0 atmosphereO êoweverE the growth rate presença de O0 foi de 9Eh vezes mais elevado do
mayor que en atmósfera inerteO I pesar de este with O0 was not favorable because the que em atmosfera inerteO Ipesar deste
rápido crecimientoE el O0 afectó las propiedades nanocrystal optical properties were affectedF crescimento rápidoE O0 afecta as propriedades
ópticas de los nanocristalesE formando bandas wider absorption band and lower fluorescence ópticas dos nanocristaisE formando bandas de
de absorción anchas y espectros de that those obtained in inert atmosphereO absorção ampla e espectros de fluorescência de
fluorescencia de baja intensidadO ân contrasteE Properties of PdSe nanocrystals synthesized in baixa intensidadeO âm contrasteE PdSe
los puntos cuánticos de PdSe sintetizados en inert atmosphere were intensified with 9é/ of sintetizados em atmosfera inerte mostrou picos
atmósfera inerte presentaron picos de absorción monolayerO çor a core with 0OA nm diameterE the bem definidos de absorção e fluorescência nítida
bien definidos y fluorescencia aguda e intensaO fluorescence quantum yield úΦçl) in the green e intensaO âstas propriedades são intensificadas
âstas propiedades se intensificaron con la region increased from AOA/ to q0O6/O The pela formação de 9é/ da monocamada de ZnSF
formación de un 9é/ de la monocapa de ZnSF synthesis process of PdSe 2 ZnS nanocrystals para um núcleo de 0EAé nmE o rendimento
para un núcleo de 0EAé nmE el rendimiento developed with low concentration of Zn0ó and quântico de fluorescência úΦçl) na região do
cuántico de fluorescencia úΦçl) en la región del an excess of S0f can be used to obtain materials verde aumentou de AEA/ para q0E6/O O
verde se incrementó de AEA / a q0E6/O âl with excellent photoluminescent properties for procedimento de síntese de nanocristais de
procedimiento de síntesis de nanocristales de applications such as biomarkersE sensorsE PdSe2ZnS desenvolvidos com baixa
PdSe2ZnS desarrollado con baja concentración catalysisE and solar cellsO concentração de Zn0ó e o excesso de S0f pode ser
de Zn0ó y con un exceso de S0f puede emplearse utilizada na obtenção de materiais
en la obtención de materiales con excelentes fotoluminescentesE com excelentes propriedades
propiedades fotoluminiscentes para aplicaciones para aplicações como biomarcadoresE sensoresE
como biomarcadoresE sensoresE catálisis y catálise e células solaresO
celdas solaresO

Palabras clave: âxcitónE rendimiento Keywords: âxcitonE quantum yieldE Palavras-Chave: âxcitonE rendimento
cuánticoE absorciónE fluorescenciaE puntos absorptionE fluorescence and quantum dots quânticoE absorçãoE fluorescenciaE pontos
cuánticosO quânticosO

Re2018E
Rev. Colomb. Quim. v.Colomb.Q
47 uim
ú9)E .2015,4
Ajfh6O 4(3)httpF22dxOdoiOorg29éO9Aqqh2revOcolombOquimOvqjn9Oh9éhjO
TOõF ,5-10. 57
Gómez-Piñeros, B. S.; Granados-Oliveros, G.

Ge otro lado– el tiempo de crecimiento del nanocristal– la


Introducción temperatura y el ambiente de reacción son otros factores que deben
controlarse en el proceso de obtención de los puntos cuánticosZ
Usualmente– la síntesis de los nanocristales de RdSe por el método
Hn las últimas décadas se han realizado importantes avances para la de inyección en caliente se realiza en atmósfera Nx debido a la
obtención de nuevos materiales con alto aprovechamiento de la tendencia oxidativa de la superficie de los nanocristales a formar
energía solar para diversas aplicaciones– por ejemplo– catálisis– SeOx y diferentes defectos superficiales que disminuyen la
celdas solares– desarrollo de fotodetectores– entre otras 01:5qZ Hn el luminiscencia 023-25qZ Hstas trampas superficiales pueden originarse
campo de los nuevos materiales con propiedades fotoluminiscentes por los enlaces libres de la superficie– defectos de red o por el exceso
se encuentran los puntos cuánticosZ Hstos son nanocristales de entre de cadmio y azufre remanente en la superficie de los nanocristales
x y CS nm de diámetro que comprenden entre cientos a miles de 026-27q– siendo una vía para el decaimiento no:radiativo del estado
átomos 06q y están compuestos por elementos de los grupos IV– II– excitado del punto cuánticoZ
VI– III–V– o IV–VI de la tabla periódicaZ Hntre ellos– los que se Ruando se desea una alta eficiencia cuántica– es común rodear al
componen de semiconductores 0grupos II:VI ejZU ZnO– ZnS– ZnSe– nanocristal 0núcleoq con un segundo semiconductor de mayor Hg– con
RdSe– RdSq son interesantes debido a que se caracterizan por el fin de reducir la fuerza de interacción entre el excitón y la
presentar un amplio espectro de absorción en la región visible– alto superficie de la nanopartícula y– de ese modo– aumentar la eficiencia
coeficiente de extinción e intensa emisión multicolor 07-9q– del cuánticaZ
mismo modo– son los materiales que poseen mejores características Por lo anterior– en este trabajo se buscó sintetizar y caracterizar las
luminiscentesZ Hntre los puntos cuánticos de semiconductores se propiedades ópticas de puntos cuánticos de RdSeZ Se empleó ZnS
destacan RdSe y ZnS por sus importantes propiedades eléctricas y para encapsular y proteger al núcleo del ambiente que lo rodea e
ópticas 010-12qZ incrementar QY;lZ Ge este modo se obtuvo mayor estabilidad y mejor
Hl estudio de los puntos cuánticos permite ampliar el conoci: luminiscencia 028– 29qZ Se determinó la influencia del ambiente
miento sobre semiconductores en escalas de longitud pequeña– donde oxidante en las propiedades ópticas de los puntos cuánticos y en la
las propiedades físicas– químicas y electrónicas cambian debido al cinética de formación y crecimiento de los nanocristalesZ
efecto de confinamiento cuánticoZ Hn un semiconductor en bulto– un
fotón con energía mayor a la banda prohibida 0Hgq promueve un
electrón a la banda de conducción– creando un par electrón:huecoZ Materiales y métodos
Sin embargo– si el semiconductor tiene un tamaño finito– acercándose
a la escala de longitud natural de su par electrón:hueco 0esta longitud
Reactivos
se conoce también como el radio de excitón de Nohrq– se observará la
cuantización de los estados de energíaZ
Se adquirieron de Sigma 4ldrich 0HHZUUZq C:octadeceno 0OGHq– Se
La transición de una serie continua de estados a estados discretos
elemental– tri:n:octilfosfina 0TOPOq– RdO– ácido oleico– Rodamina
da como resultado que las propiedades ópticas de un material
ñ9– hexametildisiltiano 08GSq y la solución C M de dietil Zinc
semiconductor finito difieran significativamente de un
0ZnHtxq en hexanoM se utilizaron sin previa purificaciónZ Se
semiconductor en bultoZ Romo resultado– el tamaño de la banda
adquirieron de Panreac 0Rolombiaq tolueno– dimetilformamida–
prohibida– y– por consiguiente– la frecuencia de emisión de los puntos
etanol y metanol al FF–Y.– todos de grado analíticoZ
cuánticos se ajusta con el diámetroZ 4sí– los nanocristales de menor
diámetro emiten luz de longitud de onda corta– mientras que los de Síntesis de los puntos cuánticos de CdSe Y CdSe/ZnS
mayor tamaño emiten luz de longitud de onda más larga 013– 14qZ
La ruta sintética de los puntos cuánticos es crucial para la
Las reacciones en atmósfera inerte se realizaron empleando un
obtención de nanocristales de menor tamaño y alto rendimiento
sistema cerrado acoplado a un flujo de Nx 011– 30qZ Las reacciones en
cuántico de fluorescencia 0QY;lqZ Hstas propiedades son definidas
presencia de Ox– se realizaron en un sistema abierto al aire del medioZ
por la naturaleza de los precursores– el disolvente y el agente
4 continuación– se describe los procedimientos empleadosU
estabilizante de la superficie 015– 16qZ Uno de los métodos de síntesis
más empleados para la obtención de nanocristales de RdSe es la
Solución stock de selenio (SeTOPO)
pirólisis de los precursores organometálicos en disolventes
4 un balón de tres bocas acoplado a un flujo constante de Nx– se
coordinantes– a temperaturas muy altasZ Murray et alZ 017q fueron los
añadieron ñS–L mg 0S–ñY mmolesq de Se en polvoM luego– se
pioneros en la obtención de nanocristales de RdSe empleando este
agregaron L mL de OGH y S–BL mL 0S–F mmolq de TOPOZ La mezcla
métodoZ Hllos realizaron la inyección de los precursores de Rd y Se a se llevó a YS °R por ñ h hasta que solubilizó el Se– manteniendo la
una solución de óxido de tri:n:octilfosfina 0TOPOq a ñSS °R– atmósfera inerteZ Hsta solución se utilizó posteriormente para formar
formando nanocristales con un tamaño comprendido entre C–x y CC–L los nanocristales de RdSeZ
nm y un rendimiento cuántico de fluorescencia de L a CL. 017qZ
Gebido a su toxicidad– el TOPO se ha reemplazado por ácidos grasos Complejo de Cd
que son más económicos y menos contaminantesZ 4sí– con ácido Se pesaron ñB–x mg 0S–xL mmolq de RdO y se añadieron S–A mL 0C–F
esteárico y a temperaturas entre xSS y ñxS °R– se han obtenido mmolq de ácido oleico en atmósfera de NxZ Posteriormente– se
puntos cuánticos de RdSe con un tamaño mayor a B nm y QY;l entre añadieron CS mL de OGH y se dejó la reacción a xxL °R– con
xS y ñS. 018– 19qZ Una modificación a este método– ha sido el uso agitación moderada– durante FS minutos y manteniendo constante el
de octadeceno 0OGHq como disolvente no:coordinante– junto al ácido flujo de Nx– obteniendo una solución incolora del complejo de RdZ
oleico y a xAL °R– se han obtenido nanocristales de RdSe con un
tamaño entre C y A nm 020– 21qZ Sin embargo– el valor de QY;l
reportado por este método ha sido bajo 0aproxZ C–L.q 022qZ

58 Rev. Colomb. Quim. 2018– 47 0Cq– LQ:Añ


Síntesis y caracterización de las propiedades ópticas de puntos cuánticos de CdSe y CdSe/ZnS

Puntos cuánticos de CdSe ]l rendimiento cuántico de fluorescencia zΦ:l( de los nanocristales


La solución del complejo de Rd se calentó hasta --D °R y en de RdSe y RdSebZnS disueltos en tolueno se determinó excitando a
atmósfera de N-á se adicionó V mL de la solución de SeTOPOg La DUU nm y empleando como estándar rodamina éG disuelta en etanolá
reacción se monitoreó durante los primeros VD min mediante la con un rendimiento cuántico conocido a DUU nm de Uá6q z31(g Se
extracción de alícuotas de -UU μL a diferentes intervalos de tiempog M prepararon soluciones de rodamina éG en un intervalo de
las alícuotas se les añadieron - mL de tolueno a VU °R con el fin de concentración de UáV a UáD μMg Ron respecto a los nanocristales se
detener el crecimiento de los nanocristalesg ]stos nanocristales prepararon soluciones con absorbancias menores a UáV zλ I DUU nm(
disueltos en tolueno se purificaron realizando lavados con metanol zse con el fin de disminuir los fenómenos de auto4absorción fotónica y de
hicieron hasta cuatro lavados(/ por cada - mL de punto cuántico dispersión Rayleighg Se empleó la ecuación [V] para determinar Φ:l
disuelto en tolueno se añadieron q mL de metanolg ]l material de de los nanocristales z31(g
partida y las impurezas se aislaron por centrifugación zVUUUU rpm
durante VD min(á descartando el sobrenadanteg Posteriormenteá los
nanocristales purificados se analizaron por medidas de UV4Vis y
fluorescenciag
Los puntos cuánticos de RdSe también se obtuvieron sin flujo de
N-á con el fin de determinar la influencia del O- del medio en las [onde x son los puntos cuánticos en toluenoá st es rodamina éG en
propiedades ópticasg ]n un sistema abierto al O- del medio y etanolá Φ es el rendimiento cuántico de fluorescenciaá η es el índice
equipado con un balón fondo redondoá se añadió la solución del de refracción de los disolventes usados y M es la pendiente de la recta
complejo de Rdg ]sta solución se calentó a --D °R y se adicionó V mL ajustada a los datos experimentales de intensidad de fluorescencia
de la solución de SeTOPOg Se realizó el mismo proceso de monitoreo integrada vs absortancia zV4VU4M(á medida a DUU nmg
y purificación anteriormente descritog
Los nanocristales de RdSe purificadosá obtenidos en presencia y
ausencia de O-á se almacenaron en un frasco ámbar a q °R y en Resultados y discusión
atmósfera de N- para las medidas de UV4Vis y fluorescenciag
Preparación de los puntos cuánticos de CdSe
Puntos cuánticos de CdSe/ZnS
[espués de sintetizar los puntos cuánticos de RdSe mediante el Efecto del O2
procedimiento descritoá se continuó con la formación de la capa de La preparación de los puntos cuánticos de RdSe se realizó en
ZnSg ]sto se hizo a partir de los cristales sintetizados en atmósfera de presencia de O- y en atmósfera de N-á con el fin de determinar su
N-á después de q3 s de crecimiento a --D °Rg influencia en la cinética de formación y crecimiento de los
Para realizar la cobertura se disminuyó la temperatura de la nanocristales y en sus propiedades ópticasg La :igura V muestra los
solución de RdSe a VVU °R/ luego se añadió gota a gota una solución espectros de absorción zlínea solida( y de fluorescencia zlínea
compuesta por V mL de TOPO z-áU mmol(á é- μL de Zn]t- zUáUé- punteada( de los puntos cuánticos de RdSe obtenidos en presencia de
mmol( y Zq μL de hexametildisitiano zUá-3 mmol(g La mezcla se dejó O-á en función del tiempo de reaccióng Los espectros muestran un
reaccionar a 3U °R durante q há bajo agitación magnética y desplazamiento del primer pico de absorción excitónico y del
manteniendo la atmósfera inerteá con el fin de lograr la formación de máximo pico de fluorescencia hacia la región del rojo con el tiempo
la capa de ZnS alrededor del núcleo de RdSeg Los puntos cuánticos de de reaccióng ]ste efecto caracteriza a los puntos cuánticos y está
RdSebZnS se purificaron dispersándolos en metanolg Se realizó el relacionado con el confinamiento cuánticoá es decirá conforme avanza
mismo proceso de monitoreo y purificación anteriormente descritog la reacción crecen los cristales generando corrimientos hacia
]stos nanocristales también fueron almacenados para las medidas de longitudes de onda larga en los espectros de absorción y fluorescencia
UV4Vis y fluorescenciag z6(g
M partir de los espectros de absorcióná puede calcularse el tamaño
Caracterización de los nanocristales de los puntos cuánticos y el coeficiente de extinción de los cristalesg
]l tamaño se calcula empleando la ecuación [-] z32(ú
Propiedades ópticas
Los espectros de absorción UV4Vis se midieron en un
espectrofotómetro Thermo Scientific ]volution éUUg Los espectros de
absorción de los puntos cuánticos purificados y disueltos en tolueno
se tomaron en un intervalo de éUU nm a 3UU nm usando una celda de donde [ es el diámetro del nanocristal znm( y λ es la longitud de
cuarzo de V cm de paso ópticog onda del primer pico excitónico del espectro de absorcióng
]l coeficiente de extinción molar ɛ depende del diámetro z[( de
Propiedades fluorescentes los nanocristales y se puede calcular empleando la ecuación [é]á una
Los espectros de florescencia se midieron en un fluorómetro Vernierá fórmula semi4empírica z32(ú
SpectroVIS Plus de haz sencillog Los espectros de emisión de los
nanocristales disueltos en tolueno se midieron en un intervalo de éUU ɛ I D3D8 z[(-áZD [é]
nm a 3UU nm con una celda de cuarzoá de V cm de paso ópticoá luego
de la excitación zλexc( a qUD nm y DUU nmg

Rev. Colomb. Quim. 2018á 47 zV(á D84Zé 59


Gómez-Piñeros, B. S.; Granados-Oliveros, G.

La Figura A muestra los espectros de absorción Ilínea solidaé y


fluorescencia Ilínea punteadaé de los puntos cuánticos de CdSe
sintetizados en atmósfera inerte en función del tiempo de reacciónP
De nuevo; se observa el corrimiento de las bandas de absorción y
fluorescencia de los nanocristales conforme avanza la reacciónP Sin
embargo; los espectros de absorción son más definidosP Igualmente;
la fluorescencia de los nanocristales es más simétrica y agudaP

Figura 1. Espectros de absorción UV-Vis Nlínea sólida) y de fluorescencia Nlínea


punteada) de los puntos cuánticos de CdSe preparados en presencia de O 2 y
disueltos en tolueno en función del tiempo de reacción, en segundos Ns). Emisión
medida por excitación a 405 nm.

La Tabla q muestra las distintas características de los nanoO


cristales de CdSe obtenidos en presencia de OA; en función del
tiempo de reacciónP De acuerdo con los resultados; a medida que
avanza la reacción; crecen los nanocristales; de modo que se observa
corrimiento hacia el rojo de las bandas de absorción y fluorescencia; Figura 2. Espectros de absorción UV-Vis Nlínea solida) y de fluorescencia Nlínea
punteada) de los nanocristales de CdSe obtenidos atmosfera de N 2 y disueltos en
además del aumento del coeficiente de extinción molarP tolueno en función del tiempo de reacción, en segundos Ns). Emisión medida por
Por otro lado; analizando la forma de los espectros obtenidos; se excitación a 405 nm.
observa que la reacción en presencia de OA genera bandas de
absorción anchas y poco definidasP Igualmente; la fluorescencia de En la Tabla A se registran las distintas propiedades de los
las muestras es ancha y de baja intensidadP Estos resultados indican nanocristales de CdSe obtenidos en atmósfera inerte8 los resultados
la formación de trampas electrónicas producidas por la presencia de muestran la importancia de realizar la reacción en este medioP Los
OA en el medio de reacción I23éP Las trampas electrónicas inducen la reactivos de partida Iácido oleico; TOPé o los monómeros se oxidan
recombinación noOradiativa responsable del detrimento en la fácilmente en presencia de OA; dada la temperatura de reacción IAA4
fluorescencia y del rendimiento cuántico I14éP °Cé; lo que significa que las propiedades del estabilizante y las
características de superficie de los nanocristales están siendo
Tabla 1. Propiedades ópticas, fluorescentes y tamaños de los nanocristales de CdSe afectadas; favoreciendo la formación de las trampas que reducen la
obtenidos a diferentes tiempos de reacción en presencia de O2. fotoluminiscenciaP Algunos estudios han reportado la oxidación de
CdSe en presencia de aire formando óxidos; especialmente; CdSeOh
Tiempo de crecimiento λ max de absorción Diámetro de partícula
(s) (nm) (nm)
ε (M-1·cm-1) λ max fluorescencia (nm) Iecuación [[]é o SeOA Iecuación [4]é I33, 34éP
20 4°A A;[[ ]AA]j 4°A;4

45 4Aq A;]4 jj[0] 4Aq;j

60 4hq A;j0 ···Ah 4hq;A

90 4[4 h;°h qq°4h4 4[];[

120 44q h;q4 qAA4q] 444;q

150 44] h;A] qh[q·[ 4]q;4

180 4]° h;h4 q[[AA] 4]h;0

223 4][ h;[4 q440q· 4]];h

480 4]4 h;[j q4·hA4 4j°;A

60 Rev. Colomb. Quim. 2018; 47 Iqé; 4jO]h


Síntesis y caracterización de las propiedades ópticas de puntos cuánticos de CdSe y CdSe/ZnS

Tabla 2. Propiedades ópticas0 fluorescentes y tamaños de los nanocristales de CdSe Propiedades de CdSe/ZnS
obtenidos a diferentes tiempos de reacción en atmósfera inerte.

] partir de los nanocristales de hdSe obtenidos en atmósfera de NE:


Diámetro de partícula se realizó la síntesis de los nanocristales del tipo núcleo4capa de
Tiempo de crecimiento (s) λ max de absorción -1 -1
ε(M ·cm ) λ max fluorescencia (nm)
(nm) (nm) hdSe4ZnS: preparados en atmósfera inerte0 Los nanocristales de hdSe
20 kú/ E:D; ·kD/8 ·8/:ú crecieron por kú s y se procedió con la formación de la capa0 Vn la
45 ·8q E:kú q·8q· ·EN:E Figura k se comparan los espectros de absorción y fluorescencia de
60 ·;k E:·q N;k;q ·D/:/ los puntos cuánticos de hdSe Apreparados en presencia y ausencia de
90 ·Eq E:NE úDEúú ·kq:ú
OEí y hdSe4ZnS0 Los máximos de las bandas de absorción y
fluorescencia de los puntos cuánticos de hdSe4ZnS muestran un
150 ·kE E:/N ;8··;· ··/:q
corrimiento de la región del rojo: respecto a los puntos cuánticos sin
300 ··/ D:DE ;k;/8k ·N·:· capa0 ]demás: desaparece la pequeña emisión a longitudes de onda
480 ·q· D:kN ;·/Dúq ·ú;:ú largas Aalrededor de N88 nmí: característica de las emisiones
900 ·q/ D:·ú ;NEú8E ·ú·:ú radiativas de las trampas de estados cuánticos superficiales de los
puntos cuánticos sin capa0

La Figura D muestra la cinética de crecimiento de los nanocristales


de hdSe sintetizados en presencia y ausencia de OE0 Las gráficas se
construyeron con el máximo de longitud de onda del espectro de
absorción AFigura D]í y con el diámetro de partícula AFigura D%í
obteniendo en ambos casos una curva creciente conforme avanza la
reacción0 Se observan dos regímenes cinéticos A20: 35938íZ ií durante
los primeros /8 segundos: el diámetro incrementa rápidamente de
E:D; a E:N8 nm en atmosfera inerte y de E:k· a E:ú8 nm en presencia
de OEj iií Vn los siguientes k88 segundos: los nanocristales crecen
más lentamente: de E:/· a D:k nm en atmosfera inerte y de D:;8 a D:k8
nm en presencia de OE0 +urante los primeros /8 segundos Aregión de
rápido crecimientoí: las curvas de crecimiento de los nanocristales
presentan un comportamiento aproximadamente lineal AFigura Dhí0
hon la pendiente de estas curvas se obtuvo la constante cinética de
crecimiento Akí de los nanocristales A39í0 Vn presencia de OE: k es de
8:88ú8 nm·s9; y en atmósfera inerte es 8:88·8 nm·s9;0 Vl rápido Figura 4. Espectros de absorción /línea solidaZ y fluorescencia /línea punteadaZ de
crecimiento de los nanocristales observado en presencia de OE no es CdSe0 sintetizado con y sin O20 y CdSe/ZnS obtenido en atmosfera de N2. Emisión
favorable: debido a que se aceleran los procesos de oxidación de los obtenida a la λexc de 405 nm.
precursores y de los estabilizantes en la superficie: afectando las
propiedades ópticas de estos materiales: como se discutió La Figura · compara los espectros de absorción y fluorescencia
anteriormente0 Aλexc = ·88 nmí de diferentes concentraciones de los puntos cuánticos
y del estándar: rodamina DG0 Para una misma absorbancia: se observa
el incremento en la intensidad de fluorescencia de hdSe4ZnS respecto
a los puntos cuánticos de hdSe0 Vl ΦFl de las muestras: disueltas en
tolueno: se determinó a partir de la ecuación [;]0 +e acuerdo con los
resultados: ΦFl para hdSe es ·:·x mientras que para hdSe4ZnS es
kE:Dx0
Se conoce que la formación de una o dos capas alrededor del
núcleo de hdSe pasiva la superficie disminuyendo los defectos
superficiales: lo cual mejora sus propiedades ópticas y fluorescentes
A40: 41í0 Se ha reportado que el ancho para una monocapa formada de
ZnS alrededor de un nanocristal de hdSe es 8:D; nm A42í0 ] partir de
la ecuación [q] se puede calcular la cantidad de ZnEv necesaria para la
formación de la primera monocapa A42íZ
Figura 3. /AZ Longitud de onda del primer pico excitónico y /BZ diámetro de partícula
en función del tiempo para CdSe preparados en presencia de O2 /línea punteadaZ y en
atmosfera inerte /línea sólidaZ. /CZ Rango lineal de la cinética de crecimiento de CdSe
en presencia de O2 /línea punteadaZ y en atmósfera inerte /línea sólidaZ.
+onde NZn4NP y Nhd4NP son las moles de ZnEv y de hdEv por
nanopartícula: Vh es el volumen de la capa y VN es el volumen del
núcleo0

Rev. Colomb. Quim. 2018: 47 A;í: ·N9qD 61


Gómez-Piñeros, B. S.; Granados-Oliveros, G.

Bn el presente casoP el diámetro del núcleo de ;d“e es AP]% nm [ñ YorganP Wñ YñH 4eatherdaleP ;ñ KñH JrndićP YñH TaroszP Yñ VñH
Cdeterminado con la ecuación [A]z y la relación molar de ZnAZF;dAZ IastnerP Yñ KñH MawendiP Yñ Blectronic transport in films of
empleada es de %P0A: con lo cual llega a formarse un 0%E de la colloidal ;d“e nanocrystalsñ Phys9 Rev9 B9 2002P 66P %8]jjhñ
primera monocapañ –ara la formación del núcleoP se recomienda JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ00%jFphysrevbñ++ñ%8]jjhñ
emplear una relación estequiométrica de ;dF“e de 0R0P debido a que ]ñ 4eeP wñH wabasP “ñ BñH IweskinP “ñH MutcherP JñH “omorjaiP Vñ KñH
un exceso de “e produce trampas de huecos y un exceso de ;d YangP –ñ Yorphological control of catalytically active platinum
produce trampas de electrones CIDzñ nanocrystalsñ Angew9 Chemie9 2006P ff8P 8h::ú8hhAñ JQGR
XecientementeP se ha reportado que las trampas originadas por el httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%%AFangeñA%%+%j%+: ñ
exceso de ;dAZ pueden eliminarse realizando un tratamiento con wA“ +ñ XeedP Yñ KñH XandallP Tñ WñH KggarwalP Xñ TñH YatyiP Xñ TñH
CIIzñ Je acuerdo con las cantidades de los precursores del núcleo y YooreP ”ñ YñH Wetsel Kñ BñH Qbservation of Jiscrete Blectronic
de la capa empleadas en este trabajoP el exceso de ;d pudo originar “tates in a Zeroúdimensional “emiconductor Wanostructuresñ
trampas superficiales que posteriormente se removieron con el Phys9 Rev9 Lett9 1998ñ 6pP ]j]ú]j8ñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ00%jF
exceso de azufre empleadoñ ;omo resultadoP con solo el 0%E de physrevlettñ+%ñ]j]ñ
monocapa de Zn“ formada alrededor del núcleoP y con un exceso de 8ñ XeschúVengerP UñH VrabolleP YñH ;avaliereúTaricotP “ñH WitschkeP
azufreP se logró incrementar el valor de Φkl en 8P8 veces respecto al XñH WannP ”ñ &uantum Jots versus Qrganic Jyes as kluorescent
núcleo de ;d“eñ Bste resultado sugiere que un exceso de precursor 4abelsñ Nat9 Methods9 2008P 5P 8+j−88]ñ JQGR httpsRFF
puede remover las trampas superficiales que posteriormente son doiñorgF0%ñ0%j:Fnmethñ0A[:ñ
eliminadas en el proceso de purificaciónñ :ñ IamatP –ñ Vñ &uantum Jot “olar ;ellsñ “emiconductor
Wanocrystals as 4ight warvestersñ J9 Phys9 Chem9 C9 2008P ffKP
Conclusiones 0:8j8−0:8]jñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%A0Fjp:%+8h0sñ
hñ BkimovP Kñ GñH QnushchenkoP Kñ &uantum size effect in threeú
dimensional microscopic semiconductor crystalsñ ZhETF P9
“e encontró que el QA incrementa 0P+ veces la velocidad de
Redaktsiiu9 1981P DIP j+jñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%0+F
crecimiento de los puntos cuánticosP en comparación con la reacción
s%%j:ú0%h:C:]z:%%A]úhñ
en atmósfera inerteñ “in embargoP la presencia de QA en el
0%ñ WorrisP Jñ Tñ Yeasurement and assignment of the sizeúdependent
crecimiento no es favorable debido a los procesos de oxidación que
optical spectrum in cadmium selenide C;d“ez quantum dots
se originan en la superficie como trampas y defectos que reducen la
CJoctoral dissertationP Yassachusetts Gnstitute of ”echnologyzP
fotoluminiscenciañ Bste resultado es importante debido a que es
0hh]ñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ00%jFphysrevbñ]jñ0+jj:ñ
necesario obtener puntos cuánticos más estables al oxígeno
atmosférico para ampliar sus aplicaciones comercialesñ
00ñ WordellP Iñ TñH MoatmanP Bñ YñH 4isenskyP Vñ ;ñ K saferP easierP
faster synthesis for ;d“e quantum dot nanocrystalsñ J9 Chem9
;on el fin de obtener nanocristales con alta fluorescenciaP se
Educ9 2005P 8KP 0+h8ñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%A0Fed%:Ap0+h8ñ
sintetizaron nanocristales de ;d“eFZn“ñ –ara elloP se utilizaron como
0Añ 4andryP Yñ 4ñH YorrellP ”ñ BñH IaragounisP ”ñ IñH wsiaP ;ñ wñH
núcleo los puntos cuánticos de ;d“e obtenidos en atmósfera inerteP
WangP ;ñ Yñ “imple syntheses of ;d“e quantum dotsñ J9 Chem
de tamaño de AP] nm y Φkl de ]P]Eñ Bn la síntesisP se empleó una
Edu9 2013P 9fP A8[úA8hñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%A0F
pequeña cantidad de Zn y un exceso de “P formando solo un 0%E de
edj%%]+:eñ
la monocapa de Zn“ alrededor del núcleoñ KsíP Φkl para los
0jñ Klivisatos Kñ–ñ “emiconductor ;lustersP WanocrystalsP and
nanocristales de ;d“eFZn“ fue 8P8 veces más alto que el obtenido
con el núcleoP lo cual indica que con un pequeño porcentaje de &uantum Jotsñ Science9 1996P K7fP hjj–hj8ñ JQGR httpsRFF
monocapa recubriendo el núcleo es posible lograr alta fluorescencia doiñorgF0%ñ00A+FscienceñA80ñ]A]0ñhjjñ
en la región del verdeñ ;on el presente procedimiento de síntesis se 0[ñ VaponenkoP “ñ Vñ Optical Properties of Semiconductor
pueden obtener nanomateriales con excelentes propiedades Nanocrystals9 ;ambridge University –ressR A%%]ñ JQGR httpsRFF
fotoluminiscentes para aplicaciones como biomarcadoresP sensoresP doiñorgF0%ñ0%08Fcboh8:%]00]A[0[0ñ
entre otrasñ 0]ñ YinP YñH KlivisatosP Kñ –ñ ;olloidal nanocrystal synthesis and the
organic–inorganic interfaceñ NatureP 2005P ID7P ++[ñ JQGR
Agradecimientos httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%j:Fnature%[0+]ñ
0+ñ MolesP Yñ KñH 4ingP JñH wyeonP ”ñH ”alapinP Jñ ”he surface
science of nanocrystalsñ Nat9 Mater9 2016P f5P 0[0ú0]jñ JQGR
4os autores agradecen a la Universidad Wacional de ;olombia por la httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%j:Fnmat[]A+ñ
financiación recibida Cproyectos A%0%0%%Ajj:% y A%0%0%%A]h8+ 08ñ YurrayP ;ñ MñH WorrisP Jñ TñH í MawendiP Yñ Vñ ”ypeúGG quantum
dotsR ;d”eF;d“e CcoreFshellz and ;d“eFZn”e CcoreFshellz
Referencias heterostructuresñ J9 Am9 Chem9 Soc9 1993P ff5P :8%+ñ JQGR
httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%A0Fja%j+08[hñ
0ñ IunoP YñH 4eeP Tñ IñH JabbousiP Mñ QñH YikulecP kñ VñH MawendiP 0:ñ –engP Xñ VñH WickhamP TñH KlivsatosP Kñ –ñ Iinetics of GGúVG and
Yñ Vñ ”he band edge luminescence of surface modified ;d“e GGGúV ;olloidal “emiconductor Wanocrystal VrowthR “kocusing”
nanocrystallitesR –robing the luminescing stateñ J9 Chem9 Phys9 of “ize Jistributionsñ J9 Am9 Chem9 Soc9 1998P fKpP ]j[jú]j[[ñ
1997P fp6P h:+húh::Añ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%+jF0ñ[8j:8]ñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%A0Fjah:%][A]ñ
Añ –andeyP KñH Vuyotú“ionnestP –ñ “low electron cooling in colloidal 0hñ JickersonP Mñ Jñ Organometallic Synthesis Kinetics of CdSe
quantum dotsñ Scienceñ 2008P DKKP hAhúhjAñ JQGR httpsRFF Quantum DotsP Virginia –olytechnic Gnstitute and “tate
doiñorgF0%ñ00A+Fscienceñ00]h:jAñ UniversityP A%%]ñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ]88AFj[h88ñ
jñ YurrayP ;ñ MñH “unP “ñP JoyleP wñH MetleyP ”ñ Yonodisperse jd A%ñ YuP Wñ WñH –engP Xñ kormation of high‐quality ;d“ and other
transitionúmetal C;oP WiP kez nanoparticles and their assembly GG–VG semiconductor nanocrystals in noncoordinating solventsR
into nanoparticle superlatticesñ Mrs Bullñ 2001P K6P h:]úhh0ñ tunable reactivity of monomersñ Angew9 Chem Int9 Ed9 2002P IfP
JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0]]8FmrsA%%0ñA][ñ Aj+:úAj80ñ JQGR httpsRFFdoiñorgF0%ñ0%%AFangeñA%%8h%%]hñ

62 Rev9 Colomb9 Quim9 2018P I7 C0zP ]8ú+j


Síntesis y caracterización de las propiedades ópticas de puntos cuánticos de CdSe y CdSe/ZnS

WV4 &ullenp b4 R4G ñulvaneyp P4 Nucleation and growth kinetics of mm4 &owenp í4 q4G bolvinp V4 ü4G jlivisatosp j4 P4 X/ray Photoelectron
bdSe nanocrystals in octadecene4 Nanolett4 2004p 4p WmJm/WmJU4 Spectroscopy of bdSe Nanocrystals with jpplications to Studies
YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9nlJHxTUWH4 of the Nanocrystal Surface4 J. Phys. Chem4 1994p 98p HVJx/HVVU4
WW4 íuandria V4 Williams4 Xydrothermal Synthesis and YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9jVJJJTTaJmH4
bharacterization of badmium Selenide Nanocrystalsp The mH4 Yollp í4 Y4G Pilaniap Q4G Ramprasadp R4G Papadimitrakopoulosp Z4
University of ñichiganp WJJ84 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9 Oxygen/assisted unidirectional growth of bdSe nanorods using a
ieJTVHVmx4 low/temperature redox process4 Nano Lett4 2010p 10p T8J/T8z4
Wm4 Yollp í4 Y4G Xup &4G Papadimitrakopoulosp Z4 Precursor and YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9nlxJm8Hmg4
Oxygen Yependence of the Unidirectionalp Seeded Qrowth of mz4 Pengp Z4 j4G Pengp X4 ñechanisms of the shape evolution of
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WH4 áatarip í4 q4G bolvinp V4 ü4G jlivisatosp j4 P4 í4 Phys. Chem. 1994p mT4 Yickersonp &4 Y4G órvingp Y4 ñ4G Xerzp q4G blausp R4 O4G Spillman
98p HVJx/HVVU4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9jVJJJTTaJmH4 írp W4 &4G ñeissnerp á4 q4 Synthesis kinetics of bdSe quantum
Wz4 jlivisatosp j4 P4 Perspectives on the physical chemistry of dots in trioctylphosphine oxide and in stearic acid4 Appl. Phys.
semiconductor nanocrystals4 J. Phys. Chem. 1996p 100p Lett4 2005p 86pVUVxVz/m4 YOóF httpsF99
VmWWT/VmWmx4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9jpxzmzzJT4 doi4org9VJ4VJTm9V4VxWVmHU4
WT4 Owenp í4 S4G Parkp í4G Trudeaup P4 q4G jlivisatosp j4 P4 Reaction mU4 Trianap ñ4 j4G üópezp j4 Z4G bamargop R4 í4 Síntesisp
chemistry and ligand exchange at cadmium− selenide caracterización y evaluación fotocatalítica de puntos cuánticos
nanocrystal surfaces4 J. Am. Chem. Soc. 2008p 130p de bdSe cubiertos con W tipos de tioles4 Información
VWWUx/VWW8V4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9ja8JHHVHf4 Tecnológicap 2015p 26p VWV/VmH4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4HJTU9
WU4 Veamatahaup j4G íiangp &4G Seifertp T4G ñakutap S4G üathamp á4G sJUV8/JUTHWJVzJJJzJJJVT4
áaneharap ñ4G 2 Tachibanap Y4 Origin of surface trap states in m84 üiup X4G Owenp í4 S4G jlivisatosp j4 P4 ñechanistic study of
bdS quantum dotsF relationship between size dependent precursor evolution in colloidal group óó/Vó semiconductor
photoluminescence and sulfur vacancy trap states4 Phys. Chem. nanocrystal synthesis4 J. Am. Chem. Soc. 2007p 129p mJz/mVW4
Chem. Phys4 2015p 17p W8zJ/W8z84 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJmx9 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9jaJTzTTxT4
cHcpJHUTVc4 mx4 íiangp Z4G ñuscatp j4 í4 üigand/controlled growth of ZnSe
W84 Yabbousip &4 O4G Rodriguez/Viejop í4G ñikulecp Z4 V4G Xeinep í4 quantum dots in water during Ostwald ripening4 Langmuir4
R4G ñattoussip X4G Oberp R4 et al. DbdSeO ZnS core/shell quantum 2012p 28p VWxmV/VWxHJ4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9lamJVV8Tn4
dotsF synthesis and characterization of a size series of highly HJ4 &erap Y4G Qianp ü4G Tsengp T4 á4G Xollowayp P4 X4 Quantum dots
luminescent nanocrystallites4 J. Phys. Chem. B. 1997p 101p and their multimodal applicationsF a review4 Materials4 2010p 3p
xHTm/xHUz4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9jpxUVJxVy4 WWTJ/WmHz4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4mmxJ9mamJHWWTJ4
Wx4 ñurrayp b4 &4G áaganp b4 R4G &awendip ñ4 Q4 Synthesis and HV4 bhenp Y4 &4G Samiap j4 b4G &urdap b4 boherency strain effects on
characterization of monodisperse nanocrystals and close/packed the optical response of core9shell heteronanostructures4 Nano
nanocrystal assemblies4 Annu. Rev Mat. Sci. 2000p 30p zHz/TVJ4 Lett4 2003p 3p Uxx/8Jm4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9nlJmHWHmb4
YOó F httpsF99doi4org9VJ4VVHT9annurev4matsci4mJ4V4zHz4 HW4 Xühnp í4G barrillo/barrionp b4G Solimanp ñ4 Q4G Pfeifferp b4G
mJ4 Tomasulop ñ4G Yildizp ó4G áaanumallep S4 ü4G Raymop Z4 ñ4 pX/ Valdeperezp Y4G ñasoodp j4G et al. Selected Standard Protocols
sensitive ligand for luminescent quantum dots4 Langmuir4 2006p for the Synthesisp Phase Transferp and bharacterization of
22p VJW8H/VJWxJ4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9laJTV8JVH4 ónorganic bolloidal Nanoparticles4 Chem. Mater. 2017p 29p mxx–
mV4 Qrabollep ñ4G Spielesp ñ4G üesnya p V4G Qaponi p N4G qychm llerp HTV4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9acs4chemmater4TbJHUm84
j4G Resch/Qengerp U4 Yetermination of the fluorescence Hm4 Pup b4G Quinp X4G Qaop Y4G Zhoup í4G Wangp P4G Pengp X4 Synthetic
quantum yield of quantum dotsF suitable procedures and bontrol of qxciton &ehavior in bolloidal Quantum Yots4 J. Am.
achievable uncertainties4 Anal. Chem4 2009p 81p TW8z/TWxH4 Chem. Soc4 2017p 139p mmJW–mmVV4 YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9
YOóF httpsF99doi4org9VJ4VJWV9acxJJmJ8v4 jacs4TbVVHmV4
mW4 Yup W4G Qup ü4G Quop W4G Pengp X4 qxperimental determination HH4 Pup b4G Pengp X4G Q4 To &attle Surface Traps on bdSe9bdS bore9
of the extinction coefficient of bdTep bdSep and bdS Shell NanocrystalsF Shell ósolation versus Surface Treatment4 J.
nanocrystals4 Chem. Mat4 2003p 15p W8zH/W8TJ4 YOóF httpsF99 Am. Chem. Soc4 2016p 138p 8VmH/8VHW4 YOóF httpsF99
doi4org9VJ4VJWV9cmJmHJ8Vk4 doi4org9VJ4VJWV9jacs4TbJWxJx4

Article citation:
Qómez/Piñerosp &4 S4G Qranados/Oliverosp Q4 Síntesis y caracterización de las propiedades ópticas de puntos cuánticos de bdSe y bdSe9ZnS4 Rev.
Colomb. Quim. 2018p 47 DVOp zU/Tm4 YOóF httpF99dx4doi4org9VJ4VzHHT9rev4colomb4quim4vHUnV4TVJTU4

Rev. Colomb. Quim. 2018p 47 DVOp zU/Tm 63

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