Está en la página 1de 7

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA


ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

2. LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS RESPUESTA EN FRECUENCIA


DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

I. INTRODUCCIÓN:
Antes de empezar a hablar más detalladamente sobre el tema del laboratorio
vamos a dar unos pequeños conceptos respecto a la experiencia que vamos
a realizar en el laboratorio.
La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa
como un amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos
de amplificación, también invierte la tensión de señal, es decir, si la tensión
es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el
colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.
Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos
en un transistor tipo PNP. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada
directamente y la unión emisor-colector, JC, inversamente polarizada.
Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias,
RB conectada a la base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB,
la corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base,
IB, como hemos visto con la formula IC = b. IB; IC es mucho más grande que
IB y ese aumento viene dado por b, que es un parámetro característico del
transistor.
Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la
tensión que obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta
resistencia. Podemos colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos
RE, que va a perjudicar mucho la amplificación de tensión, pero va a hacer
que el transistor sea mucho más estable y no le afecten los cambios de la
temperatura.
Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos
conseguir corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por
ejemplo, si aumentamos la resistencia de base el valor de la corriente IB será
menor, lo que implicará que IC también sea menor, y al pasar una corriente
de colector menor a través de RC, el potencial que se obtendrá a la salida
será mayor; pero si disminuimos RB aumenta IB y con ella la corriente de
colector, y la tensión de colector disminuirá.
Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos llegar a un punto en el
que pasemos de la zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión
colector-base, que está inversamente polarizada en activa, pase a estar
directamente polarizada y, por lo tanto, en saturación. Esto se produce
porque IB aumenta y, en consecuencia, IC también aumenta.
Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de
forma lineal. Es decir, que, a iguales variaciones de la corriente de base, IB,
se producen iguales variaciones de la corriente de colector, IC. El primer
punto en el cual al aumentar IB ya no aumenta IC pertenece a la zona de
saturación. También podemos modificar los valores de la corriente de base,

1
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

de colector y de la tensión de salida jugando con la tensión de entrada o con


la resistencia de colector.

Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su


punto de funcionamiento. La corriente continua, y la tensión en cada
terminal del transistor determinan el punto de funcionamiento de un
circuito. Este punto de funcionamiento se encuentra situado en la recta de
carga.
Para saber cuál es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que
determinar el valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e IC
corriente de colector cuando el potencial trabaja en zona activa. Para
determinarlas podemos usar las curvas características que representan a un
transistor, o también podemos hallar el punto matemáticamente, usando
dos fórmulas que ya conocemos, la ley de Ohm V = I. R y la igualdad IC = b.
IB. Combinando correctamente ambas fórmulas hallaríamos los datos que
necesitamos para obtener el punto de funcionamiento.

II. OBJETIVOS:
 Conocer cómo trabaja el transistor en configuración emisor común.
 Las relaciones entre el emisor con la base y el colector.
 Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida.
 Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
 Hallar la ganancia para este tipo de configuración.
 Demostrar el funcionamiento y características de un amplificador en
emisor común.

III. MARCO TEÓRICO:


La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor
se conecta al punto de tierra (masa) tanto de la señal de entrada como de
salida. En esta configuración, existe tanto ganancia tanto de tensión como de
corriente. En caso de tener resistencia de emisor, (RE) debe ser mayor de 50
ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante bien la impedancia
de salida, por RC y la ganancia en tensión por la expresión:
𝐑𝐂
𝐆𝐕 = −
𝐑𝐄
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo,
entre ellos se puede suponer que existe una tensión constante, denominada
VBE y que el valor de β es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la
tensión de emisor es:
𝐕𝐄 = 𝐕𝐁 − 𝐕𝐁𝐄
Y la corriente de emisor:
𝐕𝐄 𝐕𝐁 − 𝐕𝐁𝐄
𝐈𝐄 = =
𝐑𝐄 𝐑𝐄
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
𝐈𝐂 𝟏
𝐈𝐄 = 𝐈𝐂 + 𝐈𝐁 = 𝐈𝐂 + = 𝐈𝐂 (𝟏 + )
𝛃 𝛃

2
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

Despejando la corriente de colector:


𝐈𝐄
𝐈𝐂 =
𝟏
𝟏+𝛃

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

𝐈𝐄
𝐕𝐂 = 𝐕𝐂𝐂 − 𝐈𝐂𝐑𝐂 = 𝐕𝐂𝐂 − 𝐑𝐂 ∗
𝟏
𝟏+𝛃
Como β >> 1, se puede aproximar:
𝟏
𝟏+ =𝟏
𝛃
y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

𝐕𝐁 − 𝐕𝐁𝐄 𝐕𝐁𝐄 𝐕𝐁
𝐕𝐂 = 𝐕𝐂𝐂 − 𝐑𝐂𝐈𝐄 = 𝐕𝐂𝐂 − 𝐑𝐂 ∗ ( ) = (𝐕𝐂𝐂 + 𝐑𝐂 ) − 𝐑𝐂
𝐑𝐄 𝐑𝐄 𝐑𝐄

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada),


y la restante expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal
de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:

𝐕𝐂 𝐑𝐂
𝐆𝐕 = =−
𝐕𝐁 𝐑𝐄

La corriente de entrada:
𝐈𝐄
𝐈𝐁 = , 𝐒𝐢 𝛃 ≫ 𝟏
𝟏+𝛃

puede expresarse como sigue:

𝐈𝐄 𝐕𝐄 𝐕𝐁 − 𝐕𝐁𝐄
𝐈𝐁 = = =
𝛃 𝐑𝐄𝛃 𝐑𝐄𝛃

Suponiendo que VB >> VBE, podemos escribir:

𝐕𝐁
𝐈𝐁 =
𝐑𝐄𝛃

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de


entrada queda como:
𝐕𝐁 𝐕𝐁
𝐙𝐢𝐧 = = = 𝐑𝐄𝛃
𝐈𝐁 𝐕𝐁
𝐑𝐄𝛃
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de
transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

3
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de dos


conjuntos de características:

 Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada
(VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE
es: VBE = 0.7V

Figura 1.- Parámetros de entrada

 Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE)
para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Figura 2.- Parámetros de salida

Regiones Operativas
 Región Activa
La unión colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la
unión base-emisor se polariza directamente.
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, está formada por
la suma de la corriente de base y la de colector:

4
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

IE = IC + IB
En la configuración EC, también se mantiene la relación siguiente que
se usó en la configuración BC:
IC = 𝜶IE

 Región de Corte
Tanto la unión base-emisor como la unión colector-emisor de un
transistor tienen polarización inversa.
En la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte
para la configuración EC se definirá mediante:
IC = ICEO
Para IB = 0µA
La región por debajo de IB = 0µA debe evitarse si se requiere una señal
de salida sin distorsión.

 Región de Saturación
Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un
transistor tienen polarización directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones
están en polarización directa, las corrientes se anulan.
Un transistor está saturado cuando:
(IC = IE = IMáxima)

Figura 3.- Regiones Operativas

Ganancia de Corriente 𝛽 (beta)


La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC)
entre la de entrada (IB)
𝐈𝐂
𝛃=
𝐈𝐁

La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente


de salida (IC) es mayor que la corriente de la entrada (IB). Suele tener un
rango entre 40 y 400, con la mayoría dentro del rango medio.

5
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

𝛽 es un parámetro importante porque ofrece una relación directa entre los


niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC.
𝐈𝐂 = 𝛃𝐈𝐁
Y dado que
IE = IC + IB
IE = 𝛽IB + IB
Se tiene que
𝐈𝐂 = (𝛃 + 𝟏)𝐈𝐁
Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de
voltaje y de potencia mucho mayores que los de base común.
𝐕𝐂 𝐑𝐂
𝐆𝐕 = =−
𝐕𝐄 𝐑𝐄

IV. APLICATIVOS:

1. Simular el siguiente circuito:

2. Simular el siguiente circuito con el Vcc igual al anterior:

6
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE ELECTRÓNICA

3. Simular el siguiente circuito:

4. Simular el siguiente circuito

5. Simular el siguiente circuito:

V. CONCLUSIONES:

VI. OBSERVACIONES:

VII. BIBLIOGRAFÍA Y ENLACES:


 http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/emis_com.html
 http://es.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/34-
configuracin-en-emisor-comn
 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor