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N° 11
III. Objetivo.
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como
semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
El circuito equivalente de ac para un FET se ilustra en la figura. Aquí se muestra solo el dispositivo
FET con un voltaje de entrada de ac, Vgs.
El modelo de ac, o circuito equivalente de ac, únicamente para el dispositivo FET, consiste en una
fuente de corriente controlada por voltaje entre los terminales de Drenaje y de Fuente, que
depende del valor gm del dispositivo y del voltaje de ac de entrada Vgs, y una resistencia de ac del
dispositivo entre los terminales de drenaje a fuente con valor de rd (resistencia de ac de salida).
1 transcistor 2N5457
5 resistores.
3 capacitores (1 de 47µF y 2 de 10µF).
1 fuente simple.
1 osciloscopio.
1 generador de funciones.
VIII. Bibliografía.