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IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1
(IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más
corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y …… este proceso
regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
Los parámetros son:
VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Máxima corriente directa permitida.
PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.