El Transistor.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir

una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. 1 Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»).
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual: Llamado también transistor de punta de

contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947
por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen
el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia
que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar: El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas
en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas
dos uniones NP.La configuración de uniones
PN, dan como resultado transistores PNP o
NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la característica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son
del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo
general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de

dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.

Transistor de efecto campo: El transistor de efecto de campo de unión (JFET),

fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo
tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador
y el surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarización cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensión
de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
Configuración para el amplificador.

Emisor común: La configuración de emisor común es la más usada. En él, el

transistor actúa como un amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los
efectos de amplificación, también invierte la tensión de señal, es decir, si la tensión
es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector;
pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.Para estudiar las
propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un transistor tipo
P-N-P. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada directamente y la unión
emisor-colector, JC, inversamente polarizada.
Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB
conectada a la base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la
corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como
hemos visto con la formula IC = b . IB; IC es mucho más grande que IB y ese
aumento viene dado por b , que es un parámetro característico del transistor.

Base Comun: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el

colector. la base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
salida. En esta configuración se tiene ganacia sólo de tensión. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte
de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor,
que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis
similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada
𝑅𝑐
siguiente: 𝐺 v= 𝑅𝑒.
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común: Otro tipo de configuración básica de un transistor es la de

colector común. A esta configuración se la suele llamar seguidor de emisor. Con
este tipo de circuitos no vamos a conseguir una amplificación de tensión, pero son
muy buenos amplificadores de la corriente y de ahí viene su utilidad.
La entrada de señal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por
el colector como en el resto de los circuitos. El terminal común para la entrada y la
salida es el colector, como su nombre indica. Si la unión base emisor está
polarizada directamente, el transistor va a conducir, mientras que si está
inversamente polarizada no lo hará.
Transistores Bipolares. PNP y NPN

Los transistores son semiconductores que constan

de 3 terminales: emisor, colector y base. Hay
diferentes tipos de transistores, pero en este curso
sólo estudiaremos los bipolares. Dentro de ellos,
según como sea la conexión de sus componentes,
hay dos tipos, los NPN y los PNP. El de la izquierda
es un transistor NPN y el de la derecha un
transistor PNP. En el NPN la flecha que indica el
sentido de la corriente sale hacia fuera (la corriente irá de colector a emisor)
mientras que en el PNP la flecha entra (la corriente irá de emisor a colector)

Experimento en el laboratorio:

circuito :

Rvariable RB=RBi+Rvar IB1 Ic1 B1=ic/iB Vc E1

1k 5k 2150uA 12.4mA 5.76 0.08v
2k 6k 1800uA 12.5mA 6.94 0.09v
4k 8k 1365uA 12.5mA 9.15 0.11v
6k 10k 1100uA 12.4mA 11.27 0.14v
8k 12k 910uA 12.5mA 13.7 0.15v
10k 14k 800uA 12.5mA 15.6 0.15v
15k 19k 600uA 12.5mA 20.8 0.17v
18k 22k 500uA 12.5mA 25 0.18v
22k 26k 450uA 12.5mA 27.7 0.18v
27k 31k 350uA 12.5mA 35.7 0.19v
Datasheet del transistor
conclusiones:

 en esta clase hemos aprendido el funcionamiento del transistor.

 nos dimos cuenta que el transistor es en realidad 2 diodos conectados en
sentidos opuestos.
 Vimos que para que se dé una amplificación necesitamos una fuente de
voltaje continuo.

Bibliografía:
 http://category.alldatasheet.com/index.jsp?sSearchword=CAPACITOR.
 Robert L. Boylestad , electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos .
 http://www.nichese.com/rectificador.html.
 http://www.forosdeelectronica.com/proyectos/fuente-variable.htm