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ELECTRICA
1-2- Diodos semiconductores.
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DIODOS SEMICONDUCTORES
Daremos una explicación resumida, sobre los aspectos más importantes que tratan el
funcionamiento interno del “diodo semiconductor”, que permitan tratar sin
inconvenientes los temas posteriores. Para un análisis cuantitativo de este segmento, es
necesario recurrir a la bibliografía recomendada.
La mayoría de los dispositivos
electrónicos (diodos, transistores,
tiristores, etc.) utilizan como materia
básica, los materiales semiconductores.
Éstos, así como los metales y muchos
materiales aisladores son de naturaleza
cristalina. Los átomos de estos
materiales, forman una estructura
geométrica uniforme, denominada red
cristalina. Materiales de uso común son
el germanio (Ge) y el silicio (Si). Estos,
son de valencia cuatro (4). También se
utiliza el arseniuro de galio (GaAs), el
boro (B), el fósforo (P), el indio (In) y el
antimonio (Sb). Últimamente, se esta
utilizando, con propiedades mejoradas
en los dispositivos semiconductores, el
carburo de silicio (CSi).
El dibujo representa una red cristalina, donde los círculos mayores son los núcleos
(iones positivos) de los átomos y los círculos menores son los electrones (negativos)
periféricos o de última capa. Las líneas curvas, representan los enlaces covalentes que
requieren cada uno de dos electrones. Estos enlaces son los que unen a los átomos
vecinos para formar la estructura cristalina regular, estable y eléctricamente neutra.
Con esta estructura ideal, si aplicamos una pequeña tensión eléctrica en el material, no
se producirá circulación de corriente eléctrica, debido a que los electrones de valencia,
están ligados a los átomos vecinos a través de los enlaces. La conducción solo puede
tener lugar, cuando se establece una imperfección en la red cristalina que rompa
algunos de estos enlaces y los electrones liberados formen parte de la corriente
eléctrica. En la naturaleza real o la fabricación de estos materiales, se verifica una
conducción eléctrica que a igualdad de condiciones, resulta mucho menor que la de un
metal; de allí el nombre de “materiales semiconductores”.
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Apunte de cátedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I – ING. ELECTRICA
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Si tomamos la teoría del átomo de Rutherford, La energía de un electrón que se
encuentra girando alrededor de su núcleo vale:
w = - q2 / (4.П.εo.r) (energía total), siendo “q”, la carga del electrón, “εo” la
permitividad del vacío, y “r”, el radio o distancia del electrón al núcleo. La energía es
mas negativa (menor) cuando el electrón se encuentra cerca de su núcleo.
El átomo de Bohr explica los espectros de emisión de luz del átomo de hidrogeno,
estableciendo los niveles discretos de energía de los electrones. Cuando un electrón
salta de un nivel de energía mayor a uno menor, lo hace desprendiéndose de esa
diferencia de energía, en forma luminosa. La frecuencia de dicha radiación vale : f =
(w2—w1) / h, siendo w2 el nivel de energía superior, w1 el nivel inferior y “h” es la
constante de Planck.
La teoría quántica explica a través del “principio de exclusión de Pauli” que en un
átomo no puede haber dos electrones con el mismo valor de energía; decimos entonces
que un átomo aislado tiene un conjunto de niveles de energía discretos.
Cuando se reúnen varios átomos, los niveles de energía se desdoblan, apareciendo otros
niveles de energía permitidos. Cuando tenemos muchos átomos la diferencia de energía
de los niveles es pequeña. A los fines prácticos se puede considerar que los niveles de
energía permitidos, forman una banda continua de energía. Sin embargo en los
materiales, estas bandas de energía son finitas y existen regiones continuas de energía
prohibida. De allí que en los materiales tenemos para sus electrones bandas de energía
permitidas y bandas de energía prohibida, como lo muestra la siguiente figura para un
aislador o un semiconductor(a la temperatura T = 0 ºK).
Banda llena
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dicha banda es el máximo, decimos que la banda esta llena. El tamaño de las bandas
prohibida y si las bandas ocupadas están llenas o no, es lo que determina que un
material se comporte como conductor, semiconductor o aislador.
Materiales aisladores:
A la temperatura del cero absoluto, todas las bandas de energía están ocupadas y entre la
banda de valencia y la banda de conducción, existe un salto de energía de varios
electrón-voltio (eV). Para este caso la banda de conducción esta vacía. Al no tener
ningún electrón con ese nivel de energía, el aislador no conduce corriente eléctrica
cuando se le aplica una tensión eléctrica en sus extremos. Si esa tensión eléctrica es de
un valor muy alto, es posible entonces que se puedan energizar algunos electrones de la
banda de valencia y pasen a la banda de conducción; en esta situación el material
aislante conduciría corriente eléctrica.(Ejemplo, seria el caso de las descargas eléctricas
en los “aisladores de las líneas eléctricas por sobretensiones atmosféricas)
Energía
de los
electrones
Banda parcialmente
llena (banda combinada
de valencia y de
conducción)
Banda prohibida
Banda llena
Materiales conductores:
Los conductores en el cero absoluto tienen una banda parcialmente llena denominada
banda combinada de valencia y conducción. Estas bandas consisten en niveles de
energía discretos que están muy próximos entre si. Por lo tanto algunos de los electrones
de la banda parcialmente llena, requieren incrementos de energía extremadamente
pequeños para elevarse a un nivel superior de energía. De aquí que la aplicación de
pequeños campos eléctricos, produzcan la conducción eléctrica. Por otra parte la
elevación de la temperatura, aumenta la agitación térmica de los electrones y átomos,
aumentando la probabilidad de colisiones, haciendo crecer la resistencia eléctrica del
material.
Materiales semiconductores :
En el cero absoluto, la distribución de bandas de energía (no los valores de energía),
son equivalentes a los materiales aislantes, con la diferencia que el intervalo de energía
entre la banda llena más alta (banda de valencia) y la banda de conducción inmediata
superior, es pequeño, del orden del electrón-voltio (eV).
La acción de la temperatura (calor) y la luz puede provocar el salto de algunos de los
electrones de valencia y pasar a la conducción. Estos materiales, a la temperatura
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ambiente, una baja conductividad eléctrica, que puede incrementarse con el aumento de
temperatura. La conductividad del material esta relacionada con la cantidad de
portadores de carga por unidad de volumen del material. Mientras mas alta sea la
densidad de los portadores, mayor será la conductividad.
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donador, el electrón adicional de Este, se libera fácilmente por acción de la agitación
térmica, formando parte de los electrones de conducción eléctrica. El electrón liberado
deja un ion positivo, fijo en el lugar del átomo de impureza donador, pero el
semiconductor, mantiene la neutralidad de cargas. Un semiconductor dopado con
electrones adicionales se conoce como de “tipo n”
Banda de conducción
Banda llena
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semiconductor, se mantiene. Un semiconductor que presenta abundancia de portadores
de carga positiva, como lo son los huecos , se dice que es un material del tipo “p”
Banda de conducción
Nivel de energía de
0,01eV electrones receptores
Banda llena
La unión “pn” esta formada por la aleación metálica de un semiconductor de tipo “p” y
uno de tipo”n”. Normalmente es fabricada a partir de un solo cristal, por difusión, en el
cual cada uno de los lados de la unión (juntura) ha sido impurificado adecuadamente.
De esta forma la estructura puede ser tratada como continua. Esta estructura así
concebida da lugar a discontinuidades abruptas en la concentraciones de huecos y
electrones a cada lado de la juntura, limite de la zona “p” y zona “n”. El dibujo
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siguiente muestra el aspecto físico de la juntura como así también la distribución de las
densidades de átomos donadores, átomos receptores, huecos, electrones, densidad total
de la carga eléctrica y distribución del potencial eléctrico
Iones Iones
receptores juntura donadores
negativos positivos
Campo eléctrico
interconstruido
Zona de
agotamiento
Densidad de
átomos receptores
Densidad de
átomos portadores
Densidad de
huecos
Densidad de
electrones
Densidad total de
carga
- +
- Distribución
potencial eléctrico
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Cuando la unión se forma por primera vez, debido al gradiente de portadores de carga
(huecos del lado P y electrones del lado N) se produce por un proceso de difusión, una
corriente de portadores que cruzan la juntura, dejando a cada lado de la misma los iones
de los átomos del cristal; iones positivos del lado N e iones negativos del lado P. Este
proceso se produce en una región muy estrecha denominada “región de agotamiento” o
“zona de la carga espacial no neutralizada”.Tiene estas denominaciones dado que en
esta zona no existen portadores de carga. Debido a los iones de la carga espacial, se
genera un campo eléctrico denominado “campo ínter construido” o “barrera de
potencial”. Este campo eléctrico es tal que tiende a oponerse a la difusión de nuevos
portadores de carga para cada lado de la juntura, haciendo que esta corriente disminuya.
Cabe aclarar por otra parte que en los materiales extrínsecos, tenemos portadores
mayoritarios y minoritarios. Los mayoritarios como dijimos se generan por el agregado
de impurezas donadoras o receptoras. Los portadores minoritarios, se generan por efecto
térmico. En un semiconductor tipo “P” los portadores mayoritarios son los huecos; los
minoritarios los son electrones. Si el material es de tipo “N”, los portadores
mayoritarios son los electrones y los minoritarios son los huecos.
Volviendo, después de esta aclaración a la circulación de corrientes en una juntura
“PN”, los portadores minoritarios encuentran al campo eléctrico “ínter construido”
favorable para que estos puedan atravesar la juntura estableciéndose una corriente
eléctrica de portadores minoritarios. En el equilibrio y sin un campo eléctrico externo
aplicado a la juntura, estas dos corrientes, la de difusión de portadores mayoritarios
(que genera la barrera de potencial) y la de portadores minoritarios (generados
térmicamente), se igualan y como circulan en sentido opuesto, la corriente neta que
atraviesa la juntura, es igual a cero.
Contacto Contacto
ohmico + - ohmico
VD
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Pn = pno. e(VD/VT)
np = npo . e(VD/VT)
pn = concentración de huecos.
np = “ de electrones
pno = “ de huecos antes de aplicar la tensión VD
npo = “ de electrones antes de aplicar la tension VD
VT = K.T/ q se denomina tensión térmica donde:
K = constante de Boltzman ( 1,38 x 1º(-23) J/K)
T = temperatura absoluta en gradas kelvin
q = la carga del electrón ( 1,6 x 10-19 coulombs)
A la temperatura normal (300ºK) VT = 25,88 mv.
POLARIZACION INVERSA
Contacto Contacto
óhmico - + óhmico
VD
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Si el voltaje VD aplicado a la juntura PN es inverso o negativo, el campo eléctrico
externo tendrá el mismo sentido que la barrera de potencial y por lo tanto en la juntura
el campo eléctrico se incrementa. Como resultado la inyección de portadores
minoritarios decrece, haciéndose prácticamente nula. La corriente debido a estos
portadores entonces se hace cero; solo queda la corriente debida a los portadores
minoritarios, denominada de saturación inversa y que no es afectada por la tensión
inversa aplicada, prácticamente. Las “relaciones de Boltzman” se cumplen para tensión
inversa dado que los exponentes se hacen negativos y las concentraciones de portadores
mayoritarios decrecen hasta hacerse igual a cero.
Cápsula
El diodo semiconductor
SÌMBOLO
Característica tensión—corriente
iD = Is .(e(vD/n.VT)—1) donde:
Is: “corriente de saturación” inversa .;es función de la concentración de impurezas
donadores y aceptores, como así también de la temperatura, área de la unión y de otras
constantes físicas. Para diodos de Ge, su valor es del orden del micro amperes. Para
diodos de silicio es del orden de los nanoamperes y para un diodo de silicio en circuito
integrado, esta en el orden del micro Amper.
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vD: Tensión aplicada en los terminales del diodo. Es positiva cuando el ánodo se
polariza mas positiva que el cátodo; vd es negativa cuando se invierte la polarización.
n: Coeficiente de emisión. Vale entre 1 y 2, dependiendo del tipo de semiconductor, la
magnitud de la corriente directa y del valor de Is. Para diodos discretos de silicio,
operando con corrientes del orden de los 10 ma o menores n = 2. Para diodos integrados
o discretos operando con valores mayores de 10 ma, n=2. Para diodos de Ge. n =1.
VT = K.T/q : “tensión equivalente térmica” cuyos valores ya lo hemos definidos
anteriormente.
+id(mA)
Región
polarización
directa
-vd (volt)
+vd (volt)
Vd=0,6 volt
Región Silicio
polarización
inversa
-id(nA)
En la formula, vemos que para vd = 115 mv la corriente del diodo se puede expresar
como iD= Is. e(VD/n.VT). Por otra parte la corriente vale cero, para valores de
0<= vD => 0,5 a 0,7 volt (silicio). Superando este valor, la corriente comienza a
incrementarse con características exponencial según se muestra el grafico. La tensión
directa de “vd” para la cual la corriente del diodo comienza a incrementarse, se le
denomina “tensión umbral” o de “activación” y la designamos como vγ (gama); su
valor oscila en 0,5 a 0,7 volt. Para el silicio, 0,2 volt. aprox. para el germanio y 0,9 a
1,0 volt. para el AsGa.
Para valores altos de corriente, prácticamente la característica V—I, deja de ser
exponencial para convertirse en lineal; el diodo se comporta como una resistencia
eléctrica, predominado, la caída ohmica. La V—I en directa es dependiente de la
temperatura. La caída “vD” disminuye con el aumento de la temperatura en un valor de
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aproximado d(vD)/dt = -2,5 mV/ºC. Esto significa que si mantenemos vd = cte. La
corriente del diodo “id” crece con la temperatura.
40ºC 20ºC
+id(ma)
Región
polarización
directa
-vd(volt)
+vd(volt)
Vd=0,6 volt
Región Silicio
20ºC polarización
inversa
40ºC -id(na)
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corriente superficial y dependiente prácticamente en forma lineal de la tensión inversa
aplicada. IR = Is + If (If es una corriente de huecos en la superficie de la juntura)
Problema: Determinar la resistencia inversa del diodo anterior para Tj1 = 25ºC
Tj2 = 100ºC y VR1 = VR2 = 50 volt.
Luego tenemos varias alternativas como ser plantear las ecuaciones V—I del diodo y
la de la recta de carga y resolver analíticamente:
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iD = Is .(e(vD/n.VT)—1)
La resolución de ecuaciones con términos exponenciales es complicada; No obstante
un método practico es utilizar programas de computación como las planillas de calculo
(Exel o Qpro) y resolver por aproximación. Otra alternativa (complicada para resolver
manualmente) es por el método iterativo. También se puede resolver gráficamente.
Problema:
Para el circuito de la figura, determinar la corriente y la tensión del diodo, por el
método grafico, suponiendo que se dispone la característica V—I del diodo.
iD
vD
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Datos del diodo: vd2 = 0,93 volt, para id2 = 1Amper ; vd1= 0,7 volt, para id = 0
Modelo lineal del diodo semiconductor para corriente alterna de baja señal
Para polarizacion directa y vd > 115 mv, el termino “—1” en la expresión anterior,
representa menos del 1% por lo que podemos despreciarlo, quedando la ecuación:
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Para calcular Vj aplico la inversa de la ecuación o sea aplico logaritmo en base “e” a
ambos miembros y despejo Vd valor de la caída de tensión para Id =1ma.
Problema: Calcular la resistencia dinámica de un diodo de silicio con n=1 a ta= 20ºC
Polarizado en directa con valores de corriente continua de 10ua 500 ua ,1ma, 5 ma.
Ahora bien , podríamos hacernos la siguiente pregunta ¿ que tan pequeña es una señal
incremental pequeña? La respuesta es que debe ser extremadamente pequeña a fin de
mantener a “rd” constante durante la variación de la señal en torno al punto de
polarizacion. Para el caso de señales alternas distintas de cero, la pendiente de la
característica V—I del diodo cambia, por lo que “rd” no se mantiene constante y la
relación tensión / corriente no es lineal. No obstante es común utilizar el modelo
anterior, suponiendo a rd = cte. , pero reconociendo al mismo tiempo que la no
linealidad (llamada también distorsión) aumenta con la amplitud de la señal.
En la región de polarizacion inversa, “rd” es de un valor muy alto y en algunos casos
no se la tiene en cuenta. En esta región también hay que considerar una capacidad
denominada “capacidad de transición Ct”. Para funcionamiento en baja frecuencia el
diodo puede considerarse como un circuito abierto.
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Los valores de los componentes de ambos dibujos son aproximados, solamente para
tener una idea del orden de los mismos. Rs tiene en cuenta la resistencia serie del
cuerpo (ohmica) del diodo.
Solución: Calcularemos primero la corriente directa que circula por el diodo; para ello
utilizaremos la 2ª aproximación del diodo con una caída de tensión Vd = 0,7 volt
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Parámetros eléctricos suministrados por los fabricantes de diodos
semiconductores
Io (IFAV) = Máxima corriente promedio para una forma de onda senoidal con un
ángulo de conducción de 180ª y determinada frecuencia (50 o 60c/seg. para diodos de
baja frecuencia)
IFSM = Máxima corriente de pico no repetitiva (con especificación de su duración)
IR = Corriente inversa máxima con especificación de la temperatura de la
juntura y la tensión inversa aplicada.
IR(av) = Corriente promedio inversa para una determinada corriente directa IFAV.
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id Id=1 A
Vd=0,93 Volt
vd
Vc=0,7 volt
Tipo N Tipo P
pn(0)
np(0) pno
npo
Concentración de portadores
minoritarios con polarización inversa
Tipo P Tipo N
pn(0)
np pn
pno
npo x=0
np(0)
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El tiempo Trr = ts + tt se denomina “tiempo de recuperación inversa”. Este valor , es
generalmente suministrado por el fabricante, y depende de : la corriente directa previa
a la conmutación, de las características de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de
las características físicas del diodo. Un tiempo de recuperación largo, respecto a la
frecuencia de conmutación, produce una disipación de energía en exceso, elevando la
temperatura por encima de los valores máximos lo cual puede provocar la inutilización
del diodo semiconductor. Por esta razón, cuando se debe trabajar con frecuencias de
conmutación altas, se debe seleccionar diodos que tengan un “trr” bajo.
vi VF
-VR
(pn—pno )
en la juntura
t1
t2 t
id
VF/RL
t
-VR/RL
ts tt
vd trr
Almacenamiento
portadores
minoritarios t
-VR
En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarización directa,
conduce la corriente id ≈ VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo “t1”,
el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id ≈ -VR / RL. Durante el
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intervalo (t2—t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminación de la
carga en exceso, llamada también “carga almacenada”. A partir de “t2”, comienza un
periodo de transición, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a
partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensión inversa , bloqueando la
corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is.
El tiempo Trr = ts + tt se denomina “tiempo de recuperación inversa”. Este valor, es
generalmente suministrado por el fabricante, y depende de: la corriente directa previa a
la conmutación, de las características de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de las
características físicas del diodo. Un tiempo de recuperación largo, respecto a la
frecuencia de conmutación, produce una disipación de energía en exceso, elevando la
temperatura por encima de los valores máximos lo cual puede provocar la inutilización
del diodo semiconductor. Por esta razón, cuando se debe trabajar con frecuencias de
conmutación altas, se debe seleccionar diodos que tengan un “trr” bajo.
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