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GUSTAVO AYALA
IVAN MORA
2017
Diodo Shockley
Historia
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Al aplicar un tensión positiva entre ánodo y cátodo se puede observar que la unión
J1 y J3 está polarizada en directa, y la unión J2 polarizada en inversa. En estas
condiciones únicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensión positiva se llega a una
tensión VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la
caída de tensión decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha
conmutado desde el estado de bloqueo a conducción.
Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en
separar su estructura física en dos mitades (figura 12.2.c). La mitad izquierda es
un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la
figura 12.3.d que normalmente es referido como candado. Las características
eléctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la gráfica de la figura 12.3.
En esta gráfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro regiones de operación:
Zona directa (V > 0)
Región de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy bajas.
En esta región se puede modelar como una resistencia ROFF de valor
Región de ruptura. El diodo puede soportar una tensión máxima inversa VRSM
que superado ese valor entra en conducción debido a fenómenos de ruptura por
avalancha.
La característica Tensión-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La región I es
la región de alta impedancia y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del
estado apagado al de conducción, se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar
la tensión de conmutación, denominada Vs. La impedancia del diodo desciende
bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente y
disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III (Punto B).
Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de
mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia,
reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus
terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la
región I (Punto A). La tensión inversa de avalancha es denominada Vrb.
El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo PNPN
entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos PNP y
NPN, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se
crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de
puerta está conectado a la unión J2 (unión NP)
Al igual que los FET de potencia, el SCR y el Triac pueden conmutar grandes
corrientes. Por ello, la principal aplicación de estos dispositivos es el control de
grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminación y
otras cargas semejantes. En sí, el tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador
y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idóneo en electrónica de
potencia. El Triac por su parte no es sino la variante bidireccional.
Dentro de la familia de los tiristores, los tipos más significativos son: Diodo
Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), Diac y Triac. Existen muchos más pero
en este caso solo trataremos los ya mencionados
Características generales:
Tensión de disparo
Corriente de disparo
Tensión de simetría (ver gráfico anterior)
Tensión de recuperación
Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)
SCR
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposición
PNPN. Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La
conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal,
rectificador y amplificadora la vez.
FUNCIONAMIENTO
APLICACIONES: