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CasIngenieros Autor:

http://www.gratisweb.com/casingenieros Juan Pablo Martí

ELECTRÓNICA APLICADA I
SEÑALES Y FUENTES TÍPICAS DE GENERACIÓN
Características generales de las señales que manipulan los sistemas electrónicos:
Los sistemas electrónicos pueden, en general, manejar dos tipos de señales:
• Señales analógicas: Son señales continuas que representan valores y variaciones reales de parámetros
físicos. Como ejemplos están las señales de audio.
• Señales digitales: Son señales representadas por pulsos que manejan valores discretos. Como ejemplo
están las señales binarias manejadas en una computadora.
Señales de audio:
Las señales de audio son ondas senoidales con frecuencias que están entre 20Hz y 20KHz. La máxima sensibilidad
del oído humano, en promedio, se da a una frecuencia de 1KHz.
Señales provenientes de transductores biológicos e industriales:
Los transductores son elementos que transforman en energía eléctrica otros tipos de energía. Se utilizan por ejemplo
para transformar una onda sonora en una señal electrónica de audio, o viceversa.
AMPLIFICADORES
Clases de amplificadores:
Existen tres modos básicos de funcionamiento de los amplificadores: clase A, clase B y clase C, dependiendo de
dónde ubicamos el punto de trabajo y de la señal de entrada del sistema, lo que determina qué porción de esa señal
es amplificada.
Clase A:
Se define amplificador clase A como aquel en el cual el punto de trabajo y la señal de entrada son tales que
circula corriente de salida para todo el ciclo de la señal de entrada. Es decir, que la señal de entrada es
íntegramente amplificada.
Clase B:
Un amplificador clase B se define como aquel en el cual el punto de trabajo y la señal de entrada son tales
que circula una corriente de salida durante medio ciclo de la señal de entrada. Es decir que solo la mitad de
la señal es amplificada.
Clase AB:
Un amplificador clase AB se define como aquel en el cual el punto de trabajo y la señal de entrada son
tales que circula una corriente de salida durante un tiempo que va entre medio ciclo y el ciclo completo de
la señal de entrada.
Clase C:
Un amplificador clase C se define como aquel en el cual el punto de trabajo y la señal de entrada son tales
que circula una corriente de salida durante menos de medio ciclo de la señal de entrada. Es decir que sólo
una porción de la señal es amplificada.

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Distorsión:
Distorsión es toda modificación no deseada de la señal en un dispositivo.
De amplitud:
Se denomina distorsión de amplitud a la debida a la no linealidad de las características de un dispositivo
activo, lo que provoca que se pierda la simetría de las señales.
De fase:
Ésta se debe a los elementos reactivos del circuito o a los asociados a los dispositivos activos, que
provocan un defasaje indeseado de las señales.
Armónica:
Toda señal no senoidal se compone de infinitas componentes senoidales configurando una serie de Fourier.
Al aparecer distorsión de amplitud, la señal original presentará armónicos indeseados que estando en el
circuito provocan distorsión de la señal.

Si representamos una señal, tomando como referencia su valor pico para establecer simetría par, mediante
la serie de Fourier, obtenemos lo siguiente:
io = I oA + 2 .[I o1 . cos(ω.t ) + I o 2 . cos(2.ω.t ) + I o3 . cos(3.ω.t ) + L]
En el caso de trabajar con transistores, los armónicos mayores al cuarto pueden despreciarse, por lo que la
señal quedará representada como:
io = I oA + 2 .[I o1 . cos(ω.t ) + I o 2 . cos(2.ω.t ) + I o3 . cos(3.ω.t ) + I o 4 . cos(4.ω.t )]
Los parámetros desconocidos de ésta fórmula son las magnitudes de los armónicos, así como la magnitud
del valor medio de la señal. Para encontrarlas tomaremos 5 valores de ω.t distintos, a saber
π π 2
0, , , π y π . Queda determinado así un sistema de ecuaciones, que resuelto nos presenta las
3 2 3
siguientes soluciones:
I o max + I o min I oα + I oβ
I oA = +
6 3
I o max − I o min I oα − I oβ
2 .I o1 = +
3 3
I + I o min I oT
2 .I o 2 = o max −
4 2
I o max − I o min I oα − I oβ
2 .I o 3 = −
6 3
I o max + I o min I oα + I oβ I oT
2 .I o 4 = − +
12 3 2
/*Estudiar la demostración*/

Determinando las amplitudes de los armónicos generados, podemos expresar la distorsión armónica
porcentual de cada componente (respecto al armónico fundamental) como:
I o2 I o3 I o4
D2 = × 100% D3 = × 100% D4 = × 100%
I o1 I o1 I o1

Otra cantidad de interés es la distorsión armónica total porcentual, que es:

( I o 2 )2 + ( I o 3 )2 + ( I o 4 )2
D= × 100%
I o1

La potencia total de salida es la suma de la potencia de la componente fundamental mas la de los


armónicos, por lo que vemos que la existencia de armónicos disminuye el rendimiento de un amplificador,
pues se necesita más potencia de la fuente, que será distribuida en los armónicos.

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Existe también una distorsión por intermodulación cuando la señal de entrada es composición de dos
señales de distinta frecuencia. En éste caso, aparecerán, además de los armónicos que ya aparecían, un
armónico con una frecuencia que es la diferencia de las dos frecuencias de las señales originales, y otro
cuya frecuencia es la suma.
TRANSISTOR BIPOLAR
Etapas Amplificadoras de señales débiles
Modelos de pequeña señal:
Sabemos que las curvas características de los transistores presentan alinealidad, lo que implica una distorsión en la
amplificación de una señal. A pesar de eso, si la señal introducida en él es pequeña, podemos considerar con
bastante aproximación que el dispositivo es lineal, lo que nos permite aplicar todas las leyes de la teoría de circuitos
al análisis del mismo.
Ésta aproximación nos permite representar los efectos del transistor mediante elementos lineales considerando al
mismo como un cuadripolo. Dependiendo de la situación en la que el transistor trabaja, será considerada la validez
de cada modelo.

Modelo híbrido:
Cuando estamos trabajando con señales de audio, se pueden despreciar los efectos reactivos, constituyendo
un modelo basado en elementos resistivos y generadores. Éste modelo es el de parámetros híbridos y las
ecuaciones que lo representan, junto con el modelo circuital, son los siguientes:

vbe = hie .ib + hre .vce



 ic = h fe .ib + hoe .vce

donde los parámetros se definen como:


vbe
hie = Impedancia de entrada con salida en cortocircuito
ib vce = 0

vbe
hre = Transferencia inversa de tensión con entrada abierta
vce ib = 0

ic
h fe = Ganancia de corriente con salida en cortocircuito
ib vce = 0

ic
hoe = Admitancia de salida con entrada abierta
vce ib = 0

Los parámetros híbridos son dados por el fabricante para una situación de corriente de reposo, temperatura
y rango de frecuencias dados. Para otros valores de éstas magnitudes, el modelo pierde validez, porque los
parámetros híbridos son funciones de la corriente de reposo, temperatura y frecuencia.

La validez del modelo híbrido se limita a frecuencias de audio.

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Modelo de Giacoletto:
Como la respuesta del transistor es función de la frecuencia, debemos suponer que el modelo a utilizar
tenga elementos reactivos en su interior. Para representar esta situación es que existe el modelo de
Giacoletto o modelo π, que es figurativo de las características físicas del transistor. El circuito que lo
define es el siguiente:

Los parámetros son los siguientes:


rbb′ Resistencia de difusión de base: Se debe a la corriente mayoritaria que atraviesa la base del
transistor, que produce una caída de tensión en el semiconductor.
re Resistencia de base: Es la resistencia dinámica del diodo configurado entre base y emisor.
Ce Capacidad de difusión: Es la capacidad de difusión del diodo polarizado en directo de la juntura
base-emisor.
rµ Resistencia base-colector: Es la resistencia del diodo en inverso configurado entre base y
colector. Se debe al efecto Early. Es un valor alto.
Cµ Capacidad base-colector: Es la capacidad de transición de la juntura base-colector, que está
polarizada en inverso.
ro Resistencia de salida: Compensa las variaciones de la resistencia de entrada debidas al efecto
Early, ya que la corriente de colector no varía con el mismo.
Co Capacidad de salida: Es la capacidad que se presenta entre colector y emisor. No se tiene en
cuenta por ser un valor muy pequeño.
gm Transconductancia del transistor: Depende de la corriente de reposo.

Podemos conocer el valor de la transconductancia con la siguiente fórmula:


IC
gm =
VT
/*Estudiar demostración*/
donde VT = 26mV es la tensión térmica.

Capacidades del modelo de Giacoletto:


C e se determina midiendo la frecuencia f T a la que la ganancia de corriente en cortocircuito en Emisor
Común es igual a 1. La fórmula para calcularla es:
gm
Ce ≅
2.π . f T

Es posible medir C µ con un puente normal de capacitancia, con el Emisor abierto.

También podemos obtener la suma de ambas capacidades como:

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1
C = Ce + C µ =
2.π . f β .re
donde f β es la frecuencia de corte del transistor (a la cual la h fe cae al 70% de su valor).
/*Estudiar las demostraciones*/

Los demás valores no pueden obtenerse por medición directa, por lo que deben encontrarse en relación con
parámetros medibles.

Los parámetros de éste modelo son constantes con la frecuencia, varían con el punto de reposo y se
suponen constantes para un determinado valor de éste cuando la señal es pequeña.
Vinculación entre ambos:
Si ignoramos los efectos capacitivos, podemos establecer relaciones entre ambos modelos. Éstas son:

h fe re h fe 1
re ≅ hie o re ≅ rµ = = ro ≅
gm hre hre .g m hoe
/*Estudiar las demostraciones*/
Polarización:
Polarizar un transistor es establecer la ubicación del punto de reposo. Ésta ubicación depende únicamente del
circuito de entrada, y no del de salida.
Dependiendo de la configuración de las resistencias, es el parámetro que determinará principalmente ese punto.
Sobre la base de ello, existen diversos tipos de polarización.
La selección del punto de reposo depende de:
• Carga estática y dinámica
• Fuente de alimentación
• Valores límite del transistor
• Valor pico de la señal de entrada
• Distorsión permisible.
Polarización fija:

Como vemos, el parámetro que determina


el punto de trabajo es la corriente de
base constante.
La principal desventaja de éste circuito es
que si cambiamos el transistor, cambiarán
las condiciones de reposo, por lo que el
circuito presentará un comportamiento
distinto en condiciones dinámicas.
La principal ventaja es que el circuito
presenta muy buena ganancia de potencia,
debido a la poca cantidad de elementos
resistivos en el mismo.

Polarización colector-base:

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Como vemos, el parámetro que determina el


punto de trabajo es la tensión de trabajo
del transistor, porque ese valor es el que
determina la corriente de base. Por ello
también llamamos a ésta polarización con
realimentación de tensión.

Cuantitativamente, podemos obtener la


ecuación para la corriente de colector:
β .(VCC − VBEQ )
I CQ =
R B + (1 + β ).RC

Una ventaja que se presenta es que se hace


más estable el punto de reposo. Esto se ve en
la siguiente tabla:

Variable Situación 1 ( β ↑ ) Situación 2 ( β ↓ )


Corriente de colector I CQ ↑ I CQ ↓
Tensión sobre RC V RC ↑ V RC ↓
Tensión colector-emisor VCE ↓ VCE ↑
Tensión colector-base VCB ↓ VCB ↑
Corriente de base IB ↓ IB ↑
Corriente de colector I CQ ↓ I CQ ↑
Observamos que las primeras variaciones de la corriente de colector se compensan luego con la
consiguiente variación inversa. La pregunta es: ¿cómo hacemos para minimizar la dependencia de la
corriente de colector con el β del transistor? Para hacerlo, deberíamos hacer que:
VCC − V BEQ
R B << (1 + β ).RC ⇒ I CQ ≅
RC
Pero ésta condición no es posible en la práctica, porque con una R B muy chica, la ganancia de la etapa
tiende a 1; y con una RC muy grande, la potencia que debe proveer la fuente de alimentación debe ser
alta. No obstante esto, la condición que más se aplica si es necesario es la segunda.
Polarización con resistor en emisor:

Como vemos, el parámetro que determina el punto


de trabajo es la corriente de emisor, porque ese
valor es el que determina la corriente de base. Por
ello también llamamos a ésta polarización con
realimentación de corriente.

Cuantitativamente, podemos obtener la ecuación


para la corriente de colector:
β .(VCC − VBEQ )
I CQ =
R B + (1 + β ).R E

Una ventaja que se presenta es que se hace más


estable el punto de reposo. Esto se ve en la
siguiente tabla:

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Variable Situación 1 ( β ↑ ) Situación 2 ( β ↓ )


Corriente de colector I CQ ↑ I CQ ↓
Corriente de emisor IE ↑ IE ↓
Tensión sobre RE V RE ↑ V RE ↓
Tensión sobre RB V RB ↓ V RB ↑
Corriente de base IB ↓ IB ↑
Corriente de colector I CQ ↓ I CQ ↑
Observamos que las primeras variaciones de la corriente de colector se compensan luego con la
consiguiente variación inversa.
Análogamente al caso anterior, podemos minimizar la dependencia de la corriente de colector con el beta
del transistor haciendo:
VCC − V BEQ
RB << (1 + β ).RE ⇒ I CQ ≅
RE
Vemos que no podemos tomar que R B sea muy chica, porque la corriente de base sería muy grande. La
opción más factible es hacer R E grande, pero con ello veremos que se pierde ganancia y rendimiento. Un
buen criterio sería tomar:
(1 + β ).RE
RB =
10
con lo que aceptamos un 10% de tolerancia.
Polarización por divisor de tensión:
El circuito es el siguiente:

Como vemos en el circuito, la tensión en la resistencia R B 2 es fija, por lo que fijamos el punto de trabajo
a través de la relación entre las dos resistencias de base.

La ventaja que presenta es que es el circuito que hace más estable el punto de reposo. Esto se ve en la
siguiente tabla:

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Variable Situación 1 ( β ↑ ) Situación 2 ( β ↓ )


Corriente de colector I CQ ↑ I CQ ↓
Corriente de emisor IE ↑ IE ↓
Tensión sobre RE V RE ↑ V RE ↓
Tensión base-emisor V BE ↓ V BE ↑
Corriente de base IB ↓ IB ↑
Corriente de colector I CQ ↓ I CQ ↑
Observamos que las primeras variaciones de la corriente de colector se compensan instantáneamente con la
consiguiente variación inversa.
Cuantitativamente, podemos obtener la ecuación para la corriente de colector:
β .(VBB − VBEQ )
I CQ =
R B + (1 + β ).R E
donde :
VCC .RB 2 RB1 .RB 2
VBB = RB =
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2
Igual que en el caso anterior, podemos minimizar la dependencia del transistor haciendo:
V BB − V BEQ
RB << (1 + β ).RE ⇒ I CQ ≅
RE
Vemos que no podemos tomar que R B sea muy chica, porque para ello, la tensión VBB también lo sería.
La opción más factible es hacer R E grande, pero al igual que en el caso anterior, se pierde ganancia y
rendimiento. Un buen criterio es tomar:
(1 + β ).RE
RB =
10
con lo que aceptamos un 10% de tolerancia.
Rectas de carga estática y dinámica:
Para la situación estática y dinámica, las cargas
que se “ven” son distintas. Analicemos el circuito
de la figura que ejemplifica completamente la
situación.
El caso que analizábamos hasta ahora en todas las
configuraciones, es el caso estático, con una
RL = ∞ . Ahora, suponiendo que RL ≠ ∞ ,
veremos que la carga que “ve” el circuito en
condiciones estáticas es distinta a la que “ve” en
condiciones dinámicas, debido a que los
capacitores C o y C E es un cortocircuito para la
señal y un circuito abierto para la corriente
constante.

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Haciendo el análisis de polarización de la etapa, podemos ver que la pendiente de la recta de carga estática, es:
1 1
− =−
Rdc RC + R E
Entonces definimos que la carga que “ve” el circuito en condiciones estáticas es:
Rdc = RC + R E
/*Estudiar demostración*/

Viendo ahora las condiciones dinámicas, en el gráfico podemos observar que la señal recorre la recta dinámica,
cuya pendiente es mayor. Dicha pendiente tiene un valor de:
1 1 1
− =− =−
Rac RC // R L R L′
con lo que la ecuación de la recta dinámica es:
1
(i C − I CQ ) = − (vCE − VCEQ )
Rac
Entonces decimos que la carga que “ve” el circuito en condiciones dinámicas es:
Rac = RC // R L = R L′
/*Estudiar demostración*/

Podemos sacar de aquí una conclusión bastante importante:


La máxima corriente pico de señal que se puede obtener en el circuito de colector es igual al valor de la
corriente de reposo de la etapa. Esto se cumple en todos los amplificadores clase A.
icp max = I CQ (clase A)

Establecemos entonces una condición de diseño que será utilizada posteriormente: Para obtener la máxima
excursión de señal en un amplificador, la corriente de reposo debe ser:
VCC − VCEsat
I CQ =
Rdc + Rac
/*Estudiar demostración*/

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La máxima excursión pico a pico de tensión en la salida será de:


vce max = 2.I CQ .(Rac )
/*Estudiar demostración*/
Análisis de las distintas configuraciones:
Realizaremos el cálculo de los parámetros para la forma más general de cada configuración del transistor,
utilizando el modelo híbrido aproximado, para poder tener una idea cuantitativa aproximada de los valores de
dichos parámetros
Emisor Común:
Con la resistencia de emisor desacoplada:
Impedancia de Entrada:
Z i = hie Z is = Rs + (RB // hie )
Ganancia de Corriente:
RB RC RC
Ai = h fe Ais = h fe ≅ h fe
RB + hie RC + RL RC + RL
Ganancia de Tensión:
h fe .R L′ h fe .R L′ .R B h fe .R L′
Av = − Avs = − ≅−
hie (RB + hie ).Rs + RB .hie Rs + hie
Impedancia de Salida:
Z o′ = ∞ Z o = R L′
/*Estudiar demostraciones*/
Con la resistencia de emisor sin desacoplar:
Impedancia de Entrada:
Z i = hie + (h fe + 1).R E ≅ h fe .R E Z is = R s + (R B // Z i )
Ganancia de Corriente:
RB RC RC
Ai = h fe Ais = h fe ≅ h fe
RB + hie RC + RL RC + RL
Ganancia de Tensión:
RL′ R′ (RB // Z i )
Av = −h fe ≅− L Avs = Av
Zi RE Rs + (RB // Z i )
Impedancia de Salida:
Z o′ = ∞ Z o = R L′
/*Estudiar demostraciones*/
Con realimentación entre colector y base:
Impedancia de Entrada:
hie
Zi =
h fe .RC Z is = Rs + Z i
1+
RF
h fe .R F RF
Ganancia de Corriente: Ai = ≅
R F + h fe .RC RC
Ganancia de Tensión:
h fe .RC Zi
Av = − Avs = Av .
hie Rs + Z i
Impedancia de Salida: Z o = RC // R F
/*Estudiar demostraciones*/

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Colector Común:
Emisor Seguidor:
Impedancia de Entrada:
Z i = hie + (h fe + 1).(R E // R L ) Z is = Rs + (R B // Z i )
Ganancia de Corriente:

Ai = (h fe + 1) Ais = (h fe + 1)
RB RE
RB + Z i RE + RL
Ganancia de Tensión:
(RB // Z i )
Av = 1 Avs =
Rs + (RB // Z i )
Impedancia de Salida:
Z o′ = (Rs // R B ) + hie Z o = [(Rs // R B ) + hie ] // RE // R L
/*Estudiar demostraciones*/
Base Común:
Impedancia de Entrada:
Z i = hib Z is = R s + (R E // hib )
Ganancia de Corriente:
RE RC
Ai = h fb = −α Ais = h fb
RE + hib RC + RL
Ganancia de Tensión:
RL′ RL′ (RE // hib )
Av = −h fb ≅ Avs = Av
hib hib Rs + (RE // hib )
Impedancia de Salida:
Z o′ = ∞ Z o = R L′
/*Estudiar demostraciones*/
Etapas Amplificadoras de señales fuertes
Amplificadores de potencia clase A:
Un amplificador se compone de varias etapas pre-amplificadoras y una etapa de potencia. El propósito de ésta
última es proporcionar una tensión de salida con la máxima excursión simétrica sin distorsión a una carga de baja
resistencia. Para obtener potencia en la carga se requiere una alta ganancia de corriente.
Configuraciones de carga:
Carga inductiva:
La tensión en la carga se puede incrementar
utilizando un inductor en vez de un resistor
en el circuito de colector, como se muestra
en la figura.
El inductor se selecciona para que sea un
circuito abierto para la frecuencia de la señal
de entrada, pero un cortocircuito para la
componente de continua. En otras palabras:
ω.L >> RL Rbob << R E
En éste caso:
Rac = R L y Rdc = R E + Rbob

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Queremos averiguar el punto de trabajo. Si despreciamos Rbob y VCEsat , el cálculo será:


VCC
I CQ =
RL + RE
/*Estudiar demostración*/
Estableciendo las ecuaciones de las rectas de carga estática y dinámica:
 1
(ic − I CQ ) = − R (vce − VCEQ )

L

VCC = VCEQ + I CQ (R E )

se puede demostrar que:
vce ic = 0
≅ 2.VCC y VCEQ ≅ VCC
/*Estudiar demostración*/
Esto se ve claramente en la figura:
Utilizar un inductor, que almacena
energía, produce una excursión en
tensión que efectivamente equivale a
duplicar la fuente de alimentación.
El rendimiento de éstos
amplificadores, como se verá más
adelante, es idealmente del 50%. La
ecuación que lo relaciona con los
elementos resistivos es:
RL
η= 50%
RE + RL
/*Estudiar demostración*/
En la práctica, el rendimiento máximo
es:
η max ≅ 33%

Carga acoplada con transformador:


Recordemos las ecuaciones importantes
que representan a un transformador ideal:
N1
n=
N2
v1 = n.v2
i
i1 = 2
n
Z refl = n 2 .Z 2
Utilizaremos un transformador, y su
propiedad de reflejar impedancias en
alterna, para acoplar la carga al circuito de
colector, y lograr una mayor excursión de
señal. El diagrama representa ésta
configuración.
Vemos que podemos a través de éste circuito acoplar una carga de baja impedancia al transistor por medio
de un transformador que tiene n vueltas en el primario por cada vuelta del secundario. Como la señal ve

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una impedancia mayor, a la misma corriente en el colector, éste circuito produce mayor tensión en la
carga. El análisis es el mismo que para acoplamiento por inductor, sólo que se debe reemplazar la R L
anterior por la Z refl = n 2 .R L de ahora en los cálculos de alterna. Esto es:
Rac = n 2 .R L y Rdc = R E
El rendimiento es el mismo que en el caso anterior, y la ecuación que lo determina es:
Z refl
η= 50%
RE + Z refl
/*Estudiar demostración*/
En estos amplificadores, la relación de vueltas del transformador se obtiene una vez averiguada la Z refl
necesaria de la siguiente manera:
N1 Z refl
n= =
N2 RL
Siempre, para clase A, éste valor se trata de elegir o que se tienda a estar:
1< n < 2
Distorsión y alinealidad:
Los transistores usados en las etapas de señales fuertes, como deben manejar corrientes y tensiones grandes, tienen
un ancho de base mayor, para que no se destruyan por efecto Early, lo que provoca que haya más recombinación en
ésta zona y el beta ya no sea tan grande. Por este mismo efecto las curvas de salida tienden a juntarse para los
valores altos de la corriente de colector. También vemos que el beta primero aumenta con la corriente de colector y
luego de cierto valor disminuye. Esto tiene un efecto que no se presentaba hasta ahora, y que es indeseado: la
distorsión de amplitud. Vemos en la siguiente figura que si introducimos una corriente de base senoidal, la corriente
de colector no será senoidal.

Para solucionar éste inconveniente, imaginemos que podemos excitar al transistor con una corriente de base como
muestra la figura:

Nuestro problema ahora es ver cómo obtenemos una corriente de esa manera.
Excitación por tensión:
Un generador de señal puesto en la entrada de una etapa de transistor, “ve” el siguiente circuito:

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Si R s >> hie la corriente de base se considera constante y


aproximadamente igual a
Vs
Ib =
Rs

Se dice entonces que el circuito está excitado por corriente. Esto nos produce el problema visto
anteriormente.
Caso contrario, si R s << hie , la tensión Vbe se considera constante y aproximadamente igual a Vs . Se
dice que el circuito está excitado por tensión. Entonces Vbe es senoidal, pero como hie no es lineal, sino
que presenta la alinealidad propia del transistor, la corriente de base tendrá la forma que deseamos.
La condición entonces será que:
R s << hie
Si dibujamos la recta que representa al circuito de entrada cuando le aplicamos una señal Vs , como se
observa en la figura, vemos que quedan determinadas las siguientes ecuaciones:

Vs min = Vbe min + I b min .Rs



VBB = VBEQ + I BQ .Rs
V
 s max = Vbe max + I b max .Rs

Disipación de potencia
Cálculos de potencia en amplificadores:
La potencia promedio consumida o producida por cualquier componente activo o pasivo, lineal o alineal, es:
1
∫ I (t ).V (t ).dt
T
P=
T 0

Donde I (t ) y V (t ) representan a la señal completa, es decir, la parte continua superpuesta con la alterna.
Para nuestros fines suponemos que la señal es una senoidal pura.
Caso sin R L :
En un circuito bien general de amplificador clase A en Emisor Común, la corriente de reposo, suponiendo que el
punto de trabajo esté ubicado en el centro de la recta de carga, es:
VCC
I CQ =
2.(RC + RE )
/*Estudiar demostración*/

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Caso con R L :
En un circuito bien general de amplificador clase A en Emisor Común, con resistencia de carga y resistencia de
Emisor sin desacoplar, la corriente de reposo es:
VCC − VCEsat VCC
I CQ = ≅
RL′ + RC + 2.RE RL′ + RC + 2.RE
/*Estudiar demostración*/
Potencia de señal en la carga:
Caso sin R L :
Resolviendo la integral y reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
VCC .RC
PL =
8.(RC + R E )
2

/*Estudiar demostración*/
Caso con R L :
Resolviendo la integral y reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
 RC VCC − VCEsat 
  .R L
 RC + RL RL′ + RC + 2.RE 
PL =
2
/*Estudiar demostración*/
Potencia entregada por la fuente:
Sabemos que la potencia que entrega la fuente es, despreciando la corriente que circula por el circuito de
base:
PCC = I CQ .VCC
Caso sin R L :
Reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
VCC
PCC =
2.(RC + R E )
Caso con R L :
Reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
VCC
PCC ≅
RL′ + RC + 2.RE
Potencia disipada en el transistor:
Resolviendo la integral y reemplazando la corriente y la tensión por sus expresiones , obtenemos:
.(RC + RE )
2
I
.(RC + RE ) − max
2
PC = I CQ .VCC − I CQ
2
/*Estudiar demostración*/
Analicemos la ecuación anterior:
• El primer término representa la potencia suministrada por la fuente.
• El segundo término es la potencia continua que disipan las resistencias del circuito de colector.
• El tercer término es la potencia de señal que disipan esas mismas resistencias.

Se puede observar que la máxima potencia es disipada en reposo, por lo que el último término desaparece
y nos queda que:
PC max = PCC − I CQ .(RC + RE )
2

Vamos a postular como condición de diseño, para tomar un margen de seguridad, que la potencia máxima
que disipa el transistor es la potencia de la fuente:

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PC max = PCC
Rendimiento:
Se define el rendimiento de un circuito al cociente entre la potencia de señal entregada a la carga y la
potencia suministrada por la fuente de alimentación:
PL
η= .100%
PCC
Caso sin R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
25%
η=
 RE 
1 + 
 RC 
/*Estudiar demostración*/
Vemos que:
• Si R E = 0 , el rendimiento es el máximo para ésta configuración, y es del 25%.
• Si R E = RC , el rendimiento decae a la mitad de su máximo, es decir al 12,5%
• Si R E aumenta, aumenta la estabilidad del circuito, pero decae el rendimiento y por lo tanto, la
cantidad de potencia que puedo suministrar a la carga.

Caso con R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
2
RL .RC
η= .100%
2.(RC + RL ) .[RL′ + RC + 2.RE ]
2

/*Estudiar demostración*/
Vemos que si RE = 0 , el rendimiento es el máximo para ésta configuración se da para RL = RC , y es
del 8,33%.
Factor de mérito:
Se define el factor de mérito o calidad de un circuito al cociente entre la potencia disipada por él y la
potencia útil entregada a la carga:
PC
fC =
PL
Caso sin R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
 R 
f C = 4.1 + E 
 RC 
/*Estudiar demostración*/
La fórmula anterior nos dice que cuando el rendimiento es máximo, estamos disipando 4 veces más
potencia que la entregada a la carga.

Caso con R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
2.(RC + RL ) .[RL′ + RC + 2.RE ]
2

fC = 2
RL .RC
/*Estudiar demostración*/
La fórmula anterior nos dice que cuando el rendimiento es máximo, estamos disipando 12 veces más
potencia que la entregada a la carga.

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Disipación del calor:


Cuando un transistor maneja grandes potencias, por ley de Joule, ésta produce calor. Éste calor generado produce
un aumento de la temperatura de juntura, lo que provoca un aumento de I CBO y a su vez de I C . Al aumentar la
corriente de colector, aumenta la potencia disipada y vuelve a comenzar el ciclo. Si éste calor no es evacuado, el
ciclo sigue hasta superar la temperatura máxima y el transistor se destruye.
La juntura que disipa más potencia es la de colector-base pero, como margen de seguridad se toma para el cálculo
la tensión entre colector y emisor, siendo la potencia que disipa el transistor la siguiente:
PC = I C .VCE
Como necesitamos evacuar el calor de la juntura, es preciso entender cómo se propaga el mismo y las formas en las
que lo hace. El calor se propaga siempre desde un cuerpo con mayor temperatura hacia otro con menor, y éste
intercambio termina cuando ambos cuerpos quedan en equilibrio térmico. Dos cuerpos a distintas temperaturas
intercambian tanto más calor cuanto mayor sea la diferencia de temperatura entre ellos. Mientras mayor sea el
volumen del cuerpo que genera calor respecto al que lo recibe, mayor será la transferencia del mismo. Las formas
de propagación son:
• Conducción: propagación en el interior de un cuerpo sólido, o entre dos puestos en contacto entre sí.
• Convección: propagación en el seno de un fluido (líquido o gaseoso), producida por el desplazamiento de
la materia que por tener distinta temperatura presenta distintas densidades.
• Radiación: intercambio de calor entre dos cuerpos sólidos situados a una cierta distancia, teniendo o no
materia el espacio que los separa.
De lo expuesto anteriormente, deducimos que para que el transistor pueda manejar mayor potencia, es necesario
que “aumentemos su volumen” para que evacue más rápido el calor. Esto se logra por medio de los disipadores de
calor.
Resistencia térmica:
Definimos como resistencia térmica a la oposición de un cuerpo a transferir calor de un medio al otro.
Entre la juntura del transistor y el ambiente existirá una cierta resistencia térmica Θ ja que representa la
oposición del sistema a la propagación del calor generado. Si esa resistencia no es lo suficientemente baja
para una determinada potencia de disipación, ocurre tarde o temprano la destrucción del dispositivo. Para
evitar esto, debemos reducir de alguna manera la misma.
Podemos subdividir ésta resistencia en dos: Θ jc (resistencia térmica entre juntura y carcaza) y Θ ca
(resistencia térmica entre la carcaza y el ambiente). La primera no se puede modificar a voluntad, viene
especificada en el manual del transistor. La que debemos modificar es la segunda. Para ello colocamos un
“paso intermedio”, que es el disipador de calor. Con ello dividimos la resistencia térmica en dos: Θ cd
(resistencia térmica entre carcaza y disipador) y Θ da (resistencia térmica entre el disipador y el ambiente).
Ambas pueden ser modificadas según la elección del disipador y la colocación del transistor en el mismo.
Equivalencia eléctrica de un circuito térmico:
Podemos asimilar la propagación del calor mediante un equivalente eléctrico:

Podemos establecer una “ley de Ohm” para éste circuito que sería:
T j − Ta = PC .Θ ja = PC .(Θ jc + Θ cd + Θ da )

De aquí podemos inferir que la unidad de la resistencia térmica es [Θ] = º C


W
Cálculo de disipadores:
Antes de calcular nada, debemos obtener o elegir ciertos datos:

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• Potencia disipada por el transistor ( PC ): Potencia que disipa el transistor en un circuito


determinado. Depende del tipo de circuito.
• Potencia máxima permitida ( PC max ): Potencia máxima que disipa el transistor con un disipador
de área infinita y a 25ºC. Éste valor es dado por el fabricante. El máximo de potencia que puedo
extraer de un transistor dado depende de la temperatura ambiente en la cual se encuentre. A
mayor temperatura ambiente, más lenta es la propagación, y por lo tanto menos potencia puedo
disipar. Esto se ve en la curva de degradación respecto a la temperatura ambiente, que viene en el
manual de cada dispositivo.
• Temperatura máxima de juntura ( T j max ): Temperatura máxima que puede alcanzar la juntura
sin destruirse. Está dada por el fabricante, y si éste no la proporcionara, se toma como 135ºC para
transistores de Silicio y 90ºC para transistores de Germanio.
• Temperatura de juntura ( T j ): Es la temperatura efectiva que alcanzará la juntura. Dependerá
del modo en que refrigeremos al dispositivo y la potencia que le hagamos disipar. Existe un
método práctico, que consiste en multiplicar la temperatura máxima por un coeficiente
dependiendo de ciertas condiciones:
T j = k .T j max
o k < 0,5 no es aconsejable por las dimensiones del disipador
o k = 0,5 si deseamos que el transistor permanezca poco caliente o va a estar dentro de
una carcaza con poca ventilación. Esto aumentará el tamaño del disipador.
o k = 0,6 si deseamos reducir el tamaño del disipador sin preocuparnos que el dispositivo
se caliente.
o k = 0,7 si necesitamos extraer mucha potencia, a condición de que el disipador esté al
aire libre.
o k > 0,7 no es aconsejable por el peligro de alcanzar por alguna falla la temperatura
máxima de juntura.
• Resistencia térmica juntura-ambiente ( Θ ja ): Viene dada por el fabricante o está tabulada,
dependiendo del tipo de carcaza.
• Resistencia térmica juntura-carcaza ( Θ jc ): Éste valor viene dado por lo general en los
manuales. En el caso de no obtener este dato, se puede calcular como:
T j max − 25º C
Θ jc =
PC max
• Resistencia térmica carcaza-disipador ( Θ cd ): Está tabulada para las distintas carcazas
dependiendo de dos factores: el uso o no de mica para aislar el colector del disipador, y el uso de
grasa siliconada. El primer caso aumenta la resistencia térmica, pero permite un aislamiento
eléctrico necesario en algunos casos. El segundo caso disminuye la misma debido a que rellena
las porosidades de ambos materiales, permitiendo mayor traspaso de calor entre ellos.

Ahora debemos hacer los cálculos pertinentes para hallar el disipador necesario.
La resistencia térmica entre juntura y ambiente máxima para que no se destruya el transistor puede
calcularse mediante la fórmula:
T j − Ta
Θ janec =
PC
Si el dato del fabricante es menor que éste, podemos usar el transistor sin necesidad de colocar un
disipador de calor, procurando solamente que la temperatura ambiente no se modifique.
Si no ocurriera lo anterior, debemos calcular la resistencia térmica entre el disipador y el ambiente
necesaria. Esto se realiza con la siguiente fórmula:
T j − Ta
Θ da = − (Θ jc + Θ cd )
PC
es decir que la resistencia térmica necesaria entre juntura y ambiente, se compone de las otras tres. Por lo
tanto despejando obtenemos el valor máximo que tiene que tener el disipador para hacer funcionar al
dispositivo como queremos.

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Los valores de resistencia térmica de los disipadores comerciales están tabulados dependiendo de su
forma, tamaño y color. Debemos elegir entre ellos el que tenga una resistencia igual o menor que la
calculada. Por supuesto que al elegir uno de menor resistencia, tendrá un tamaño y un costo mayor, por lo
que esto debe justificarse en el diseño.

Funcionamiento con aire forzado:


Si la resistencia térmica entre disipador y ambiente necesaria fuera demasiado pequeña que requiriera un
disipador muy grande o no existente debemos tomar otras medidas para reducir éste parámetro eligiendo
uno de resistencia mayor. Esto se hace colocando un ventilador que haga circular el aire de manera
forzada por la superficie, permitiendo propagar más calor más rápidamente por convección, y por lo tanto
disminuyendo la resistencia térmica del disipador, en un coeficiente que dependerá de la cantidad de aire
por unidad de tiempo pueda desplazar el ventilador. Éste coeficiente está tabulado, y disminuye a medida
que aumenta la cantidad de aire desplazado o la velocidad del ventilador.
El ventilador debe siempre estar situado para que el aire atraviese longitudinalmente la aleta, debe disponer
de orificios de donde extraer y sacar el aire y tiene que estar lo más cerca posible del disipador, para que
todo el aire se concentre en él.
Estabilidad del punto de reposo
Inestabilidad Térmica:
En un circuito con transistores, los factores que producen una variación en el punto de reposo son los siguientes:
• Amplia variación del β de un dispositivo a otro.
• Variación (aumento) de la I CBO con la temperatura.
• Variación (disminución) de V BE con la temperatura.
• Variaciones de la tensión de alimentación (mala regulación).
• Variación de las resistencias del circuito debido a su tolerancia y efectos de la temperatura.
Las variaciones más significativas son las variaciones térmicas, porque pueden, dadas ciertas condiciones, provocar
la destrucción del dispositivo. Llamamos inestabilidad térmica al conjunto de variaciones en el punto de reposo,
debidas a distintos parámetros, que dependen de la temperatura.
Respecto a la Corriente Inversa de Saturación:
Si recordamos la ecuación que describe de manera exacta la corriente de colector en un transistor, vemos
que es:
I C = β .I B + (β + 1).I CBO
Donde I CBO es la corriente inversa de saturación de la juntura colector-base. Se ve claramente que si varía
ésta corriente, variará también la corriente de colector, produciendo un desplazamiento del punto de
reposo.
La ecuación matemática que describe de forma aproximada la dependencia térmica de ésta corriente es:
T −Tref

I CBO (T ) = I CBO (Tref ).2 10

Donde I CBO (Tref ) es la corriente evaluada a una temperatura de referencia. Vemos claramente que la
corriente inversa de saturación se duplica por cada 10ºC de aumento de la temperatura. Ésta variación
tiene más importancia en los transistores de Germanio que en los de Silicio.
Respecto a la Tensión Base-Emisor:
En cualquier configuración de transistor, la tensión base-emisor está directamente relacionada con la
corriente de colector, de tal manera que si la primera varía, variará también la segunda.
La variación de V BE con la temperatura se puede expresar mediante la siguiente ecuación:
mV
VBE (T ) = −2,2 (T − Tref ) + VBE (Tref )
ºC
Esto nos indica que por cada grado de aumento de temperatura, la tensión base-emisor cae 2,2mV. Si ésta
tensión cae y tenemos una tensión constante en la base, el voltaje en el emisor aumentará, aumentando con
ello la corriente de colector y nuevamente la temperatura.

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Respecto al Beta:

No existe un vínculo matemático entre el beta


del transistor y la temperatura, pero existen
gráficas que lo relacionan con la corriente de
colector, la cual varía con la temperatura, por
lo que en ese “puente” encontramos la
variación buscada. Vemos en el gráfico que
existe una zona en que el beta aumenta y otra
en donde disminuye.

Factores de inestabilidad:
Definición:
Para hacer estable a un circuito debo disminuir al mínimo el efecto de los distintos parámetros que hacen
que mis condiciones cambien. Existen dos técnicas: estabilización y compensación. Dejaremos el
tratamiento de la segunda para más adelante.
La técnica de estabilización utiliza circuitos de polarización resistivos que permiten que varíe la corriente
de base, manteniendo la corriente de colector constante, respecto a las variaciones de I CBO , VBE , β ,
VCC , etc. Cada uno produce un efecto independiente de los otros sobre la corriente de colector, por lo que
podemos escribir:
S S′ S ′′ S ′′′
647 48 647 48 647 48 647 48
4
dI C ∂I C ∂I ∂I ∂V ∂I ∂β ∂I ∂V
= × CBO + C × BE + C × + C × CC + L
dT ∂I CBO V = ctte
β = ctte ∂T ∂VBE βCBO
I =
= ctte
ctte ∂T ∂β VCBO
I = ctte
BE = ctte
∂T ∂VCC VCBO=ctte
I = ctte ∂T
BE BE
VCC = ctte VCC = ctte VCC = ctte β = ctte

donde S , S ′ , S ′′ y S ′′′ son los llamados factores de inestabilidad, pues mientras más grande es su
valor, más inestable es el sistema, porque más varía la corriente de colector respecto a esos parámetros.
Variación total de la corriente de colector:
Expresando la fórmula anterior en función de los factores de inestabilidad, reemplazando las derivadas
parciales respecto a la temperatura por cocientes incrementales y despejando la variación de temperatura,
podemos encontrar la variación total de la corriente de colector como:
∆I C = S .∆I CBO + S ′.∆VBE + S ′′.∆β + S ′′′.∆VCC
Aquí vemos que para que no exista variación de la corriente de colector o ésta sea mínima, ∆I C debe
tender a cero, por lo que todos los términos deben hacerlo. Los incrementos en cada parámetro no son
nulos, de hecho existen. Concluimos que para que el sistema sea lo más estable posible, los factores de
inestabilidad deben ser lo más pequeños posibles (es imposible que sean nulos).
Análisis en las diferentes configuraciones:
Polarización fija:
β I C 2 − I C1 β
S = 1+ β S′ = − S ′′ = S ′′′ =
RB β 2 − β1 RB
/*Estudiar las demostraciones*/
Polarización colector-base:
1+ β
S= β I C1 (RB + RC ) β
β . RC S′ = − S ′′ = S ′′′ =
1+ RB + (1 + β ).RC β1 [RB + (1 + β 2 )RC ] R B + (1 + β ).RC
R B + RC
/*Estudiar las demostraciones*/

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Vemos que el circuito es más estable mientras RC >> R B , pero esto en la práctica no es posible.
De todas maneras la estabilidad es buena para RC = R B β , ya que los factores se reducen a la
mitad de los de polarización fija.
Polarización por divisor de tensión:
1+ β
S= β I C1 .S 2 β
β .R E S′ = − S ′′ = S′ =
1+ RB + (1 + β ).R E β1 .(1 + β 2 ) R B + (1 + β ).R E
RB + R E
/*Estudiar las demostraciones*/
S2 es el factor de estabilidad S calculado con β = β 2 .
Vemos que el circuito es más estable mientras R E >> R B , pero esto en la práctica reduce el
rendimiento de potencia.
También se nota que el circuito es muy estable frente a variaciones de la corriente inversa de
saturación y al beta, pero no es tan estable frente a variaciones de la tensión base-emisor.
Variación debida a factores no térmicos:
El punto de reposo puede variar también debido a la dispersión en las resistencias y la mala regulación de
la fuente de alimentación.
Escape térmico:
La disipación de la máxima potencia permitida para
un transistor se especifica a 25ºC de temperatura
ambiente (cápsula del transistor). Como
consecuencia de la potencia disipada en la juntura, la
temperatura de ésta aumenta. Esto a su vez produce
un aumento de la corriente de colector, lo que
implica un aumento de la potencia disipada. Si éste
fenómeno, denominado escape térmico, continúa, el
transistor se puede destruir.
Vemos en la figura la curva de degradación de la
potencia del transistor respecto a la temperatura de la
juntura. Se observa que para temperaturas mayores
que la de ambiente, la juntura no puede disipar la
máxima potencia, sino que ésta es menor y
disminuye en relación a la resistencia térmica entre
juntura y ambiente.
Para obtener la mayor eficacia, debemos encontrar
el punto en el cual la hipérbola de potencia máxima
y la recta de carga estática tengan la misma
pendiente.
Se puede demostrar que dicha intersección se da
siempre para:
VCC
vce =
PD max
2
/*Estudiar demostración*/
Si ubicáramos el punto de trabajo en una tensión
menor, el calentamiento no traería problemas, pues
movería el punto hacia hipérbolas de menor
disipación. El problema se da al ubicar el punto de
reposo en una tensión menor que VCC 2 , ya que
de por sí estaría ubicado en cierta hipérbola y al
calentarse se movería a hipérbolas de mayor
disipación que la esperada.

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Condición para evitar el escape térmico:


La condición que debe cumplirse para evitar el escape térmico es que la velocidad a la que el calor es
generado en la juntura, debe ser menor o igual a la velocidad con que se puede disipar el mismo.
Matemáticamente:
∂PC 1

∂T j Θ ja
/*Estudiar desarrollo*/
Si aplicamos circuitalmente éste concepto, encontraremos que para un circuito de transistores en general,
se obtiene la siguiente ecuación a satisfacer:
∂PC  ∂I ∂V ∂β  1
. S . CBO + S ′. BE + S ′′. + L ≤
∂I C  ∂T ∂T j ∂T j  Θ
 j  ja

/*Estudiar desarrollo*/
Puesto que para un circuito en particular todas las derivadas de la ecuación son conocidas (o por lo menos
de manera incremental), el diseñador debe satisfacer ésta ecuación mediante la adecuada selección de los
factores de inestabilidad y la resistencia térmica entre juntura y ambiente, para evitar el escape térmico.

En la mayoría de los casos prácticos, el efecto predominante es el de I CBO en transistores de Germanio, y


el de VBE en transistores de Silicio. Podemos entonces aproximar este análisis para ambos casos por
separado:
Silicio:
∂PC  mV  1
 − 2,2 × S ′ ≤
∂I C  ºC  Θ ja
/*Estudiar demostración*/
Germanio:
∂PC 1
∂I C
[ ]
0,07.I CBO (Tref )× S ≤
Θ ja
/*Estudiar demostración*/
Compensación térmica:
Fundamentos:
En las etapas de potencia, donde el rendimiento que queremos debe ser alto para poder transferir la mayor
cantidad de potencia a la carga, no conviene estabilizar la polarización mediante circuitos resistivos, pues
éstos elementos disipan potencia extra que podría haberse transferido a la carga. Para lograr hacer estables
térmicamente éstos circuitos, debemos compensar la polarización, es decir, introducir un elemento en el
circuito que cense las variaciones térmicas y las corrija sin disipar potencia apreciable.
Sabemos que en general, los transistores de Silicio son más sensibles a las variaciones de la tensión base-
emisor, mientras que los de Germanio lo son a las fluctuaciones en la corriente inversa de saturación entre
colector y base.
Compensación de tensión en transistores de Silicio:
Compensación con un diodo en el circuito de Emisor:
Podemos compensar las variaciones de la tensión base-emisor de un transistor de Silicio
colocando un diodo en el circuito de Emisor. Para que compense las variaciones, éste diodo debe
estar puesto en dirección opuesta a la juntura base-emisor del transistor. Para poder circular la
corriente de señal por él, debemos poner una fuente y una resistencia polarizándolo en directo, de
tal manera que la corriente de reposo se desviará por éstos dos elementos encontrando la misma
caída de tensión que en el diodo (por estar éstos en paralelo).Vemos ésta configuración en la
figura:

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La ecuación de la corriente de colector es (sacada de la malla


de entrada y despreciando los efectos de I CBO ):
β .[VBB − (VBE − Vo )]
IC =
RB + (1 + β ).RE
Si derivamos dicha ecuación respecto a la temperatura (y
considerando al beta constante con la misma), obtenemos lo
siguiente:
  ∂V BE ∂Vo 
β .−  − 
∂I C
=   ∂T ∂T 
∂T R B + (1 + β ).R E
Para que la corriente de colector no varíe con la temperatura
se debe cumplir que la variación térmica de la tensión base
emisor sea igual a la de la tensión del diodo.
Matemáticamente:
∂V BE ∂Vo
=
∂T ∂T
Con lo que la corriente de colector será:
β .VBB
IC =
RB + (1 + β ).RE
Si además (1 + β ).RE >> RB y β >> 1 , entonces la
corriente de colector será:
VBB
IC =
RE
pero esto último no se cumple en etapas de potencia, porque
disminuye mucho el rendimiento.
Compensación con un diodo en el circuito de Base:
Podemos compensar las variaciones de la tensión base-emisor de un transistor de
Silicio colocando un diodo en el circuito de Base. Consideraremos constante la
corriente I BB , ya que a fines prácticos lo es, debido a que R B es grande. La
configuración es la que se ve en la figura.
Analizando:
 I EQ
 I BB = I D + I BQ  I BB = I D +
 ⇒ β +1
V B = V D + I D .R D = V BEQ + I EQ .R E V D + I D .R D = V BEQ + I EQ .R E

Reemplazando una ecuación en otra, llegamos a:
I BB .RD + (V D − VBE )
I EQ = (1 + β ).
RB + (1 + β ).RE
Derivando respecto de la temperatura (y considerando al beta constante con la
misma) obtenemos:
 ∂V D ∂V BE 
 − 
∂I EQ  ∂T ∂T 
= (1 + β ).
∂T R B + (1 + β ).R E
Para que la corriente de emisor no varíe con la temperatura se debe cumplir que
la variación térmica de la tensión base emisor sea igual a la de la tensión del
diodo. Matemáticamente:
∂V D ∂V BE
=
∂T ∂T

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Con lo que la corriente de emisor será:

I EQ =
(1 + β ).I BB .RD
RB + (1 + β ).RE
Si además (1 + β ).RE >> RB , entonces la corriente de emisor será:
I .R
I EQ = BB D
RE
pero esto último no se cumple en etapas de potencia, porque disminuye mucho el rendimiento.
Compensación con dos diodos en el circuito de Base:

Podemos mejorar la compensación utilizando dos diodos en el circuito


de base. La configuración y su equivalente de Thèvenin son los que
muestran las figuras.

La condición de compensación se cumple si:


RB = RD = R
y el circuito equivalente queda como se ve en la siguiente figura:

Aquí la corriente de emisor es:


VCC
+ VD − VBE
I EQ = 2
R
+ (1 + β ).RE
2
Para que la misma no varíe con la temperatura se debe cumplir que la variación térmica de la
tensión base emisor sea igual a la de la tensión del diodo. Matemáticamente:
∂VD ∂V BE
=
∂T ∂T
R
Si además (1 + β ).RE >> , entonces la corriente de emisor será:
2
VCC
I EQ =
2.(1 + β ).RE
pero esto último no se cumple en etapas de potencia, porque disminuye mucho el rendimiento.
/*Estudiar el desarrollo*/

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Veremos que la condición de compensación (igualdad de resistores) en la realidad no se cumple


siempre, porque generalmente la resistencia entre base y masa es menor que entre base y fuente.
Mientras más me acerque a la condición planteada, mejor se logra compensar el circuito.
Compensación de corriente en transistores de Germanio:
Para compensar las variaciones de la corriente inversa de saturación colector-
base en transistores de Germanio, donde su efecto es mayor, ponemos un diodo
de germanio en inverso entre la base y el emisor, como se muestra en la figura.
Si hacemos un análisis detallado, vemos que:
VCC − VBE VCC
I= ≅
RB RB
IB = I − ID
I C = β .I B + (1 + β ).I CBO
I C = β .I − β .I D + (1 + β ).I CBO
Si β >> 1 , entonces: I C = β .I + β (I CBO − I D )
Derivando respecto a la temperatura (y considerando al beta constante con la
misma):
∂I C  ∂I ∂I 
= β .I + β  CBO − D 
∂T  ∂T ∂T 

Para que la corriente de colector no varíe con la temperatura se debe cumplir


que la variación térmica de la corriente inversa de saturación colector-base
sea igual a la de la corriente inversa del diodo.
Matemáticamente:
∂I CBO ∂I D
=
∂T ∂T
Con lo que queda:
I C = β .I
Compensación usando NTC y PTC:

T ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ R NTC ↓ ⇒ V NTC ↓ T ↑ ⇒ R NTC ↓ ⇒ I NTC ↑ ⇒ VE ↑⇒ I B ↓


I E = ctte I C = ctte

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T ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ RPTC ↑ ⇒ VPTC ↑ ⇒ VB ↓ T ↑ ⇒ RPTC ↑ ⇒ VPTC ↑ ⇒ I B ↓


I E = ctte I C = ctte
Procedimientos de diseño
Datos:
Para poder diseñar una etapa amplificadora clase A, conocemos o establecemos ciertos datos antes de diseñar:
• Carga ( R L ): Debemos conocer qué valor tiene la impedancia de carga, que puede ser de un transductor o
la impedancia de entrada de otra etapa.
• Ganancia de tensión ( Av ) y Tensión de Salida ( v o ): Sabemos qué tensión quiero en la salida y cuál es
la tensión que ponemos en la entrada, por lo tanto sabemos la ganancia de tensión. En algunos casos, como
son las etapas intermedias, sabemos la tensión de salida, pues es la que debe excitar la etapa posterior, y
estimamos o establecemos una cierta ganancia, por lo tanto lo que se debe calcular es la tensión de entrada
necesaria.
• Fuente de alimentación ( VCC ): En ciertos casos conocemos éste valor, ya que podemos haber estado
diseñando una etapa posterior y, por lo tanto, ya la hemos establecido. No es práctico diseñar un
amplificador con varias fuentes. Si no conociéramos el dato, debemos elegirlo en función de la máxima
tensión de salida que queremos.
• Rango de frecuencias de operación: Debemos saber a qué frecuencias trabajará el amplificador, ya que
esto influye en el tipo de transistor a usar y en el cálculo de la reactancia de los capacitores de
acoplamiento.
Diseño de Etapa de Pequeña Señal en Emisor Común:
Podemos establecer ciertos pasos de diseño. Algunos pueden ser salteados si conociéramos el dato que se quiere
obtener. Éstos pasos son:
1. ELECCIÓN DE RC : Teniendo en cuenta el teorema de la máxima transferencia de potencia, debemos
elegir RC lo más parecida posible a la resistencia de carga, idealmente igual. Por ende:
RC = RL
2. SELECCIÓN DE I CQ : Teniendo en cuenta la tensión de salida, calculo qué corriente pico habrá en la
carga:
vo
i L max =
RL
Como hemos seleccionado RC = RL la corriente total de colector pico será el doble de la corriente pico
en la carga, esto es:
ic max = 2.i L max

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Sabemos que para obtener la máxima excursión de señal en el colector, la corriente de reposo debe ser
igual a la corriente pico de señal. Tomamos siempre un margen de un 20%, para evitar con seguridad que
no entremos ni en saturación ni en corte. Esto es:
I CQ = 1,2.ic max
3. ELECCIÓN DE R E : Veremos que si hacemos cumplir las condiciones dinámicas de ganancia de
tensión, no obtendremos el punto de trabajo estático esperado, o por lo menos eso es lo que pasa en la
mayoría de los casos. Resolvemos éste problema dividiendo en dos la resistencia de emisor. Una parte será
desacoplada con un capacitor, para que la señal no la vea. La figura al final de la sección muestra cómo
quedará la configuración.
Tendremos ahora entonces que redefinir las resistencias de carga dinámica y estática:
Rdc = RC + RE1 + RE 2 Rac = RL′ + RE1 R E = R E1 + R E 2
El cálculo de
RE1 se realiza a través de la fórmula de la ganancia de tensión, que en este caso es
aproximadamente Av ≅ − R L′ R E1 . Entonces, despejando, obtenemos:
R′
R E1 = − L
Av
Ahora, debemos obtener la R E 2 que debe satisfacer las condiciones estáticas. Por lo tanto, la despejamos
de la fórmula del punto de reposo:
VCC − VCEsat V − VCEsat
I CQ = ⇒ RE 2 = CC − RL′ − RC − 2.RE1
RL′ + RC + 2.RE1 + RE 2 I CQ
En éste caso, puede darse la situación queRE 2 < 0 , por lo tanto es imposible diseñar con las condiciones
establecidas. Si para solucionarlo aumentamos la ganancia para disminuir R E1 , caerá I CQ y seguiremos
teniendo el mismo problema. Existen dos formas para solucionarlo: una es aumentando el valor de la
fuente de alimentación hasta que R E 2 se vuelva mayor o igual que 0. Si queremos que sea igual a cero, la
reemplazo por ese valor en la fórmula anterior y despejo VCC ; la otra forma es adaptando la carga
mediante un adaptador de impedancias a un valor menor, entonces disminuye la corriente de reposo.
Como debo sustituir los valores calculados de ambas resistencias por valores comerciales, deberé
corroborar que se sigan cumpliendo las condiciones de diseño establecidas.
4. CÁLCULO DE VCEQ Y PC : Mediante la malla de salida que ya está constituida, calculo la tensión de
reposo entre colector y emisor de la siguiente manera:
VCEQ = VCC − I CQ .Rdc
Luego calculo la potencia que disipa el transistor. Como vimos en la sección dedicada a ese tema,
tomamos por seguridad el valor:
PC = PCC = VCC .I CQ
pero sabemos que en realidad es:
PC = I CQ .VCEQ
5. ELECCIÓN DEL TRANSISTOR: El transistor debe ser elegido teniendo en cuenta el rango de
frecuencias de operación (audio, radiofrecuencias, etc.), el tipo de etapa que estamos diseñando (de
pequeña señal, de señales fuertes o de potencia) y los valores máximos de corriente y tensión o potencia
que hemos obtenido de los pasos anteriores.
6. DETERMINACIÓN DE R B : Para poder cumplir con la estabilidad del circuito polarizado por divisor
de tensión, teníamos una condición:
1
RB ≤ (1 + β min ).RE
10
Si tomamos un valor mayor de R B que el que establece esta condición, haremos inestable al circuito. Si
tomamos uno demasiado menor, baja la ganancia de corriente, porque la señal se deriva a masa a través de
ésta. Concluimos que tomando el valor igual, estamos dentro de los valores de dispersión normales de los
componentes, por lo que es suficiente para que la estabilidad se cumpla. Entonces:

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1
RB = (1 + β min ).RE
10
7. OBTENCIÓN DE V BB : Para determinar la tensión en la base, debemos primero calcular la corriente que
toma el transistor en la misma. Ésta es:
I CQ
I BQ =
β tip
Como sabemos, I EQ ≅ I CQ , estableciendo la malla de entrada, obtenemos:
VBB = I BQ .RB + VBEQ + I CQ .RE
8. CÁLCULO DE RB1 Y RB 2 : Como sabemos el teorema de Thèvenin nos dice que:
V .R R .R
VBB = CC B 2 RB = B1 B 2
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2
Podemos despejar de estas ecuaciones los valores desconocidos de ambas resistencias en función de
valores ahora conocidos. Las ecuaciones quedan de la siguiente manera:
VCC RB
RB1 = RB RB 2 =
VBB (1 − VBB VCC )
Al elegir valores comerciales para ambas resistencias, nuevamente debemos verificar que se sigan
manteniendo las condiciones de reposo y los parámetros del diseño.
9. CÁLCULO DEL CAPACITOR DE EMISOR: Calcularemos dicho valor teniendo en cuenta que la
reactancia del mismo debe ser por lo menos 10 veces menor que la resistencia de emisor, para la menor
frecuencia de operación. Suponiendo que estamos en audio:
10
CE =
40Hz.π .RE 2
El amplificador finalmente queda de la siguiente manera.

Diseño de Etapa de Señales Fuertes:


El diseño de amplificadores de señales fuertes utiliza un método gráfico, por lo que es necesario contar con las
curvas características del transistor a usar. Los cálculos para los valores de resistencia son los mismos que para el
caso de señales débiles. Los pasos para el diseño de la excitación por tensión son:
1. CONSTRUCCIÓN DE LA CURVA DE TRANSFERENCIA DINÁMICA: De las curvas de salida del
transistor y con la recta de carga dinámica se obtienen los valores necesarios para trazar la curva de

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transferencia dinámica de la etapa. Ésta se obtiene tomando para cada valor de I b que intercepta la recta
de carga dinámica su correspondiente valor de I c , y luego se grafica.
2. TRANSFERENCIA HACIA LA ENTRADA: Con la ayuda de la curva de transferencia dinámica,
pasamos los correspondientes valores máximo, mínimo y de reposo del colector a la base del transistor.
Veremos allí que éstos valores no cumplirán la simetría.
3. OBTENCIÓN DE R s : Conociendo las ecuaciones planteadas anteriormente para las curvas de entrada
del transistor, y con la restricción de que la tensión Vs es simétrica, por lo tanto:
Vs max − VBB = VBB − Vs min
podemos despejar la siguiente fórmula para calcular Rs :
(Vbe max + Vbe min ) − 2.VBEQ
Rs =
2.I BQ − (I b max + I b min )
/*Estudiar demostración*/
Éste sería el valor óptimo de la “resistencia del generador” (o impedancia de salida de la etapa anterior),
para que la alinealidad del circuito de entrada compense a la alinealidad del circuito de salida.

4. ANÁLISIS Y ADAPTACIÓN A LAS CONDICIONES DE DISEÑO: Vemos que una vez calculado
Rs , éste puede ser negativo, cero o positivo.
a. Caso de Rs < 0 : Deberá realizarse nuevamente el diseño, modificando alguna de las
condiciones, debido a la inexistencia de tal componente.
b. Caso de R s = 0 : Deberá usarse el mínimo valor práctico posible.
c. Caso de Rs > 0 : Ésta puede o no ser coincidente con la resistencia del generador especificado:
i. Caso de Rs = Rgen : Aquí termina el diseño. Simplemente se utiliza el generador
considerado.
ii. Caso de R s > Rgen : Se deberá conectar en serie con la resistencia del generador una
resistencia R x tal que Rs = Rgen + R x . La desventaja es que ésta ocasiona una pérdida
de potencia.

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iii. Caso de Rs < Rgen : Se deberá conectar en paralelo una resistencia R x tal que
Rs = Rgen // R x . Ésta ocasiona una división de tensión.

Diseño de Etapa de Potencia acoplada por Transformador:


Para poder implementar ésta configuración debemos tener como datos la resistencia de carga (generalmente de un
altavoz) y la potencia necesaria en esa carga. Los pasos a seguir son:
1. ESTABLECIMIENTO DE LA RELACIÓN DE TRANSFORMACIÓN: Debemos elegir una relación
de transformación que sea:
1≤ n ≤ 2
2. DETERMINACIÓN DE LA CORRIENTE DE REPOSO: Calculamos la corriente máxima en la carga
de la siguiente manera:
2
i  2.PL
PL =  L max  .RL ⇒ i L max =
 2  RL
Una vez encontrada la corriente máxima en la carga, hallamos la corriente de reposo como:
i L max
′ = ic max =
I CQ
n
Siempre tomamos un margen de seguridad de un 20% aproximadamente en ésta elección para no entrar en
región de saturación o corte:

I CQ = 1,2.I CQ
3. DETERMINACIÓN DE LA RESISTENCIA DINÁMICA: Podemos determinar qué resistencia
dinámica debe ver el transistor en el colector para funcionar en ese punto de trabajo. Para ello hacemos:
Rac = Z refl = n 2 .RL
4. DETERMINACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO: Conocemos la corriente de reposo, debemos
determinar la tensión:
VCEQ = I CQ .Rac
5. ESTABLECIMIENTO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN: La determinamos con la siguiente
fórmula:
PCC
VCC =
I CQ
6. DETERMINACIÓN DE LA RESISTENCIA ESTÁTICA: La resistencia estática será:
VCC − VCEQ
VCC = VCEQ + I CQ .Rdc ⇒ Rdc =
I CQ
Con lo que podemos calcular la resistencia de emisor como:
RE = Rdc − Rbob
7. ELECCIÓN DEL TRANSISTOR: Sabemos que el rendimiento real máximo de éste tipo de
configuración es del 33%, entonces la potencia que debe ser capaz de disipar el transistor es de:
PC max = PCC ≅ 3.PL
La corriente máxima que debe soportar es de:
I C max = 2.I CQ

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Y la tensión máxima es aproximadamente:


VCE max ≅ 2.VCC
8. CIRCUITO DE BASE: Finalmente, con el hFE del transistor y las consideraciones de estabilidad y
rendimiento de la configuración de polarización elegida (en este caso una polarización fija estabilizada por
emisor), obtenemos la resistencia de base como:
hFE .(VCC − VBEQ − I CQ .RE )
RB =
I CQ
En otros casos, como por ejemplo en polarización por divisor de tensión, reemplazo la VCC por VBB .
TRANSISTOR UNIPOLAR
Clasificación y características constructivas:
Los transistores de efecto de campo presentan las siguientes ventajas y desventajas:
Ventajas Desventajas
• Son dispositivos sensibles a la tensión con una muy • Presentan una pobre respuesta en frecuencia debido a
alta impedancia de entrada la alta capacidad de entrada
• Generan un nivel de ruido menor que los BJT • Presentan gran distorsión armónica con señales que
• Son más estables con la temperatura no son pequeñas
• Se comportan como resistores variables controlados • Se pueden dañar al manejarlos, debido a la
por tensión para pequeños valores de la tensión de electricidad estática
salida
• Los FET de potencia suelen disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes
JFET:
Existen JFET de Canal n y de Canal p. Analizaremos todo para
el Canal n, siendo el otro de similar análisis.
El FET de Juntura (JFET) tiene la composición interna que
vemos en la imagen. Un canal de tipo n que conecta la fuente (S)
con el drenaje (D). La compuerta (G) controla el ancho de la
zona de transición, y por ende, el del canal. Es importante aclarar
que por el terminal de compuerta no entra corriente (o es
despreciable), porque es una juntura polarizada en inverso,
entonces:
IG = 0
La ecuación que describe la conductividad del canal es la
siguiente:
q.µ e .δ e .WT
G=
L
siendo q la carga del electrón, µ e la movilidad de los electrones, δ e su densidad, WT el ancho del canal
y L su longitud. El único parámetro sobre el que tenemos control externo es el ancho del canal.
Siempre polarizamos la unión compuerta-fuente en inverso. La polaridad de la tensión a aplicar entre
drenaje y fuente es indistinta, aunque se suele utilizar el positivo en el drenaje.
MOSFET Decremental:

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El MOSFET de tipo Decremental tiene la estructura


que vemos en la figura. El canal viene construido
con el dispositivo, y la función que realiza el
potencial de la compuerta es disminuir su tamaño. El
sustrato se conecta al terminal de la fuente (el de
menor potencial), para disminuir las corrientes de
pérdida a su valor mínimo posible. Funciona de la
siguiente manera: cuando aplicamos una tensión
entre drenaje y fuente, la corriente pasa por la región
n de la fuente, sigue por el canal, donde hay
portadores que permiten la conducción, llega a la
zona n del drenaje y sale por ese terminal. Cuando
polarizamos más negativa la compuerta que la
fuente, los electrones en el canal son repelidos por el
potencial negativo, y se recombinan con los huecos
del sustrato p, que son atraídos por el mismo
potencial. Esa recombinación implica una
disminución en la cantidad de portadores en el canal,
y por lo tanto, una disminución de la corriente que
circulará por el mismo.
MOSFET Incremental:
El MOSFET de tipo Incremental tiene la estructura que
vemos en la figura. No existe un canal fabricado con el
dispositivo por el cual circule la corriente. La función de
la compuerta es inducir ese canal e incrementar su
tamaño. El sustrato se conecta al terminal de la fuente (el
de menor potencial), para disminuir las corrientes de
pérdida a su valor mínimo posible.
Se establecen potenciales V DS y VGS ambos positivos.
El potencial positivo en la compuerta repele a los huecos
del sustrato, y atrae a los electrones (minoritarios), que
inducirán un canal. A medida que VGS aumenta a
valores más positivos, aumenta el tamaño del canal,
porque se atraen más portadores negativos.

Parámetros del JFET:


Tensión de estrangulamiento:
Definimos como tensión de estrangulamiento VP a la tensión mínima necesaria entre compuerta y
fuente para que, con un V DS pequeño se anule la corriente de drenador, es decir, el canal se agote de
portadores. Matemáticamente:
V P = VGS I D =0
VDS <<

Corriente de drenador de saturación:


Para VGS fijo, si vamos aumentando VDS , aumentará la resistencia del canal, y llegará un momento en el
que se producirá un estrechamiento del canal en el extremo del drenador. Esto se produce cuando
V DG = −V P . A partir de ese momento, I D se mantendrá constante en el valor alcanzado. Éste valor,
cuando VGS = 0 , se denomina corriente de drenador en saturación I DSS , y se define como el máximo
valor que alcanza la corriente de drenador. Matemáticamente:
I DSS = I D VGS = 0
VDS = −VP

Regiones de Operación:

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Las curvas características del JFET son las siguientes:


Vemos tres zonas bien marcadas. La
región de triodo o región óhmica, es
alineal y sirve para utilizar al dispositivo
como una resistencia controlada por
tensión. La región de saturación es lineal
y es la región activa del dispositivo, para
su uso como amplificador. La región de
ruptura es el límite de funcionamiento,
ya que aquí se produce la avalancha de
portadores y el dispositivo se destruye.

Región de triodo:
En la región de triodo el JFET actúa como una resistencia ( rds ), cuyo valor es controlado por la tensión
entre la compuerta y la fuente. Esta resistencia es lineal para pequeños valores de v DS .
Ecuación característica:
La relación tensión-corriente en la región de triodo es parabólica y se describe mediante la
siguiente ecuación:
 2.v  vGS   v DS 
2

i D = I DSS − DS 1 −  −   
 VP  VP   VP  
Para v DS pequeño tenemos:
2.I DSS  vGS 
iD = − 1 − v DS
VP  VP 
Uso como resistencia variable:
Cuando v DS es pequeño, si derivamos la expresión anterior, encontraremos la resistencia del
canal para un valor determinado como:
−1
 2 .I  vGS 
rds = − DSS 1 − 
 VP  VP 
Región límite:
El estrangulamiento del canal se alcanza cuando V DG = −V P y por lo tanto v DS = vGS − V P . Si lo
sustituimos en la relación tensión-corriente en la región de triodo, obtenemos:
2
v 
i D = I DSS  DS 
 VP 
Condiciones:
Si v DG < −V P estamos en la región de triodo.
Si vDG > −VP estamos en la región de saturación.

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Región de saturación:
El JFET en la zona de saturación opera como una fuente
de corriente constante controlada por vGS .

Ecuación de transferencia:
La ecuación que vincula la corriente de salida
con la tensión de entrada del JFET es la
denominada Ecuación de Shockley:
2
 v 
i D = I DSS 1 − GS  para V P < vGS < 0
 VP 
Ésta ecuación describe la curva de transferencia
del JFET que se muestra en la figura.

Polarización del JFET


Introducción:
Las variaciones más significativas que producen inestabilidad en el punto de operación son las dadas en los
parámetros del JFET, es decir, en V P e I DSS . Como los JFET tienen una gran dispersión entre uno y otro del
mismo tipo, si queremos que sea estable el punto de reposo, debemos buscar configuraciones de polarización que
hagan que éste no dependa en gran medida del dispositivo usado. Por suerte, los dispositivos con grandes corrientes
de saturación tienen grandes tensiones de estrangulamiento, y a la inversa.
Polarización Fija:
La polarización fija se configura de la siguiente manera:
Colocamos un resistor en el drenaje para
controlar I D , y una tensión VGG inversa con
una resistencia RG entre la compuerta y la
tensión de polarización de la misma. Conectamos
también a masa la fuente del JFET.
Obtenemos una polarización cuyo VGS
dependerá solamente de VGG .
Las ecuaciones de ambas mallas son:

− VGG = VGS

VDD = I D .RD + VDS

Recta de carga:
De la malla de entrada sacamos la recta de polarización del
circuito:
VGS = −VGG
que es la ecuación de una recta vertical en el punto cuyo
valor es el de la tensión de la fuente colocada en la
compuerta, con lo que nos queda la configuración de la
figura.

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Estabilidad de la polarización:
Vemos en la figura que, si bien para el dispositivo alto el punto de operación es adecuado, para el
dispositivo bajo el punto es muy cercano al corte y está en una región muy alineal. Concluimos que la
estabilización frente a variaciones de los parámetros del JFET es mala.
Autopolarización:
Una autopolarización se configura de la siguiente manera:
Para éste tipo de polarización, colocamos un resistor
en el drenaje, otro en la fuente, y otro entre la
compuerta y masa. Vemos que la fuente es más
positiva que la compuerta, que está a 0V, con lo que
obtenemos la polarización deseada.
Las ecuaciones de ambas mallas son:

VGS = − I D .RS

VDD = I D .(RD + RS ) + VDS

Recta de carga:
De la malla de entrada sacamos la recta de
polarización del circuito:
VGS
ID = −
RS
que es la ecuación de una recta con pendiente de
valor − 1 / RS , con lo que nos queda la
configuración de la figura.

Estabilidad de la polarización:
Vemos en el gráfico anterior que para ambos dispositivos, alto y bajo, el punto de operación está en una
región central, por lo tanto es más estable. Para estabilizar mejor, vemos que podríamos aumentar RS para
disminuir la pendiente, pero esto hace que la corriente sea pequeña y, como veremos más adelante, la
ganancia también disminuye.
Polarización por divisor de tensión:
Una polarización por divisor de tensión se configura de la siguiente manera:

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Para éste tipo de polarización, colocamos un


resistor en el drenaje, otro en la fuente, y un divisor
de tensión que fije el valor de VG . Deberemos
tratar de que R2 tenga un valor tal que la tensión
en la compuerta sea menor que la tensión en la
fuente del JFET.
Las ecuaciones de ambas mallas son:

 V DD .R2
 = VG = VGS + I D .RS
 R1 + R2
V DD = I D .(R D + RS ) + V DS

Se debe recordar que el valor de R D debe ser tal


que siempre el voltaje entre drenador y compuerta
sea mayor que VP , para estar en modo activo.
Recta de carga:
De la malla de entrada sacamos la
recta de polarización del circuito:
VG VGS
ID = −
R S RS
que es la ecuación de una recta
con pendiente de valor − 1 / RS ,
y ordenada al origen VG / RS ,
que corta al eje de VGS en el valor
VG , con lo que nos queda la
configuración de la figura.
Estabilidad de la polarización:
La solución al problema presentado en la polarización anterior se da en ésta: la pendiente de la recta es
baja, pero pasa por una corriente mayor ya que intercepta al eje horizontal en VGS = VG (voltaje positivo).
Esto, como se ve en la figura, hace que no tengamos tanta variación del punto de reposo entre un
dispositivo y otro, haciendo que el circuito sea muy estable.
El JFET como amplificador:
Modelo de señales débiles:
El JFET para señales débiles es considerado lineal, por eso podemos
encontrar un modelo basado en elementos lineales que lo represente. En
fuente común, en la entrada idealmente vemos un circuito abierto y en la
salida vemos un generador de corriente controlado con una impedancia
en paralelo. El parámetro de control del generador de corriente es una
transconductancia, porque vincula la corriente de salida con la tensión
de entrada. El modelo queda representado como muestra la figura.
Aquí g m es la transconductancia del JFET, que depende del punto de
trabajo, y rds es la resistencia de salida entre drenador y fuente.
Aplicando conversión de fuentes, encontramos un modelo más sencillo
para el análisis, que vemos en la figura que sigue. Allí el parámetro
µ = g m .rds es el factor de amplificación.
1
Se puede demostrar que rds ∝
I DQ

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Transconductancia:
Aplicando el análisis de cuadripolos, vemos que la
transconductancia es:
∂i D
gm =
∂vGS
Si derivamos la ecuación de la corriente de drenador, veremos
que llegamos a las siguientes expresiones:
2.I DSS  VGSQ  2.I DSS I DQ
gm = 1 −  =
V P  VP  VP I DSS
123
g mo
donde se nota que la transconductancia depende de los
parámetros del JFET y del punto de trabajo.
Análisis dinámico y distorsión de segundo armónico:
Sabiendo que al aplicar una señal, vGS = VGS + v gs = VGS + Vmax . sin (ω.t ) y reemplazando esto en la ecuación
de transferencia del JFET, obtenemos:
2 2
I  Vmax  2 .I  VGSQ  I V 
i D = I DQ + DSS   − DSS 1 −  × Vmax . sin (ω.t ) − DSS  max  cos(2.ω.t )
2  VP  VP  VP  2  VP 
/*Estudiar demostración*/
Analicemos ésta expresión:
1. El primer término I DQ es el punto de trabajo.
2
I  Vmax 
2. El segundo término DSS   es un desplazamiento del punto de trabajo estático que depende de
2  VP 
la amplitud de la señal ingresada al cuadrado.
2.I DSS  VGSQ 
3. El tercer término − 1 −  × Vmax . sin (ω.t ) es la señal de entrada amplificada en un factor
VP  VP 
igual a la transconductancia. El signo menos indica que la señal está en contrafase con la entrada
2
I  Vmax 
4. El cuarto término − DSS   cos(2.ω.t ) es una señal de segundo armónico que aparece como
2  VP 
distorsión.
Como conclusión vemos que cuando ingresamos una señal al JFET se producen dos fenómenos: desplazamiento del
punto de trabajo y distorsión armónica.
Para evitar que se produzcan éstos dos fenómenos indeseables debemos restringir el funcionamiento del JFET a:
Vmax << V P
es decir, una pequeña señal de entrada comparada con la tensión de estrangulamiento, para obtener linealidad de
una curva que no lo es. La ecuación dinámica del JFET quedará entonces:
2.I DSS  VGSQ 
i D ≅ I DQ − 1 −  × Vmax . sin (ω.t )
VP  VP 
Reflexión de impedancias:
Colocando un generador de señal en cada terminal del JFET, obtendré, haciendo un análisis dinámico, el siguiente
circuito:

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Dependiendo qué generador enmudezca y cuál tome como el de ingreso de la señal, es la configuración en la cuál
estaré analizando. A través de éste análisis puedo obtener las relaciones dinámicas necesarias en cada caso.
Circuito “visto” desde el drenador:

/*Estudiar demostración*/
Circuito “visto” desde la fuente:

/*Estudiar demostración*/

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Diseño
Datos:
• Por lo general, el diseño de la primera etapa (FET) es el último paso en el diseño de un amplificador. Por
ende, conocemos nuestra R L que es la impedancia de entrada de la siguiente etapa.
• También, por el diseño que venimos haciendo, ya escogimos una fuente de alimentación, entonces
conocemos también V DD . Sino podemos estimarla o establecerla de acuerdo a la excursión de salida.
• Además, conocemos la tensión de entrada requerida en la siguiente etapa y la tensión que obtenemos del
transductor, entonces conocemos la Av de la etapa.

Pasos de diseño:
1. ELECCIÓN DEL FET:
Debemos en primera instancia elegir el dispositivo a utilizar. Para ello debemos tener en cuenta la
frecuencia de trabajo de nuestro amplificador, porque los FET tienen una muy pobre respuesta en
frecuencia, y cada tipo responde a un ancho de banda determinado para su uso. Además, como
V DD
generalmente elegiremos V DSQ = , el dispositivo debe ser capaz de soportar esa tensión. Por otra
2
parte, como conocemos la Vi que nos entrega el transductor, debemos elegir un FET con I DSS y V P
adecuados, para que la excursión de la señal de entrada cumpla la condición de linealidad, es decir que sea
mucho menor que la tensión de estrangulamiento, y así no tengamos distorsión armónica.
2. DIAGRAMA DEL CIRCUITO:

3. DETERMINACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO:


La ubicación sugerida de la corriente de reposo de drenador puede ser seleccionada entre 0,3 y 0,7 de
I DSS para trabajar en la región de mayor linealidad de la curva de transferencia del JFET.
Generalmente fijaremos un punto de trabajo con las siguientes características, como un buen comienzo en
el diseño:
V DD I DSS
V DSQ = I DQ = ⇒ VGSQ = 0,3.V P
2 2
En ese punto, la transconductancia vale:
2.I DSS  VGSQ  I
gm = 1 −  = 1,42 DSS
VP  VP  VP
4. DETERMINACIÓN DE RESISTORES DE DRENADOR Y FUENTE:
Hacemos la ecuación de la malla de salida:
V DD = V DSQ + I DQ .(R D + R S )

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Despejando calculamos con datos conocidos, la suma de los dos resistores, que utilizaremos como una
constante:
V DD − V DSQ
K = R D + RS =
I DQ
Como ya sabemos, la ganancia de tensión responde a la fórmula:
(R D // RL ) R D // R L
Av = − =−
 1  1
 + R S  (K − R D ) +
 gm  gm
De donde despejamos el valor de R D , lo que nos dará por resultado una ecuación cuadrática.
2   1    1 
− Av .R D +  AV  K + − R L  + R L .R D + AV  K +  RL = 0
  gm    g m 
Por ende habrá dos resultados: uno positivo y otro negativo.
Tomaremos como válido el resultado positivo y tendremos dos opciones:
 Que R D > K , lo que implica que R S será negativo. Como esto no es posible, se elige un nuevo
punto de trabajo y se recomienza el diseño. Para solucionar el problema podemos aumentar el
valor de la fuente de alimentación, o disminuir el la corriente de reposo. Para esto último
debemos cambiar el dispositivo elegido. Si no se soluciona de esa manera, utilizamos dos etapas.
 Que R D < K , entonces podemos calcular la resistencia de fuente como:
RS = K − R D
5. DETERMINACIÓN DEL VOLTAJE DE COMPUERTA:
De la malla de entrada vemos que:
VG = VGSQ + I DQ .RS
De ésta manera determinamos el voltaje necesario en compuerta para polarizar de la manera que venimos
haciendo. Vemos que el término I DQ .RS ( V RS ) debe ser mayor en magnitud que VGSQ , que es negativo,
para que VG tenga un valor positivo y hagamos funcionar correctamente al FET. Si no se cumpliera ésta
condición, deberíamos tomar VG = 0 , y realizar otra configuración de circuito, que analizaremos en el
PASO 7.

6. DETERMINACIÓN DE LAS RESISTENCIAS DE COMPUERTA:


El valor de RG ( RG1 // RG 2 en el caso de existir el divisor de voltaje), debe ser un valor relativamente
alto por varias razones:
 No puede ser RG = 0 o de valor pequeño porque la señal se desviaría por ese “cortocircuito” y
anularíamos la ventajosa alta impedancia de entrada del dispositivo, con lo que caería la ganancia
de tensión.
 No puede ser RG = ∞ (circuito abierto) porque el dispositivo no estaría polarizado en continua
con VGS negativo.
Tomaremos entonces un valor arbitrariamente alto de RG para permitir la polarización, sabiendo que esa
será la impedancia de entrada de la etapa. Si tuviéramos un requerimiento de ganancia de corriente,
debemos adaptarnos con esa resistencia al mismo.
Ahora, como hemos tomado polarización por divisor de tensión, debemos calcular RG1 y RG 2 . Para ello,
VDD .RG 2 RG1.RG 2
sabiendo que VG = y que RG = , despejamos de ese sistema de ecuaciones las
RG1 + RG 2 RG1 + RG 2
dos incógnitas, y obtenemos las siguientes fórmulas:
RG .VDD RG
RG1 y RG 2 =
VG V
1− G
V DD

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7. CONFIGURACIÓN PARA VOLTAJE DE COMPUERTA NULO:


Si en el PASO 5 determinamos que VG = 0 , deberemos eliminar la RG 2 y configurar una
autopolarización. El circuito quedará de la siguiente manera:

Como hemos cambiado el valor de VG , debemos recalcular RS , que ahora necesitaremos dividir en dos
partes: una libre y la otra desacoplada con un capacitor para alterna, para que pueda cumplir los requisitos
estáticos y dinámicos. Tendremos:
R Sdc = RS1 + RS 2 y R Sac = RS1
De la malla de entrada tenemos:
VG = 0 = VGSQ + I DQ .RSdc
Despejando obtenemos:
VGSQ
RSdc = −
I DQ
Ahora deberemos recalcular R D , a partir de la constante K :
R D = K − RSdc
Conociendo ese valor, podemos calcular R Sac = RS1 desde la fórmula de la ganancia de tensión:

Av = −
(R D // RL )
 1 
 + RS 1 
 gm 
Despejamos RS 1 :

RS1 = −
(RD // RL ) − 1
Av gm
Ahora que conocemos RS 1 , tenemos dos posibilidades:
 Que R S1 < RSdc , entonces podemos calcular la R S 2 como:
R S 2 = RSdc − R S1
El diseño se completa con la misma RG elegida en los pasos anteriores.
 Que R S1 > R Sdc , entonces R S 2 sería negativa, lo que es imposible. Determinamos entonces que
el amplificador no se puede diseñar con la ganancia de tensión requerida y el punto de trabajo

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seleccionado. Debemos retornar al PASO 1, disminuyendo la corriente de reposo o colocar dos


etapas en cascada.
ACOPLAMIENTO ENTRE ETAPAS
Acoplamiento directo:
Dos amplificadores están acoplados directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma directa a
la entrada del segundo sin utilizar elementos reactivos. En éste tipo de acoplamiento, el nivel de continua de la
salida de la primera etapa se suma al nivel de continua de polarización de la segunda. Dos posibles configuraciones
de este tipo de acoplamiento son las siguientes.
Dos etapas de emisor común:

En ésta configuración utiliza la componente continua de


la salida de la primera etapa como corriente de base
para la segunda. En la segunda se utiliza un conversor
de nivel, en donde la caída de tensión en la resistencia
de colector es igual a la fuente que la polariza, por lo
que el punto en donde se extrae la señal está a 0V en
continua.

Una etapa en emisor común y otra en colector común:

Al igual que la anterior, ésta configuración utiliza la


componente continua de la salida de la primer etapa
como corriente de base para la segunda, debido a que la
corriente de polarización en colector común es alta.

La respuesta en frecuencia de éste tipo de configuraciones es muy buena debido a la no presencia de elementos
reactivos.
Configuración Darlington:
La configuración Darlington es que muestra la figura:

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Ésta configuración se utiliza para proveer mayor impedancia de entrada


y muy alta ganancia de corriente. En éste circuito el emisor del primer
transistor está conectado directamente a la base del segundo. Los
colectores están conectados entre sí, aunque esto no es necesario.
Los parámetros de ésta configuración, suponiendo que los transistores
son idénticos, son los siguientes:
Ganancia de corriente:
Ai = α .(1 + h fe )(
. 2 + h fe ) ≅ h fe
2

/*Estudiar demostración*/
Impedancia de entrada:
Ri = 2.hie
/*Estudiar demostración*/
En ciertas aplicaciones conviene ajustar la corriente del primer transistor, independientemente de la del segundo.
Esto se puede realizar utilizando el circuito de la siguiente figura:
Veremos que se puede controlar la ganancia de corriente y la
impedancia de entrada, variando el valor de la resistencia colocada.
Los parámetros de ésta configuración, suponiendo que los
transistores son idénticos, son los siguientes:
Ganancia de corriente:
2 RB  RB 
Ai = h fe + h fe 1 + 
RB + hie  RB + hie 
/*Estudiar demostración*/
Vemos que la ganancia de corriente es menor.
Impedancia de entrada:
Ri = hie + (1 + h fe ).(R B // hie )
/*Estudiar demostración*/

Configuración Cascode:
La configuración Cascode es la que se
muestra en la figura.
Consiste en un amplificador Emisor
Común acoplado en forma directa con
uno Base Común. El amplificador Base
Común cuenta con la ventaja que sus
características de respuesta en frecuencia
son muy favorables, así como sus altas
ganancia de tensión e impedancia de
salida.
La ganancia de tensión de la etapa de
emisor común en éste caso es cercana a -
1, debido a que la carga que ve es muy
chica. Esto hace que la capacidad de
salida sea muy chica, debido al efecto
Miller, mejorando su respuesta en
frecuencia. La poca ganancia de tensión
que presenta la etapa de emisor común se
compensa con la de la etapa de base
común. Lo mismo, pero a la inversa, pasa
con la ganancia de corriente.

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Polarización:
La tensión en la base de la etapa Emisor Común se obtiene, suponiendo corrientes de base nulas, como:
R1 .VCC
VB1 =
R1 + R2 + R3
La corriente de colector es:
VB1 − VBE
I CQ1 = I CQ 2 =
RE
Análisis dinámico:
Los parámetros de ésta configuración serán:
RC
Ai ≅ .h fe1 (MEDIA)
RC + RL

RC // RL
Av ≅ − (ALTA Y NEGATIVA)
hib 2

h fe 2
Zo ≅ (ALTA)
hoe 2

Z i ≅ hie1 (MEDIA)
/*Estudiar demostraciones*/
Conversores de nivel:
Las configuraciones de conversión de nivel se realizan
para eliminar la componente continua de polarización
de una señal, sin utilizar elementos reactivos, que
afectan la respuesta en frecuencia. Éstas
configuraciones se basan en la colocación de fuentes de
polaridades distintas, de tal manera que la caída de
potencial entre la fuente y el punto donde yo extraigo la
señal sea justamente del valor de la misma fuente. De
ésta manera el potencial estático en la salida es nulo.
Una configuración común es la que se muestra en la
figura.
Análisis estático:
La tensión estática en el punto donde extraigo la salida
es:
R s .I E 2
Vo = V I − − V BE 2 − RC .I E 2
1 + h fe
donde vemos que podemos controlarla mediante la
caída de tensión en RC . Si despreciamos el segundo
término, encontramos que:
RC .I E 2 ≅ V I − V BE 2
Análisis dinámico:
Si hacemos un análisis circuital en alterna, podemos
llegar a que muy aproximadamente:
Vo ≅ V s

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Acoplamiento por transformador:


Cuando realizamos un acoplamiento mediante transformador entre etapas, logramos un total aislamiento de la
componente continua, manteniendo los niveles de señales de forma aceptable. La desventaja es que, al utilizar
elementos reactivos (inductores) tenemos una pérdida de la respuesta en frecuencia del amplificador.
Acoplamiento RC:
El acoplamiento RC consiste en acoplar etapas de amplificación mediante la colocación de un capacitor entre la
salida de uno y la entrada del otro (de reactancia aproximadamente nula para la frecuencia de operación), de manera
de aislar las componentes continuas y dejar pasar la señal.
Al igual que el caso anterior, al acoplar mediante capacitores perdemos ancho de banda, debido a la presencia de
éste elemento reactivo.
Ventajas y desventajas de cada configuración:
Veremos las ventajas y desventajas de cada configuración en comparación con una monoetapa normal.

Acoplamiento Directo Darlington Cascode Conversor de nivel Transformador RC


Zi Igual Doble Igual Igual Igual Igual
Ai Producto Cuadrado Un poco menor Igual Producto Producto
Av Producto Igual Alta Igual Producto Producto
Zo Igual Menor Alta Igual Igual Igual
BW Igual Igual Mejor Igual Menor Menor

FUENTES DE CORRIENTE CONSTANTE


Definiciones:
Un generador ideal de corriente es aquel cuya impedancia interna es infinita, de tal manera que la corriente que
genera es constante y está toda presente en la carga. Existen dos tipos: los sumideros, en los cuales ingresa la
corriente que circula por la carga, y las fuentes, las cuales generan la corriente que circulará por la carga.
Condición para corriente constante:
Podemos considerar que la corriente es constante en la carga si el valor de ésta es mucho menor que la
impedancia interna de la fuente.
Fuentes con transistores:
Con una simple configuración de polarización por divisor de tensión podemos configurar una fuente o un sumidero
de corriente, como se ve en la figura:

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Vemos que:
VBB − VBE
Io = β
RB + (1 + β ).RE
Condiciones para corriente constante:
Las condiciones que deben cumplir estos circuitos para proveer una corriente constante a la carga son:
VBB >> VBE (para eliminar la tensión base-emisor, que depende de la temperatura)
(1 + β ).RE >> RB (para eliminar la variación con respecto al beta)
Cumpliendo éstas condiciones, la corriente queda:
VBB
Io =
RE
Estabilidad térmica:
Configuraciones con diodos:
Como vimos en la sección de compensación, la corriente de colector es constante si se compensa con uno
o dos diodos cumpliendo las condiciones mencionadas.
Configuración con diodo Zéner:
Ésta es la configuración más utilizada como
fuente o sumidero de corriente constante. La
figura muestra cómo se configura.

Analizando obtenemos que:


VZ − VBE
Io =
RE
/*Estudiar demostración*/
Si elegimos un diodo Zéner cuya variación
térmica sea igual que la de la tensión base-
emisor, estaremos compensando
térmicamente el circuito, obteniendo mejores
resultados.

Diseño:
Los datos necesarios para diseñar son:
• Corriente de salida I o
• Rango de variación de la carga, fundamentalmente su valor máximo.
Los pasos a seguir son:
1. ELECCIÓN DEL DIODO ZÉNER: Deberemos elegir un Zéner con el mismo coeficiente térmico que la
tensión base-emisor, es decir que debe ser un Zéner de tensión menor a 6V, porque ellos poseen
coeficiente negativo.
2. DETERMINACIÓN DEL RESISTOR DE EMISOR: Determinamos su valor como:
VZ − VBE
RE =
Io

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3. DETERMINACIÓN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN: Debemos calcularla para el peor caso,


es decir con la máxima resistencia de carga (cae todo en la resistencia interna) y con el transistor saturado,
es decir:
VCC ≥ I o (R E + R L max ) + VCEsat
4. CÁLCULO DEL RESISTOR DE LIMITACIÓN DEL ZÉNER: Éste depende de la corriente que
circula por el Zéner, la cual determina el coeficiente de variación térmica. Por ende, de las curvas que
representan dicha situación (coeficiente de variación en función de la corriente de Zéner, con la tensión de
Zéner como parámetro) obtenemos, para el coeficiente térmico esperado, la corriente de Zéner, y con ella
obtenemos la resistencia limitadora de la siguiente manera:
VCC − VZ
R=
IZ
En el caso que no se requiera compensación, elegimos un valor de corriente dentro de los límites
aceptables.
Espejos de corriente:
Los espejos de corriente se utilizan para polarizar etapas amplificadoras en circuitos integrados sin requerir una
cantidad grande de resistencias. Las fuentes de corriente constante proporcionan mayor estabilidad frente a las
variaciones del beta, la temperatura y la fuente de alimentación.
Espejo común:
Un espejo de corriente típico es el que se muestra en la figura.
El transistor Q1 está conectado como diodo, pero funciona como
transistor, porque está en su región activa. Suponemos que los
transistores Q1 y Q2 están perfectamente apareados. Como sus bases
están conectadas entre sí, sus corrientes de emisor son iguales.
Haciendo un análisis de las corrientes, veremos que:
β I ref
Io = I ref =
β +2 2
1+
β
/*Estudiar demostración*/
Y si se cumple que β >> 1 , entonces:
I o ≅ I ref
Vemos también que la resistencia de salida de Q2 es:
1
Zo =
hoe

Las desventajas de ésta configuración son:


• Resistencia de salida relativamente baja
• Alta sensibilidad a las variaciones de la fuente de alimentación
• Necesita resistencias muy grandes para obtener corrientes bajas

Cabe mencionar que para espejos de corriente con salidas múltiples, los errores debido a las corrientes
de base se van acumulando y las corrientes ya no se aproximarán tanto a la de referencia. Para una
configuración con N salidas, la corriente de salida será:
I ref
Io =
N
1+
β
/*Estudiar demostración*/
Espejo de Widlar:
Las curvas de salida de un espejo de corriente convencional son muy similares a las de un simple
transistor. Esto indica que el espejo de corriente no se comporta como una fuente ideal de corriente. Otro

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factor a tener en cuenta es que cuando uno necesita corrientes de salida pequeñas, debe disponer de un
resistor de referencia muy grande, y esto es imposible de lograr en un circuito integrado.
Para solucionar éste inconveniente existe el espejo de corriente de Widlar,
que lleva un resistor en el emisor de Q2, lo que hace que aumente su
impedancia de salida y que la corriente de salida sea bastante menor que la de
referencia, sin necesidad de resistores de tan alto valor. El espejo de Widlar es
el que se ve en la figura.
Si los transistores son iguales, se obtiene entonces una ecuación de vínculo
entre la corriente de salida y la de entrada:
 I ref 
I o .RE = VT . ln 
 Io 
/*Estudiar demostración*/
Podemos calcular la corriente de referencia como:
VCC + V EE − V BE
I ref =
Rref
Las soluciones de las dos ecuaciones anteriores en conjunto darán distintos
valores para los resistores, adecuados al diseño.

Impedancia de salida de un espejo de Widlar:


Haciendo un análisis dinámico desde la salida del espejo, con el mismo procedimiento usado para
calcular cualquier impedancia de salida, llegaremos a que:
1  h fe .R E 
Zo ≅ 1 + 
hoe  R E + hie + Rref // hib 
/*Estudiar la demostración*/
Vemos que la impedancia de salida aumentó en un factor de aproximadamente (1 + h ),
fe
respecto a la del espejo de corriente común.
Espejos en Cascode:
Cuando se necesitan valores muy altos de impedancia de salida se
utiliza otro arreglo denominado Cascode, en el que se sustituye la
resistencia de emisor por un transistor, tal como muestra la figura:

Haciendo un análisis similar al caso anterior, vemos que la


impedancia de salida será:
1
Zo =
hoe (2 )
[1 + h ( ) ]
fe 2

/*Estudiar la demostración*/

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Espejo de Wilson:
El espejo de corriente convencional presenta dos
desventajas:
• Baja impedancia de salida
• Corriente de salida muy dependiente del valor
de beta, sobre todo para los bajos.
Éstas se pueden salvar mediante la configuración del
espejo de corriente de Wilson, que presenta una
corriente de salida mucho más independiente del
beta. Dicha configuración es la que muestra la figura.
Donde vemos que:
Io β 2 + 2.β
= 2 ≅1
I ref β + 2.β + 2
/*Estudiar demostración*/
Vemos que la independencia del beta se cumple aún
para valores bajos del mismo.
Se puede demostrar que su impedancia de salida es:
β
Zo =
2.hoe
/*Estudiar demostración*/
Vemos que la misma es alta. Esto se ve claramente si
analizamos el aumento o disminución en la corriente
de salida.

Espejos con Multiemisores:


A veces se requiere que la
transferencia de corriente no sea de
valor unitario, sino que sea mayor o
menor que 1. Para ello se utilizan
espejos de corriente con
multiemisores, tal como muestra la
figura.
Se puede demostrar que la relación de
transferencia es:
Io β 2 . N + β .N + β
= ≅ N si
I ref (1 + β )(
. β + N )+1
β >> N
/*Estudiar demostración*/
O sea que la corriente de salida es
aproximadamente N veces la
corriente de entrada.
Si los multiemisores estuvieran en Q3,
la relación de transferencia sería:
Io 1

I ref N
/*Estudiar demostración*/
Fuente de corriente como carga activa:
Una fuente de corriente además de actuar como circuito de polarización posee una impedancia interna de
alto valor que puede ser utilizada como elemento de carga de amplificadores. Con ello se consigue obtener
cargas de un alto valor resistivo con un área de ocupación muy inferior con respecto a las resistencias de
difusión de ese mismo valor.

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Un ejemplo de éste tipo de aplicaciones es el siguiente circuito, en el que la resistencia que ve el colector es la
impedancia de salida del espejo de corriente:

La ganancia de tensión de ésta configuración, utilizando el modelo híbrido aproximado, será:

Av = −
( −1
h fe . hoe (1) // hoe (2 )
−1
)
hie
/*Estudiar demostración*/
El cual es un valor muy alto, lo que permite obtener amplificadores con altas ganancias en pocas etapas.
AMPLIFICADORES DIFERENCIALES
Definición:
Un amplificador diferencial es aquel que maneja dos señales de entrada, y cuya salida es proporcional a la
diferencia de las mismas. La figura muestra su esquema circuital más elemental:

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Señales:
Más allá de las características de las señales que ingresamos a éste amplificador, internamente
trabajaremos con dos señales distintivas para el mismo, que se relacionan con las ingresadas en la entrada.
Modo Común:
La señal de modo común v a es la semisuma de las señales de entrada:
v1 + v 2
va =
2
Es decir, que sin importar las características de las señales de entrada, la señal de modo común
será “lo que ellas tienen en común”.
Si yo quiero ingresar a voluntad una señal de modo común, debo ingresarla en ambas entradas,
con la misma amplitud y fase.
Modo Diferencial:
La señal de modo diferencial v d es la diferencia de las tensiones de entrada:
v d = v1 − v 2
Es decir que si las señales de entrada son distintas, lo que tienen en común es la señal en modo
común, y lo que tienen de diferencia es la señal en modo diferencial.
Si yo quiero ingresar a voluntad una señal de modo diferencial, debo ingresarla en ambas entradas
con la misma amplitud y en contrafase, o ingresarla en una entrada y derivar a masa la otra.

Podemos decir entonces que siempre las señales de entrada tendrán una componente común y otra
diferencial, entonces:
vd
v1 = v a +
2
v
v2 = va − d
2
/*Estudiar demostración*/
Descripción y Análisis:
En todo el análisis vamos a suponer, a menos que se especifique lo contrario, que los transistores son idénticos, y
que las resistencias de colector también lo son.
Análisis Estático:
Para el análisis estático, conectamos las dos entradas a masa. Veremos que debido a la simetría del
circuito, se cumplen las siguientes ecuaciones:

I I
I E1 = I E 2 = I C1 = I C 2 VC1 = VC 2 = VCC − α .RC . VOD = VC1 − VC 2 = 0
2 2
Vemos que la polarización del circuito de base se logra al tener una fuente partida para la alimentación del
circuito. Si no contáramos con la misma, podemos hacer un divisor de tensión resistivo, y referir la señal al
punto medio del mismo, con lo que establecemos ese punto como “masa” y la referencia anterior se vuelve
una tensión negativa respecto a ese potencial.
Análisis Dinámico:
Para analizar el funcionamiento dinámico, lo dividiremos en dos partes: una con señal en modo común y la
otra con señal en modo diferencial. Hacemos ésta división porque el amplificador responde de manera
distinta a éstas señales.
Modo Común:
Ingresamos la misma señal en las dos entradas, es decir que:
v1 = v 2
Entonces:

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vd = 0 va = vi
Haciendo un análisis circuital llegamos a que las tensiones totales en los colectores son:
vc1 = −ic1 .RC = −α .ie1 .RC
vc 2 = −ic 2 .RC = −α .ie 2 .RC
Y debido a la simetría del circuito y a que estamos en modo común, ie1 = ie 2 , entonces:
vod = vc1 − vc 2 = 0
O sea que al ingresar una señal en modo común, el amplificador diferencial ideal la rechaza.
/*Estudiar demostraciones*/
Modo Diferencial:
Ingresamos la misma señal pero en contrafase en ambas entradas, es decir que:
v1 = −v 2
Entonces:
v d = 2.v1 = −2.v 2 va = 0
Debido a la simetría del circuito y a que estamos en modo diferencial, vemos que ie1 = −ie 2 , por
lo tanto:
I I
i E1 + i E 2 = ie1 + + ie 2 + = I
2 2
Entonces, la tensión que ve la señal en la unión de los emisores es:
ve = (ie1 + ie 2 ).RE = 0
O sea que la unión de los dos emisores es una masa virtual para la señal diferencial (no así para
la señal de modo común).

Las tensiones de señal en los colectores es:


vc1 = −α .ie1 .RC
vc 2 = −α .ie 2 .RC
Entonces, la salida diferencial es:
vod = vc1 − vc 2 = −α .2.ie .RC
Vemos que las salidas asimétricas (o individuales) son de la mitad de amplitud que la salida
diferencial.
Para la máxima excursión posible, tenemos que ie max = I 2 , por lo que:
vod max = −α .I .RC
Es decir que el amplificador diferencial ideal amplifica las señales diferenciales y rechaza las
señales en modo común.
/*Estudiar demostraciones*/
Rectas de carga:
Modo Común:
Para analizar la recta de carga estática, debemos hacer algunas simplificaciones. Esto es: al circular el
doble de corriente en la resistencia de emisor, cada transistor la ve como una resistencia del doble del
valor. Como i E1 = i E 2 = i E , entonces:
v E = 2.i E .RE = i E .(2.RE )
El circuito que analizaremos para el caso estático, es el que muestra la figura.
La señal de entrada en condiciones estáticas es la señal en modo común, porque la carga que ve es la
misma. Del circuito analizado, vemos que la recta de carga corresponde a la ecuación:
VCC + VEE − vCE1
iC1 =
RC + 2.RE
Donde, si la dibujamos llegaremos al gráfico que muestra la figura.

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Allí vemos que al aplicar una señal en modo común, el punto se desplaza sobre ésta
recta.
Para obtener el punto Q, utilizamos la siguiente fórmula:
V EE + v a − VBE
iC = α
2.RE
/*Estudiar demostración*/
Que sale de analizar la malla de entrada, y de la cual, reemplazando la señal v a por cero, su máximo o su
mínimo, obtenemos los puntos de reposo, máximo y mínimo respectivamente, que se ven en el gráfico
anterior.
Modo Diferencial:
Recordemos que, para la señal diferencial, la unión de los emisores es una masa virtual, por lo que el
circuito a analizar es el que se muestra en la figura.
Vemos en el circuito que la única carga que ve la salida es la resistencia de colector, por lo tanto la
pendiente de la recta de carga en modo diferencial es:
∆iC1 1
=−
∆vCE1 RC
La misma se muestra en el gráfico.

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Si realizamos una combinación de las dos rectas de carga, que contemple las variaciones de la señal en modo
común y en modo diferencial al mismo tiempo, llegaremos a ver que la región de operación del amplificador
diferencial es la que se muestra en la figura que sigue.
Vemos que la corriente pico
máxima de colector está
limitada al valor de I CQ min ,
debido a la variación de la
señal en modo diferencial.
Para obtener la máxima
excursión posible
deberíamos disminuir la
pendiente de la recta de
carga en modo común, para
lo cual tendríamos que
aumentar R E . Pero esto
requeriría aumentar también
VCC y VEE , para mantener
la corriente inalterada. A
veces dicha solución no es
práctica.

Polarización por fuente de corriente:


Para lograr una solución más efectiva al problema anterior, se
polariza al amplificador diferencial con una fuente de corriente
constante. La misma posee una impedancia de salida muy alta
(idealmente infinita), por lo que la recta de carga de modo
común tenderá a hacerse de pendiente horizontal. Una
configuración posible es la que muestra la figura.
Efecto en la región de operación:
La región de operación quedará ahora de la siguiente
manera:

Como vemos, ahora podemos extraer la máxima excursión de salida aún cuando hay componente de modo
común. Logramos con esto independizar la salida diferencial de la señal de modo común.
Curva de transferencia:
Podemos establecer una relación entre la corriente de emisor de señal de los transistores en función de las tensiones
de entrada. Para ello establecemos la ecuación de la corriente de la juntura base-emisor para los dos transistores:

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v1 − ve

 i E1 = I S .e VT
 v 2 − ve
i = I .e VT
 E2 S
Dividiendo miembro a miembro, obtenemos la ecuación de transferencia:
v1 − v 2
i E1
=e VT

iE 2
Si referimos cada corriente respecto a la suma, que es en realidad la corriente por el resistor de emisor I ,
obtenemos unas ecuaciones en donde se ve más claramente el funcionamiento del amplificador diferencial. Éstas
ecuaciones son:
i E1 1 iE 2 1
= v2 − v1
= v1 − v2
I I
1+ e VT
1+ e VT

/*Estudiar demostración*/
Donde se ve claramente que el amplificador responde sólo a la diferencia de las señales, ya que si v1 = v 2 = v a ,
las corrientes de emisor se dividen equitativamente y la salida diferencial es nula.
Vemos en la siguiente figura la curva de transferencia del Amplificador Diferencial:

Región de funcionamiento:
Se observa en la curva de transferencia que si v d > 4.VT , un transistor corta y el otro satura, y el circuito
pierde linealidad, además de independizar la salida diferencial de la entrada del mismo tipo. Entonces
establecemos que para que el amplificador diferencial sea lineal, se debe cumplir que:
v d < ±4.VT ≅ 100mV

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Efecto del resistor de Emisor:


Una forma de ampliar la región de funcionamiento es
conectando resistores entre el emisor de los transistores y el
punto de unión, como se muestra en la figura.
Ésta configuración aumenta el rango lineal de la tensión de
entrada, conservando la simetría del amplificador, y
aumenta el rango mientras más grande es R E . El
inconveniente es que la ganancia en modo diferencial
disminuye. El efecto en la curva de transferencia se
muestra en la gráfica.

Parámetros:
Al trabajar en el rango de señales mencionado anteriormente, el amplificador es lineal, por lo tanto podemos utilizar
modelos lineales para describir su operación. Los circuitos vistos desde el emisor y el colector son,
respectivamente:

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Impedancia de Entrada:
Para calcular la resistencia de entrada, debemos dividir el análisis. Para el caso de modo diferencial, la
resistencia de entrada es la que se ve entre las dos bases, para una señal de entrada diferencial.
Análogamente, para el modo común, la resistencia de entrada es la que ve una señal de modo común.
Impedancia de Entrada en Modo Diferencial:
El circuito equivalente que ve una señal
diferencial en la entrada es el que muestra el
diagrama.
Vemos que la resistencia de entrada es,
sabiendo que ib1 = −ib 2 = ib :
vd
Rid = = 2.hie
ib

Impedancia de Entrada en Modo Común:


La resistencia de entrada de modo común es equivalente al paralelo de las dos resistencias de
entrada de cada uno de los circuitos. Por lo tanto:
2.Ria = hie + (1 + β ).2.RE
Ria = (1 + β ).RE
Pero como éste es un valor alto, y la resistencia entre colector y base rµ está en paralelo con la
misma, por encontrarse entre la base y un potencial constante, es significativo su efecto en la
impedancia de entrada del amplificador en modo común. Por ende:
 Rµ 
Ria = [(1 + β ).RE ] //  
 2 
Transconductancia:
Si expresamos de otra manera las ecuaciones que describen matemáticamente al amplificador diferencial,
podemos obtener lo siguiente:
I I
i E1 = v
iE 2 = vd
− d
1+ e VT
1+ e VT

Transfiriendo al colector y realizando algunos pasos matemáticos, vemos que:


vd vd

2.VT 2.VT
α .I .e α .I .e
iC1 = vd v
iC 2 = vd vd
− d −
2.VT 2.VT 2.VT 2.VT
e +e e +e
Para obtener linealidad, el circuito debe trabajar con v d << 2.VT , entonces podemos desarrollar las
exponenciales como series y conservar los dos primeros términos. Las ecuaciones quedan:
α .I α .I v d α .I α .I v d
iC1 ≅ + iC 2 ≅ −
2 2.VT 2 2 2.VT 2
El primer término en ambas ecuaciones es la corriente que se divide equitativamente cuando la señal
diferencial es nula. La corriente de señal será:
α .I v d α .I v d
ic1 ≅ ic 2 ≅ −
2.VT 2 2.VT 2
Donde vemos la relación entre la corriente de cada salida individual y la tensión diferencial en la entrada.
Ésta relación tiene dimensiones de transconductancia, por lo tanto definimos que la misma es, para un
amplificador diferencial:

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α .I
gm =
2.VT
Con lo que:
vd vd
ic1 ≅ g m ic 2 ≅ − g m
2 2
Ganancia de Tensión:
Viendo el circuito equivalente para la señal visto desde el emisor, podemos dividir nuevamente el análisis.
Ganancia de Tensión en Modo Común:
Para cada entrada en particular en modo común, la señal ve duplicada la resistencia de emisor,
entonces, se puede demostrar que la ganancia de tensión en modo común de cada salida individual
es:
voa1 α .RC1 voa 2 α .RC 2
Ava1 = = Ava 2 = =
va hib + 2.RE va hib + 2.RE
/*Estudiar demostración*/
Si el circuito es simétrico en transistores y resistencias de colector, las ganancias individuales de
modo común serán iguales y la ganancia total en modo común será nula.
Ganancia de Tensión en Modo Diferencial:
Para la entrada diferencial, la señal ve una masa virtual en la unión de los emisores, entonces, se
puede demostrar que la ganancia de tensión en modo diferencial es:
vod 1 − vod 2 α .RC
Avd = =
vd hib
/*Estudiar demostración*/
Relación de Rechazo de Modo Común:
En un amplificador diferencial ideal se espera que la ganancia diferencial sea infinita y que la
ganancia en modo común sea nula. En la realidad se busca que la primera sea muy grande y que la
segunda sea muy chica (no es nula porque no hay simetría exacta).
Podemos definir un parámetro que nos cuantifica la calidad de un amplificador diferencial de
acuerdo a éstas dos cantidades: la relación de rechazo de modo común ( CMRR ), que es:
Avd
CMRR =
Ava
O en decibeles:
A 
CMRR = 20. log vd  [dB]
 Ava 
Lo esperado entonces en el amplificador diferencial ideal es que CMRR → ∞
Se puede demostrar que si el circuito no es simétrico en sus resistencias de colector, ésta relación
se cuantifica como:
2.RE .RC
CMRR =
hib .∆RC
/*Estudiar demostración*/
Rangos de señal de entrada:
Se puede demostrar que:
2.ic max .VT
vid max = ic1 pap .hib =
I CQ
/*Estudiar demostración*/
La máxima señal de modo común está limitada por la saturación de los transistores.

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Amplificador diferencial con Resistencias de Emisor para Equilibrio:


Cuando los transistores tienen características
diferentes se suele conectar resistencias entre el
emisor de cada dispositivo y R E , o un
potenciómetro entre los emisores con el cursor
conectado a R E , para que sirva como control de
equilibrio, como se muestra en la figura.
El cursor o los valores de las resistencias se ajustan
de modo que las corrientes estáticas de emisor sean
iguales.
El efecto que esto produce es que baja la ganancia
diferencial del circuito.

Amplificador Diferencial con Carga Activa:


Las fuentes de corriente pueden ser utilizadas como
carga activa en un amplificador diferencial. El espejo
de corriente es el circuito que mejor se adapta al tener
una resistencia interna no demasiado elevada la cual
elimina problemas de polarización y mantiene una
ganancia muy alta. La figura muestra la estructura de un
amplificador diferencial que tiene una carga activa
constituida por el espejo de corriente formado por los
transistores Q3, Q4 y Q5. Por necesidades de
polarización la intensidad de referencia de este espejo
tiene que ser la mitad de I ya que las intensidades de
colector de Q1 y Q4, y Q2 y Q3 deben ser idénticas.

FUENTES DE ALIMENTACIÓN
Rectificación:
La rectificación de una onda consiste en convertir una señal alterna senoidal (con valor medio nulo) en una señal
continua (no constante), cuyo valor medio no será nulo. Utilizamos la propiedad de conducción unidireccional de
los diodos para lograr la rectificación.
Media onda:
El rectificador de media onda es el que se muestra en la figura. La tensión en el transformador y la tensión
en la carga son como muestra la gráfica.

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Despreciando la caída de tensión en el diodo y contemplando la


resistencia del bobinado secundario y del diodo dentro de una
RS , la corriente en el circuito será:
 Vmax
 . sin (ω.t ) = I max . sin (ω.t ) 0 ≤ ω.t ≤ π
i (t ) =  RL + RS
0 π ≤ ω.t ≤ 2.π
El valor medio de la corriente en la carga será:
I max
I CC =
π
/*Estudiar demostración*/
El valor eficaz de la corriente en la carga será:
I max
I ef =
2
/*Estudiar demostración*/
Para calcular la tensión de salida, que depende de la carga, se utiliza la siguiente fórmula:
Vmax
VCC = − I CC .RS
π
/*Estudiar demostración*/
Onda completa:
El rectificador de onda completa tiene dos configuraciones posibles, que se muestran en la figura.

La tensión en el transformador y la tensión en la carga serán como muestra la


gráfica.
La corriente en la carga tiene la misma expresión que en media onda, sólo
que no tiene un intervalo nulo, y su frecuencia es ahora del doble de la
frecuencia original.
El valor medio de la corriente en la carga será:
2.I max
I CC =
π
/*Estudiar demostración*/
El valor eficaz de la corriente en la carga será:
I max
I ef =
2
/*Estudiar demostración*

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Para calcular la tensión de salida, que depende de la carga, se utiliza la siguiente fórmula:
2.Vmax
VCC = − I CC .RS
π
/*Estudiar demostración*/
Parámetros:
Existen dos parámetros que definen la calidad de una fuente de alimentación, independientemente de la potencia
que sea capaz de entregar. Éstos son el factor de regulación y el factor de rizado.
Factor de Regulación:
La regulación de una fuente es la capacidad de mantener una tensión constante ante variaciones de la
carga.
El factor de regulación se define como:
Vvacío − Vmin
Freg (%) = × 100%
Vmin
Donde Vmin es la tensión que entrega la fuente para la máxima carga (mínima resistencia de carga).
Para una fuente ideal (sin resistencia interna) la regulación es nula.
Factor de Rizado:
El rizado es la variación periódica de la tensión que entrega la fuente respecto a su valor medio.
Podemos expresar a toda tensión que entrega una fuente como:
v(t ) = VCC + v ripple (t )
donde vripple (t ) es la variación periódica de la señal.
El factor de rizado se define como el cociente entre el valor eficaz del ripple y el valor medio de la señal:
I ef′ Vef′
r= =
I CC VCC
Donde I ef′ y Vef′ son los valores eficaces del ripple, es decir de la señal de salida desacoplada de su
componente continua.
Mediante pasos matemáticos se puede llegar a que éste factor es, para cualquier forma de onda:
2 2 2
I ef − I CC  I ef 
r= =   − 1
I CC  I CC 
/*Estudiar demostración*/
Un mayor factor de ripple indica un circuito ineficiente para la alimentación. Una fuente ideal, tiene
factor de ripple nulo.
Para el rectificador de media onda:
2
π 
r =   − 1 = 1,21
2
Lo que indica que la tensión eficaz de la componente variable de la salida es mayor que la tensión
continua, lo que indica que el circuito es malo.
Para el rectificador de onda completa:
2
 π 
r=   − 1 = 0,482
 2. 2 
Lo que indica que mejora el circuito por ser mayor la tensión continua que el valor eficaz de su
componente variable.
Filtros:
La corriente en la salida de un rectificador está muy lejos de ser constante, y sus variaciones tan altas traen
inconvenientes en algunos circuitos. Como dichas señales no son senoidales, podemos expresarlas como series de
Fourier. Las expresiones son:

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1 1 2 ∞ cos(2.k .ω.t ) 
i (t ) = I max  + sin (ω.t ) − ∑ (MEDIA ONDA)
π 2 π k =1 (2.k + 1)(2.k − 1) 

 2 4 ∞ cos(2.k .ω.t ) 
i (t ) = I max  − ∑  (ONDA COMPLETA)
 π π k =1 (2.k + 1)(2.k − 1) 
Vemos que, además de la componente continua de la corriente, existen componentes armónicas, que producen
variación y pérdida de potencia útil. Para eliminar éstas variaciones se utilizan filtros de ripple, que tienden a que la
corriente sea constante en el tiempo.
Filtro con entrada inductiva:
El filtro por inductancia se basa en la propiedad fundamental de éste componente de oponerse a cualquier
variación de corriente. De ésta forma, las variaciones bruscas se suavizarán, tendiendo a que la corriente
sea más constante.
Rectificador de media onda con filtro por inductor:
La figura muestra el circuito.
La tensión en la carga responderá a la siguiente ecuación:
R L .Vmax  − L .t 
R

v(t ) =  sin (ω.t − ϕ ) + sin ϕ .e L 


2 2 2  
R L + ω .L  
ω .L
donde ϕ = arctan . Ecuación válida para 0 < t < t1 , donde
RL
t1 es el tiempo en el que se anula la tensión, cuyo valor se calcula
numéricamente anulando el paréntesis de la ecuación.
La forma de la tensión en la carga
es la que se ve en la gráfica.
Vemos que la tensión no cambia
bruscamente en el arranque de cada
ciclo.
La principal desventaja de utilizar
ésta configuración es que nunca nos
aproximamos a una tensión
constante.

Rectificador de onda completa con filtro por inductor:


La figura muestra el circuito:

La diferencia fundamental con el circuito anterior es que la corriente por el inductor no se


interrumpe nunca porque, cuando un diodo deja de conducir, comienza a conducir el otro.
La tensión en la carga responde a una ecuación muy compleja, por lo que se utilizará una solución
aproximada.
Representando a la onda rectificada por su serie de Fourier y despreciando los armónicos
superiores al segundo, obtenemos que la corriente del circuito es:
2.Vmax 4.Vmax . cos(2.ω.t − φ )
i (t ) = −
π .RL 3.π R 2 + (2.ω.L )2
L

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/*Estudiar demostración*/
2.ω.L
donde φ = arctan .
RL
La tensión de salida tiene la forma que muestra la siguiente figura.
Se puede demostrar que el factor de rizado es:
2 1
r=
3. 2  2.ω.L 
2

1 +  
R
 L 
/*Estudiar demostración*/
Vemos que el filtrado mejora conforme disminuye la
resistencia de carga.
La regulación de la fuente debe calcularse teniendo en cuenta
las resistencias del diodo, inductor y transformador, y su
caída cuando circula la corriente continua de salida.
Filtro con entrada capacitiva:
Utilizaremos la propiedad del capacitor de almacenar energía en forma de tensión, de tal manera que
durante los periodos de no conducción, la tensión se siga manteniendo en la carga.
Rectificador de media onda con filtro capacitivo:
La figura muestra el circuito.
La corriente en la carga se corresponde con
la fórmula:
1
i (t ) = Vmax + (ω.C ) sin (ω.t + ψ )
2
2
RL
donde ψ = arctan(ω.C.RL ) .

Las formas de la corriente en la carga y en el diodo se muestran en la figura.


El punto en el que el diodo comienza a
conducir se lo denomina punto umbral
( t1 ), y el punto en el que deja de conducir
punto de corte ( t 2 ). Vemos que el diodo
tiene períodos cortos de conducción con
grandes picos de corriente. De la gráfica y
de la fórmula vemos que si aumentamos el
valor de la capacidad para una carga fija,
aumentamos el valor pico de la corriente.
Tenemos en cuenta esto para elegir el
diodo, ya que un parámetro que
proporciona el fabricante es la corriente
pico repetitiva máxima, que no debe ser
superada en ningún momento, para no
quemar el dispositivo.
En durante el tiempo de no conducción del
diodo, el capacitor se descarga a través de
la resistencia de carga con una constante de
tiempo τ = R L .C .

Rectificador de onda completa con filtro capacitivo:


La figura muestra el circuito:

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La ecuación de la corriente es la misma, sólo que ahora el intervalo que va de t1 a t 2 es mayor.


Las consideraciones sobre la corriente en los diodos son las mismas que las hechas en media
onda.
Filtro LC:
La configuración de un filtro combinado LC es la que muestra la figura.
Lo que estamos logrando con un filtro LC
es combinar las ventajas y desventajas de
ambos, que resultan ser opuestas, para
lograr un mejor filtrado en condiciones
medias. Se verá cuando se analice el rizado
que la propiedad del filtro por inductor de
disminuir el mismo mientras aumenta la
carga, se combina con la propiedad del
filtro capacitivo de disminuir el mismo
mientras disminuye la carga. Obtendremos
así un rizado constante independiente de la
carga.
Para calcular la regulación debe tenerse en cuenta la resistencia de los diodos, de la bobina y del
transformador.
Definimos el factor de atenuación como la relación entre la impedancia total del filtro y la impedancia de
la combinación paralelo del capacitor y la resistencia de carga. Para que el filtro sea bueno la reactancia
del inductor a la frecuencia de trabajo debe ser mucho mayor que la resistencia de carga (circuito abierto
para el ripple) y la reactancia del capacitor a la misma frecuencia debe ser mucho menor que la resistencia
de carga (cortocircuito para el ripple). Si esto se cumple, el factor de atenuación será:
FA ≅ 4.π 2 . f 2 .L.C − 1
/*Estudiar demostración*/
Podemos demostrar que el rizado es:
Vef′ 2
r= = 2
VCC 12.ω .L.C
/*Estudiar demostración*/
Inductancia crítica:
Definimos inductancia crítica como la mínima inductancia para que el circuito suministre
corriente constantemente a la carga. Para valores menores que la misma, existirá un punto de
corte.
Para encontrar dicho valor decimos que la corriente media debe ser mayor que el valor máximo
del ripple:
VCC
≥ 2.I ef′
RL
Se puede demostrar que la inductancia debe ser:
RL
L ≥ Lcrit =
3.π . f
Experimentalmente, se toma un valor umbral mayor para que nunca se llegue al punto de corte.
Éste es:

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RL
L≥
500
Diseño de filtro capacitivo:
La determinación de los tiempos correspondientes al umbral y al corte es muy complicada por métodos
exactos, ya que supone resolver una ecuación trascendente o utilizar métodos gráficos. Veremos que
pueden obtenerse resultados bastante cercanos utilizando un método aproximado. Otra alternativa es
utilizar las curvas de Shade, que son cuantificaciones de las soluciones a la mencionada ecuación, para
distintos parámetros.
Método aproximado:
El método consiste en aproximar las curvas de descarga y carga del capacitor mediante segmentos
lineales como se muestra en la figura.
Se puede demostrar que el valor del capacitor
responde a la fórmula:
2.π .Vmax
C=
4.π . f .∆V .RL
/*Estudiar demostración*/
Pero una regla práctica permite utilizar otra
fórmula con mayor exactitud, ya que al
aproximar con segmentos lineales nos
excedemos del valor. La fórmula práctica es:
5.Vmax
C=
4.π . f .∆V .RL
El rizado puede calcularse sabiendo que:
R.C.∆V
T1 =
Vmax
y que la carga que pierde el capacitor en ese tiempo es:
∆Q = I CC .T1
Se puede demostrar que el factor de rizado es:
Vef′ 1
r= =
VCC 4. 3. f .C.RL
/*Estudiar demostración*/
Método de Shade:
Para utilizar el método de Shade, debemos conocer ciertos datos. Ellos son:
• Mínima tensión posible en la carga ( Vo min )
• Máxima corriente requerida en la carga ( I o max = I CC )
• Máximo porcentaje de rizado permitido ( %r )
Teniendo esos datos, seguimos el procedimiento de diseño:
1. DETERMINACIÓN DE LA RESISTENCIA DE CARGA: Obtenemos su valor de los datos:
Vo min
RL =
I o max
Si la fuente es regulable, obtenemos el mínimo valor de resistencia de carga.
2. ESTIMACIÓN DE LA RESISTENCIA INTERNA: Como no conocemos el valor de RS (resistencia interna
que incluye la del transformador, diodos, etc.) lo estimamos entre un 1% y un 10% del valor de la mínima carga.
Si tomamos un valor muy pequeño, la corriente pico no repetitiva (de encendido, debida al teorema del valor
inicial en el capacitor) será muy grande, ya que ésta es su única limitación, por lo que estaremos exigiendo más a
los diodos.
3. CÁLCULO DEL PARÁMETRO DE LAS CURVAS DE SHADE: El parámetro es la relación porcentual
entre la resistencia interna de la fuente y la de carga, entonces:

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RS
A= .100%
RL
4. OBTENCIÓN DEL SEGUNDO PARÁMETRO MEDIANTE LA PRIMER GRÁFICA DE SHADE: De la
primera gráfica, ingresamos por el eje del porcentaje de ripple con el valor determinado por los datos del diseño
hasta cortar la curva que corresponde al valor obtenido para el parámetro. Desde ese punto nos desplazamos
hacia el eje donde estará el valor ω.C.R L .
5. CÁLCULO DEL CAPACITOR: Con el valor obtenido del segundo parámetro, calculamos el capacitor como:
[ω.C.RL ]graf
C=
2.π . f .RL
6. OBTENCIÓN DE LA TENSIÓN DEL SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR MEDIANTE LA
SEGUNDA GRÁFICA DE SHADE: Con los dos parámetros que tenemos, y conociendo qué configuración de
rectificación usamos, ingresamos por el eje de ω.C.R L en la familia de curvas correspondiente, hasta cortar la
RS V
curva de nuestro % . Desde allí nos movemos hasta encontrar el valor de % CC . Con éste obtenemos la
RL Vmax
tensión que deberá entregar el secundario del transformador como:
VCC .100
Vmax =
 VCC 
% 
 Vmax  graf
y su valor eficaz como:
Vmax
Vef =
2
7. DETERMINACIÓN DE LA CORRIENTE EFICAZ QUE CIRCULA POR CADA DIODO MEDIANTE
LA TERCERA CURVA DE SHADE: Calculamos el valor del parámetro n.ω.C.RL , siendo n = 1 para
rectificador de media onda, yn = 2 para onda completa. Ingresamos con éste valor y nos desplazamos hasta
RS I ef
cortar la curva de nuestro % . Desde allí nos movemos hacia el valor de . Determinamos con éste valor
RL I CC
la corriente eficaz que circula por cada diodo como:
 I ef 
I ef =   .I CC
 I CC  graf
8. OBTENCIÓN DE LA CORRIENTE PICO REPETITIVA DE CADA DIODO MEDIANTE LA CUARTA
CURVA DE SHADE: Con el mismo parámetro que la curva anterior ( n.ω.C.RL ), ingresamos y nos movemos
RS I pico
hasta cortar la curva de nuestro % . Desde allí nos desplazamos hacia el valor de . Con éste,
RL I CC
calculamos la corriente pico repetitiva de cada diodo como:
 I pico 
I pico =   .I CC
 I CC  graf
9. ELECCIÓN DE LOS COMPONENTES Y FINALIZACIÓN DEL DISEÑO: Elegimos el transformador en
base a la tensión que deberá entregar el secundario ( Vmax ) y a la corriente media que queremos en la carga
( I CC ). Elegimos los diodos teniendo en cuenta la corriente eficaz ( I ef ) y la corriente pico repetitiva ( I pico ), así
como la corriente pico no repetitiva que se calcula como:
Vmax
I PNR =
RS

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Primera Curva de Shade


PORCENTAJE DE RIPPLE RESPECTO AL PARÁMETRO ω.C.RL

Segunda Curva de Shade para RMO


PORCENTAJE DE TENSIÓN MEDIA SOBRE LA TENSIÓN DEL TRANSFORMADOR RESPECTO AL
PARÁMETRO ω.C.R L

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Segunda Curva de Shade para ROC


PORCENTAJE DE TENSIÓN MEDIA SOBRE LA TENSIÓN DEL TRANSFORMADOR RESPECTO AL
PARÁMETRO ω.C.R L

Tercera Curva de Shade


CORRIENTE EFICAZ SOBRE CORRIENTE MEDIA POR DIODO RESPECTO AL PARÁMETRO n.ω.C.RL

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Cuarta Curva de Shade


CORRIENTE PICO REPETITIVA SOBRE CORRIENTE MEDIA POR DIODO RESPECTO AL PARÁMETRO
n.ω.C.RL

Fuentes reguladas:
Las fuentes vistas hasta ahora (transformador – rectificador – filtro) tienen algunas desventajas:
• Mala regulación (La tensión de salida varía con la carga)
• Mala estabilización (La tensión de salida varía con la tensión alterna de alimentación)
• Alta variación térmica debida a la sensibilidad de los semiconductores con éste parámetro.
Podemos escribir la variación de la tensión de salida en función de tres derivadas parciales que representan factores
de estabilidad:
∂vo ∂v ∂v
∆vo = .∆vi + o .∆il + o .∆T
∂vi ∂il ∂T
∆vo = S v .∆vi + Ro .∆il + S T .∆T
Donde S v es el factor de estabilización, Ro es la resistencia de salida de la fuente y S T es el coeficiente de
temperatura. Supondremos para el análisis que S T ≅ 0 .

La configuración más básica de una fuente regulada es la que se


muestra en la figura.
Vemos que utilizamos un diodo Zéner, que tiene la propiedad
de mantener casi constante su tensión aunque varíe la corriente
que pasa por él. Analizaremos dos situaciones de trabajo para
determinar parámetros necesarios para el diseño de éste tipo de
fuentes:

Variación de la carga: Si variamos la carga, dejando constante la tensión de entrada sin regular, observaremos que
existe un valor mínimo de resistencia de carga por debajo del cual el circuito deja de regular, debido a que la
corriente total está limitada por la resistencia RS , y si la mayor parte se va hacia la carga, la corriente en el Zéner
no es suficiente para polarizarlo en la región necesaria.

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Vo Vo
I = I Z min + I L max = I Z min + ⇒ RL min =
RL min I − I Z min
Variación de la tensión de entrada sin regular: Si aumenta dicha tensión, aumenta la corriente I , y como la
carga no ha variado, el aumento de corriente es absorbido por el Zéner. Existe entonces un límite máximo para la
tensión de entrada sin regular, que es impuesto por la máxima corriente que admite el Zéner. Para asegurarnos de
estar en la región en la que el dispositivo regula, debemos tener en cuenta que:
• La corriente a través del Zéner es mínima cuando la corriente en la carga es máxima y la tensión de
entrada es mínima.
• La corriente a través del Zéner es máxima cuando la corriente en la carga es mínima y la tensión de
entrada es máxima.
Vi − VZ V − VZ
I= = I Z + I L ⇒ RS = i
RS IZ + IL
Vi min − VZ Vi max − VZ
RS = y RS =
I Z min + I L max I Z max + I L min
Conocemos todos los datos menos I Z min , I Z max y RS , pero por lo general se cumple que la primera es de un
10% de la segunda. Entonces, despejando obtenemos la corriente máxima que deberá soportar nuestro dispositivo:
I L min .(VZ − Vi min ) + I L max (Vi max − VZ )
I Z max =
Vi min − 0,9.VZ − 0,1.Vi max
/*Estudiar demostración*/
Conociendo ese valor podemos calcular RS con las fórmulas anteriores.
Se puede demostrar que la variación de la tensión de salida, dependiendo de los intervalos de tensión de entrada y
de corriente en la carga, es:
∆Vi + RS .∆I L
∆Vo =
R
1+ S
RZ
/*Estudiar demostración*/
De ésta expresión vemos que si la resistencia del Zéner es nula (caso ideal), la variación de la tensión también lo es.

Vemos de las curvas anteriores que para poder tener gran variación en la tensión de entrada, RS debe ser grande,
porque sino se alcanza muy rápidamente los límites de funcionamiento del dispositivo.
Si analizamos el circuito dinámicamente, es decir, para el rizado, obtendremos que, el rizado de salida cumple la
siguiente ecuación:
RZ // RL
vo = v
(RZ // RL ) + RS i
Pero como siempre se cumple que RZ << RL y RZ << RS , entonces, el rizado a la salida será:

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CasIngenieros Autor:
http://www.gratisweb.com/casingenieros Juan Pablo Martí

RZ
vo ≅ vi
RS
Vemos que el rizado a la salida disminuye cuando disminuye RZ y aumenta RS .
La impedancia de salida de la fuente se puede demostrar que es aproximadamente:
Z o ≅ RZ
Ventajas y desventajas:
• Ventajas:
o Baja impedancia de salida
o Pocos componentes necesarios para el armado
• Desventajas:
o Gran disipación de potencia en RS
o No se pueden manejar grandes corrientes por la limitación del Zéner
o Cuando las corrientes son grandes, la regulación es mala
Fuentes reguladas bipolares:
Para solucionar la limitación del manejo de grandes corrientes, se puede añadir un transistor a la configuración
anterior, como muestra la figura.
En éste circuito, la corriente que entrega el circuito regulador
del Zéner es β veces menor que la corriente en la carga, por lo
que mejora la regulación.
Las principales relaciones de corrientes y tensiones en el
circuito son:
Vi − VZ
I= I = IZ + IB
RS
IL
IB = Vo = VZ − VBE
β
Análisis de la regulación:
Variación de la carga: RL ↑ ⇒ Vo ↑ ⇒ V BE ↓ ⇒ I B ↓ ⇒ I L ↓ ⇒ Vo ↓
Variación de la tensión de entrada: Vi ↑ ⇒ I ↑ ⇒ I Z ↑ ⇒ I L = ctte
Se puede demostrar que la variación de la tensión de salida, dependiendo de los intervalos de tensión de entrada y
de corriente en la carga, es:
∆I L
∆Vi + RS
β
∆Vo =
RS
1+
RZ
/*Estudiar demostración*/
que es similar a la expresión anterior pero el intervalo de corriente de carga está dividido por beta.
Se puede demostrar que el rizado es:
RZ
vo = vi
RS
/*Estudiar demostración*/
que es igual al caso anterior.

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