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INDICE

Fundamento teórico ……………………………………………………. 1


Objetivos …………………………………………………………………. 4
Simulación ………………………………………………………………. 5
Bibliografía ……………………………………………………………….
FUNDAMENTO TEORICO

Transistor UJT – Unijuntion Transistor. Dispositivo de disparo

El transistor UJT (transistor de unijuntura – Unijunction transistor) es un dispositivo


con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de
disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN que es utilizado para
hacer osciladores. Muy importante: No es un FET.
Físicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con
conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con
un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así
una unión PN. Ver los siguientes gráficos.
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el
Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1.

Donde:

 n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)


 VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a
0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

El emisor está fuertemente dopado, mientras que la región de bases posee una
ligera contaminación, lo cual hace que bajo determinadas condiciones, presente
una región de resistencia negativa, ofreciendo dos estados de funcionamiento bien
definidos, correspondientes a bloqueo y a conducción.
Para entender mejor el funcionamiento del dispositivo, es necesario recurrir a su
equivalente circuital, el cual es mostrado en la figura 2.

Figura 2. Equivalente circuital

Rb1 y Rb2 constituyen la resistencia de la barra de silicio, siendo Rbb la


resistencia total:
Rbb = Rb1 + Rb2, con Rb1 ( Rb2
Rbb es denominada resistencia interbase, y es la resistencia óhmica que
presentan los terminales B1 y B2 cuando no hay corriente de emisor. En términos
generales esta varía entre 5 k( y 10 k(.
El diodo D es el equivalente a la juntura entre el emisor y la base, presentando un
voltaje umbral que varía entre .4 voltios y .7 voltios.
Si la tensión aplicada al dispositivo es Vbb, sobre la resistencia Rb1, es decir en el
punto A, aparece un voltaje dado por:
Va = Vbb Rb1/Rbb = n Vbb
siendo n = Rb1/(Rb1 + Rb2)
n es conocido como factor intrínseco, teniendo una variación comprendida entre .5
y .8, lo cual significa que Rb1 puede ser igual o hasta cuatro veces el valor de
Rb2.
La tensión Va es conocida también como voltaje intrínseco y es la que mantiene
inversamente polarizado al diodo emisor cuando no hay señal a la entrada.

Al aplicar una tensión Ve en el emisor, el transistor permanece bloqueado hasta


tanto no se alcance el voltaje pico Vp, el cual está dado por la siguiente expresión:
Vp = Vd + Va = Vd + n Vbb
Cuando el diodo de emisor entra en conducción, debido a que la región p está
fuertemente contaminada y la n no, se inyectan huecos a esta parte inferior. La
ligera contaminación de esta región proporciona un tiempo de vida largo para
estos huecos, produciéndose así una trayectoria de conducción entre emisor y
base B1. Cuando fluye esta corriente, es claro que la resistencia Rb1 disminuye
debido al efecto de modulación de conductividad. Al disminuir esta resistencia, la
tensión Va también disminuye, con lo cual se obtiene una mayor inyección de
corriente de emisor. Debido a la disminución de tensión y aumento de corriente se
presenta una región de resistencia negativa, alcanzando valores de hasta 100 k(
para bajos niveles de corriente.
En la figura 3 se muestra la curva característica del UJT.

Figura 3. Curva Característica del UJT

TRANSISTOR PUT

Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes


en construcción y en modo de operación. La designación se ha hecho en base a
que presentan características tensión-corriente y aplicaciones similares .
Mientras que el UJT es un dispositivo de dos capas, el PUT lo es de cuatro capas.
El término programable es usado porque los valores de Rbb, n y Vp pueden
controlarse mediante una red externa. En la figura 7 puede observarse la
conformación física y circuital del PUT.
Figura 7. Conformación física y circuital del PUT
Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho terminal
es:
Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb
El circuito no se disparará hasta tanto el potencial en el terminal de ánodo no sea
superior en el voltaje de polarización directa de la juntura pn entre ánodo y
compuerta y el voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb
La curva tensión-corriente que representa la característica de funcionamiento del
PUT es mostrada en la figura 8.

Figura 8. Curva tensión - corriente del PUT


Mientras la tensión Vak no alcance el valor Vp, el PUT estará abierto, por lo cual
los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el
dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y por lo tanto
un elevado flujo de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevará al dispositivo a su estado de
bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la
corriente por debajo de un valor de mantenimiento I(br).
Aplicaciones
El PUT es utilizado también como oscilador de relajación. Si inicialmente el
condensador está descargado la tensión Vak será igual a cero. A medida que
transcurre el tiempo éste adquiere carga.
Cuando se alcanza el nivel Vp de disparo, el PUT entra en conducción y se
establece una corriente Ip.
Luego, Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el
condensador empieza a descargarse y la tensión Vgk cae prácticamente a cero.
Cuando la tensión en bornes del condensador sea prácticamentet cero, el
dispositivo se abre y se regresa a las condiciones iniciales.

OBJETIVOS
 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y
PUT.
 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga.

SIMULACION
BIBLIOGRAFIO
 http://www.monografias.com/trabajos78/dispositivos-
control/dispositivos-control2.shtml
 https://unicrom.com/put-caracteristicas-oscilador/
 http://gilbertomateos.blogspot.pe/2009/06/el-transistor-de-union-
programable-put.html