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DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
Alumno:
UNI-FIM ELECTRÓNICA DE POTENCIA
FUNDAMENTO TEÓRICO
TRANSISTOR UJT
Curva característica
Circuito de Disparo
Consideraciones de diseño:
𝑡𝑔 = 𝑅1 𝐶𝐸
104
𝑅2 =
𝑛𝑉𝑆
𝑉𝑆 − 𝑉𝑉 𝑉𝑆 − 𝑉𝑃
< 𝑅𝐸 <
𝐼𝑉 𝐼𝑃
𝑅𝐵1
𝑛=
𝑅𝐵𝐵
𝑉𝑃 = 𝑛𝑉𝐵𝐵 + 0.5𝑉
1. TRANSISTOR PUT
El PUT es un dispositivo de tres terminales, las cuales se denominan como
ánodo, cátodo y gate. El símbolo esquemático y las ubicaciones de las
terminales se muestran en la figura:
Curva característica
Mientras la tensión 𝑉𝐴𝐾 no alcance el valor 𝑉𝑃 , el PUT estará abierto, por lo cual
los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel 𝑉𝑃 , el
dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y por lo
tanto un elevado flujo de corriente.
Circuito de Disparo
Consideraciones de diseño:
𝑅𝐺
𝑅1 =
𝑛
𝑅𝐺
𝑅2 =
1−𝑛
𝑉𝑆
𝐼𝐺 = (1 − 𝑛)
𝑅𝐺
𝑉𝑃 𝑅2
𝑛= =
𝑉𝑆 𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝑆
𝑇 = 𝑅𝐶𝑙𝑛( )
𝑉𝑆 − 𝑉𝑃
DATOS CALCULADOS