Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Tema 3. DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA.

SOLIDIFICACIÓN DE METALES

3.1. INTRODUCCIÓN.

 Estudio de dos grandes bloques:

o Defectos en las estructuras cristalinas, fundamentalmente originados durante la solidificación
o Procesos de solidificación y cristalización
 Imposibilidad de obtener materiales que no contengan un cierto nivel de impurezas
 Se altera la estructura regular que en teoría constituiría el material puro.
 Además de impurezas hay defectos en la propia estructura cristalina.
 También defectos macroscópicos originados durante la solidificación de los metales

3.2. IMPERFECCIONES CRISTALINAS

 La estructura cristalina perfecta no existe: defectos o imperfecciones de red destruyen su periodicidad
 Pueden ser puntuales, lineales o de superficie
 P.e., defectos de punto permite el movimiento de átomos mediante el mecanismo de difusión; la existencia
de defectos de línea facilita la deformación plástica del material y defectos de superficie se relaciona con la
corrosión

1 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.3. DEFECTOS DE PUNTO

 Defectos cristalinos más sencillos y relacionados con los nudos de la red
 Se originan en:
o Durante la solidificación, bien por la posición incorrecta de un átomo o por la ausencia de alguno de
ellos en su correspondiente posición de equilibrio.
o Cambios de temperatura que tienen lugar durante los calentamientos y enfriamientos del material dan
lugar a fluctuaciones en la energía interna de los átomos lo que provoca su difusión desplazándose de
sus posiciones de mínima energía.
o En el procesamiento mediante forja, laminación, extrusión, etc.

3.3.1. Defectos puntuales intrínsecos. Vacantes

 Defectos inherentes a la propia red del material cristalino
 Vacante es cuando un átomo no ocupa su posición de equilibrio en la red, dejando un hueco y generando
una distorsión en su entorno.

2 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Número de vacantes: depende de la temperatura según:

 En muchos metales, la relación entre el número de vacantes y el de átomos que ocupan correctamente sus
posiciones es del orden de 10-4.
 Se producen fundamentalmente en la deformación plástica o mediante variaciones rápidas de temperatura.
 Tienen tendencia a agruparse, dando lugar a la formación de multivacantes o vacantes múltiples.
 Las vacantes pueden difundirse a través del cristal intercambiando posiciones con los átomos.

3.3.2. Defectos puntuales intrínsecos. Intersticiales

 Intersticio: espacio libre entre los átomos que
forman el cristal.
 Un átomo se sitúa de forma anómala en uno de
los espacios interatómicos genera un defecto
puntual de naturaleza intersticial.

3 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.3.3. Defectos puntuales extrínsecos

 Debidos a presencia de átomos de impurezas o extraños al metal base en la red cristalina.
o Intersticiales: si las impurezas se sitúan en los intersticios de la red => átomos de elementos de
pequeño radio atómico que se alojan fácilmente en intersticios
 P.e. Metales como B y no metales como H, O, N o C
o Sustitucional: si la impureza sustituye u ocupa una posición de equilibrio de la red del metal =>
tamaño, carga y estructura deben ser similares
 P.e. Cu y Ni pueden sustituirse recíprocamente en sus respectivas redes

4 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Otros defectos puntuales habituales en materiales cerámicos:

o Defectos de Schottky, es un par de defectos vacante-intersticio, de manera que se produce la ausencia
de los átomos/iones en sus posiciones de equilibrio
o Defectos de Frenkel, obtenido mediante irradiación con partículas nucleares, que asocia un par
vacante-intersticio de modo que la especie ocupante del intersticio se sitúa en el intersticio contiguo,
generando así un defecto doble.

5 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

6 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.4. DIFUSIÓN EN EL ESTADO SÓLIDO

 Los átomos pueden desplazarse internamente en el estado sólido, viéndose favorecido este movimiento por la
existencia de vacantes e intersticiales
 Para que exista difusión en estado sólido se requiere la presencia de defectos puntuales en la red.
 Difusión mecanismo de desplazamiento o migración de átomos a través de la red cristalina, por la acción de
fuerzas de tipo físico o químico.
 Procesos industriales basados en el fenómeno de difusión; entre son los tratamientos térmicos y los
tratamientos superficiales, siendo otro ejemplo significativo el dopado de semiconductores.

3.4.1. Mecanismos de difusión.

 Los átomos pueden desplazarse por el interior de la red cristalina si:
o Existe suficiente energía de activación proporcionada por vibración térmica
o Existen defectos de red de los tipos vacantes o intersticiales.
 Velocidad de difusión aumenta de modo exponencial con la temperatura, según:
D = constante independiente de la temperatura
Q = energía de activación
R = constante de los gases
T = temperatura absoluta

 Q es una barrera energética que hay que superar para que tenga lugar el proceso de difusión.

7 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Mecanismos de difusión
o Migración de vacantes, un átomo puede desplazarse desde su posición de equilibrio hasta
la vacante más próxima, si hay energía de activación suficiente, generándose un flujo de
vacantes en sentido contrario a su desplazamiento.

o Intersticial, impurezas o elementos de aleación intersticiales pueden desplazarse a través de

los intersticios de la red cristalina. Los intersticiales más idóneos son los de radios atómicos
pequeños (H, C, N, B, etc.)

8 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Átomos de metales vibran en torno a sus posiciones de equilibrio unas 1012 veces por segundo.
 A temperaturas elevadas el mecanismo de difusión permite que un átomo salte de su posición
hasta 108 veces por segundo,

3.4.2. Leyes de Fick

 Leyes que regulan matemáticamente la difusión en el estado sólido

 C = concentración volumétrica de defectos que varía a lo largo del eje x

 Si se aumenta la temperatura, al cabo de cierto tiempo la concentración de defectos se igualará por
desplazamiento o difusión de los mismos, en sentido de mayor a menor concentración

9 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.4.2.1. Primera ley de Fick. Flujo estacionario

 Régimen o flujo estacionario => concentración de defectos constante con el tiempo.

 C1 y C2 son concentraciones en defectos en planos cristalográficos de una barra de metal (C 1> C2)
 1ª ley de Fick el flujo neto de átomos o defectos desde el plano de mayor concentración al de menor
concentración, viene definido por:

 J = flujo o número de átomos o defectos que atraviesa la unidad de área en la unidad de tiempo (nº
átomos/m2s).
 D = difusividad o coeficiente de difusión o número de átomos que atraviesa una sección unidad en la unidad
de tiempo

10 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.4.2.2. Segunda ley de Fick. Flujo no estacionario

 Flujo no estacionario => concentración de defectos varía con el tiempo.
o Caso más general en ingeniería de materiales.
o P.e. C se difunde por la superficie de una pieza férrea, en la cual la concentración varía con el tiempo
 2ª ley de Fick regula la difusión en las condiciones mencionadas y en las que el coeficiente de difusión es
independiente del tiempo.

Si se supone que el coeficiente de difusión es independiente de la concentración:

 Soluciones tecnológicas de esta ecuación es de suma utilidad es el caso de la difusión de defectos por la
superficie del sólido cuando la concentración (generalmente de átomos de C, N, etc) que se difunde a través
de la misma es constante C,
 Barra sólida cuya concentración inicial en el
elemento que se difunde es Co.

11 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Transcurrido un tiempo de difusión t, la concentración del elemento difundido en la dirección x también

cambiará hasta alcanzar el valor Cx, siendo x la distancia a la superficie
 Si se aplica la 2ª ley de Fick:

 Esta expresión permite calcular la concentración a una determinada distancia de la superficie transcurrido un
determinado tiempo, o el tiempo necesario para alcanzar una determinada concentración.
 Siendo:

12 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.4.3. Factores que influyen en la difusión

 Temperatura. Cuanto mayor sea la temperatura a la que se produce la difusión, mayor será la probabilidad
de vencer las barreras de energía y por tanto, mayor será la velocidad de difusión.
o Un aumento de 20 °C en la temperatura duplica el coeficiente de difusión del sistema.
o Se aproxima mediante la ecuación de Arrhenius

D = coeficiente de difusión del sistema (m2/s).

D0 = factor de frecuencia de dimensiones análogas a D y valor del coeficiente de difusión para
temperatura infinita, independiente de la temperatura.
Q = energía de activación para la difusión, energía requerida para producir el movimiento (J/mol).
R = constante de los gases 8,314 J/(mol • K).
T = temperatura absoluta (ºK).

 Mecanismo de difusión. Según sea por vacantes o por intersticiales influirá en el coeficiente de difusión.
P.e. C se difunde a través intersticios en el Fe, mientras que el Cu se difunde mediante vacantes en Al.
 Concentración. su modificación influye de dos formas:
o Variación de las fuerzas de cohesión afectadas por la composición química del material;
o Dirección de difusión, que no es al azar sino que transcurre en el sentido que provoca un mayor
descenso en la energía interna de red
 Estructura cristalina. Diferentes factores de empaquetamiento, así como distancias interatómicas, justifican
la mayor o menor facilidad de difusión o coeficiente de difusión.
 Defectos cristalinos. La difusión es mayor en las zonas con mayor densidad de defectos cristalinos.

13 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Ejercicio 3.2. Se desea realizar un tratamiento

termoquímico a un engranaje de acero consistente
en introducir C a través de la superficie de la pieza
por difusión, con el fin de aumentar su contenido en
C (cementación). Se parte de una composición
media en C del 0,25% y se persigue obtener un
contenido en C de 0,40% a 3∙10-4 m de la superficie,
teniendo en cuenta que la concentración de C en la
superficie de la pieza es del 1%.
Calcular el tiempo necesario de tratamiento de la
pieza, si la temperatura a la que se realiza el
tratamiento es de 940 'C

Es necesario conocer el coeficiente de difusión D, del sistema C en Fe (ccc) a 940 °C, para lo que se aplica la
ecuación de Arrhenius:

Con:

Así:

14 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Si se aplica la solución tecnológica de la 2ª ley de Fick:

Podremos deducir el tiempo, ya que se conoce:

15 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.5. DEFECTOS DE LÍNEA. DISLOCACIONES

 Dislocaciones son defectos asociados principalmente a la deformación mecánica.

 El movimiento de los átomos de un plano con respecto a
otro en un cristal se produce un cizallamiento o cortadura
caracterizado por el desplazamiento relativo de los mismos
 Los esfuerzos reales para producir este desplazamiento
son muy inferiores a los teóricos.
 Existen defectos lineales o dislocaciones en la red que son los causantes de la debilidad observada.

3.5.1. Tipos de dislocaciones

Dislocaciones en arista
 Es como un plano insertado en el interior del cristal que provoca una
deformación local de la red.
 Se designan mediante una T invertida (┴) que representa el borde de un
semiplano extra de átomos

16 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Dislocaciones helicoidales
 Son como planos en forma de escalera
de caracol en el interior del cristal.

3.5.2. Caracterización de las dislocaciones. Vector de Burgers

 Un cristal sin defecto tendrá un circuito de m X n pasos y no
será necesario cerrarlo con ningún vector
 En un cristal con dislocaciones será necesario para cerrar el
circuito un vector desplazamiento de cierre b que caracteriza el
defecto en la estructura cristalina (vector de Burgers).

17 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 La dislocación puede ser sencilla o

unitaria (un único vector) o múltiple
(dos o más vectores)
 Orientaciones relativas existentes entre
la línea de dislocación ( ) y el vector
de Burgers ( )

3.6. DEFORMACIÓN DE CRISTALES

 Deformación plástica de un cristal se produce a través del deslizamiento de planos cristalográficos de alta
densidad siguiendo direcciones cristalográficas preferentes (igual cartas baraja).

 Cuando un cristal se somete a grandes esfuerzos, aparece un escalón sobre su superficie que indica el
desplazamiento relativo de una parte del cristal respecto del resto.

Sistemas de
deslizamiento más
comunes

18 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Microscópicamente se observa la deformación por deslizamiento mediante

la aparición de bandas de deformación correspondientes a líneas
aproximadamente paralelas, consecuencia de los escalones producidos por
el deslizamiento relativo entre planos.

 La deformación por maclaje (menos

probable) es el mecanismo fundamental
de deformación de ciertos cristales, sobre
todo (hc) y en ocasiones también en (cc).
 Su característica es el cizallamiento de
los planos, los átomos desplazados frente
a los no desplazados son imágenes
especulares o simétricas respecto de un
plano de referencia (plano de macla).

19 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.7. DEFECTOS DE SUPERFICIE

 El cristal o red cristalina que crece en todas las direcciones hasta llegar a un límite, que puede ser la propia
superficie del material o la superficie entre los múltiples cristales (granos).
 Defectos en la propia superficie del cristal o superficie libre.
o Esta superficie es en sí misma un defecto debido a que los átomos superficiales de la red cristalina no
están sometidos a las mismas fuerzas.
o Se encuentran con una mayor energía debido a que los enlaces de los átomos superficiales no han
tenido lugar en su totalidad.
 Defectos en las superficies ínter cristalinas o fronteras de grano
o Son los más importantes.
o Frontera de grano, superficie en la
que se encuentran los cristales o
granos adyacentes con diferentes
orientaciones de red en un material
policristalino.

20 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.8. SOLIDIFICACIÓN Y CRISTALIZACIÓN DE METALES

 La gran mayoría de los materiales metálicos se obtiene en la industria por fusión y posterior solidificación.

3.8.1. Proceso de cristalización/solidificación

 Cristalización el proceso por el cual átomos y/o iones se ordenan para formar una red cristalina determinada,
lo que tiene lugar durante la solidificación o cambio de estado líquido a sólido.
 Este proceso tiene lugar en dos etapas:
o Nucleación de los gérmenes o embriones.
o Crecimiento de los cristales en forma de dendrita.

 Nucleación homogénea, los embriones se generan por el acercamiento entre sí de los átomos de metal.
o Se requieren elevados subenfriamientos, descensos de temperatura por debajo de la que se requeriría para
solidificar el metal o aleación en estado de equilibrio.
o A mayor velocidad de enfriamiento mayor será el subenfriamiento necesario para alcanzar el estado
sólido.

21 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

o El radio crítico del núcleo de solidificación homogénea se expresa como:

22 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 Nucleación heterogénea, tiene lugar a partir de cualquier superficie ajena a la propia aleación o metal, como
pueden ser la superficie de impurezas presente en la aleación, o la superficie de las paredes del molde.
 Velocidad de nucleación es el número de núcleos que se origina por unidad de volumen y tiempo.
 Velocidad de crecimiento de los cristales es la velocidad de desarrollo de los núcleos formados

 El crecimiento tiene lugar en los metales en

forma dendrítica o arborescente (del griego
δενδρον –dendron-, árbol) es una estructura con
ramificaciones repetitivas características de
procesos de crecimiento de cristales.
 Se crean espacios interdendríticos donde
solidifica el último líquido presente.

23 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.8.2. Fronteras de grano

 Son las superficies de encuentro de los cristales o granos al crecer y
finalizar la cristalización del sólido
 Su anchura no es superior a unos cuantos diámetros atómicos y sus
empaquetamientos atómicos son inferiores a los del interior del grano.
 La estructura depende de la orientación existente entre los granos
adyacentes, y se distingue entre granos de ángulo pequeño (unos pocos
grados) y de ángulo grande (mayores de 37°).
 Ante un medio corrosivo, el ataque es más intenso a lo largo de las
fronteras de grano igual que la fusión, transformaciones de fase,
difusiones, etc, se inician antes en las fronteras de granos .

24 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.8.3. Morfología de los granos. Metalografía

 Granos equiaxiales, se producen cuando la nucleación y el crecimiento en el metal líquido durante el
proceso de solidificación tiene lugar de tal manera que el grano crece de forma similar en todas las
direcciones
o Cuando las condiciones de enfriamiento tienen lugar en moldes de arena o cerca de las paredes de los
moldes metálicos.
 Granos columnares presentan una orientación preferente, en una determinada dirección, generalmente a
partir de pocos núcleos orientados preferentemente
o Cuando existen gradientes térmicos importantes.

 Metalografía es la técnica que estudia la formación de las estructuras de los metales y de sus aleaciones
mediante técnicas de microscopía y difracción, lo que permite el conocimiento de las diferentes
microestructuras.

25 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.9. SOLIDIFICACIÓN DIRECCIONAL

 Objetivo: obtener cristales o granos en una dirección preferente de la
pieza, con el fin de mejorar sus propiedades.
 El molde se precalienta y se mantiene dentro de una campana de
paredes refractarias con la parte inferior del mismo refrigerada.
 A continuación se introduce el metal o aleación fundida da en el
interior del molde y se retira lentamente del interior de la campana,
de tal forma que la nucleación se produce en la pared fría o base del
molde y el crecimiento tiene lugar siguiendo el gradiente en forma
columnar.

 Se puede fabricar el mismo álabe como un monocristal, seleccionando un

solo núcleo o cristal que se introdujera en el molde.

26 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.10. SOLIDIFICACIÓN RÁPIDA. SINTERIZACIÓN

 Proceso de fabricación mediante la consolidación de polvos de material.
 La materia prima en forma de polvo se obtiene por enfriamiento rápido del material fundido o disgregación
mecánica

27 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

 El conformado mediante extrusión en caliente o compactado dentro de un molde

28 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.11. DEFECTOS PRODUCIDOS DURANTE LA SOLIDIFICACIÓN

 Todos los metales y aleaciones se contraen durante el enfriamiento disminuyendo su volumen (excepto Bi –
bismuto- y el Sb –antimonio-)
Rechupes
 Son cavidades en forma de embudo o cono originadas como consecuencia de la contracción sufrida durante
la solidificación.

Grietas
 Cuando se impide la contracción del metal durante la solidificación se producen tensiones internas capaces
de originar grietas o microgrietas.

29 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Inclusiones gaseosas
 Como consecuencia de la liberación de los gases disueltos en el proceso de solidificación se producen
defectos denominados sopladuras, poros o inclusiones gaseosas.

Segregaciones
 Se originan por la falta de uniformidad en la distribución de los aleantes
 Su formación depende de las diferentes afinidades químicas entre los elementos aleantes, de los gradientes de
temperatura y presión, de los desprendimientos gaseosos y de los efectos de la difusión.

30 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

3.12. TÉCNICAS PARA LA INSPECCIÓN DE DEFECTOS

Ensayo de partículas magnéticas
Defectos superficiales Ensayo de líquidos penetrantes
Ensayos por métodos eléctricos
Ensayos no destructivos
Radiografía industrial de rayos X
Defectos internos Gammagrafía
Inspección por ultrasonidos

Partículas magnéticas
 Se emplea en la detección de grietas superficiales muy finas
que se encuentran en materiales metálicos magnéticos y que
escapan de la inspección visual.
 Se aplican finas partículas magnéticas sobre la pieza bajo un
campo magnético
 Se manifiestan las grietas imperceptibles al acumularse sobre
estas las partículas aplicadas.
 Esto es debido a que al existir una grieta, se interrumpe el flujo
uniforme de las líneas de fuerza, teniendo que salir algunas
líneas de fuerza.

31 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Líquidos penetrantes
 Se emplea en materiales no magnéticos.
 Al aplicar el líquido sobre la superficie de la muestra penetra en las discontinuidades por capilaridad.
 Se elimina el exceso de líquido de la superficie de la muestra.
 El líquido contenido en las discontinuidades sale al exterior con la ayuda del revelador, pudiendo observarse
en su superficie

32 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Métodos eléctricos

 Se basa en la aplicación de corrientes parásitas o de Foucault mediante una bobina.

 Estas se producen cuando un conductor atraviesa un campo magnético variable o viceversa
 El movimiento relativo causa una circulación de electrones, o corriente inducida dentro del conductor.
 Las corrientes de Foucault crean pérdidas de energía a través del efecto Joule

 Un cambio en la lectura al palpar la superficie de la pieza indicaría la existencia de un defecto que altera la
resistencia eléctrica del material.

33 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Radiografía por rayos X y gammagrafía

 Rayos X: al irradiar una pieza, la
existencia de poros o defectos internos
implica una variación en la absorción de
los mismos y en consecuencia se detecta
en la correspondiente radiografía.
 En un cordón de soldadura se puede
observar como los defectos aparecen
mucho más ennegrecidos al tener menor
absorción de la intensidad de la
radiación.

 Gammagrafía se basa en el mismo principio que los rayos X, sólo que la fuente de generación de rayos γ es
isotópica, generándose mediante un proceso espontáneo e irreversible que se deriva de ciertas reacciones
nucleares

34 de 35
Tema 03 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Ultrasonidos
 Permite detectar discontinuidades, mediante la atenuación del flujo que las ondas ultrasónicas experimentan
al interaccionar con los defectos.
 Empleado en control de calidad de materiales estructurales.

35 de 35