UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA INGENIERIA : MU 634A __ (CIRCUITOS ELECTRONICOS 1 tra PRACTICA CALIFICADA ‘Duracion. Thora Somin. CICLO: 2008-1 FECHA: 6/05/08 Indicaciones: Sin libros ni apuntes de clases Prob 1.-Se tiene una barra de silicio de tem de radio y 10 cm de longitud (seccién transversal circular) a una temperatura de 25°C. a). Considerando au grado de pureza de $9.999%, determine la resisténcia minima entre sus extremes (Considere que las impurezas presentes pueden ser del tipo P oN ) (3 puntos } b).- Realizando la medicién de la resistencia de la barra a 200°C ‘se obtiene 100. Determine la concentraci6n de huecos y electrones sifas impurezas son del tipo donador. (2 puntes) a Datos Eo = 1.21€V. Nigoone =1,5x10'em® , n= 1300 cm/v-s, Us= 800 cm’iv-s , Atomos/cm?: 5x10, K= 8.6 x 10° eV /°KProb 2.- Se dispone de una pastilia semiconductora de AsGa con una iongitud de 0.5mm y con una seccion transversal homogénea de 1mm? Se introduce concentracién de impurezas donadoras en la pastilla para conseguir que , a 400°K, la corriente sea I= 2.5 YA Determinar: a).-.o de la pastilla, n yp. (3 puntos) b)- No (2 puntos) Datos: Mm goon 10" em? , Hn = 1000 cmV.S , Hp = 400 em"/v.S SLProb 3.- se tiene una pestilla semiconduciora de sili Caleule la ternperatura de ia pastilla para el cual el voltimetro marca 0 voltios. Si consideramos cue la conzentracién de portadores intrincecos varia con la temperatura io puro como se muestra en fa figura aproximadamente de la siguiente forma: mi =Ni cro) ©° To! Donde To= 300°K (temperauira ambiente) @ = constante = 0.06°K, My cro) =1,5x10"° em? (5 puntos ): fra PRACTICA CALIFICADA oo Duraci6n: {hora 50min. CICLO: 2012-1 “FECHA: | Indicacjpnes: Sin libros ni apuntes de clases Prob }.- En un cristal de silicio se inyecta a través de un proceso de difusién 10%cm* Atomos de y 10°cm®Atomos de boro determinar: ae Laconcentracién de huecos yelectrones. (2.5 puntos} b).» Si se aplica al semiconductor un voltaje de 10 voltios entre sus extremos, calculé fa corrente que circula por el semiconductor, si su geometria es cilindrica de una longitud de 0. Am de largo y Su Grea de su seccién transversal de 0,04 mm. (2.5 puntos) Datos: g= 46x10" cou, nace =1,5x10'? cm? jy, = 1300 om*/v-s, p= 500 cm?/v-sPre¢b2* En la figura se muestra un circuit con diodos ideales. Trazar la grafica de Vo= f(V)) indicar emé grafica su pendiente de cada segmento de recta. 45 puntos)Prob § El circuito de la figura es un regulador de tensién basado en un diodo Zener, para una ténsi6fi de entrada Vs comprendida entre 20 y 25 voltios, La intensidad de corriente por la carga |, es practicamente constante € igual a 100mA. La tensién de salida V, obtenida varia entre 12 y 12.6 voltios. Sabiendo ademéas que la resistencia limitadora R es de 720. Determinar/a¥fz y el Vz del diodo Zener b) La maxima potencia disipada por el diodo Zener (5 puntos, Modelo del Diodo Zener: kK RiimitadoraProb 4. La figura nos muestra un circuito recortador con sefial.de entrada Vi(t)= 10senwt , diodos de silicio cuyo voltaje umbral es de 0.7V, Graficar la sefial de salida Vow (8 puntos) =PRACTICA CALIFIGADA ‘Duracion: Thora 5omi a Indieaciones: Sin libros ni apuntes de clases Prof: HERNAN CORTEZ GALINDO Prob 1 .- En la figura ‘se muestra un circuito con diodes ideales. Trezar la gréfics de la caracteristica de transfarencla ve = f(v) Indiear en la gréfica su pendiente de cada segmente de recta, (5 puntos)Prob 2°: El'circuite fegulador de yoltaje miostrade en la figura, tiene un diodo zener con parémetros V2'= 6.3 voltios con er OMA y R2=20 . La.tensién dé aliméntacién'es de Vs puede variar entre'42 y'16 voltios, La corriente hk minima Tuymm es de 0 mA . La corrlente zener minima Injminy 8 de 1 MA. La disipacin de petencia Pzima dél dodo zener no debe exceder de 750mW. Determi a). El valor maximo permisibie de la corriente zener inmay (1 punto) b).- El valor de Rs que limita ta corriente zener kama (1 punto) ¢).- La disipaci6n de potencia maxima Pade Rs (1 punto) {2 punto)ye ere Prob 3,- Del circuito.mostrado dibujar la tensién de Salida Vor Dates: 01, 4,02 son de'silicie de voltaje: ‘umbralProb -4.- Se tienen dos pastillas semiconductoras distintas pero de las mismas dimensiones: Germanio (Ge) puro, silicio(Si) impuro con una concentracién de Boro, igual a 2x1014cem-3. Los dos semiconductores estan’a la misma tenmperatura 300°K, £=30'mm , A=Zem? a) Calcularla concentracién de portadores mayoritarios y minoritarios de cada semiconductor. 1b) Sise conecta en serie estas dos pastillas semiconductoras y Se ‘aplica un voltaje'de 10 voitios, Calcular la corriente que circula porids sémiconductor Datos? Ge pa= 3800cm? /v-s, [p= 4800cm? N-S, Meso = 2-5x10 em Si p= 13006MP/v-5, sG= 500cm? Wv-s, nigodig® 1:5x10"%em? (5 puntos)Wra_ PRACTICA. CALIFICADA Duracion: Thora 50min. CICLO: 201 Indicaciones: Sin libros ni apuntes de clases Prof: Prob 4 Disefie un rectificador de onda completa con filtro para cumplir las especificdciones particulares, Un rectificador de onda completa con Vy = 0.7v (Valtaje umbral det diodo) ,sevaa disefar para producir un voltaje de salida pico de 10 voltios, entregar 400mA a la carga y producir una salida con un voltaje rizo de no mas de 5% del voltaje pico, Se dispone un voltaje de linea de entrada de 220 voltios RMS y 60 Hz., Determinar: R, (La carga) , Vs (Voltaje del secundario del transformador), relacién de vueltas del transformador, C, y Voc. toc Ine vp ey. _ we - Aloe _. 24lne _ 24¥00 Formulas: Vpc=Vm= E—2Vy VARNES LCProb 2 En la figura 1.1 se presenta un circuit recortador ulilizado para limitar el valor de la teneién a la salida, Vs. Se aproxima el funcionamiento del diodo con un modelo lineal por tramos conuna resistencia en directa, Ro= 00, una tensién umbral, Vi= 0,7 V..- a) Calcule y grafique la funcién de transferencia vo=f(vi) . b) Reprosente la sefial ala salida Voit) si a sefial a la entrada, v(t), es la sefial triangulor dea figura 1.2. p= 1V, R= 1K Figura 1 Figura b2.Prob 3.- En la figura se muestra un‘circuito con diodos idealés. Trazar la grafica de Indicar en la grafica su pendiente de cada segmento de recta. Rt (5 puntos) 2=10 y Vi=10V D2. py 2. tv)Prob 4.- El circuito de Ia figura es un regulador de tensién basade en un dicdo zener. La intensidad de la carga k es précticamente constante e igual a 100mA. La tensién de salida Vs obtenida varia entre 12V y 12.5V. para una tensién de entrada Ve comprendida entre 20 y-25 voltios. Sabiendo que ademas Ia resistencia limitadora R es de 729. ‘Determinar cual sera la resistencia Rz y la maxima potencia disipada por el diode Zener. R= 72 R= 72