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Cálculo de Espesor de Películas de Silicio por método de

Elipsometría
Olga Lucero Illescas Sánchez
Sonia García Cerón
Ana Karen Sánchez Hernández
José Manuel Trevera Rodriguez
May 9, 2018

1 Introducción Rs = Es (ref lejada)


Es (incidente)

La elipsometría mide el cambio de estado de la luz polariza Rp


ρ= Rs
reflejada en una superficie. Se usa primordialmente para
determinar el grosor de películas dieléctricas delgadas so-
Ψ = ángulo elipsométrico
bre sustratos absorbentes y constantes ópticas de películas 1
j = (−1) 2
o sustratos.
ρ = cabio de los coeficientes de reflexión
La luz polarizada incidente se conforma en un componente
∆ =cambio de fase diferencial
“p” paralelo al plano de incidencia y un componente per-
Ψ = (0◦ C ≤ ψ ≤ 90◦ C) De las ecuaciones de Fresnel se
pendicular al plano de incidencia “s”. La luz polarizada
tiene que:
linealmente se refleja como luz polarizada linealmente.
Sin embargo, los dos componentes experimentan diferentes
D 2 2
E
)(2Ψ)−sin2 (2Ψ)sin2 (∆)
1 = n21 − k12 = 1 + tan (cos
(1+sin(2Ψ)cos(∆)) 2
amplitudes y cambios de fase al reflexionar para materiales n20 sin2 (φ)sin(4Ψ)sin(∆)
absorbentes y para reflejos múltiples en una capa delgada 2 = 2n1 k1 = [1+sin(2Ψ)cos(∆)]2
entre el aire y el sustrato.
La luz se propaga como una fluctuación en los campos Si  = 1 + i2 y relacionándolo con el índice de refracción
eléctricos y magnéticos en angulos rectos a la dirección de complejo n̂ = n + ik para el SiO2 k=0, por lo tanto el
propagación. El campo eléctrico total consiste en las com- índice de refracción puede calcularse con  = n2 . Por otra
ponentes de campo eléctrico paralelo Ep y el componente parte, se puede calcular el espesor de la película o sustrato
perpendicular Es . con la siguiente ecuación:
la relación de reflexión compleja ρ definidos en los térmicos λ
Rp y el componente perpendiculas Rs son: D= √
2 n2 −(na sinϕ)2

Ep (ref lejada)
Rp = Ep (incidente)
Donde na es el índice de refracción del aire.