Microondas

Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores

Pablo Luis López Espí

 Amplificadores de microondas con transistores
Amplificadores de microondas con transistores

„ Estudio de los parámetros S de un transistor.

„ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa.
„ Estudio de la estabilidad.
„ Circunferencias de estabilidad.
„ Factor de Rollet.
„ Amplificador incondicionalmente estable.
„ Amplificador condicionalmente estable.
„ Diseños óptimos en ganancia.
„ Adaptación conjugada simultanea.
„ Máxima ganancia disponible, MAG.
„ Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ Máxima ganancia estable, MSG.
„ Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia.
„ Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.
„ Diseños óptimos en ruido.
1 „ Figura de ruido mínima.
„ Circunferencias de figura de ruido.
„ Aproximación unilateral.

Microondas ITT-ST Tema 4

 Estudio de los parámetros S de un transistor
Amplificadores de microondas con transistores

„ Un transistor con un terminal común puede caracterizarse mediante

una matriz de dimensión 2x2

Microondas ITT-ST Tema 4

 Estudio de los parámetros S de un transistor (II)
Amplificadores de microondas con transistores

¿Cuál es el significado físico de estos parámetros?

S11 y S22 son los coeficientes de reflexión a la entrada y la salida si se

carga con la impedancia de referencia.

¡Pueden representarse sobre la carta de Smith!

S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso

¡Pueden representarse sobre una carta polar o sus módulos sobre ejes
cartesianos!

¡TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIÓN Y

3 LA FRECUENCIA!

Microondas ITT-ST Tema 4

 Estudio de los parámetros S de un transistor (III)
Amplificadores de microondas con transistores

Representación de los parámetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30

mA, f = 0,2 – 1 Ghz

S11 y S22
Microondas ITT-ST Tema 4
 Estudio de los parámetros S de un transistor (IV)
Amplificadores de microondas con transistores

Representación de los parámetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30

mA, f = 0,2 – 1 Ghz

S12 y S21
Microondas ITT-ST Tema 4
Amplificadores de microondas con transistores
Diagrama de bloques de un amplificador de una
etapa
„ Diseñar un amplificador consiste en encontrar los valores de las
impedancias óptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su
ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido

Microondas ITT-ST Tema 4

Amplificadores de microondas con transistores
Diagrama de bloques de un amplificador de una
etapa (II)
„ Circuito equivalente:

S12 S 21Γ L
Γ IN = S11 +
1 − S 22 Γ L

S12 S 21Γ G
Γ OUT = S 22 +
1 − S11Γ G

1 − ΓG 1− ΓL
2 2
7 P
GT = L = ⋅ ⋅
2
S 21
PDG 1 − ΓG S11 2 1 − ΓOUT Γ L
2

Microondas ITT-ST Tema 4

 Estudio de la estabilidad
Amplificadores de microondas con transistores

„ Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador

se convierte en un oscilador, es decir, EXISTE SEÑAL EN
AUSENCIA DE EXCITACIÓN

i i
ΣV 0
i= = ≠0
ΣZ 0

RG = − RIN
8
Z G + Z IN = 0 X G = − X IN
¡UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA!

Microondas ITT-ST Tema 4

 Estudio de la estabilidad (II)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Para que no exista oscilación la impedancia de entrada debe

tener parte real siempre positiva.
S12 S21Γ L
Γ IN = S11 + <1
1 − S22 Γ L
S12 S21ΓG
ΓOUT = S22 + <1
1 − S11ΓG

„ Una vez elegido el transistor y su punto de polarización, la

estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra.
„ ¡Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexión en la
9 carga que hacen el coeficiente de reflexión a la entrada mayor o
igual que uno!

Microondas ITT-ST Tema 4

 Estudio de la estabilidad (III)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Si para cualesquiera valores de ГL y ГG correspondientes a

cargas pasivas, los valores de los módulos Гin y Гout son
menores que la unidad, entonces se dice que el transistor es
INCONDICIONALMENTE ESTABLE.

„ En caso contrario, se dice que el transistor es

CONDICIONALMENTE ESTABLE.

10

Microondas ITT-ST Tema 4

 Circunferencias de estabilidad
Amplificadores de microondas con transistores

„ Para la puerta de entrada, se trata de resolver:

S12 S 21Γ L
S11 + =1
1 − S 22 Γ L

„ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y

radio dados por:

CL =
( S 22 − ∆S11 )
* *

; rL =
S12 S21
S22 − ∆ S22 − ∆
2 2 2 2
11

„ Las soluciones son los valores de ГL que hacen Zin = 0 + jX

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 Circunferencias de estabilidad (II)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Análogamente, considerando la salida del transistor

S12 S 21Γ G
S 22 + =1
1 − S11Γ G
„ La ecuación anterior representa una circunferencia de centro y
radio dados por:

CG =
( S
11 − ∆S22 )
* *

; rG =
S12 S21
S11 − ∆ S11 − ∆
2 2 2 2
12

„ Las soluciones son los valores de Гg que hacen Zout = 0 + jX

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 Circunferencias de estabilidad (III)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente

matriz S:

⎛ 0.770-166º 0.02935º ⎞
S Z0 =⎜ ⎟
⎝ 6.1189º 0.365-34º ⎠

„ Los valores de los centros y radios de los círculos de estabilidad

son:

CG = 1.28169º CL = 2.62151.2º
13
rG = 0.314 rL = 1.713

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 Circunferencias de estabilidad (IV)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Estabilidad a la entrada

14

Microondas ITT-ST Tema 4

 Circunferencias de estabilidad (V)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Estabilidad a la salida

15

Microondas ITT-ST Tema 4

 Circunferencias de estabilidad (VI)
Amplificadores de microondas con transistores

„ El círculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de

reflexión mayor o menor que uno. Para determinar cual región
corresponde a cada caso es necesario probar valores:

Z G = 0,1 j ⇒ Γ G = −0,98 + j 0,198 ⇒ Γ OUT = 1,1−50,87

Z G = 1 ⇒ Γ G = 0 ⇒ Γ OUT = S 22 = 0,365−34

Z L = 2 j ⇒ Γ L = 0, 6 + j 0,8 ⇒ Γ IN = 1, 03−167,67
Z L = 1 ⇒ Γ L = 0 ⇒ Γ IN = S11 = 0, 770−166
16 „ Regla práctica: Si los módulos de los parámetros S11 y S22 son
menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de
salida y entrada respectivamente pertenecen a la región estable
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 Factor de Rollet
Amplificadores de microondas con transistores

„ El factor de ROLLET Permite valorar numéricamente si un

transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. El
transistor es incondicionalmente estable si se cumple que:

K >1 1 − S11 − S 22 + ∆
2 2 2

K=
∆ <1 2 S12 S 21

„ Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para

medir la estabilidad. La estabilidad del transistor es mayor
cuanto mayor sea el valor de µ.
1 − S11
2
17
µ= >1
S22 − S ∆ + S12 S 21
*
11

Microondas ITT-ST Tema 4

 Amplificador incondicionalmente estable.
Amplificadores de microondas con transistores

„ Si el transistor es incondicionalmente estable, es posible la

adaptación conjugada simultánea:

Γ L = Γ*OUT = Γ ML
ΓG = Γ*IN = Γ MG

„ Se obtiene en este caso la máxima ganancia disponible, MAG.

( )
18 S21
GTadaptacion = MAG = K − K2 −1
conjugada
simul tan ea
S12
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 Amplificador condicionalmente estable
Amplificadores de microondas con transistores

„ En los diseños en los que no es posible conseguir la MAG (K<1)

se fija una cota de seguridad en el cálculo de la ganancia
llamada Máxima Ganancia Estable, MSG.
„ Es el límite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1.

S 21
MSG =
S12

19

Microondas ITT-ST Tema 4

 Amplificadores de microondas con transistores
Amplificadores de microondas con transistores

„ Estudio de los parámetros S de un transistor.

„ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa.
„ Estudio de la estabilidad.
„ Circunferencias de estabilidad.
„ Factor de Rollet.
„ Amplificador incondicionalmente estable.
„ Amplificador condicionalmente estable.
„ Diseños óptimos en ganancia.
„ Adaptación conjugada simultanea.
„ Máxima ganancia disponible, MAG.
„ Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ Máxima ganancia estable, MSG.
„ Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia.
„ Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.
„ Diseños óptimos en ruido.
20 „ Figura de ruido mínima.
„ Circunferencias de figura de ruido.
„ Aproximación unilateral.

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 Adaptación conjugada simultánea
Amplificadores de microondas con transistores

„ Para lograr la adaptación conjugada simultánea es condición

suficiente:
K >1

ΓG = Γ MG = Γ∗IN
∗
Γ ML = Γ L = ΓOUT

GT = MAG

21

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 Adaptación conjugada simultánea (II)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Coeficientes de reflexión que adaptan conjugadamente de

manera simultánea

− BG ± B − 4 AG
2 2
⎧ ΓG ' ( ∗
AG = S11 − S22 ∆ )
Γ MG = =⎨
G

2 AG ⎩ΓG '' (
BG = −1 − S11 + ∆ + S22
2 2 2
)

− BL ± B − 4 AL
2 2
⎧ΓL '
( ∗
AL = S22 − S11 ∆ )
Γ ML = =⎨ ( )
L
BL = −1 − S22 + ∆ + S11
2 2 2

⎩Γ L ''
22 2 AL

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 Amplificadores con una puerta desadaptada
Amplificadores de microondas con transistores

„ Por razones de estabilidad, o por objetivos de diseño, puede ser

necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor.
„ En estos casos, las impedancias hacia el generador o la carga son
diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada
y la salida.
„ En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia
disponible.
1 − ΓG
2
PDL 1
GD = = = f ( ΓG )
2
S21
PDG 1 − S11ΓG 1 − ΓOUT
2

1 − ΓL
2
PL 1
GP = = = f (ΓL )
2
23 S21
PIN 1 − Γ IN 2
1 − S22 Γ L

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 Circunferencias de ganancia disponible
Amplificadores de microondas con transistores

„ Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de

entrada, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en
potencia.
„ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma
cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una
circunferencia sobre la carta de Smith.

GD
gd C1* gd =
CD = S21
2
1 + gd D1

( ) C1 = S11 − S22 ∆
*
1 − gd 1 − S22
2
24
r − CD =
2
D1 = S11 − ∆
2 2 2

1 + gd D1
D

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 Circunferencias de ganancia disponible (II)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con

anterioridad:
⎛ 0.770-166º 0.02935º ⎞
S Z0 = ⎜ ⎟
⎝ 6.1189º 0.365-34º ⎠

S21
„ La MSG del transistor es: MSG = = 210,69 ≡ 23, 24dB
S12
„ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de
estabilidad son:
25 CDG = MSG = 0,974169,023º CDG = MSG − 2 dB = 0,854169,023º
rDG = MSG = 0,128 rDG = MSG − 2 dB = 0,187
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 Circunferencias de ganancia disponible (III)
Amplificadores de microondas con transistores

Estabilidad

MSG
MSG – 2 dB
26 MSG – 5 dB
MSG – 10 dB
MSG – 15 dB

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 Circunferencias de ganancia en potencia
Amplificadores de microondas con transistores

„ Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de

salida, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en
potencia.
„ Los valores de coeficiente de reflexión que consiguen una misma
cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una
circunferencia sobre la carta de Smith.

g p C2* GP
gp =
CP = S21
2
1 + g p D2

27 r − CP =
2 2 (
1 − g p 1 − S11
2
) C2 = S22 − S11* ∆
D2 = S22 − ∆
2 2

1 + g p D2
P

Microondas ITT-ST Tema 4

 Circunferencias de ganancia en potencia (II)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con

anterioridad:
⎛ 0.770-166º 0.02935º ⎞
S Z0 = ⎜ ⎟
⎝ 6.1189º 0.365-34º ⎠

S21
„ La MSG del transistor es: MSG = = 210,69 ≡ 23, 24dB
S12
„ Algunos valores de los centros y radios de los círculos de
estabilidad son:
28 CPG = MSG = 0,96651,20º CPG = MSG − 2 dB = 0,70651,20º
rDG = MSG = 0,338 rPG = MSG − 2 dB = 0,411
Microondas ITT-ST Tema 4
 Circunferencias de ganancia en potencia (III)
Amplificadores de microondas con transistores

Estabilidad

MSG
MSG – 2 dB
29 MSG – 5 dB
MSG – 10 dB
MSG – 15 dB

Microondas ITT-ST Tema 4

 Amplificadores de microondas con transistores
Amplificadores de microondas con transistores

„ Estudio de los parámetros S de un transistor.

„ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa.
„ Estudio de la estabilidad.
„ Circunferencias de estabilidad.
„ Factor de Rollet.
„ Amplificador incondicionalmente estable.
„ Amplificador condicionalmente estable.
„ Diseños óptimos en ganancia.
„ Adaptación conjugada simultanea.
„ Máxima ganancia disponible, MAG.
„ Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ Máxima ganancia estable, MSG.
„ Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia.
„ Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.
„ Diseños óptimos en ruido.
30 „ Figura de ruido mínima.
„ Circunferencias de figura de ruido.
„ Aproximación unilateral.

Microondas ITT-ST Tema 4

 Amplificadores de figura de ruido mínima
Amplificadores de microondas con transistores

„ La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende

de las condiciones de adaptación a la entrada del transistor.

2
4rn ΓG − Γ opt
F = Fmin + rn =
Rn
(1 − Γ ) 1 + Γ
G
2
opt
2
Z0

„ Los parámetros de ruido del transistor son Fmin, Гopt y Rn. Sus
valores varían con la frecuencia y el punto de polarización.
„ Puesto que, en general, Гopt y Гmg no coinciden, no es posible
31 conseguir simultáneamente máxima ganancia y mínima figura
de ruido.

Microondas ITT-ST Tema 4

 Circunferencias de figura de ruido constante
Amplificadores de microondas con transistores

„ Los valores de coeficiente de reflexión hacia el generador que

dan lugar a igual figura de ruido están situados sobre una
circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada.
„ Se define N como:

2
ΓG − Γ opt F − Fmin 2
N= = 1 + Γ opt
1 − ΓG
2
4rn

„ El centro y radio de los círculos es:

32
rN =
1
1+ N
(
N + N 1 + Γ opt
2 2
) CN =
1+ N
Γ opt

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 Circunferencias de figura de ruido constante (II)
Amplificadores de microondas con transistores

Fmin = 1dB
Γopt = 0, 2150º
Rn = 10Ω

Fmin
Fmin + 0,5 dB
33 Fmin + 1,0 dB
Fmin + 1,5 dB
Fmin + 2,0 dB

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 Amplificadores de microondas con transistores
Amplificadores de microondas con transistores

„ Estudio de los parámetros S de un transistor.

„ Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa.
„ Estudio de la estabilidad.
„ Circunferencias de estabilidad.
„ Factor de Rollet.
„ Amplificador incondicionalmente estable.
„ Amplificador condicionalmente estable.
„ Diseños óptimos en ganancia.
„ Adaptación conjugada simultanea.
„ Máxima ganancia disponible, MAG.
„ Amplificadores con una puerta desadaptada.
„ Máxima ganancia estable, MSG.
„ Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia.
„ Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.
„ Diseños óptimos en ruido.
34 „ Figura de ruido mínima.
„ Circunferencias de figura de ruido.
„ Aproximación unilateral.

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 Aproximación unilateral
Amplificadores de microondas con transistores

„ Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parámetro S12 = 0

„ En este caso:

Γ IN = S11
Γ OUT = S 22

GTu =
(1 − Γ )G
2

S 21
2 (1 − Γ )L
2

GTu = G1G0G2
(1 − S11ΓG ) (1 − S22Γ L )
2 2

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Microondas ITT-ST Tema 4

 Aproximación unilateral (II)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Diseño incondicionalmente estable:

S11 < 1; S 22 < 1

„ El valor máximo de ganancia Gtumáx se obtiene mediante
adaptación conjugada simultánea de entrada y salida

Γ G = S11
*

Γ L = S 22
*

1 1
GTu max =
2
36 S 21
1 − S11 1 − S 22
2 2

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 Aproximación unilateral (III)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Los valores de ΓG o ΓL que provocan un mismo valor de

ganancia G1 o G2 están situados en sendas circunferencias
sobre la carta de Smith

G1S11* *
G2 S 22
C1 = C2 =
1 + G1 S11 1 + G2 S 22
2 2

r1 =
(
1 − G1 1 − S11
2
) r2 =
(
1 − G2 1 − S 22
2
)
1 + G1 S11 1 + G2 S 22
2 2

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Microondas ITT-ST Tema 4

 Aproximación unilateral (IV)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Diseño condicionalmente estable:

S11 > 1 o S 22 > 1

„ La oscilación es posible cuando se cumple alguna de las siguientes

condiciones:
1 1
ΓG = o ΓL =
S11 S22
„ Se debe elegir el coeficiente de reflexión de manera que su parte real
sea mayor que la del punto 1/Sii*
„ Propiedad de la carta de Smith: “La resistencia negativa asociada a un
38 coeficiente de reflexión se puede calcular obteniendo el punto
conjugado inverso, interpretando las circunferencias de resistencia
como negativas y las de reactancia tal cual”

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 Aproximación unilateral (V)
Amplificadores de microondas con transistores

„ Error cometido en la aproximación unilateral

S12 S 21Γ L ΓG
X=
(1 − S11ΓG )(1 − S22Γ L )
GT 1 1 GT 1
= < <
GTu 1 − X 1+ X GTu 1 − X
2 2 2

„ Para el caso de la ganancia máxima unilateral, se define el

factor de mérito unilateral, U:

39 S11S12 S 21S 22 1 GT 1
U= < <
(1 − S11
2
)(
1 − S 22
2
) 1+ U
2
GTumax 1 − U 2

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