04 Amplificadores Entrada Simple PDF

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE
Francisco J. Franco Peláez
Apuntes para uso en la asignatura Electrónica Analógica, impartida en la Ingeniería Superior
Electrónica en la Facultad de Físicas de la Universidad Complutense de Madrid.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
1
Tema 4 Amplicadores de Entrada Simple
Índice
1. Nociones generales sobre amplicadores 4
1.1. ¾Qué es un amplicador? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2. Parámetros característicos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2. Inserción de la pequeña señal 9
3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos 12

3.1. Conguración de emisor/fuente común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
d
ri
3.1.1. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar . . . . . . . . . 12
d
3.1.2. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET . . . . . . . 15
a
3.1.3. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET . . . . . . . . . . 17
M
3.1.4. Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos . . . . . . . . . . . . . 17
e
3.1.5. Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar . . . . . . . . . . . . . . 18
d
3.1.6. Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET . . . . . . . . . . . . . 20
se
3.1.7. Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET . . . . . . . . . . . . . . . 22
n
la
3.2. Conguración de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

te
3.2.1. Conguración de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

de
lu
3.2.2. Conguración de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

os
p
3.3. Conguración de base/puerta común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

m
n
s
m
3.3.1. Conguración de base común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . . 26

.e
o
alu
3.3.2. Conguración de base común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . . 27

m
C
3.3.3. Conguración de puerta común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . 29

c
de
d
.u
3.3.4. Conguración de puerta común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . 31

a
so
w
id
3.4. Conguración de colector/drenador común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

u
3.4.1. Conguración de colector común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 33

rs
ra
3.4.2. Conguración de colector común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 35

e
Pa
iv
3.4.3. Conguración de drenador común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 36

:/
n
3.4.4. Conguración de drenador común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 39

U
p
tt
4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente 40

h
5. Circuitos amplicadores con varios transistores 44

5.1. Conguración Colector Común - Emisor Común (CC-EC) . . . . . . . . . . . . . . 44
5.2. Conguración Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.3. Conguración Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.3.1. Tecnología bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3.2. Tecnología CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 2

5.4. Conguración Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h

1. Nociones generales sobre amplicadores

1.1. ¾Qué es un amplicador?
Antes de comenzar a estudiar su construcción, es conveniente saber qué se entiende en electrónica
analógica por amplicador . El alumno suele tener la idea de que un amplicador es un dispositivo
con un terminal de entrada y otro de salida de tal modo que la tensión de salida es una versión
agrandada de la de entrada. En otras palabras, el valor de la tensión de salida es dos, tres, o cien
veces la tensión aplicada a la entrada.
Sin dejar de ser cierto, esta concepción adolece de varios defectos. En primer lugar, se suele
d
pensar que un amplicador solo trabaja con tensiones. Éste es un fallo que no se debe cometer pues
ri
se puede trabajar indistintamente con tensiones o corrientes. Por otra parte, un amplicador no tiene
d
por qué agrandar el valor de la tensión de entrada. Podría recrearla tal cual es o incluso atenuarla.
a
M
Claro que hay que manejar cuidadosamente esta idea pues, según ella, un simple divisor de
tensiones formado por dos resistencias podría ser un amplicador ya que proporciona una versión
e
de la tensión de entrada en el terminal de salida. Por ello, es conveniente resaltar que en todo
d
amplicador debe haber elementos activos como transistores, amplicadores operacionales, etc. En
se
consecuencia,
n
la
te
un amplicador es una sistema con elementos activos que recoge una magnitud eléctrica (corriente
de
lu
y/o tensión) de un nudo o rama llamado de entrada y muestra una versión escalada de dicha
os
p
magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

m
n
s
m
.e
Esta denición genérica nos permite decidir si una estructura es un amplicador o no. Sin embargo,
o
alu
m
C
los amplicadores pueden clasicarse de varios modos atendiendo a los siguientes criterios:
c
de
d
.u
1. Entrada simple / múltiple: Un amplicador puede tener un único nudo o rama de entrada,
a
so
w
id
o varias. El primer caso no tiene mayor dicultad de comprensión en tanto que el segundo
u
w
rs
requiere una explicación somera. En muchos casos, la salida es función de la diferencia existente
ra
w
e
entre las entradas por lo que se habla de amplicador diferencial. En otros, se pueden realizar
Pa
iv
operaciones diversas con dichas entradas: Suma, valor medio, suma ponderada, etc. Este tipo
:/
n
de funciones suelen ser fácilmente realizables con amplicadores operacionales.

U
p
tt
2. Salida simple / múltiple: Un mismo amplicador puede tener dos o más salidas. Las salidas
h
pueden ser independientes de modo que cada una de ellas puede estudiarse sin tener en cuenta
las otras. En otros casos, no es así. Así, hay amplicadores cuya salida es igual a la diferencia de
tensión entre dos nudos. Esto ocurre, por ejemplo, en los pares diferenciales que se estudiarán
en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.
3. Gran señal / pequeña señal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de
entrada a la salida. Así, esta magnitud es similar a la original. Estos amplicadores se llaman
de gran señal pues amplican incluso el modo DC. En otros casos, solo se amplican las

magnitudes de entrada situadas por encima de una frecuencia llamada umbral . Así, la salida
es una señal oscilante en el tiempo y se pierde información acerca del valor DC de la entrada
y, por extensión, de las frecuencias bajas. Estos circuitos suelen estudiarse calculando primero
el punto de operación del circuito y, en un segundo paso, cambiando cada componente por sus
equivalentes en pequeña señal y volviendo a resolver el nuevo circuito. Aplicando el principio
de superposición, la salida será entonces la suma de ambas componentes. Por este motivo,
estos circuitos se llaman amplicadores de pequeña señal .
4. Amplicadores lineales / No lineales: En algunos casos, la relación que existe entre la entrada
y la salida es lineal. Así, en un amplicador con entrada y salida en tensión la relación entre
d
ambas podría ser:
ri
VOU T = VOS + K ·VIN (1)
d
a
siendo VOU T la tensión de salida, VIN la de entrada,
M
∂VOU T
e
K= (2)
∂VIN
d
se
la ganancia del amplicador y
n
VOS = VOU T (0) (3)

la
te
de
la tensión de oset de la salida. En este caso, nos encontramos con un amplicador lineal. En
lu
cambio, se dene como un amplicador no lineal aquél en el que la relación entre la entrada
os
p
y la salida es del tipo

m
n
s
m
.e
o
alu
2 3 4
m
VOU T = VOS + K1 ·VIN + K2 ·VIN + K3 ·VIN + K4 ·VIN + ... (4)

C
c
de
d
.u
relación que aparece en los amplicadores no lineales. En estos, se puede mantener la denición
a
so
de Eq. 3 como la de la tensión de oset pero Eq. 2 deja de ser completamente correcta pues
id
u
aparece una dependencia de VIN . Así, se puede hacer que la ganancia de un amplicador sea,
rs
ra
simplemente, K1 , o bien denir la ganancia en torno al punto de operación como

e
Pa
iv

∂VOU T
:/
n
K= (5)
∂VIN Q
U
p
tt
Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la aparición de

h
distorsión. Así, supongamos que introducimos una señal de tono puro, VIN (t) = VA sin (ω t),
· ·
en un amplicador lineal. La salida que se obtendría sería:
VOU T = VOS + K ·VA · sin (ω ·t)
que es otro tono puro con una componente DC adicional. Sin embargo, si la introducimos en

un amplicador no lineal:
VOU T = VOS + K1 ·VA · sin (ω ·t) + K2 ·VA2 · sin2 (ω ·t) + K3 ·VA3 · sin3 (ω ·t) + . . .
1
que es igual a

1 2 3 3
VOU T = VOS + K2 ·VA + K1 ·VA + ·K3 ·VA · sin (ω ·t) −
2 4
1 1
− ·K2 ·VA2 · cos (2·ω ·t) − ·K3 · sin (3·ω ·t) + . . .
2 4
d
En otras palabras, han aparecido armónicos de la frecuencia fundamental. En la realidad,
ri
los amplicadores lineales no existen pues todos los amplicadores son no lineales ya que la
d
a
tensión de salida siempre va a estar limitada por las tensiones de alimentación. Este fenómeno,
M
llamado saturación , implica que la función de salida de todo circuito solo puede ser lineal a
tramos. Así, si un circuito está alimentado con dos fuentes de alimentación +VCC y −VEE se
e
2
d
va a cumplir que Eq. 1 es, concretamente :
se

−VEE −VOS

 −VEE VIN < K
n

la

−VEE −VOS +VCC −VOS (6)
te
VOS + K ·VIN K
< VIN < K
de


+VCC −VOS
lu

 +VCC VIN > K
os
p
m
n
que es una función no lineal. Esto no quiere decir, sin embargo, que no sea sensato trabajar con
s
m
.e
las ecuaciones asociadas a circuitos lineales. En general, la mayor parte de los circuitos pueden
o
alu
m
C
considerarse prácticamente lineales de modo que es posible utilizar las ecuaciones derivadas
c
de
de esta simplicación que, por lo normal, son muchísimos más simples.

d
.u
a
so
w
id
5. Amplicadores de tensión, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

u
w
rs
objetos de interés, entrada y salida, y dos tipos de señales eléctricas, tensión y corriente,
ra
los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categorías como se muestra en Tabla 1. En

e
Pa
iv
general, se dice que un amplicador pertenece a alguno de estos tipos siempre y cuando la
:/
n
ganancia asociada sea más o menos constante e indepediente de las condiciones de polarización
U
como, por ejemplo, la impedancia que carga la salida.

tt
h
1.2. Parámetros característicos de los amplicadores

Podemos considerar que, independientemente de sus elementos, todo amplicador puede hacerse
equivalente a alguno de los cuatro modelos que se muestran en Fig. 1. En todos los casos, se entiende
1 Elalumno debe recordar que sin2 (x) = 1−cos(2 x)

y que sin3 (x) = 43 ·sin (x) − 41 ·sin (3·x) .
·
2
2 Realmente, los amplicadores saturan un poco por encima de la tensión de alimentación negativa y un poco por
debajo de la positiva.

Entrada Salida Nombre Ganancia

VOU T
Tensión Tensión Amplicador de tensión AV = VIN
IOU T
Tensión Corriente Transconductor GM = VIN
VOU T
Corriente Tensión Transresistor GR = IIN
IOU T
d
Corriente Corriente Amplicador de corriente AI = IIN
ri
d
a
Cuadro 1: Tipos de amplicadores en función de las magnitudes de entrada y salida.
M
que existen dos terminales de entrada, entre los que existe una diferencia de tensión VIN y circula
e
IIN .
d
una corriente de entrada, Esta concepción es válida para los amplicadores diferenciales y para
los de entrada simple ya que, en estos últimos, basta con hacer el terminal negativo igual al nodo
se
de tierra. En estas circunstancias, es posible denir un parámetro llamado impedancia de entrada
n
la
como
te
VIN
de
ZIN = (7)
lu
IIN
os
p
Este parámetro puede depender de la frecuencia, ser aplicable solamente a la pequeña señal, etc.
m
n
s
m
Por otra parte, la ganancia se suele representar como una fuente dependiente de tensión o corriente
.e
o
alu
según las características de la salida. Así, en el caso de un amplicador de tensión, es posible denir
m
C
una ganancia como la mostrada en Tabla 1 para modelar una fuente de tensión. Esta misma fuente
c
de
d
.u
aparece en los transresistores con la salvedad de que ahora la magnitud de control es la corriente
a
so
GR ,
id
de entrada y la ganancia es con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

u
corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

rs
ra
la entrada es IIN y la ganancia es un número puro. Si el amplicador es un transconductor, la señal

e
Pa
iv
de control es la tensión de entrada y la ganancia es GM , o transconductancia , que se mide en

:/
n
Ω−1 .
U
La impedancia de salida requiere un tratamiento aparte. En principio, se introduce porque toda

tt
fuente de tensión (corriente) tiene en serie (paralelo) una resistencia. Por ello, se ha introducido
h
ZOU T en todos los esquemas de Fig. 1. Su valor se calcularía a través de las variaciones sobre la
tensión/corriente teóricas de salida que se observan en la salida a medida que cambia el valor de la
impedancia de carga, ZL .
Deben tenerse en cuenta algunos puntos de interés. Siempre es posible convertir una fuente de
tensión con una resistencia en serie en una fuente de corriente con una resistencia en paralelo gracias
a los teoremas de Thévenin y Norton. Por tanto, el circuito de Fig. 1a se puede transformar en 1d

(a) (b)
d
ri
d
(c) (d)
a
M
Figura 1: Amplicadores de tensión (a), de corriente (b), transresistor (c) y transconductor (d).
ZL es la impedancia de carga y no pertenece al amplicador propiamente dicho.
e
d
y viceversa aceptando que:
se
AV
GM = (8)
ZOU T
n
la
te
permaneciendo invariable el valor de ZOU T . Análogamente, el circuito de Fig. 1b se transforma en

de
lu
el de 1c con el cambio
os
p
GR = ZOU T ·AI (9)

m
n
s
m
.e
Asimismo, teniendo en cuenta Eq. 7, se pueden establecer las siguientes relaciones:

o
alu
m
C
VOU T ZL ·IOU T ZL
AV = = = ·AI (10)
c
de
VIN ZIN ·IIN ZIN

d
.u
a
so
w
id
IOU T IOU T IIN AI

GM = = · = (11)
u
VIN IIN VIN ZIN

rs
ra
IOU T VOU T 1 AV
e
GM = = = (12)
Pa
·
iv
VIN ZL VIN ZL
:/
n
VOU T VOU T VIN

GR = = = AV ·ZIN
U
· (13)
p
IIN VIN IIN

tt
VOU T
h
GR = = AI ·ZL (14)
IIN
De lo que se deduce que, una vez deducidos algunos parámetros, los demás van cayendo como chas
de dominó.

Figura 2: Inserción de una fuente de tensión a un amplicador de corriente.
1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada
d
La tensión que se aplica entre los terminales de entrada en cualquiera de los circuitos de Fig. 1
ri
puede suponerse proveniente de una fuente cuyo equivalente Thévenin es una tensión vS en serie
d
a
con una resistencia de valor RS . Así, un modo realista de representar la inserción de una señal a
M
un amplicador es el mostrado en Fig. 2. En este caso, se ha supuesto que el amplicador es de
corriente aunque, en general, se puede suponer cualquier otra conguración.
e
d
Si desconectáramos la fuente de tensión y midiéramos la amplitud, obtendríamos un valor
se VS .
Este valor se llama salida en abierto . Sin embargo, si conectáramos la fuente al amplicador, se
produciría una caída de tensión de tal modo que

n
la
te
de
ZIN
VIN = ·VS
lu
ZIN + RS
os
p
m
n
AV , llamada ganancia en tensión

s
Esto nos permite denir una nueva ganancia en tensión, distinta de

m
.e
AV S ,
o
sobre la tensión de fuente , de valor:

alu
m
C
VO ZIN + RS
c
AV S = = ·AV (15)
de
d
.u
VS RS
a
so
w
id
que se utiliza en algunas ocasiones.

u
w
rs
ra
w
e
2. Inserción de la pequeña señal

Pa
iv
/
:/
n
U
En el tema anterior, se dijo que los circuitos electrónicos constaban de una red principal en la
tt
que se jaba el punto de operación y que, posteriormente, se añadía una fuente en pequeña señal
h
que actuaría como perturbación y que se transmitiría al nodo de salida. Esto, aparentemente tan
sencillo, plantea una serie de problemas prácticos como los que se producirían en el circuto de Fig.
3.
En ella, se ha supuesto que se ha creado una red con degeneración de emisor, perfectamente
calibrada, y que se acopla una perturbación, VS , a la base del transistor con el objeto de modicar
la corriente de base y transmitir esta perturbación, amplicada, a la corriente de colector. Así, se
observaría una modicación signicativa de la tensión de colector, que es la salida del circuito.

Figura 3: Inserción directa de una fuente en pequeña señal a una red con degeneración de emisor.
d
ri
Este es, más o menos, el funcionamiento deseable. Sin embargo, este circuito no puede funcionar.
d
a
El motivo es sencillo: En DC, la fuente aplicada en la entrada es un cortocircuito. En otras palabras,
M
estaríamos conectando la base del transistor a tierra a través de una resistencia de valor RS //R1
con lo qu se modicaría el punto de operación. Si RS tiene un valor sucientemente pequeño, podría
e
d
conducir al transistor a corte, abandonando la zona activa directa.
¾Cómo podemos solucionar esto? Existen varias estrategias para acabar con este problema:
se
n
la
1. Acoplo directo: En algunos casos, el diseñador decide preparar cuidadosamente el circuito de

te
tal modo que su punto de operación sea independiente de la tensión aplicada a la entrada.
de
lu
Así, en el circuito anterior, una solución sería hacer R1 << RS . Esta estrategia es útil en
os
p
circuitos integrados y es, por ejemplo, la que se utiliza en algunos comparadores de tensión
m
n
s
m
.e
con salida de colector abierto en los que se ha preparado el circuito para que la corriente de
o
alu
base del transistor de salida dependa de la diferencia de tensiones aplicadas en las entradas.
C
c
de
d
2. Realimentación: Muchos amplicadores diferenciales sacrican una entrada para conectarla a

.u
a
la salida. Así, la realimentación negativa que se produce permite que el punto de operación se
so
w
id
ajuste de manera mecánica. Esta estrategia es ampliamente empleada en muchísimos dispos-

u
w
rs
itivos en los que existen amplicadores operacionales integrados.

ra
w
e
Pa
iv
3. Capacidades de acoplo: En el caso de diseño discreto, es posible utilizar condensadores de

:/
n
acoplo. Recordemos que un condensador es un dispositivo que en DC se comporta como un

U
circuito abierto pero que, a una frecuencia sucientemente alta, su impedancia puede ser
tt
despreciable frente al resto. Así, en circuitos con amplicadores discretos, una solución al
h
ejemplo de Fig. 3 hubiera sido el mostrado en Fig. 4.
En este circuito, una capacidad C1 se pone en serie con RS de tal modo que el nudo de base no
se ve alterado por esta fuente. Análogamente, podemos conectar una resistencia de carga a través
de otro condensador en serie, C2 , de tal modo que no se afecta al punto de operación. Este tipo
de condesadores, puestos en serie con el elemento que se quiere aislar para no afectar al punto de
operación, se denominan condensadores de bloqueo .

Figura 4: Uso de condensadores para insertar una pequeña señal sin alterar el punto de operación.
Podría darse el caso contrario. Existen elementos que deben estar presentes para jar el punto
d
ri
de operación pero su presencia es incómoda al estudiar el circuito en pequeña señal. Un ejemplo es
d
RE en Fig. 4, que estabiliza el punto de operación pero degrada signicativamente la ganancia del
a
amplicador, como veremos en apartados posteriores. Para solucionarlo, podemos usar C3 . A una
M
frecuencia sucientemente alta, la impedancia asociada es mucho menor que la resistencia de emisor

RE // s·C1 E
e
de tal modo que es posible considerar que el paralelo formado por ambos elementos, , es
d
prácticamente un cortocircuito. Estos condensadores, puestos en paralelo con elementos indeseables
se
y que sirven para sortearlos en pequeña señal, se denominan condensadores de paso .
n
El problema de usar condensadores de paso y de bloqueo es que estamos sacricando la capacidad

la
te
de amplicación en DC y, por tanto, en gran señal. Los circuitos con acoplo capacitivo solo funcionan
de
lu
en un rango de frecuencias medias, sucientemente altas como para que el módulo de las impedancias
os
p
capacitivas sean mucho menores que aquellas resistencias que acompañan pero no tanto como para
m
n
que se puedan obviar las capacidades internas del condensador.

m
.e
o
alu
Un tercer grupo de condensadores son los condensadores de desacoplo como C4 . Se colocan

m
C
entre la alimentación y tierra y, realmente, el circuito podría funcionar sin ellos. Sin embargo, su
c
de
d
.u
uso es recomendable por los siguientes motivos. En primer lugar, contribuyen a eliminar el ruido
a
so
proveniente de la fuente de alimentación pues las componentes de alta frecuencia encuentran un

id
u
camino de baja impedancia hacia tierra y no afectan al núcleo del circuito. Por otra parte, a veces la
rs
ra
fuente de alimentación se encuentra relativamente lejos del circuito. En caso de que se produzca un
e
Pa
iv
cambio brusco en la tensión de salida, el circuito puede necesitarse un aporte puntual de corriente
:/
n
de manera inmediata. Si la carga proveniente de la fuente no tiene tiempo de llegar al circuito,

U
éste no funcionará bien. La presencia de un condensador de desacoplo soluciona este problema pues
tt
este condensador proporciona la carga de manera instantánea y se vuelve a cargar una vez que el
h
aporte de corriente ha terminado. Esto tiene gran importancia, por ejemplo, en el diseño de circuitos
digitales de alta frecuencia con microprocesadores, FPGAs y CPLDs, en los que se recomienda
colocar condensadores de desacoplo a menos de 1 cm de cada una de las entradas de alimentación.

(a) (b)
Figura 5: Amplicador en conguración de emisor común basado en BJT, con NPN (a) y PNP (b).
d
Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la base del transistor.
ri
3. Circuitos amplicadores de entrada simple con com-
d
a
ponentes discretos
M
e
En este apartado, vamos a estudiar las distintas conguraciones que pueden construirse con un
d
único transistor y elementos discretos como resistencias y condensadores. El transistor puede ser de
se
cualquier tipo (NPN, PNP, NMOS, PMOS, NJFET, PJFET) y estará dentro de una red de emisor
n
la
(fuente) degenerado. La pequeña señal se introducirá con condensadores de acoplo, que también
te
de
se utilizarán para conectar nudos especícos del transistor a una tensión constante en el modelo
lu
equivalente de pequeña señal.

os
p
Se van a estudiar distintas conguraciones cada una de las cuales tiene unas propiedades que
m
n
s
m
.e
son óptimas para determinadas circunstancias.

o
alu
m
C
3.1. Conguración de emisor/fuente común

c
de
d
.u
a
so
w
id
Estos circuitos constituyen una familia de amplicadores que proporcionan una alta ganancia
u
tanto en corriente como en tensión. Todos ellos son inversores por lo que la entrada y salida estarán
rs
ra
en contrafase en el rango de trabajo óptimo (frecuencias medias).

e
Pa
iv
/
:/
3.1.1. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar

n
U
p
tt
En primer lugar, estudiaremos los amplicadores en emisor común, con un transistor bipolar como
h
nucleo (Fig. 5). Estas conguraciones son especialmente válidas para amplicar tanto tensión como
corriente según el valor de la carga. Así, el valor de AV y AV S es practicamente independiente de la
carga aplicada, RL si ésta es muy grande y, por el contrario, si RL es pequeña AI es prácticamente
constante. Esta red se diferencia de otras parecidas, como la red con degeneración de emisor, en
que existe una capacidad de paso en paralelo con la resistencia de emisor, CE , de tal modo que,
en el modelo en pequeña señal, se puede considerar que el emisor del transistor está unido a tierra.
Por ello, esta conguración se dice de emisor común . Hay que resaltar que este postulado solo es
válido a frecuencias medias y altas.

Figura 6: Equivalente en pequeña señal del amplicador en emisor común. Se ha eliminado RE y no

se incorporan parásitos al modelo del transistor.
Al hacer el modelo de pequeña señal, se obtiene el circuito de Fig. 6 independientemente de si
d
el transistor es NPN o PNP. Se ha reemplazado el transistor por su modelo de pequeña señal en
ri
d
emisor común ya que se obtienen circuitos mucho más fáciles de resolver. Así, se consigue que la
a
parte izquierda del circuito sea independiente de la parte derecha. Puede demostrarse fácilmente
M
que:
vS − vin
iin =
e
(16)
RS
d
vin
ib =
se
(17)
hie
n
la
vin = iin · (hie //R1 //R2 ) (18)

te
de
lu
y esto nos permite deducir el primer parámetro:

os
p
vin
m
n
ZIN = = (hie //R1 //R2 ) (19)

m
.e
iin
o
alu
Recordemos que, en el tema anterior, se hablaba de que la condición adicional para calcular los valores
C
R1 y R2 podía venir de la impedancia de entrada del amplicador nal. Éste es un ejemplo de ello.
c
de
de
d
.u
Si exigimos que ZIN tenga un valor alto, no podemos elegir valores de las resistencias de polarización
a
so
w
id
excesivamente bajos pues incumpliríamos los requerimientos previstos. Por otra parte,
u
w
rs
hf e
ra
vout = −hf e ·ib · RC //h−1 −1

oe //RL = − oe //RL ·vin ⇒
e
· RC //h
Pa
hie
iv
/
:/
n
(RC //h−1
oe //RL )
U
AV = −hf e · (20)
p
hie
tt
Ahora, utilizando Eq. 10-14, se deduce que

h
Zin (RC //h−1

oe //RL ) (hie //R1 //R2 )
AI = ·AV = −hf e · · (21)
RL hie RL
El cálculo de la impedancia de salida no puede realizarse directamente a partir del circuito mostrado
en Fig. 6. En su lugar, es necesario hacer unas pequeñas modicaciones:
Las fuentes independientes deben anularse. En otras palabras, se requiere cambiar vs por un
cortocircuito a tierra.

Figura 7: Equivalente en pequeña señal del amplicador en emisor común para el cálculo de la
impedancia de salida.
d
No tiene sentido calcular la impedancia de salida con una resistencia de carga externa en el
ri
circuito. Precisamente, la impedancia de salida se utiliza para averiguar como afecta la carga
d
a la tensión de salida. Por ello, se cambia por un abierto.
a
M
Es necesario incorporar una fuente ideal, IX , aplicada al nodo de salida de tal modo que la
e
diferencia de tensión, VX , nos permite conocer la impedancia de salida.
d
Con todo esto, el circuito necesario para conocer la impedancia de salida es el mostrado en
se
Fig. 7. Su resolución es sencilla pues toda la parte izquierda puede eliminarse al constar solo de
n
la
hf e ·ib
te
resistencias sin ninguna fuente que las alimente. Ello implica que la fuente también se puede
de
eliminar y que la única resistencia que ve la fuente IX , y que coincide con la impedancia de salida,
lu
os
es:
p
VX
= RC //h−1

m
n
ZOU T =
s
oe (22)
IX
m
.e
o
alu
Una vez visto esto, nos podemos plantear cuales son las mejores condiciones en las que emplear este
C
circuito. Supongamos, en un principio, que la resistencia de carga es mucho mayor que la impedancia
c
de
d
.u
de salida del dispositivo. En ese caso, las ecuaciones del circuito se convierten en:
a
so
w
id
vin
u
ZIN = = (hie //R1 //R2 )

w
rs
iin
ra
w
e
Pa
iv
(RC //h−1 (RC //h−1

/
oe ) oe )
AV → −hf e · ≈ −IC ·
:/
n
hie N ·VT
U
(RC //h−1
oe ) (hie //R1 //R2 )
AI → −hf e ·
tt
·
hie RL
h
Se ha conseguido que la ganancia en tensión sea prácticamente constante y solo dependiente de
las características del punto de operación elegido. En cambio, la ganancia en corriente depende
fuertemente de la resistencia de carga. En conclusión, este dispositivo funciona como un amplicador
de tensión cuando la resistencia de carga es muy alta comparada con la de salida, (RC //h−1
oe ).
En cambio, si suponemos que la resistencia de carga es muy baja, las ecuaciones se reducen a:
RL
AV → −hf e ·
hie

(a) (b)
Figura 8: Amplicador en conguración de fuente común basado en MOSFET, con NMOS (a) y
d
PMOS (b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la puerta del transistor.
ri
d
RL (hie //R1 //R2 ) (hie //R1 //R2 )
a
AI → −hf e · · = −hf e ·
M
hie RL hie
de modo que el circuito funcionaría como un amplicador de corriente. Sin embargo, no se debe
e
olvidar un hecho signicativo: La corriente que llega a la carga proviene de la fuente y debe atravesar
d
la resistencia de colector de modo que estará siempre limitada por ésta ya que un valor excesivamente
se
alto conduciría al transistor a saturación. En otras palabras, la corriente de salida no podría exceder
n
la
demasiado de IC . Análogamente, en un amplicador de tensión, la salida completa (VOU T,Q + vout )

te
de
no puede exceder de los valores de la tensión de alimentación pues, si no, se saturaría.

lu
os
p
3.1.2. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET

m
n
s
m
.e
o
Los circuitos que se plantean son similares al del apartado anterior cambiando el transistor NPN
alu
m
C
por un NMOS y el PNP por un PMOS (Fig. 8). Hay que tener en cuenta, por otro lado, que es
c
de
d
importante indicar donde se ha conectado el terminal de sustrato: A la fuente del transistor o a la

.u
a
alimentación. Ocurre que los transistores MOS discretos tienen el terminal de fuente y el sustrato
so
w
id
cortocircuitados, hecho que no ocurre en los dispositivos integrados. Por tanto, vamos a considerar,
u
w
rs
3
ra
a partir de ahora, que en estos circuitos ocurre así y que, por tanto, no existe efecto sustrato .
w
e
Pa
iv
En ambos casos, el circuito en pequeña señal es el mostrado en Fig. 9. Se ha tenido en cuenta

/
:/
n
que, en pequeña señal y a frecuencias medias, la fuente del transistor está conectada a la tierra de
U
modo que la tensión de entrada, situada en la puerta del transistor, es la de puerta-fuente en pequeña
tt
señal. En consecuencia, los parámetros que se pueden deducir rápidamente son los siguientes:
h
vin
Zin = = (R1 //R2 ) (23)
iin
vout = −gm ·vgs · go−1 //RD //RL →

3 Realmente, la presencia de los condensadores CS impedirían en cualquier caso la aparición de este efecto. Sin
embargo, en los próximos apartados veremos conguraciones donde este condensador no está presente por lo que
conviene resaltar, desde un principio, que en transistores MOS discretos no hay efecto sustrato . Lamentable-
mente, la capacidad CJBD adquiere una relevancia que no se hubiera dado conectando el sustrato a una tensión
constante.

Figura 9: Equivalente en pequeña señal del amplicador en fuente común.
vout
= −gm · go−1 //RD //RL

AV = (24)
d
vin
ri
iout Zin (R1 //R2 )
d
−1

AI = = ·AV = − ·gm · g
o //RD //RL (25)
a
iin RL RL
M
Por otra parte, a partir del circuito de Fig. 9 es fácil obtener el que nos da la resistencia de salida.
En este caso, se puede demostrar que:
e
d
ZOU T = go−1 //RD

(26)
se
n
la
A semejanza del emisor común, en caso de que la impedancia de carga sea mucho mayor que la
te
de
resistencia de drenador y/o la conductancia del MOSFET, la ganancia del amplicador se convierte
lu
en:
os
p
AV → −gm · go−1 //RD

(27)
m
n
s
m
.e
(R1 //R2 )
o
−1
alu

AI = − ·gm · g
o //RD (28)
m
C
RL
c
de
En otras palabras, funciona mejor como amplicador de tensión con ganancia conocida. Hay que
d
.u
a
RD << go−1 , Eq. 27 se convierte en AV ≈ −gm ·RD ∝ IDS,Q .

p
reseñar, además, que en caso de que
so
w
id
gm
En cambio, si fuera al contrario, AV ≈ − ∝ √ 1 . En otras palabras, existe un valor intermedio
u
go IDS,Q
rs
en el que la ganancia sería prácticamente independiente del punto de operación.

ra
w
e
Pa
Por el contrario, si la resistencia de carga es mucho menor que las restantes:

iv
/
:/
n
AV = −gm ·RL
U
(29)
p
tt
(R1 //R2 )
h
AI = − ·gm ·RL = − (R1 //R2 ) ·gm (30)

RL
Esta ganancia es tanto mayor cuanto mayores sean las resistencias de polarización de la puerta. Por
otra parte, hay que recordar que ni la tensión máxima de salida puede exceder la de las alimentaciones
ni la corriente de salida la de drenador.

(a) (b)
Figura 10: Amplicador en conguración de fuente común basado en MOSFET, con NMOS (a) y
d
PMOS (b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la puerta del transistor.
ri
d
3.1.3. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET
a
M
Los circuitos de esta clase se recogen en Fig. 10. Son exactamente iguales a los asociados a
e
los MOSFET con la salvedad de que un transistor JFET de canal n reemplaza a un PMOS y uno
d
de canal p a un NMOS. Por otra parte, puesto que se ha supuesto en el apartado anterior que el
se
sustrato está conectado a la fuente, el modelo en pequeña señal de Fig. 9 sigue siendo válido para
n
estos amplicadores y, por tanto, también el conjunto de ecuaciones deducidas para los MOSFET.
la
te
de
3.1.4. Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos

lu
os
p
Como se ha dicho, los resultados anteriores son válidos solo para señales de entrada en alter-
m
n
s
m
.e
na situadas en el rango de frecuencias medias pero... ¾qué se entiende por esto?. El rango de las
o
alu
m
C
frecuencias medias está determinado por aquellas frecuencias sucientemente altas como para con-
c
siderar los condensadores de acoplo despreciables en serie y dominantes en paralelo pero no tan altas
de
d
.u
a
como para que entren en juego las capacidades internas del condensador. En ese rango intermedio,
so
w
id
la ganancia de los amplcadores es prácticamente constante e independiente de la frecuencia. El

u
w
rs
límite superior depende del tipo de transistor y se estudiará en los apartados siguientes. En cambio,
ra
w
e
el límite inferior depende de parámetros comunes que pueden estimarse fácilmente.

Pa
iv
Sea Fig. 11 un amplicador en conguración de emisor común (aunque el resultado es rápida-

:/
n
mente extrapolable al caso de fuente común).

U
p
tt
Este circuito podría resolverse pero, sin embargo, las expresiones que se obtendrían serían bas-
h
tante complicadas. Existe otro modo de estimar la frecuencia de trabajo a través de un simple
argumento: Entraremos en frecuencias medias cuando la impedancia del condensador sea mucho
menor que las impedancias que se encuentran en serie o paralelo con él. Por tanto:
1
<< mı́n (RS , ZIN )
CB ·ω
1
<< mı́n (RL , ZOU T )
CL ·ω

Figura 11: Modelo en pequeña señal de un amplicador en emisor común a bajas frecuencias.
d
ri
1
<< RE
d
CE ·ω
a
M
Estas condiciones no nos marcan donde están los polos sino que nos permiten intuir el rango de
frecuencias apropiadas para el amplicador. Si se desea un examen más detallado, se debe realizar
e
una medida real o un análisis en SPICE. Se apreciaría la existencia de un cero múltiple en s = 0 (en
d
este caso, triple al haber tres condensadores) y tres polos a bajas frecuencias en torno a los valores
se
estimados con las inecuaciones anteriores.
n
la
Estas inecuaciones se extrapolan al caso de los transistores FET con un simple cambio de
te
de
nomenclatura.
lu
os
p
3.1.5. Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar

m
n
s
m
.e
o
A muy altas frecuencias, los condensadores de acoplo desaparecen y aparecen las capacidades
alu
m
C
intrínsecas de los transistores. Así, en el caso de los transistores bipolares, aparece la capacidad de
c
de
d
difusión en la unión base-emisor y una capacidad de vaciamiento en la unión base-colector. Cuando

.u
a
calculamos la frecuencia de transición de un BJT, despreciamos esta capacidad pero, en este caso,
so
w
id
no es posible debido al llamado efecto Miller .

u
w
rs
Recordemos que el teorema de Miller establece que si existe una impedancia ZX entre dos nodos
ra
w
e
Pa
llamados 1 y 2 tales que la tensión del nudo 2 está controlada por el primero (V2 = K ·V1 ), se puede
iv
/
:/
obtener un circuito equivalente tal que:

n
U
1. No hay una impedancia conectando los nodos 1 y 2.

tt
h
1
2. Entre el nudo 1 y tierra aparece una impedancia de valor ·ZX
1−K
K
3. Entre el nudo 2 y tierra, existe una impedancia de valor ·ZX .
K−1
1
En nuestro caso en particular, la impedancia ZX = s·Cµ
y la ganancia es K = AV ≡ − |AV |.
Ciertamente, AV depende de la frecuencia pero podemos suponer que, cuando empiezan los efectos
de alta frecuencia, AV (s) ≈ AV . Esto deja de ser cierto a una frecuencia superior pero, en la
práctica, el circuito ya ha dejado de funcionar correctamente por lo que pierde interés el modo
exacto en que dependen la ganancia de la frecuencia .

(a)
d
ri
d
a
(b)
M
Figura 12: Modelo en pequeña señal de un amplicador en emisor común a altas frecuencias. AV,DC
e
es el valor absoluto de la ganancia del inversor.
d
se
Fig. 12a representa el equivalente en pequeña señal a alta frecuencia. Evidentemente, los valores
n
de las dos capacidades dependen del punto de operación. Aplicando el teorema de Miller, se puede
la
te
demostrar que, cerca de la frecuencia máxima de trabajo, el circuito equivale al del Fig. 12b. En
de
lu
este circuito, se ha podido realizar la identicación pues:

os
p
1 1 1 1 1
m
n
Z1 = ·ZX = · = ·
m
.e
1−K 1 − AV Cµ ·s (1 + |AV |) ·Cµ s

o
alu
m
C
K AV 1 1 1
Z2 = ·ZX = =
c
· ·
de

K −1 AV − 1 Cµ ·s
d
1 + |A1V | ·Cµ s
.u
a
so
w
id
No es difícil comprobar que Eq. 19 y 22, que nos dan las impedancias características, siguen siendo
u
w
rs
válidas si se reemplaza hie por h∗ie = hie // s·(Cπ +(1+|A

1
V |)·Cµ )
y hoe por h∗oe = hoe + s· 1+ CAµ−1 . En
| V |
ra
w
e
particular, a altas frecuencias la expresión de las impedancias se reducen a:

Pa
iv
/
:/
n
ZIN,0
ZIN (s) = (31)
U
s
1 + ωZIN
tt
h
ZOU T,0
ZOU T (s) = s (32)
1 + ωZOU T
siendo
1
ωZIN = (33)
ZIN,0 ·CT
1
ωZOU T = (34)
1 + |AV |−1

ZOU T,0 ·Cµ ·

donde CT = Cπ + (1 + |AV |) ·Cµ . La ganancia en tensión, AV , también se ve afectada de manera
parecida con lo que la ganancia se reduce a altas frecuencias según la expresión
AV,0
AV (s) = s (35)
1 + ωAV
siendo
1
ωAV = (36)
(ZOU T,0 //RL ) ·Cµ · 1 + |AV |−1

Cumpliéndose que ωAV ≥ ωZOU T . Sin embargo, la ganancia en tensión respecto a la tensión de la
fuente en abierto se ve aún más degradada al disminuir la impedancia de entrada. Así, es posible
d
demostrar que:
ri
AV S,0
d
AV S (s) = (37)
a
s s
1 + ωAV · 1 + ωAV S
M
siendo
ZIN,0 + RS
e
ωAV S = (38)
d
RS ·ZIN,0 ·CT
1
se
expresión que tiende a
RS ·CT
si RS << ZIN,0 como acontece normalmente. Finalmente, la ganancia
en corriente presenta también dos polos pues

n
la
te
de
ZIN (s)
lu
AIN (s) = ·AV (s) =

RL
os
p
m
n
A
I,0
m
=
.e
(39)
o
s s
1 + ωAV 1+
alu
·
m
ωZIN
C
En denitiva, con cuatro frecuencias podemos caracterizar los parámetros característicos del ampli-
de
d
.u
cador.
a
so
w
id
La pregunta pertinente es qué relación tienen estas frecuencias de corte con las características
u
w
rs
del amplicador y su red de polarización. En primer lugar, CT es mayor cuanto mayor sea la corriente
ra
w
e
de emisor, que hace aumentar tanto Cπ , y menor la tensión de alimentación, que aumenta el valor de
Pa
iv
1
Cµ a través de VCB ∼ ·V
2 CC
− Vγ . Esto se reeja directamente en los valores de las tres frecuencias
:/
n
característica. Sin embargo, los valores de ZIN,0 y ZOU T,0 podrían compensar esta disminución
U
−1
pues, al aumentar la corriente de polarización, las componentes hie y hoe decrecen. No obstante,
tt
este efecto podría verse minimizado en caso de que ambas impedancias fuesen mucho mayores que
h
aquellas resistencias con las que se encuentran en paralelo.
3.1.6. Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET

A altas frecuencias entran en juego principalmente tres capacidades: La capacidad de puerta-
fuente, CGS , la capacidad de drenador-fuente, CGD y, en el caso de los transistores discretos en
los que la fuente y el sustrato están cortocircuitados, la capacidad de sustrato-drenador, CBD , que

(a)
d
ri
d
a
M
(b)
e
Figura 13: Modelo en pequeña señal de un amplicador MOSFET en fuente común a altas frecuen-
d
cias. AV,DC es el valor absoluto de la ganancia del inversor.
se
n
comunica la fuente y el drenador. Estas capacidades se han representado en el circuito de Fig.

la
te
13a. En otras circunstancias, hubiera bastado con utilizar la primera capacidad pero, por efecto
de
lu
Miller, la capacidad CGD adquiere una importancia inusitada al ser multiplicada por la ganancia del
os
p
amplicador que, como en el caso del transistor bipolar, se supone igual a la ganancia en tensión a
m
n
frecuencias medias (Fig. 13b).

m
.e
o
alu
En estas circunstancias, el cálculo de las expresiones en función de la frecuencia es inmediato.

m
C
CO,T = CBD + 1 + |AV |−1 ·CGD ,

Así, si denomino CIN,T = CGS + (1 + |AV |) ·CGD y se puede
c
de
d
.u
deducir que:
a
ZIN,0
so
ZIN (s) =
w
(40)
id
s
1 + ωZIN
u
w
rs
ZOU T,0
ra
ZOU T (s) =
e
s (41)
1 + ωZOU
Pa
iv
T
:/
n
siendo
1
U
ωZIN = (42)
ZIN,0 ·CIN,T
tt
h
1
ωZOU T = (43)
ZOU T,0 ·CO,T
Por otro lado, la ganancia en tensión adquiere un único polo tal que:
AV,0
AV (s) = s (44)
1 + ωAV
1
ωAV = (45)
(ZOU T,0 //RL ) ·CO,T

en tanto que la ganancia en tensión respecto a la fuente en abierto presenta dos polos debido a la
disminución de la impedancia de entrada:
AV S,0
AV S (s) = (46)
s s
1 + ωAV · 1+ ωAV S
siendo
ZIN,0 + RS
ωAV S = (47)
RS ·ZIN,0 ·CIN,T
Finalmente, la ganancia en corriente presenta dos polos, uno en ωZIN y otro en ωAV . Por tanto:
d
AI,0
ri
AI (s) = (48)
s s
1+ 1+
d
·
ωZOU T ωZIN
a
M
¾Cómo dependen estos parámetros del punto de operación? En general, el efecto Miller hace que, en
CIN,T , la capacidad predominante sea la derivada de CGD al ser, en general, la ganancia en tensión
e
d
muy elevada. Por otra parte, cuanto mayores sean las resistencias de polarización de la puerta,
menor es la frecuencia asociada a la etapa entrada aunque ello redunda tanto en un incremento del
se
RS
consumo de corriente como en un aumento de la relación , que en muchos casos interesa que
n
ZIN
la
sea muy alta.

te
de
Para combatir este problema existe un truco muy simple pero de una gran ecacia. En lugar de
lu
R1 y R2 , se inserta una resistencia RG de un valor

os
unir directamente la puerta al nodo de unión entre

p
m
n
muy alto entre ambos nodos. No se afecta el punto de operación y, en general, si RG >> R1 , R2 ,
s
m
.e

también lo es de tal modo que ZIN ∼
1
el módulo de RG + = (R1 //R2 ) independientemente

o
s·CIN,T
alu
m
C
de la frecuencia de trabajo.
c
de
d
.u
3.1.7. Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET

a
so
w
id
u
Dadas las similitudes existentes entre los modelos en pequeña señal de los transistores MOS y los
rs
ra
JFET, todos los resultados del apartado anterior conservan su vigencia. La salvedad es que no existe
e
Pa
iv
el terminal de sustrato con lo que no se debe tener en cuenta CBD . Por otra parte, se considera
:/
n
1
CGS = CGD = 2
·CG siendo CG la capacidad de unión entre puerta y canal. Así, se cumplirá que:
U
p
tt

1
CIN,T = CGS + (1 + |AV |) ·CGD = · |AV | + 1 CG
· (49)
h
1
1 + |AV |−1 ·CG

CO,T = (50)
2
y el resto de frecuencias de interés se deducirían con facilidad.

Figura 14: Modelo en pequeña señal de un amplicador en emisor degenerado a frecuencias medias.
d
3.2. Conguración de emisor/fuente degenerado
ri
d
a
Un problema que presentan los amplicadores con emisor/fuente común es que la ganancia nal
M
depende directamente de las características del transistor discreto, que no es fácilmente controlable.
Recordemos, por ejemplo, la considerable variación que puede existir entre los valores posibles de
e
d
hf e en un transistor bipolar. Una variación de la temperatura o un simple reemplazo de transistor
se
pueden cambiar enormemente el valor de este parámetro. Por otra parte, la impedancia de entrada
de un amplicador puramente bipolar es, en general, muy baja y puede ser necesario buscar un
n
la
te
mecanismo para aumentarla.

de
lu
Por ello, existe una conguración llamada de Conguración de emisor (fuente) degenerado que
os
minimiza la dependencia de la ganancia respecto a las características del transistor haciéndola más
p
m
n
bien dependiente de las resistencias de polarización y, en el caso, de los transistores BJT, aumenta
m
.e
4
o
la impedancia de entrada . Su construcción es muy sencilla pues basta con eliminar el condensador
alu
m
C
CE o CS de los circuitos de Fig. 5a,8a y 10a. Esto afecta a los circuitos equivalentes en pequeña
c
de
d
señal pues el emisor o la fuente del transistor no se unen directamente a tierra.

.u
a
so
w
id
3.2.1. Conguración de emisor degenerado

u
w
rs
ra
El circuito equivalente en pequeña señal a frecuencias medias es el mostrado en Fig. 14. En este
e
Pa
iv
circuito, surge el siguiente conjunto de ecuaciones:

:/
n
vin
U
iin = ib +
tt
RP 1
h
vin − ve
ib =
hie
vout
iout =
RL
ve
(hf e + 1) ·ib + hoe · (vout − ve ) =
RE
4 También lo hace en el caso de los FET pero, como la impedancia de entrada es ya de partida prácticamente
innita, no es un benecio real.

vout
hf e ·ib + hoe · (vout − ve ) + =0
RP 2
siendo RP 1 el paralelo formado por R1 y R2 y RP 2 el formado por RC y RL . En principio, podría
chocar que hubiera seis incógnitas y cinco ecuaciones. Sin embargo, recordemos que una de ellas,
iin , no es una incógnita sino un parámetro pues es la fuente que excita el circuito. No es necesario
resolver el circuito completo sino obtener las relaciones entre ellos. Operando con estas ecuaciones,
puede deducirse que la impedancia de entrada tiene una expresión muy complicada que, suponiendo
que hie y RE son despreciables frente a h−1

oe y a las expresiones multiplicadas por hf e :
Zin ≈ (R1 //R2 //hie + RE · (1 + hf e )) (51)
d
ri
lo que, en la práctica, signica que se ha aumentado considerablemente el valor de la impedancia
d
de entrada. Esta expresión es exactamente la que se obtendría si en el circuito de Fig. 14 se hubiera
a
M
supuesto hoe = 0. El precio que hay que pagar por este incremento en la impedancia de entrada es
la disminución de las ganancias. Así, la ganancia en tensión se convierte en:
e
d
hf e ·h−1
oe − RE RP 2
AV = − ≈− (52)
RE +h−1 h−1
se
hie + RE + hie · oe
+ RE · RP 2 · (1 + hf e )
oe RE + hhfiee
RP 2
n
la
h−1
te
Para hacer esta aproximación, se ha supuesto que hie y RE son despreciables frente a oe y a las
de
hf e .
lu
expresiones multiplicadas por Continuando con la ganancia en corriente:

os
p
hf e Zin
m
n
AI ≈ − · (53)
hie 1 + hf e · Rh E
m
.e
o
ie
alu
m
C
La impedancia de salida también se ve aumentada aunque, en cualquier caso, al estar RC en paralelo

c
de
d
ZOU T
.u
con el resto del circuito, el valor de no puede rebasar este límite, que suele ser del orden de
a
unos cuantos kΩ. Por otro lado, la reducción de la ganancia implica un aumento del ancho de banda
so
w
id
u
del amplicador.
w
rs
ra
w
e
3.2.2. Conguración de fuente degenerada

Pa
iv
/
:/
n
En este caso, la conguración que se adopta es la de Fig. 8 y 10 prescindiendo de CS . En pequeña

U
señal, se obtiene el de Fig. 15 teniendo en cuenta que en los transistores JFET y en MOS discretos
tt
con el sustrato unido a fuente no existe efecto sustrato con lo que gmb = 0. Operando con este
h
circuito, es fácil demostrar que:
vout vx
=−
RP 2 RST
vout
gm · (vin − vx ) − gmb ·vx + go · (vout − vx ) + =0
RP 2
vin = RP 1 ·iin

Figura 15: Modelo en pequeña señal de un amplicador con fuente degenerada a frecuencias medias.
d
ri
vout = RL ·iout
d
a
siendo RP 1 = (R1 //R2 ) y RP 2 = (RD //RL ). Es fácil deducir entonces que:
M
vin
Zin = = RP 1 (54)
e
iin
d
vout RP 2
se
AV = =− (55)
vin R 1+ gmb
+ go
+ go
·RP 2
−1
+ gm
n
ST ·
la
gm gm gm
te
ZIN RP 2 RP 1
de
AI = AV = − (56)
lu
·
RL RL R · 1+ gmb
+ go
+ go
·RP 2
−1
+ gm
os
ST gm gm gm
p
m
n
La resistencia de salida tendría que calcularse con un circuito ligeramente distinto, cortocircuitando
m
.e
o
vS , eliminando RL y colocando una fuente de corriente constante para excitar el nudo de salida. En
alu
m
C
estas circunstancias, se va a vericar que

c
de
d
.u

gm + gmb
a
−1
ZOU T = RD // go + RST · 1 + (57)
so
w
id
go
u
w
rs
ra
Es ligeramente más grande que la que se obtiene con fuente degenerada pero, en cualquier caso,
w
e
Pa
iv
está acotada superiormente por el valor de la resistencia de drenador.

/
:/
n
U
3.3. Conguración de base/puerta común

p
tt
h
Ésta es una familia de circuitos que se construyen a partir de un circuito de polarización con
emisor o fuente degenerados. Después, un conjunto de capacidades conectan en pequeña señal la
base o puerta a tierra. Así, se consigue un circuito capaz de replicar en la resistencia de carga la
corriente aplicada a la entrada. En otras palabras, puede utilizarse como seguidor de corriente.

(a) (b)
d
ri
Figura 16: Amplicador en conguración de base común basado en BJT, con NPN (a) y PNP (b).
d
Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es el emisor del transistor bipolar.
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
Figura 17: Modelo en pequeña señal de un amplicador en base común a frecuencias medias.
p
m
n
s
m
.e
3.3.1. Conguración de base común a frecuencias medias

o
alu
m
C
Dependiendo del caracter NPN o PNP del transistor bipolar que constituye el núcleo del am-
c
de
d
.u
plicador, las posibles conguraciones se muestran en Fig. 16. El cálculo de la ganancia se realiza
a
so
pasando al equivalente en pequeña señal teniendo en cuenta un par de puntos. En primer lugar, es
id
u
altamente recomendable usar el modelo en base común del transistor dado que el circuito que se
rs
ra
genera es extremadamente sencillo de resolver. Por otra parte las resistencias R1 y R2 que sirven
e
Pa
iv
para polarizar la base desaparecen del modelo en pequeña señal al estar los extremos de ambas
:/
n
unidos a tierra. De este modo, el circuito equivalente se convierte en el de Fig. 17.

U
Es evidente que, en este circuito, la impedancia de la entrada es:

tt
h
vin hie
Zin = = (RE //hib ) = RE // (58)
iin 1 + hf e
Por otra parte, la ganancia en tensión es
vout
= −hf b · RL //RC //h−1
−1
AV = ob ·hib (59)
vin

y en corriente será:
iout Zin
AI = = ·AV (60)
iin RL
Veamos ahora qué expresión adoptan las ecuaciones en condiciones generales. Ocurre que
hie N ·VT N ·VT

= ≈
1 + hf e IB · (1 + hf e ) IE
que, en circunstancias normales, es del orden de unas decenas de ohmio. Por tanto, es mucho menor
que la resistencia de emisor con lo que:
N ·VT
d
Zin ≈ hib = (61)
ri
IE
d
Por otra parte, ocurre lo siguiente:
a
M
hf e
hf b = − ≈ −1
1 + hf e
e
d
hoe IC IB
se
hob = = ≈
1 + hf e VAF · (1 + hf e ) VAF
n
la
con lo que, en condiciones de trabajo usuales en las que las resistencias son del orden de unos kΩ y
te
de
−1
la corriente de base del orden del µA, el factor hob >> RC , RL . Por ello, las ganancias anteriores
lu
se convierten en:
os
p
AV ≈ (RL //RC ) ·h−1

m
n
(62)
s
ib
m
.e
o
alu
y en corriente será:
m
C
Zin RL //RC RC
AI = ·AV ≈ = (63)
c
RL RL RL + RC
de
d
.u
a
Suponiendo que la resistencia de carga es mucho menor que la de colector, AI → 1. Por este motivo,
so
w
id
el dispositivo se llama seguidor de corriente ya que puede desplazar a la carga una réplica de la
u
w
rs
corriente de entrada. Finalmente, el cálculo de la impedancia de salida es relativamente sencillo a

ra
w
e
Pa
partir del subcircuito de Fig. 17. Al eliminar la fuente de alimentación, gran parte de los elementos
iv
/
:/
del circuito desaparecen de tal modo que la impedancia que se ve desde la salida es, simplemente,
n
U
p
tt
Zout = (RC //hob ) ≈ RC (64)

h
3.3.2. Conguración de base común a frecuencias bajas y altas

A frecuencias extremadamente bajas, los condensadores de desacoplo no pueden considerarse
como cortocircuitos. Para que esto pudiera realizarse, es necesario que las impedancias asociadas
fueran mucho menores que aquellos elementos con los que se encuentran en serie o en paralelo. Por
tanto, estaremos en frecuencias bajas si no se cumple alguna de estas condiciones:
1 N ·VT
Condensador de Emisor, CE : CE ·ω
<< RS , IE

Figura 18: Modelo en pequeña señal de un amplicador en base común a frecuencias altas.
1
Condensador de Base, CB : CB ·ω
<< R1 //R2
d
1
Condensador de Carga, CL : << RL //RC
ri
CL ·ω
d
El mal comportamiento a altas frecuencias se debe a la aparición de dos capacidades, Cπ y Cµ ,
a
M
que se disponen de la forma mostrada en Fig. 18. Afortunadamente, la peculiar disposición de los
condensadores hace innecesaria la utilización aproximada del teorema de Miller. Las ecuaciones del
e
apartado anterior son válidas aceptando que se debe reemplazar RE por RE // s·C1 Π y hob //RC por
d
hob //RC // s·C1 µ . De este modo:
se
!
n
N ·VT 1 N ·VT N ·VT N ·VT 1 ZIN,0

la
ZIN (s) ≈ // = // = = (65)

te
·
s s
IE s·Cπ IE IE ·s·τT IE 1 + τ −1 1 + ωZIN
de
T
lu
En otras palabras, la impedancia de entrada tiene un polo en ωZIN = τT−1 , siendo este tiempo el
os
p
m
n
de tránsito de los portadores de la base. Este polo es independiente de las corrientes y tensiones del
s
m
.e
punto de operación. En la impedancia de salida, el polo aparece en:

o
alu
m
C

1 1 RC
c
ZOU T (s) = RC //hob // ≈ RC // = (66)

de
d
s
.u
s·Cµ s·Cµ 1 + ωZOU

a
T
so
w
id
1
siendo ωZOU T = . Dado el pequeño valor de esta capacidad, este polo está a frecuencias
u
RC ·Cµ
rs
bastante altas. Por otro lado, la ganancia en tensión adquiere el siguiente valor:
ra
w
e
Pa
iv

1 −1 AV,0
:/
AV (s) ≈ RL //RC // ·h
ib = (67)
n
s
s·Cµ 1 + ωAV
U
p
tt
1
donde ωAV = Cµ ·(RL //RC )
. La ganancia respecto a la fuente en abierto adquiere un polo adicional
h
pues
ZIN AV S,0
AV S (s) = ·AV (s) = (68)
ZIN + RS 1+ s
· 1+ s
ωAV ωAV S

ZIN,0
donde ωAV S = ωZIN · 1 + RS
. En cuanto a la ganancia en corriente, deben aparecer dos polos
ya que:
Zin 1
AI = ·AV ≈ (69)
RL 1+ s
· 1+ s
ωAV ωZIN

(a) (b)
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
(c) (d)
os
p
m
n
Figura 19: Amplicador en conguración de puerta común basado en MOSFET, con NMOS (a) y
m
.e
PMOS (b), y JFET, de canal P (c) y canal N (d). Se considera que la entrada propiamente dicha
o
alu
m
C
del amplicador es la fuente del transistor.

c
de
d
.u
con lo que se completa el estudio de este dispositivo a altas frecuencias.

a
so
w
id
u
3.3.3. Conguración de puerta común a frecuencias medias

w
rs
ra
w
e
Pa
Por puerta común se entiende el circuito equivalente al descrito en el Apartado 3.3.1 tras reem-
iv
/
:/
plazar el transistor NPN por un NMOS o un JFET de canal P y el PNP por un PMOS o un JFET
n
U
de canal N. Fig. 19 muestra esas conguraciones. Por semejanza con las conguraciones de base
tt
común, se ha colocado una capacidad CG . Esta fuente aporta algunas mejoras el circuito, que se
h
discutirán más adelante pero es prescindible.
En todos los casos, el circuito equivalente en pequeña señal es el mostrado en Fig. 20. Se ha
incluido en este modelo la fuente de corriente asociada al efecto sustrato aunque solo es válida en
transistores MOS con el sustrato conectado a una tensión constante. Al estar la fuente conectada a
tierra, vgs ≡ −vS = vIN . En este circuito, surgen las siguientes ecuaciones:
iin = (gm + gmb ) ·vin + go · (vin − vout ) + RS−1 ·vin

d
Figura 20: Modelo en pequeña señal de un amplicador en puerta común a frecuencias medias.
ri
d
vout vout
(gm + gmb ) ·vin + go · (vin − vout ) = +
a
RD RL
M
vout
iout =
RL
e
d
que, reordenadas, se permiten deducir que: se
gm + gmb + go gm + gmb + go
vout = −1 ·vin → AV = (70)
n
−1 −1
+ RL−1
la
go + RD + RL go + RD
te
de
−1
+ RL−1
lu
go + RD
Zin = (71)
os
gm + gmb + go + RS−1 RD −1
+ RL−1 + go ·RS−1

p
m
n
Zin gm + gmb + go
m
.e
AI = ·AV = (72)
o
RL
alu
−1
gm + gmb + go + RS 1 + RD + go ·RL ·RS−1
RL
m
C
RS−1 <<
de
Recordemos que, en la mayor parte de los casos, gmb = 0. Si suponemos que go → 0, que
d
.u
a
gm + gmb + go y que RL << RD se puede realizar la siguiente aproximación:

so
w
id
u
gm + gmb + go RD
rs
AI ≈ ≈ →1 (73)
ra

(gm + gmb + go ) 1 + RRDL + go ·RL ·RS−1 RD + RL
e
Pa
iv
/
:/
n
ZIN ≈ (gm + gmb )−1 (74)

U
p
tt
AV ≈ (gm + gmb ) ·RL (75)

h
con lo que se demuestra que este dispositivo funciona como un seguidor de corriente, transriendo
la corriente de entrada directamente a la salida. Finalmente, solo nos queda averiguar el valor de la
impedancia de salida. Para ello, procedemos como se hace habitualmente obteniendo el circuito de
Fig. 21. En este circuito, se puede demostrar que la impedancia de salida es:

−1 gm + gmb
ZOU T = RD // go + (RA //RS ) · 1 + (76)
go

Figura 21: Modelo en pequeña señal de un amplicador en puerta común a frecuencias medias para
el cálculo de la impedancia de salida.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
Figura 22: Modelo en pequeña señal de un amplicador en puerta común a frecuencias bajas.
m
n
s
m
.e
o
alu
que, en general, es aproximadamente igual a RD si se toman valores típicos de resistencias y trascon-

m
C
ductancias.
c
de
d
.u
a
3.3.4. Conguración de puerta común a frecuencias bajas y altas

so
w
id
u
w
rs
Se pueden denir como frecuencias bajas como aquellas que se encuentran en un rango en el que
ra
w
e
las impedancias de los condensadores no son despreciables frente a las resistencias que se encuentran
Pa
iv
en serie con ellos. El circuito en pequeña señal a bajas frecuencias se muestra en Fig. 22. A partir
:/
n
de esta gura, pueden deducirse varios hechos signicativos. En primer lugar, las impedancias de los
U
p
tt
condensadores de bloqueo de la entrada y la salida deben vericar que:

h
1
<< RA , ZIN = (gm + gmb )−1
ω · CS
1
<< RL
ω ·CL
De aquí pueden deducirse cual es, aproximadamente, la zona de bajas frecuencias. ¾Qué ocurre
con la capacidad CG ? Si observamos el dibujo, podemos apreciar que no tiene ninguna función ya
que, en pequeña señal, vg = 0 esté o no presente el condensador. Por ello, su uso es innecesario

d
ri
d
Figura 23: Modelo en pequeña señal de un amplicador en puerta común a frecuencias altas.
a
M
en estas conguraciones aunque se puede mantener por dos motivos: Por un lado, se mantiene la
simetría con la conguración de base común y, por otro, se elimina el ruido y las interferencias que
e
d
podrían provenir de la fuente de alimentación. se
En el caso de altas frecuencias, el circuito original de Fig. 20 se transforma en el de Fig. 23.
Debe tenerse en cuenta que la capacidad CBD solo aparece en transistores MOS discretos pues no
n
la
te
existe en JFET ni en transistores MOS integrados. En éstos, el sustrato está normalmente a tensión
de
CBD CGD
lu
constante y está en paralelo con con lo que su efecto es despreciable. Examinando el

os
circuito, puede verse que la capacidad CGS está en paralelo con RS , CBD con go y, nalmente,
p
m
n
CGD con RD . Por ello, el conjunto de fórmulas deducidas en el Apartado 3.3.3 pueden reutilizarse
m
.e
o
cambiando:
alu
m
C

1
c
de
RS → RS //
d
.u
s·CGS
a
so
w
id

1
RL → RL //
u
w
rs
s·CGD
ra
w
e
go → go + s·CBD
Pa
iv
/
:/
n
De este modo, puede deducirse cual es el comportamiento a muy altas frecuencias. Ojo, estos
U
cambios deben aplicarse sobre las expresiones sin simplicar (Eq. 70-72, 76) y no sobre las expre-
tt
siones simplicadas (Eq. 73-75). Si hiciéramos eso, llegaríamos, por ejemplo, al absurdo de que la
h
impedancia de entrada es constante a altas frecuencias.
3.4. Conguración de colector/drenador común

Esta familia de conguraciones se caracterizan por que el colector en los BJT y el drenador en los
FET se conecta en pequeña señal a tierra. De este modo, se consigue recrear la tensión de entrada
en la salida con la posibilidad de disminuir la impedancia de salida. Por ello, estas conguraciones
suelen llamarse seguidor de emisor o seguidor de fuente .

(a) (b)
d
Figura 24: Amplicador en conguración de colector común basado en BJT, con NPN (a) y PNP
ri
(b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la base del transistor bipolar.
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
Figura 25: Modelo en pequeña señal de un amplicador en colector común a frecuencias medias.
os
p
m
n
3.4.1. Conguración de colector común a frecuencias medias

m
.e
o
alu
m
C
Las conguraciones de colector común típicas, que utilizan transistores bipolares, se muestran
c
en Fig. 24. En pequeña señal, ambos circuitos se reducen al mostrado en Fig. 25. Se ha utilizado
de
d
.u
a
como es habitual el modelo de colector común en pequeña señal. Debe tenerse en cuenta que, en
so
w
id
este modelo, hrc ≈ 1 y la fuente dependiente no puede despreciarse. Por otro lado, en esta gura,
u
w
rs
vec = vout .
ra
w
e
Si operamos con este circuito, surgen las siguientes ecuaciones:

Pa
iv
/
:/
n
vin vin
iin = ib + +
U
R1 R2
tt
vin − hrc ·vout ∼ vin − vout

ib = =
h
hic hic
= −hf c ·ib · RE //RL //h−1

vout oc
Combinando estas ecuaciones, es fácil deducir que:
vin − vout
vout = −hf c ·ib · RE //RL //h−1 = −hf c · RE //RL //h−1

oc oc · →
hic

hf c · (RE //RL //h−1

oc ) 1
→ AV = − = hic
(77)
hic − hf c · (RE //RL //h−1oc ) 1− hf c ·(RE //RL //h−1
oc )
Por otra parte, es fácil deducir que:

hic
ZIN = R1 //R2 // (78)
1 − AV
Antes de calcular el valor de la ganancia en corriente, expresemos las fórmulas anteriores en función de
N ·VT IC
parámetros conocidos. Recordando que hic = hie = IB
, hf c = − (1 + hf e ) y que hoc = hoe = VAF
,
las expresiones anteriores se reducen a:
d
1 1 1
ri
AV = hic
= N ·VT
≈ N ·VT
(79)
1− 1+ 1+
d
hf c ·(RE //RL //h−1
oc ) (1+hf e )·IB ·(RE //RL //h−1
oc ) IC ·(RE //RL //h−1
oc )
a
M
En circunstancias normales, estas expresión es muy próxima a 1 pues IC · (RE //RL //h−1
oc ) ∼
1 VCC
IC ·RE ≈ ∼ 1V >> N ·VT . En otras palabras, el dispositivo trasmite la señal de entrada
e
·
2 10
d
directamente a la carga. Sabiendo cuan cercana a 1 es la ganancia en tensión, se puede deducir que:
se
ZIN ≈ (R1 //R2 ) (80)
n
la
te
de
y que, por tanto,

lu
RL
AI = (81)
os
p
(R1 //R2 )
m
n
s
m
.e
El último punto por calcular es la impedancia de salida. Es fácil ver, en estas circunstancias, que el
o
alu
circuito necesario para calcularla es el mostrado en Fig. 26. En este circuito, no puede prescindirse
C
de la parte izquierda ya que existe una fuente dependiente que se tiene que tener en cuenta. Así, las
c
de
d
.u
ecuaciones que surgen son:

a

1
so
w
id
IX = + hoc VX + hf c ·ib
·
RE
u
w
rs
ra
hrc
w
e
ib = − ·VX
Pa
iv
hic + (R1 //R2 //RS )

/
:/
n
Esta última ecuación puede deducirse directamente al considerar la parte izquierda como una
U
fuente con dos resistencias en el que la corriente se mide en sentido inverso al natural. Por todo ello,
tt
se deduce de manera inmediata que:

h

1 hrc ·hf c
IX = + hoc − VX
·
RE hic + (R1 //R2 //RS )
En otras palabras, puede considerarse que la impedancia de salida es el paralelo de tres términos:

hic + (R1 //R2 //RS )
ZOU T = RE //h−1
oc // − =
hrc ·hf c

Figura 26: Modelo en pequeña señal de un amplicador en colector común a frecuencias medias
para el cálculo de la impedancia de salida.
d
ri

−1 hie + (R1 //R2 //RS )
d
= RE //hoe // (82)
1 + hf e
a
M
En general, este dispositivo se utiliza como un adaptador de impedancias pues puede utilizarse para
reducir la resistencia de salida de una etapa puramente amplicadora. En estas circunstancias, Eq.
e
d
80 nos dice que la mejor manera de aumentar la impedancia de entrada es aumentar (R1 //R2 ) y,
de este modo, que no se produzca una reducción drástica de AV S . Despreciando el efecto Early, la
se
impedancia de salida se puede aproximar a:
n
la
te

hie + RS
de
ZOU T ≈ RE // (83)
lu
1 + hf e
os
p
m
n
En consecuencia, se obtiene una impedancia de salida que, en cualquier caso, es menor que la
s
m
.e
resistencia de emisor y que una resistencia del orden de la de salida de la fuente dividida por la
o
alu
m
C
ganancia del transistor.

c
de
d
.u
3.4.2. Conguración de colector común a frecuencias bajas y altas

a
so
w
id
u
A bajas frecuencias, los condensadores de paso y bloqueo no pueden despreciarse por lo que el
rs
ra
modelo en pequeña señal adopta el aspecto mostrado en Fig. 27. Esto ocurre si, a la frecuencia de
e
Pa
iv
trabajo, no ocurren todas y cada una de las siguientes condiciones:

:/
n
1
U
<< RS , (R1 //R2 )

ω ·CB
tt
h
1
<< RL
ω ·CL
1
<< RC
ω ·CC
En cambio, a altas frecuencias, el circuito en pequeña señal se convierte en el de Fig. 28. Debe
tenerse en cuenta que, según el teorema de Miller, el condensador Cπ puede cambiarse por dos
−1

nuevos condensadores de valor Cπ · (1 − AV ) y Cπ · 1 − AV . Sin embargo, en esta estructura, la

d
Figura 27: Modelo en pequeña señal de un amplicador en colector común a frecuencias bajas.
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
Figura 28: Modelo en pequeña señal de un amplicador en colector común a frecuencias altas.
de
lu
os
p
ganancia en tensión es cercana a 1 en el rango de frecuencias de interés por lo que ambas capacidades
m
n
desaparecen. Este hecho no debe resultar extraño pues en este circuito, no se producen variaciones
m
.e
o
de la tensión BE del transistor con lo que la carga almacenada en Cπ , que no es sino la capacidad
alu
m
C
de difusión CD , no cambia.
c
de
d
Cµ
.u
En cualquier caso, podemos suponer que solo hay una capacidad en paralelo con las dos
a
resistencias de polarización. Por ello, Eq. 80, 81 y 82 deben modicarse cambiando (R1 //R2 ) por
so
w
id

R1 //R2 // s·C1 µ . Es de notar que la ganancia en tensión, AV , no se ve
u
afectada. Sin embargo, la

w
rs
ra
ganancia respecto a la fuente en abierto sí cae de manera considerable al depender del valor de la
w
e
Pa
iv
impedancia de entrada. Por otro lado, el hecho de que los polos de esta conguración dependan de
:/
n
Cµ nos hacen ver que el rango de frecuencias de trabajo es considerablemente alto. Esto también
U
se podía prever a partir de la relativamente baja ganancia en tensión.

tt
h
3.4.3. Conguración de drenador común a frecuencias medias

Las conguraciones que utilizan un transistor FET para conseguir una réplica de la tensión
de entrada en la carga se muestran en Fig. 29. Todas ellas reciben el nombre de conguración
en drenador común . Todas estas conguraciones tienen en común el circuito en pequeña señal
mostrado en Fig. 30 con la salvedad de que la fuente gmb solo aparece en los transistores MOS con
el sustrato conectado a una tensión constante. En caso de estar conectado a la fuente del transistor,
o ser JFET, no existe y los cálculos que se suceden pueden utilizarse suponiendo gmb = 0.

d
ri
d
(a) (b)
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
(c) (d)
c
de
Figura 29: Amplicador en conguración de drenador común basado en MOSFET, con NMOS (a)
d
.u
a
y PMOS (b), y JFET, de canal P (c) y canal N (d). Se considera que la entrada propiamente dicha
so
w
id
del amplicador es la puerta del transistor. Téngase en cuenta, además, que la resistencia de carga
u
puede estar conectada tanto a tierra como a la alimentación positiva.

rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
Figura 30: Modelo en pequeña señal de un amplicador en drenador común a frecuencias medias
para el cálculo de las ganancias e impedancia de entrada.

Figura 31: Modelo en pequeña señal de un amplicador en drenador común a frecuencias medias
para el cálculo de la impedancia de salida.
d
Teniendo en cuenta que, en esta gura, vg = vin , vs = vout , se deduce que:
ri
d
a
vin = (R1 //R2 ) ·iin
M
vout vout
gm · (vin − vout ) = gmb ·vout + go ·vout + +
Rs RL
e
d
se puede deducir de manera inmediata que: se
Zin = (R1 //R2 ) (84)
n
la
te
vout gm
de
AV = = (85)
lu
vin gm + gmb + go + RS−1 + RL−1

os
p
Ocurre que siempre es posible reducir el valor de go utilizando transistores con un valor muy bajo del
m
n
s
m
.e
coeciente de modulación del canal. Las conductancias asociadas a las resistencias de carga también
o
alu
se pueden hacer despreciables frente a gm usando un transistor de canal sucientemente ancho. Sin
C
gmb , no puede eliminarse fácilmente pues,

c
embargo, recordemos que el valor de la otra conductancia,

de
d
.u
g
en cualquier transistor, mb = 0,1 → 0,3 por lo que sería imposible alcanzar una ganancia cercana
a
gm
so
w
id
a 1. Esto puede obviarse en transistores discretos y en JFET. Por otra parte,

u
w
rs
Zin (R1 //R2 )

ra
w
e
AI = ·AV =
−1
(86)
Pa
RL −1 + R ·g −1 · g
RL + gm mb + go + RS
iv
L m
:/
n
El cálculo de la impedancia de salida se realiza con el circuito de Fig. 31. En este circuito, puede
U
deducirse fácilmente ue vg = 0 y que gm ·vgs = −gm ·VX . Por tanto, estas fuentes de corriente se
tt
comportan como conductancias de tal modo que la fuente de corriente testigo, IX , aprecia cuatro
h
resistencias en paralelo. Por ello, la impedancia de salida es, simplemente,
Zout = RS // [gm + gmb + go ]−1

(87)

d
ri
d
Figura 32: Modelo en pequeña señal de un amplicador en drenador común a frecuencias bajas.
a
M
3.4.4. Conguración de drenador común a frecuencias bajas y altas
e
d
Utilizando el mismo razonamiento que en otros casos, volvemos a incorporar las capacidades
de paso y de bloqueo al modelo en pequeña señal. En este caso, puede verse que el circuito se
se
transforma en el de Fig. 32. Es fácil ver entonces que nos encontraremos en el rango de bajas
n
la
frecuencias si no se cumple alguna de las siguientes condiciones:

te
de
lu
1
<< RA , (R1 //R2 )
os
p
ω ·CG
m
n
1
m
.e
<< RL
o
alu
ω ·CL
m
C
1
<< RD , (gm + gmb + go )−1
c
de
d
ω ·CD
.u
a
so
En cambio, el comportamiento a muy altas frecuencias viene determinado por el circuito de Fig.
id
u
CGD
w
33. Examinando este circuito, puede apreciarse lo siguiente: En primer lugar, está en paralelo
rs
ra
con (R1 //R2 ). Por otra parte, CBD está en paralelo con go , las dos fuentes de corriente, RS y RL .
e
Pa
iv
Asimismo, solo existe en MOS con el sustrato unido a la fuente. Los mayores problemas provienen
:/
n
de CGS . Para resolverlo, debemos aplicar el teorema de Miller aunque se pueden dar dos casos: Que
U
exista o no el efecto sustrato. En el primer caso, no es posible que la ganancia se haga 1 como ocurrió
tt
en el caso de la conguración de colector común. Por ello, debe ponerse en paralelo con CGD una
h
1 − A−1

capacidad de valor CGS · (1 − AV ) y, entre salida y tierra, otra capacidad de valor CGS · V
que, curiosamente, es negativa. Esto implica que existe un riesgo de que el sistema sea inestable.
Si no existe efecto sustrato, la ganancia en tensión puede alcanzar un valor de 1 de tal modo que
desaparece cualquier inuencia de esta capacidad.

d
Figura 33: Modelo en pequeña señal de un amplicador en drenador común a frecuencias altas.
ri
d
4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en
a
M
fuentes de corriente
e
d
En el apartado anterior, se estudiaron diversas conguraciones típicas capaces de amplicar
se
tensiones y corrientes, de aumentar la impedancia de entrada y reducir la de salida de un amplicador.
n
Todas ellas se basan en una red de polarización con resistencias, normalmente de emisor degenerado,
la
te
a la que se añaden capacidades de paso y bloqueo para obtener el equivalente apropiado en pequeña
de
lu
señal. Sin embargo, ocurre que estas conguraciones presentan algunos problemas pues, en algunos
os
p
casos, la elección del valor de las resistencias es complicado. Así, por ejemplo, en un amplicador
m
n
de base común, que se modela como un trasconductor y que debe tener una altísima impedancia de
m
.e
o
alu
salida, interesa aumentar el valor de RC para aumentar este parámetro. El problema aparece pues
m
C
esta resistencia no puede crecer indenidamente ya que afecta al punto de operación.

c
de
d
.u
Una técnica habitual para solventar estos problemas consiste en usar fuentes de corriente. Fi-
a
so
jémonos, por ejemplo, en el circuito mostrado en Fig. 34. En este circuito, se reeja a través del
id
VCC −Vγ
u
transistor 2 una corriente de valor IC ≈ que polariza el transistor 3, que es el que realmente
rs
RQ
ra
ejerce la amplicación. Las resistencias RE , R1 y R2 deben ser elegidas para terminar de jar el
e
Pa
iv
punto de operación. La tensión de colector depende del valor exacto de los parámetros Early de los
:/
n
transistores 1 y 2 pero, en cualquier caso, ambos transistores estarán en ZAD. Al hacer el modelo
U
en pequeña señal, se deben utilizar los resultados del Apartado 3.3.1 reemplazando la resistencia de
tt
VAF,2
colector, RC , por la resistencia parásita de la fuente, que, al provenir de un espejo simple, es .
h
IC
Este valor es, en general, considerablemente más alto que el de la resistencia de colector.
Esta solución y otras similares plantean nuevos problemas como la estabilidad del punto de
operación, el comportamiento en frecuencia, etc. Sin embargo, las ventajas que aporta esta solución
(Resistencias de salida elevadísimas junto con corrientes no nulas, facilidad de cálculo del punto de
operación) han conseguido popularizar esta técnica. Otra ventaja adicional es que la exibilidad que
muestran las fuentes de corriente para cambiar la caída de tensión entre sus extremos permite que
se pueda realizar un acople directo de la tensión de entrada sin necesidad de usar capacidades de

d
ri
Figura 34: Equivalente de la conguración de base común (Fig. 16) con una fuente de corriente.
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
(a) (b)
lu
os
p
Figura 35: Amplicador inversor en emisor/fuente común con fuente de corriente como carga. RQ
m
n
simboliza la impedancia de salida de la fuente de corriente y RL una resistencia o bien la impedancia

m
.e
o
de entrada de la etapa siguiente.

alu
m
C
bloqueo. Un ejemplo clásico es la etapa de salida tipo A que veremos en temas posteriores.
de
d
.u
a
Otro ejemplo extremadamente importante y que vamos a estudiar en detalle es el amplicador

so
w
id
inversor polarizado con fuente de corriente. Tiene un amplísimo uso en el diseño de cirtcuitos
u
w
rs
integrados con inserción directa de la entrada. Por ello, no cuenta con capacidades de acoplo. En el
ra
w
e
caso de un transistor NPN con ganancia en corriente hF E , con tensión Early VAF (Fig. 35a), puede
Pa
iv
/
:/
deducirse que:
n

I V
IIN ∼
S IN
U
= · exp
hF E + 1 N ·VT
tt

VCC − VOU T VOU T VOU T
h
IQ + = hF E · 1 + ·IIN +
RQ VAF RL
Para esto último, debe recordarse que VCC = VOU T . Renombrando IQ∗ = IQ + VRCC
Q
, se puede deducir
rápidamente que:
VAF
IQ∗ − hF E ·IIN

VOU T = RL //RQ // · (88)
hF E ·IIN


RL //RQ // hFVEAF
·IIN
IQ∗ − hF E ·IIN

IOU T = · (89)
RL
Puede verse que este dispositivo puede describirse adecuadamente suponiendo que es, bien un tran-
sresistor o bien un amplicador de corriente. Hay que reseñar que es un amplicador fuertemente
no lineal, sobre todo si se expresan los parámetros de salida en función de VIN en lugar de IIN . La
única salvedad ocurre cuando RL << RQ , hFVEAF

·IIN
ya que, en estas circunstancias,
VOU T ≈ RL · IQ∗ − hF E ·IIN

(90)
IOU T ≈ IQ∗ − hF E ·IIN (91)
d
ri
Recordemos que, en cualquier caso, las tensiones de salida están limitadas al rango 0 − VCC y las
d
∗
corrientes, al rango 0 − IQ . Por otra parte, es interesante apreciar que, en estas expresiones, aparece
a
M
una dependencia implícita de las tensiones de alimentación. En efecto, este fenómeno conduce a la
∂VOU T
aparición de un nuevo parámetro, llamado Power Supply Rejection Ration (PSRR) , igual a ,
∂VCC
e
d
que es idealmente nulo.
En el caso de que el núcleo sea un MOSFET (Fig. 35b), las ecuaciones que aparecen son:
se
n
la
IIN = 0
te
de
lu
VCC − VOU T VOU T

IQ + = βF · (VIN − VT )2 · (1 + λ·VOU T ) +
os
RQ RL
p
m
n
Si renombramos los términos como hicimos con anterioridad:

m
.e
o
alu

1
C
IQ∗ − βF · (VIN − VT )2

VOU T = RL //RQ // 2 · (92)
λβF · (VIN − VT )
c
de
d
.u
a

so
1
w
RL //RQ // λβ
id
2
F ·(VIN −VT )
IQ∗ − βF · (VIN − VT )2

IOU T = (93)
u
·
w
rs
RL
ra
w
e
Expresión que es incluso más no lineal que la anterior. Debe tenerse en cuenta, por otro lado,
Pa
iv
que no debemos preocuparnos por esta no linealidad. En general, nos interesa que la ganancia sea
:/
n
extraordinariamente alta pues se van a utilizar en circuitos realimentados como los amplicadores
U
operacionales, en los que se va a minimizar la distorsión gracias a la realimentación, o en otros

tt
dispositivos como los comparadores, no realimentados, en los que nos interesa trabajar en los niveles
h
de saturación.
¾Cómo podemos conocer esta ganancia? Podríamos utilizar las ecuaciones anteriores y calcular
la ganancia mediante una derivada en torno al punto de operación (Eq. 5). Claro que, directamente,
podríamos haber obtenido derivar primero (En otras palabras, calcular el modelo en pequeña señal)
y calcular después. Fig. 36 muestra los modelos en pequeña señal de estos dispositivos.
Con estos modelos, se pierde algo de información como la inuencia de la tensión de alimentación,
la aparición de distorsión, etc. Sin embargo, su resolución es simplicísima. Así, en el modelo basado

(a)
d
ri
d
(b)
a
M
Figura 36: Amplicador en conguración de emisor común cargado con fuente de corriente en
pequeña señal: BJT (a) y MOSFET (b).
e
d
en BJT, los parámetros del amplicador serían:
se
n
la
ZIN = hie
te
de
lu
RL //RQ //h−1
oe
AV = −hf e ·
os
hie
p
m
n
RL //RQ //h−1
m
.e
oe
AI = −hf e ·
o
RL
alu
m
C
ZOU T = RQ //h−1 (94)

c
oe
de
d
.u
a
y, en el caso de los MOSFET:

so
w
id
ZIN = ∞
u
w
rs
AV = −gm · RL //RQ //go−1

ra
w
e
Pa
iv
AI = −∞
:/
n
U
ZOU T = RQ //go−1
p
(95)
tt
Expresiones que, en el punto de operación, coinciden con las que aparecen al derivar las ecuaciones
h
DC no lineales.
En general, la facilidad de cálculo del punto de operación así como la sustitución de la resistencia
discreta RC por la resistencia RQ , que es generalmente mucho más alta, ha hecho que, en la mayoría
de los circuitos integrados, y en particular en los amplicadores operacionales y comparadores, los
subcircuitos amplicadores suelen estar polarizados con fuentes de corriente en lugar de resistencias.
Otra ventaja adicional consiste en el menor espacio que suele ocupar un transistor respecto a una
resistencia. No obstante, esto no es óbice para que sea posible encontrar resistencias en los esquemas

de diversos dispositivos.
5. Circuitos amplicadores con varios transistores

Los circuitos mostrados en páginas anteriores muestran estructuras en las que, utilizando en su
núcleo un único transistor, puede conseguirse la amplicación deseada. Asimismo, es posible calcular
una serie de parámetros característicos del amplicador como las impedancias de entrada y salida.
Para mejorar las características de dichas estructuras existe la posibilidad de utilizar dos o más
transistores. Así, es posible que deseemos construir un amplicador en el que se quiera aumentar
d
la impedancia de entrada sin disminuir la ganancia. En un amplicador de emisor común como el
ri
descrito en apartdos anteriores, aumentar la impedancia de entrada puede conseguirse disminuyendo
d
hie pero esto implica, forzosamente, una disminución de AV aunque no de AI . ¾Cómo podemos
a
M
resolver este problema?
La solución está en el uso combinado de dos o más transistores. Así, es común encontrar es-
e
tructuras que mejoran las características de los transistores individuales y que se estudiarán en este
d
apartado. Estas estructuras son:
se
1. Conguración Colector Común - Emisor Común (CC-EC)
n
la
te
de
2. Conguración Darlington
lu
os
p
3. Conguración Cascode
m
n
s
m
.e
4. Conguración Cascode Activa

o
alu
m
C
Las dos primeras estructuras se caracterizan por recrear un transistor con una ganancia en corriente
c
de
d
.u
muy alta, una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida sin modicar. Como
a
su objetivo básico es aumentar la impedancia de entrada, su uso no tiene sentido en tecnologías

so
w
id
u
CMOS por lo que nos centraremos en el caso de los transistores bipolares. En cambio, las tercera
w
rs
ra
y cuarta estructuras no modican ni la impedancia de entrada ni la ganancia en corriente pero

w
e
Pa
iv
aumentan espectacularmente la impedancia de salida. Por ello, se suelen utilizar tanto en tecnologías
:/
n
CMOS como bipolares. Hay que decir, además, que la cuarta estructura suele utilizarse más bien en
U
tecnología CMOS por razones que se mostrarán en su momento.

tt
La estrategia que se va a utilizar en estos apuntes consistirá, simplemente, en suponer que el

h
conjunto equivale a un transistor simple con nuevos parámetros de entrada. Estos parámetros se
calcularán a partir de las deniciones del modelo bipuerta estudiado en los temas anteriores.
5.1. Conguración Colector Común - Emisor Común (CC-EC)

Esta estructura se muestra en Fig. 37 utilizando transistores NPN aunque puede recrearse fácil-
mente una conguración similar utilizando PNPs. En esta estructura, un primer transistor recibe la
corriente de entrada a través de la base y, amplicada, llega a la base del segundo transistor. Ahí

Figura 37: Par CC-CE construido con NPNs.
d
ri
d
a
M
e
d
Figura 38: Equivalente en pequeña señal del par CC-CE.
se
n
la
vuelve a ser amplicada de tal modo que la corriente de salida, en el colector del segundo transistor,
te
de
ha sido amplicada 2 veces.

lu
En esta estructura, hay que reseñar dos hechos importantes. Por un lado, se ha añadido una
os
p
5
RX ,
m
n
resistencia opcional, que en algunos casos puede ser una fuente de corriente para conseguir
s
m
.e
que el transistor 1 no esté nunca en corte. No es obligatorio incluirla aunque, en la práctica, la mayor
o
alu
m
C
parte de los dispositivos reales contienen una resistencia de este tipo. Por otra parte, como estamos
c
considerando que la entrada del conjunto es la base del transistor equivalente y la salida el colector,
de
d
.u
a
es obvio que tenemos que el modelo en pequeña señal equivalente debe estar en conguración de
so
w
id
emisor común.
u
w
rs
El modelo en pequeña señal de estos dispositivos se muestra en Fig. 38. En esta estructura, el
ra
w
e
transistor 1 se ha sustituido por su equivalente en colector común y el 2 en emisor común. Dado

Pa
iv
que las corrientes de polarización de ambos transistores son distintas, se mantendrá el subíndice
:/
n
U
asociado a cada transistor en los cálculos que siguen. Por otra parte, se ha supuesto que el emisor
p
tt
del transistor 2 está conectado a tierra como suele ocurrir de modo habitual pues suele unirse a
h
tierra o a la alimentación más negativa del circuito. Finalmente, se han añadido unas hipotéticas
fuentes externas, vb1 y vc2 , necesarias para calcular los parámetros del modelo bipuerta.
Analizando este circuito, es fácil llegar al siguiente conjunto de ecuaciones:
vb1 = hir1 ·ve1 + hic1 ·ib1 ≈ ve1 + hic1 ·ib1

5 En algunos amplicadores operacionales como el LM124, existe una estructura CC-CE en la etapa de ganancia
en la que el rol de RX lo desempeña un transistor NPN con base en abierto.

ve1 = −hf c1 · h−1

oc1 //R X //hie2 ·ib1
ve1
ib2 =
hie2
ic2 = hf e2 ·ib2 + hoe2 ·vc2
Calculemos ahora los parámetros del transistor equivalente. Recordemos que, de acuerdo con el

vb1
modelo bipuerta, hie,CC−CE = ib1
. Combinando las dos primeras ecuaciones, se deduce que:
vc2 =0
hie,CC−CE = hic1 − hf c1 · h−1 −1

oc1 //RX //hie2 = hie1 + (1 + hf e1 ) · hoe1 //RX //hie2 (96)

ic2
d
Por otra parte, hf e,CC−CE = ib1
con lo que:
vc2 =0
ri
d
h−1 h−1

oc1 //RX //hie2 oe1 //RX //hie2
a
hf e,CC−CE = −hf e2 ·hf c1 · = hf e2 · (1 + hf e1 ) · (97)
M
hie2 hie2

e
ic2
y, nalmente, hoe,CC−CE = vc2
cuyo valor es, simplemente, hoe2 . En conclusión, si jamos la
d
vb1 =0
corriente de colector del transistor 2, la impedancia de salida no varía respecto a la de un transistor
se
discreto. Sin embargo, la ganancia en corriente aumenta considerablemente pues, en general, hie2 =
n
hF E2 ·N ·VT
RX , h−1 hf e,CC−CE ≈ hf e2 · (1 + hf e1 ).
la
IC2
<< oe1 con lo que Por otra parte, la impedancia de
te
entrada también se dispara ya que

de
lu
N ·VT N ·VT N ·VT

os
p
hie,CC−CE ≈ hie1 + (1 + hf e1 ) ·hie2 = + (1 + hf e1 ) · = · [hF E1 + 2 + hf e1 ]

IB1 IB2 IB2
m
n
s
m
.e
o
alu
IE1 IB2
Puesto que IB1 = ≈ . Con lo que, en otras palabras, aumenta la impedancia de
m
C
hF E1 +1 hF E1 +1
entrada del transistor 2 un factor del orden de 2·hF E1 .
c
de
d
.u
a
5.2. Conguración Darlington

so
w
id
u
w
rs
También conocida como par Darlington . En este caso, la estructura queda recogida en Fig. 39.
ra
w
e
Pa
La principal diferencia con la conguración CC-CE consiste en que el colector del transistor 1 no se
iv
/
:/
conecta a la alimentación sino al otro colector. En estas circunstancias, el equivalente en pequeña

n
U
señal será el mostrado en Fig. 40.

tt
En esta estructura, se han utilizado los modelos en emisor común de ambos transistores. Por
h
otra parte, se ha supuesto que, como es el nudo de referencia, el emisor 2 es la tierra del circuito.
Finalmente, se ha supuesto que la corriente ic2 es la que proporciona la fuente vc2 y no la que
atraviesa el colector del transistor 2. Analizando el circuito en pequeña señal, surgen las siguientes
ecuaciones:
vb1 = ve1 + hie1 ·ib1

−1
(hf e1 + 1) ·ib1 + hoe1 · (vc2 − ve1 ) = ib2 + RX ·ve1

d
ri
d
a
Figura 39: Par Darlington construido con NPNs.
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
Figura 40: Equivalente en pequeña señal del par Darlington.

ve1
ib2 =
hie2
ic2 = hf e1 ·ib1 + hoe1 · (vc2 − ve1 ) + hoe2 ·vc2 + hf e2 ·ib2
Si suponemos que vc2 = 0 en estas ecuaciones, es posible averiguar hie,D y hf e,D a partir de las
versiones simplicadas de las ecuaciones:
hie,D = hie1 + (hf e1 + 1) · hie2 //RX //h−1

oe1 (98)
Expresión equivalente a la del par CC-CE. La ganancia en corriente es, en este caso, de valor:
hie2 //RX //h−1

d
oe1
hf e,D = hf e1 + (hf e1 + 1) · (hf e2 − hoe1 ·hie2 ) · (99)
ri
hie2
d
a
Esta ganancia es, aproximadamente, el cuadrado de la ganancia en corriente de un transistor sencillo.
M
Finalmente, si suponemos vb1 = 0, podemos calcular la impedancia de salida del transistor original.
Sin embargo, la expresión que se obtiene es muy complicada y no diere demasiado de la que tendría
e
d
el transistor 2 aislado y polarizado en las mismas condiciones. Por ello, podemos concluir que esta
se
estructura tiene un comportamiento similar al par CC-CE.
¾Cuál de los dos es mejor? El par Darlington presenta una ventaja sobre el otro. No depende
n
la
te
de una fuente de alimentación externa por lo que pueden construirse de modo sencillo y utilizarlos
de
lu
como componentes discretos. Así, es común el uso de pares Darlington discretos en aplicaciones
os
p
de potencia ya que pueden dar corrientes bastante altas. El problema de los Darlington, que no
m
n
afecta a la otra conguración, es el efecto Miller. Cada transistor del par aporta una pareja de
m
.e
o
capacidades parásitas que afectan al comportamiento en frecuencia. Este hecho se ve agravado en

alu
m
C
los pares Darlington, en los que la ganancia en tensión de la salida multiplica el valor efectivo de las
c
de
d
capacidades parásitas de los dos transistores. A mayor capacidad efectiva, más lenta es la respuesta.
.u
a
Esto no aparece en el par CC-CE en los que la ganancia en tensión solo afecta a la segunda etapa.
so
w
id
u
w
rs
5.3. Conguración Cascode

ra
w
e
Pa
iv
También llamada Emisor Común - Base Común . A diferencia de los dos anteriores, su objetivo
:/
n
U
es aumentar la impedancia de salida y no tanto afectar a la impedancia de entrada o a la trascon-

p
tt
ductancia. Por ello, estas estructuras también tienen interés en tecnologías CMOS. Hay que reseñar
h
nalmente que los principios básicos de funcionamiento de las estructuras cascode se remontan a
los primeros tiempos de la electrónica ya que se aplicaban a circuitos con válvulas de vacío. Así, la
primera patente data de 1939.
Todos las conguraciones cascode necesitan una fuente de tensión constante intermedia entre
los valores de las alimentaciones para funcionar correctamente. El modo en que se consigue esta
fuente de tensión depende de cada diseñador.

Figura 41: Par cascode construido con NPNs.
d
ri
d
a
M
Figura 42: Equivalente en pequeña señal del par cascode con transistores bipolares.
e
d
5.3.1. Tecnología bipolar
se
n
la
En tecnología bipolar, un par cascode típico es el mostrado en Fig. 41. Esta estructura, que
te
solo puede tener transistores de un mismo tipo, utiliza transistores NPN en zona activa directa.
de
lu
Su equivalente PNP es inmediato. Se ha supuesto que el emisor está a tierra, que la entrada es
os
p
la base del primero y la salida el colector del segundo. Por ello, debemos buscar el equivalente del
m
n
s
m
VQ
.e
par completo con forma de emisor común. Hay que señalar, asimismo, que la tensión debe ser
o
alu
2·Vγ
m
constante y mayor que para permitir que ambos transistores estén en ZAD.
C
En pequeña señal, esta estructura se transforma en el circuito de Fig. 42. Se ha reemplazado

c
de
d
.u
el transistor 1 por su equivalente en pequeña señal con emisor común y el 2 con su equivalente
a
so
w
id
con base común. Asimismo, se añaden dos fuentes de tensión cticias para calcular los parámetros
u
w
rs
bipuerta. Analizando el circuito, surgen las siguientes ecuaciones:

ra
w
e
vb1
Pa
iv
ib1 =
hie1
:/
n
U
ve2 = −hf e1 · hib2 //h−1

oe1 ·ib1
tt
ve2
h
ie2 =
hib2
ic2 = hf b2 ·ie2 + hob2 ·vc2
Las ecuaciones que han surgido son muy sencillas y nos permiten deducir que

vb1
hie,CAS = = hie1 (100)
ib1 vc2 =0

hib2 //h−1

ic2 oe1
hf e,CAS = = −hf b2 ·hf e1 · (101)
ib1 vc2 =0 hib2

ic2
hoe,CAS = = hob2 (102)
vc2 vb1 =0
Recordemos ahora que, si reexpresamos los parámetros de los dos últimos en función de los de la
conguración de emisor común, obtenemos:

hib2 //h−1
hie2
//h−1

oe1 hf e2 1+hf e2 oe1
∼ hf e2
hf e,CAS = −hf b2 ·hf e1 · = hf e1 · ·
hie2 = hf e1 · (103)
hib2 hf e2 + 1 1+hf e2
hf e2 + 1
d
ri
hoe2
hoe,CAS = hob2 = (104)
d
hf e2 + 1
a
En otras palabras, ni la ganancia en corriente ni la impedancia de entrada se han visto signicativa-
M
mente afectadas. Sin embargo, la impedancia de salida de un transistor simple ha sido multiplicada
e
por un factor 1 + hf e2 . Si deseáramos aumentar aún más la impedancia de salida podría ponerse
d
un nuevo transistor en conguración cascode con el transistor 2. Evidentemente, tendría que tener
se
una tensión de polarización de la base, VQ2 superior a VQ
para que todos los transistores estén en
n
hf eX
la
ZAD. Cada nueva etapa reduce la ganancia un factor , apenas perceptible, pero aumenta la
hf eX +1
te
1 + hf eX
de
impedancia de salida un factor respecto a la versión con un transistor cascode menos.

lu
os
p
5.3.2. Tecnología CMOS

m
n
s
m
.e
o
El principio de construcción es exactamente el mismo que en el caso de las tecnologías bipolares.

alu
m
C
Fig. 43 muestra el par típico en esta tecnología, construido con transistores NMOS. Obviamente,
c
ID2 ≡ IDS2 = IDS1 .

de
La tensión de polarización, VQ , debe ser tal que ambos transistores estén en

d
.u
a
saturación. Para ello, es necesario que:

so
w
id
u
w
rs
VQ > VIN + (VT H,1 − VT H,2 )

ra
w
e
Pa
iv
No puede aceptarse que ambas tensiones umbral sean las mismas debido al efecto sustrato pues
:/
n
VSB,1 = 0 pero VSB,2 = −VD1 en el caso de los circuitos integrados. El equivalente PMOS es
U
sencillo de construir pues, simplemente, hay que invertir la posición de los transistores, conectar la
tt
fuente del 1 a la alimentación positiva e invertir el sentido de ID2 .

h
El equivalente en pequeña señal de esta estructura es el mostrado en Fig. 44. Hay que tener en
cuenta una serie de puntos:
Se han incorporado las fuentes de alimentación cticias vg1 y vd2 para calcular los parámetros
de la estructura equivalente.
Estrictamente, los transistores pueden tener distintas dimensiones con lo que se necesita pre-
cisar a qué transistor pertenece cada parámetro.

Figura 43: Par cascode construido con NMOS.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
Figura 44: Equivalente en pequeña señal del par cascode con transistores MOS.
de
lu
os
p
La fuente del transistor 1 está conectada directamente a la tensión más negativa del circuito.
m
n
Por tanto, no existe posibilidad de efecto sustrato y gmb1 desaparece. Por el contrario, sí puede
m
.e
o
ocurrir efecto sustrato en el segundo transistor.

alu
m
C
La tensión vgs2 = vg2 − vs2 = 0 − vd1 = −vd1 y como tal se ha incluido en el dibujo.
de
d
.u
a
Las ecuaciones que regulan este circuito son:

so
w
id
u
w
rs
id2 = gm1 ·vg1 + go1 ·vd1

ra
w
e
Pa
iv
id2 + (gm2 + gmb2 ) ·vd1 = go2 · (vd2 − vd1 )

:/
n
U
Estas ecuaciones deben permitir sacar los parámetros de la estructura equivalente. Ocurre que la
tt
fuente de esta estructura equivalente está unida a tierra (o a la tensión más negativa del circuito).
h
Por tanto, carece de efecto sustrato y gmb,CAS = 0. Los otros parámetros se calcularían como sigue:

id2 go1
gm,CAS = = gm1 · 1 − (105)
vg1 vd2 =0 go1 + go2 + gm2 + gmb2

id2 go1 ·go2
go,CAS = = (106)
vd2 vg1 =0 go1 + go2 + gm2 + gmb2

En general, goX << gmX . Por ejemplo, en un transistor con una transconductancia β = 0,1 mA
V²
,

Figura 45: Estructura cascode activo construida con NMOS.
un coeciente de modulación de canal de valor λ = 0,05 V −1 y polarizado con una corriente IDS =
d
√
100 µA, gm = 2·β ·IDS ≈ 0,14 mA y go = λ·IDS = 0,005
mA
ri
los valores de los parámetros serían .
V V
d
Esto implica que, en la mayor parte de los casos, la impedancia de salida de la celda cascode, de
a
valor
M
1 −1 −1 −1 gm2 + gmb2
ZOU T,CAS = = go1 + go2 + go1 ·
go,CAS go2
e
d
es aproximadamente igual a la impedancia de salida del transistor 1 multiplicada por un factor
√
se
gm2 + gmb2 2·β2 · (1 + γ)
= √ >> 1
n
la
go2 λ2 · IDS
te
de
gmb2
donde γ = ∼ 0,1 − 0,3. Por otra parte, dado que es muy sencillo construir tensiones de
lu
gm2
os
referencia en tecnología CMOS, pueden apilarse con facilidad más niveles cascode por encima del
p
m
n
transistor 2 aumentando de este modo el valor de la impedancia de salida. Estas estructuras son la
m
.e
o
base de los amplicadores telescópicos, ampliamente desarrollados en tecnología CMOS.

alu
m
C
5.4. Conguración Cascode Activo

de
d
.u
a
so
w
id
Una modicación de la estructura cascode, fácilmente realizable en tecnologías CMOS, es el

u
w
rs
cascode activo . En esta estructura, el transistor cascode no se polariza con una tensión directa-
ra
w
e
mente sino utilizando un amplicador operacional con ganancia diferencial AD (Fig. 45). La entrada
Pa
iv
se encuentra en la puerta del transistor 1 y la salida es la corriente de drenador-fuente, común a

:/
n
ambos transistores.
U
La elevadísima impedancia de salida de esta estructura puede deducirse de modo cualitativo.

tt
Fijémonos que la tensión VD1 ≈ VQ y que es prácticamente constante independientemente de la

h
carga que se conecte a la salida. En otras palabras, el transistor 1 está aislado del resto del circuito
lo que, a efectos prácticos, es equivalente a decir que tiene una impedancia de salida elevadísima.
Para dar un valor exacto, planteemos el circuito equivalente en pequeña señal recordando que la
tensión VQ no varía y que las únicas variaciones en la puerta del transistor 2 provienen de las de VD1 ,
amplicadas a través de AD . De este modo, obtenemos la estructura de Fig. 46. Las ecuaciones que
gobiernan este circuito son:

d
ri
Figura 46: Equivalente en pequeña señal de la estructura cascode activo con transistores MOS.
d
a
M
id2 = gm1 ·vg1 + go1 ·vd1
e
vgs2 = −AD ·vd1 − vd1 = − (AD + 1) ·vd1
d
se
id2 + gmb2 ·vd1 = gm2 ·vgs2 + go2 · (vd2 − vd1 ) = −gm2 · (AD + 1) ·vd1 + go2 · (vd2 − vd1 )
n
la
Sin embargo, estas ecuaciones son formalmente similares a las obtenidas en el Apartado 5.3.2
te
de
sustituyendo gm2 → gm2 · (AD + 1). Por tanto, los parámetros de esta estructura pueden inferirse de
lu
Eq. 105 y 106 haciendo un cambio similar:

os
p
m
n

id2 go1
m
.e
gm,CAS = = gm1 · 1 − ≈ gm1 (107)

o
vg1 vd2 =0 go1 + go2 + gm2 · (AD + 1) + gmb2

alu
m
C

de
id2 go1 ·go2 go1 ·go2

d
.u
go,CAS = = ≈ (108)
a
vd2 vg1 =0 go1 + go2 + gm2 · (AD + 1) + gmb2

gm2 · (AD + 1)
so
w
id
En consecuencia, la transconductancia equivalente es la del primer transistor y la impedancia de

u
w
rs
ra
salida, la del cascode simple multiplicada por la ganancia del amplicador operacional si se desprecia
w
e
Pa
iv
el efecto sustrato (gmb = 0).

/
:/
n
Esta estructura tiene dos desventajas: Una, el comportamiento en frecuencia. Los cascodes son
U
muy populares debido a su magníco comportamiento en frecuencia pero, al introducir el amplicador

tt
operacional, se puede reducir grandemente el ancho de banda. Por otra parte, la inserción de un
h
amplicador operacional en un circuito integrado puede ser costosa desde el punto de vista de espacio
requerido. Por ello, esta técnica no tiene éxito en tecnologías bipolares aunque sí en tecnologías
CMOS. En estas tecnologías, la salida del amplicador operacional no debe suministrar corriente ya
que ataca la puerta de un MOSFET. Por tanto, el amplicador operacional puede reducirse a un
6
simple par diferencial que consta de, al menos, 5 transistores pero no muchos más .
6 La facilidad de uso de pares diferenciales como amplicadores operacionales ha hecho que estos sean muy
populares en tecnologías CMOS. Pongamos por ejemplo los casos de las etapas de salida, los circuitos S/H, los
circuitos de capacidades conmutadas, etc., que se verán en temas posteriores.

En cambio, en tecnologías bipolares, sí sería necesario construir un amplicador operacional
típico ya que la impedancia de entrada del transistor es relativamente baja. Esto implica el uso de
varias decenas de transistores lo que desaconseja el uso de estas estructuras en estas tecnologías.
Sin embargo, éste no es el problema más importante. Conceptualmente, un FET es una fuente
de corriente controlada por tensión. En cambio, un bipolar es una fuente de corriente controlada
por corriente. Esto podría parecer una nimiedad pero eso implica que, en el equivalente bipolar de
Fig. 46, habría que añadir una resistencia nita entre la base (vg2 ) y el emisor (vd1 ).Y esto no
es una modicación mínima ya que introduce cambios signicativos en las ecuaciones que tienen
como consecuencia que la resistencia de salida no se multiplique por la ganancia del amplicador
operacional sino, simplemente, por la ganancia en corriente del transistor cascode. En otras palabras,
d
ri
no aparecen ventajas de ningún tipo frente al par cascode simple.
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h

04 Amplificadores Entrada Simple PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

04 Amplificadores Entrada Simple PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE

Francisco J. Franco Peláez

Apuntes para uso en la asignatura Electrónica Analógica, impartida en la Ingeniería Superior

Electrónica en la Facultad de Físicas de la Universidad Complutense de Madrid.

1.2. Parámetros característicos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2. Inserción de la pequeña señal 9

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos 12

3.2. Conguración de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.1. Conguración de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.2. Conguración de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.3. Conguración de base/puerta común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3.3.1. Conguración de base común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . . 26

3.3.2. Conguración de base común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . . 27

3.3.3. Conguración de puerta común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . 29

3.3.4. Conguración de puerta común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . 31

3.4. Conguración de colector/drenador común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.4.1. Conguración de colector común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 33

3.4.2. Conguración de colector común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 35

3.4.3. Conguración de drenador común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 36

3.4.4. Conguración de drenador común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 39

4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente 40

5. Circuitos amplicadores con varios transistores 44

5.2. Conguración Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

5.3. Conguración Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

5.3.1. Tecnología bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

5.3.2. Tecnología CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 2

5.4. Conguración Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 3

1. Nociones generales sobre amplicadores

veces la tensión aplicada a la entrada.

magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

de funciones suelen ser fácilmente realizables con amplicadores operacionales.

en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.

3. Gran señal / pequeña señal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 4

equivalentes en pequeña señal y volviendo a resolver el nuevo circuito. Aplicando el principio

estos circuitos se llaman amplicadores de pequeña señal .

VOS = VOU T (0) (3)

y la salida es del tipo

VOU T = VOS + K1 ·VIN + K2 ·VIN + K3 ·VIN + K4 ·VIN + ... (4)

simplemente, K1 , o bien denir la ganancia en torno al punto de operación como

Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la aparición de

en un amplicador lineal. La salida que se obtendría sería:

VOU T = VOS + K ·VA · sin (ω ·t)

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 5

de esta simplicación que, por lo normal, son muchísimos más simples.

5. Amplicadores de tensión, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categorías como se muestra en Tabla 1. En

como, por ejemplo, la impedancia que carga la salida.

1.2. Parámetros característicos de los amplicadores

1 Elalumno debe recordar que sin2 (x) = 1−cos(2 x)

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 6

Entrada Salida Nombre Ganancia

de entrada y la ganancia es con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

la entrada es IIN y la ganancia es un número puro. Si el amplicador es un transconductor, la señal

de control es la tensión de entrada y la ganancia es GM , o transconductancia , que se mide en

La impedancia de salida requiere un tratamiento aparte. En principio, se introduce porque toda

Electrónica Analógica Ingeniería Superior en Electrónica 7

permaneciendo invariable el valor de ZOU T . Análogamente, el circuito de Fig. 1b se transforma en

GR = ZOU T ·AI (9)

Apuntes para uso en la asignatura Electrónica Analógica, impartida en la Ingeniería Superior

1.2. Parámetros característicos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos 12

3.2. Conguración de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.1. Conguración de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.2. Conguración de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.3. Conguración de base/puerta común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3.3.1. Conguración de base común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . . 26

3.3.2. Conguración de base común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . . 27

3.3.3. Conguración de puerta común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . 29

3.3.4. Conguración de puerta común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . 31

3.4. Conguración de colector/drenador común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.4.1. Conguración de colector común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 33

3.4.2. Conguración de colector común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 35

3.4.3. Conguración de drenador común a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 36

3.4.4. Conguración de drenador común a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 39

4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente 40

5. Circuitos amplicadores con varios transistores 44

5.2. Conguración Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

5.3. Conguración Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

5.4. Conguración Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

1. Nociones generales sobre amplicadores

magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

de funciones suelen ser fácilmente realizables con amplicadores operacionales.

en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.

3. Gran señal / pequeña señal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de

estos circuitos se llaman amplicadores de pequeña señal .

simplemente, K1 , o bien denir la ganancia en torno al punto de operación como

Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la aparición de

en un amplicador lineal. La salida que se obtendría sería:

de esta simplicación que, por lo normal, son muchísimos más simples.

5. Amplicadores de tensión, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categorías como se muestra en Tabla 1. En

1.2. Parámetros característicos de los amplicadores

de entrada y la ganancia es con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

la entrada es IIN y la ganancia es un número puro. Si el amplicador es un transconductor, la señal

de control es la tensión de entrada y la ganancia es GM , o transconductancia , que se mide en

Figura 2: Inserción de una fuente de tensión a un amplicador de corriente.

corriente aunque, en general, se puede suponer cualquier otra conguración.

AV , llamada ganancia en tensión

Esto nos permite denir una nueva ganancia en tensión, distinta de

sobre la tensión de fuente , de valor:

la corriente de base y transmitir esta perturbación, amplicada, a la corriente de colector. Así, se

2. Realimentación: Muchos amplicadores diferenciales sacrican una entrada para conectarla a

itivos en los que existen amplicadores operacionales integrados.

operación, se denominan condensadores de bloqueo .

El problema de usar condensadores de paso y de bloqueo es que estamos sacricando la capacidad

Un tercer grupo de condensadores son los condensadores de desacoplo como C4 . Se colocan

3.1. Conguración de emisor/fuente común

Figura 6: Equivalente en pequeña señal del amplicador en emisor común. Se ha eliminado RE y no

en Fig. 6. En su lugar, es necesario hacer unas pequeñas modicaciones:

fuertemente de la resistencia de carga. En conclusión, este dispositivo funciona como un amplicador

demasiado de IC . Análogamente, en un amplicador de tensión, la salida completa (VOU T,Q + vout )

Figura 9: Equivalente en pequeña señal del amplicador en fuente común.