ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

Elaborado por: MarlonPaúl Apolo Quishpe

TIPOS DE MEMORIA:

No volátiles Volátiles
Usadas para almacenar información Contienen datos temporales los cuáles se borran
que se mantiene incluso si se va la cuando la energía se va.
energía.
ROM(Read Only Memory): RAM(Random Access Memory):
Memoria programada de fábrica y solo
de lectura.
PROM(Programable ROM)
Memoria programable usa sola vez. Posee Flip − Flop
EPROM(Erasable Programable ROM) Estatic RAM(SRAM) { Rápida
Memoria programable que puede ser No necesita refresco
borrada con luz UV. RAM
EEPROM(Electrically Erasable
Programable ROM) Posee capacitores y tbjs
Memoria programable cuyo borrado es Dinamic RAM(DRAM) { Lenta
{ Necesita refresco
de forma eléctrica.
NVRAM
Memoria RAM más batería, su vida
depende de la batería

Si uP es de 120 ns y la memoria es de 60 ns entonces son compatibles.

Si uP es de 60 ns y la memoria es de 120 ns entonces no son compatibles.
Pasos para escribir datos en la memoria:
1. Proveer una dirección.
2. Activar chipset.
3. Envío datos de escritura.
4. Activo el escribir.
Pasos para leer datos en la memoria:
1. Proveer una dirección.
2. Activar chipset.
3. Activar el leer.
4. Obtengo datos de lectura.
 ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
Elaborado por: MarlonPaúl Apolo Quishpe

RAM 6116 EPROM 2732

 RAM Estática(SDRAM)  UV EPROM
 (2K x 8)= 2048 direcciones x 8 bits  (4K x 8)= 4096 direcciones x 8 bits
 n=11 líneas para bus de dirección  n=12 líneas para bus de dirección
 ̅̅̅̅̅ escribe datos en la memoria
WE  ̅̅̅̅̅̅̅̅̅ lee datos en la memoria
G/Vpp
 ̅̅̅̅
OE lee datos en la memoria  ̅ selecciona chip de memoria
E
 ̅̅̅
CS selecciona chip de memoria  ̅̅̅̅̅̅̅̅̅
G/Vpp, E ̅ activos con nivel de voltaje
 ̅̅̅̅̅
WE,OE ̅̅̅̅, ̅̅̅
CS activos con nivel de voltaje bajo
bajo  Contiene 8 bits de datos
 Contiene 8 bits de datos

LATCH 74LS373 O 74LS374:

 Formado por FF tipo D.
 Conecta bus de datos con los LED.
 Datos de entrada y salida 8 para cada uno.
 LE toma datos de entrada para retenerlos, activo con nivel alto de voltaje.
 ̅̅̅̅ hace que los datos aparezcan en el bus, activo con nivel bajo de voltaje.
OE

BUFFER 74LS244:
 Buffer de 3 estados.
 Conecta los interruptores hacia el bus de datos.
 ̅ permite que se lean los interruptores
G
 Para datos de entrada se usa la letra A y para datos de salida la letra Y.
̅ ←2
Activado por 2G A 3→ 3er Buffer
Entrada