borvorrerrrrrrrrrrrrrr L@CCLON 0 Los semiconductores y el diodo El descubrimiento y utlizaci6n de los semiconductores,trajo como consecuencia una verdadera revolucion en la electrénica, pues con éstos se logré obtener un mayor rendimiento en los circuitos electrénicos y la miniaturizaci6n de los mismos, Hoy por hoy no ‘existe ningun circuito ni sistema electrénico que no los utilice Entre los principales dispositivos semiconductores se encuentran los diodos, os transistores y los circuitos integrados, entre otros,Componentes <44dede dad ed cadet eeeeeneas Antse de estudiar lo componentes semiconduc- ‘ores vamos aanalzar la estructura atémica de los materiale bisicor con los cuales se abrean Recordemae que todos lor materiale en na turaleza pueden csifcarse de acuerdo asu com- portamiento ante la corrience eléctriea De esta forma pueden clsfiarse en tres grupos:eonduc- ‘ores, aslantes y semiconductores Los conduc ‘ores son aquelos materiales que permiten el paso dela correnteeltctrica con fcildad mientras que ‘por el contrario, oe alslantes impiden el paso de Tamia, Ere estas dos clasfiaciones existe una ‘ercera.a ella pertenecen aquellos materiales que pueden comporiarse indistinamente como cor- ARATE,‘ns en ln capa de valencia. Asi se produce un patrén_tridi ‘mensional lsmado red erstall- nhac eristal Figura 9. Uncrsal semiconductor pur, ‘como el descrio arcerormente, se comport comoaisanteatem- peraturascereanasal cro absolu- ‘to.Se erbargoa medida que aur ‘menea la temperatura la ageacon térmica hace que aigunos elecro- es de valenea rompan los enl- 2s que los mancenen unidos al crisaly se convertan en electrons lites, perm ‘endo ta ccucin de correntes electrics. PRICE: > cars Joe excvsnes voce ‘ransportar corrintessignficaivas:dichos crista- les.reciben el nombre de semiconductores in- trinsecos. Ena rictca, los materials 5 occores utilizar en a fabriccion de ods. slstores circuits integrados etc, estan de es decir.contienen unas cantidades muy pequet pero controladas. de impurenas Imad. tes que on as que determinan ts caractarie ‘mania el arséicoy e fosfora En la igura 9.4 cobsena a estructura atémica de estos elementos.gare 95. Seid op Los semiconductores dopados con impurezas ‘uvalences se derominan semiconductores tipo Py se caractrizan porque en ellosos tres electro- ‘es del itomo dopante forman enlaces con lo 4t0- ‘mes de! cristal puro. completando soo sete elec. trones de valenca. figura 9.5. El cleceron fatante produce un hueco el cual ‘se comporta como una carg posiva libre, capaz dd atraer un electron externo, Por Io tant, un semiconductor tipo Pes un aceptor de electrones Lot principales elementorwilizados como impur rezasaceptoras son ol aluminio,el boro el indo y ol galio. En la figura 9.6 so observa la estructura admica de estos elementos. Debido ala adicién deimpurezas.un semicon- Aucor tip Nene mis electrones bres que hue- Componentes «cceceeeaeaceceeeeeeeeeeeeeeeeeeees 08 y un semiconductor tipo P més huecos que clectrones. Las eargas en exceso se denominan portadores mayoritarios y las caryas en dei Ciencia portadores minoritarios, Por lo tanto, en un semiconductor tipo N los portadores mayorcarios son los electrones y los portadores minoritaries son los huecos. De otra forma,en un semiconductor tipo Flos portado- res mayoritarios son los huecos y los poreadores ‘minoritaries son los eletrones. ‘Cuando se aplca un voltae aun semiconduc- tor tipo N 6 Pel resultado os la circulacion de ‘una corriente relatvamente grande através de 61 dos, televisores, sistemas de sonido, de comuni- ‘aciones, computadoras, ete. A los semiconduc- ‘ores también se ls lama dispositivos en es- ‘ado sélido (sold state devices). Breve historia Les primeros descubrimlentos sobre las propie- ddades expeciales semiconductoras de algunos ma- Ceriales,como el selenio.seremontan al ano 1876, ‘mucho antes de los tubos de vaci. El principio bisico de funclonamiento del diodo fue enunci= > ee Figura 9.85 as testo RICAT » 6130 (061166 siecetnice basice a 99. Piao et ea spec ice sible 440 por primera vez por Thomas Alva Edison en 1884 y fue lamado «Efecto Eason» Sin embargo, ‘este gran inventor no lo utilz6 en ningun de sus aparatosy seg este descubrimiento se fabricd fen 1905 el primer tubo de vacio lamado diode {lode en inglés y que quiere decir edos electro- 4050 dos terminals») Suiavencion see atribue yea Si ohn Ambrose Fleming (1849-1945), figue 299. coya principal apliacion era servir come, rectifcador 0 como detector, a decir para con- vertir corriente alterna (CA) en corviente cont rua (CC).0 para converci las seals débiles de radiofrecuenca recibidas dels emisoras en vol- tajes de corriente continua, para manejar otros cireuitos y generar el sonido correspondiente a las mismas en um parlance, Es en esta época cuan- do se sefala la fecha de nacimlento de la era ‘moderna de a electrériea la cual acaba pli el primer sign * ‘Algunos dodos semiconducroresprmiwos se {abricaron con crisal de galena(sufuro de plo- mo) y se uclizaron como detectores en los pri- meres radiorreceptores por allen el ho 1905, Luego, alrededor de los aos 1949 y 1950, se f- bricaron los primeros diodos con germane (Ge), material que no se comportaba muy bien con la ‘temperatura por lo que se utliz6 luego el slicio (5), que es e material mis utllzado en la actual dad para este proposito.El germanio se sigue uti lzando en algunos tpos de diodos que requieren ‘caracteristics especiales, se)Figure 9.10, Css de hs dosnt ype oe ao des Tipos de diodos Segin sv fabricaién fneionamlentoy earacterls= teas elecrias, ay diferentes pos de diodos los ‘cuales podriimos divdir en dos grupos prea les, Los mas comunes outlizadas en tado tpo de sparstos electroicos son:losdiodos rectieado- res.lo diodos LED y los lodos Zener ls otros. no kan camer, come: lot dodo liter, tunne Schott, PIN, Gunn y os fotediodos,gura a prin dl ge uj a company ag ete Componentes «444444 ad added eadaeeaenseneens (Cada uno de estas ups ‘lene au ver otras subd siones lo cual expliare- mos mas adelante Funcionamiento basico de los diodos ‘Antes de conti con descripcin de los diferen- tes tpor de dodo, muy importance y necesario, ‘comprendereémofunco- ra un diodo rectficedor en evo principio bisico se basan los dems, otros piopos —! Podemos decir que un diodo es una compuer- ta de una sola via, es decir, que solo deja pa- sar através de él la corriente eléctrica ofl jode electrones en un solo sentidojsi se api ‘la corriente en el sentido contrario,el dio do no conduce. Esto lo podemos enetender ‘mejor utlizanco la analogia de un canal de agua ‘con una compuerta especial como se muestra en figura 9. Teniendo en cuenta que la electrénica es la tecnologia que utiliza el control de fijo de los ectrones para manelar todo tipo de informa- én y otros efectos. como fa vor. magen, datos, movimientos, te este principio parece muy ele ‘mental sin embargoes a base de toda la electré- nat seta lg emp acmpuare 7 dbo Figure 9.1 8d es a campuet daa o as eecanes on are fll de ecrincsSsce > RCI.todo w Eemvetra basin — specie ao ee Fg 9.12Jumro PN 0 dodo ica moderna ya que un transistor est formado por dos diodos y un circulto integrado puede ‘ontener desde unos cients hasta varios millo- ‘es 6e transstores: por Io tanto el dodo es el elemento constrvcio bisico de toda la electro ‘lea y de ahi su gran irmportancia. Veamos ahora ‘cémo funciona un diodo: para explcarlo debe- ‘mot cetomar el tema de los materiales semicon- “ductores Py N visto anteriormente Hablamos dicho que estos materiales P y Nien {forma individual no tenia mucha spliecion pric: ‘oc, pero silos unimos se preducen fendmenos muy inceresantes. La juntura PN Un diodo es esencialmente la unién de un ma- terial tipo P con un material tipo N lo cual se ha llamado juntura PN. Conservando la no- rmenclatura de los antiguas diodos de vacio el ‘material P recibe el nombre de anode el cual 5 repreaoca com I era A ol material N Pe Zona de sgoumien Pen en ie AREER: > Core fo 4 cecviica bscs recibe el nombre de eétoda,representado con laletra € oK. Figura 9.12 En una unin de exta tipo, cuando el diodo no cts polrizado o conectado a una uence de vola- leshay incalmence un exceto de elactrones ene! lado N y un exceto de huecos ena ado PPor lo ‘ano,alunie dos eapas de material semiconductor, algun electrones del lado N son atraidos por sgunos huecos del lado Py viceversa,mediante un proceso de dfusin. En otras palabras, ocurre un endmeno similar al que sucede cuando se abre un frasco de perfume.Al abrir las moléuls dl aro- rma que extaban altamente conecentradas en elfras- 9 forman un vapor olorosoy se van mezclando © ‘fundiendo con las moléculs del aire en donde antes no esaban En fa juntra PN proceso de inereambio de carga continia hata que se forma entre ellos una barrera eléctrica de volaje que impide e! paso de tun gran namero de portadores mayoritarios de un lado a otro diehabarrera es limadh zona de ag0- tamiento (depletion zone) y tarda muy poco tem po cen formarse, Figura 9.13 ‘As en ii de a juts materi po N quia cargado potnamante ol matral po P _queda cargado negativamente creando una diferen-_ ‘ade poten pequea.per de ranimporanca, Enuna unién PN o diode de silicio ol poten- ial de la barvera es de pence 0,6, ‘mientras que en uno de germanio es de aproxi- madamente 0,3V. Las caracteristicas de la Ee Rents pucden controll poe am (0) Barer de poten ormade pdb bpp rrr rrrrrnnn b>bbee ere rernnnn olComponentes «<««+« Adana “V+ For 9.14 Pres en do @ Hiecos © Berens gue 915 Posacie dnc den oe se aplicando una diferencia de potenci © voltaje externo, lo que hace realmente Gell esta unién, Cuando tenemos este componente ysl 2p ‘ex un vole de corrientecontina (polarizaién, hnay doe posbilidades's el vote posiio se aplen al dnode ze dice que hay una polarizacin direc- ‘a yon l ato contrario,cusndo el volte posit vo se aplicaal eicodo, se establece una polariza- cién inversa. Polarizacién inversa Sse polarizainversamente ls unin PN.es decir si se aplica un vole externa, al come se indica en Is figura 9.14,el efecto dela barrra se intensif- ca debido a que el cerminal posivo dela fuente aac lo electrones del msteril tipo N y el polo regavo arae los huecos del material tpo P ha- endo mis ancha lazona de agotamiencoy a unién presenta una ala resistencia al paso de la corien- on Apic Conn eslecrones (a) pce dae ed ‘ce, comportindose como un aislante; solo unot pcos portadores minoritaricslogranatravesar a barre formando la donominada corrente de figs que es muy pequefia y que en muchos casos pric: Cuando el volta aplicado on forma invorsaau- meta hasta cierto valor, atta corviente se hace muy grande y destuye el diodo,lo que expliare- mos mas adelante Polarizacién directa Por el contrariesilaunién PN se poariza direct mente, ai come fe muctra en la figura 9.15, ls barrera se dismiouye ya que el polo posivo de a bateria repel ls huecos del material ipo Py su polo negativo repele los electrones del materia tipo Nehaciendo que atraviesen la uién. Bajo es- tas condiciones a unién PN presenta una resi tencia my baja al paso de la corriente, compor- tdndose come un conductor. ate fit de ncince See » NCATE:“Teoricamentelosdodos reifcadores deberan cor porarse coma interruptoresperfectos, es dec no ‘eberian permite! paso de ninguna corriene can ‘do esti poaradosinversimerte no deberan ore: ‘erringuna resistencia al paso de la misma cuando se ‘encuentran parades recente figura.16.Si embargo enl red se observan algunas craters ‘cas expecles que se lustran ena figura 9.17. La conducelén de polarizacién directa no er- pieza en OY, sino cuando se supera el voltaje de ‘umbral ols barera de potencial. Por esa razén, ‘este ura poqueta caida de vole ene diode cxan- do bate re encuentra polarzado drectamence.y cores wed od cada e porindo no es cor hay una pequefia corn CSmermeas to" | EAT: » 600 1401 4 setsca bes For lo anterior podemos deducir que un dodo se debe conecar en una sola forma, es decir es un ‘componente polartzado y se debe respetar la co ‘extn del anode y el ctodo en una determinada posicén, seg la tarea del iodo, lo cual estucia- remot mas adelante cuando veremos varios ci ‘cults en donde se uiizan estos components. Tipos de diodos Como ya lo vinos, exten vals tpos de diodes semicondstores Estos pueden csficarde scien doasus cancers elders aus aracterse ‘eas const cals determin a pli Cloner Las prncpale carsctricsalctrics son + Corriente maxima (I): eo valor maxi dela correntepromedio que pueden conduc fen polarizacin directa sin destruire por # brecalentamiento. Voltaje de conduccién directa (Vr): 0: valor de la caida de voltae en un dodo ser conductor polarzado diectamente, core sulido de a corrienee que crcua a través, A. Dicho valores ligeramente superior al nel momento de elgi el modelo mis spropiad para una area especfics, Procure no acorearse dComponentes <444dadaedd dada daddaeddans Baa potenca A =— otancia mata A i Potenca E if gure 9.18 Dede reste ‘masiado alo valores miximos.ya que puede ots: rrirun dao fécimente y con ello se reduce la vida {ol dl componente Identificacién de los diodos Les cos, en genera, se enfin mediante ura ‘eferenca 0 romendatura Para estas referencias hay ‘res sstomas:el american el europeo el japonés En el satema americana referencia consta del pre- fo IN segudo de un nimero de sere,por empl: IN4OO|. La N signa que se rata de un semicon ductor indica el nimero de uniones PN e 4001 las caracteritiaspropas dl disposiveen este caso ‘ra corrente de trabajo de | amperis yun volaje ‘de rupturs verso de 200 voli. En el stems et ropeo.o continental s usa un pref de dosletras, por ejemplo BY254, En este caso la lta B indica ol material ya elipa Estas rgls no sempre se cum- len ya que muchos fabrieants uilan sus propias Feferencas.E sistema japonésaiga el | como pri- mor digo para dodo, sequido dela letra $ yun mero que indica he caracteritiaeprepiae de exe iodo. Por ejerplo, 18922. En cuanto a su uso los tipos de diodos ms slizados son os diodosrecificadores.os bods Zener y ls diodos LED. Diodos rectificadores (rectifier diodes) ‘A esa fala pertenecen todos los dodos que han ‘io deefados expecimente para convertr CA en (CC yen ls fuentes de potencia pewer supple) line les Ese proceso selma recicacin y se ertadia {etaladaments onl secibn de teora.De acuerdo 3 ba porenca maneada (corriencey vole) ésos se Avion en diodes de sefaly diodos de poeencia. Lor ‘de sel o bas potenca son aquellos que manejan manos de | amperiy los de potencialos que traba- jan con correntes superiores a ampere. Bl encap- sulado de étos depende de a potencia que deben dispar En ls de baja potencia se usa el plistico y para as potencas superores a 5 Wel encapslado abe ser meio; cuando las potencas son uy a tase encapsulado debe ofrecernosf posbiidad de conectarle aun disipador de ear gra 9.18 Lor dodos recticadores se especican princ- palmente por la corriente mixima promedio que pueden conduciren polrizacion directa y por el voltae maximo que pueden soportar en poariza- én inversa Los mis conocdos. para cicutos elec- trénicos comunes, son los de la serie IN4OOI, 114002, hasta et IN4007. ‘También hay diodos rectificadores amados de conmutacion 0 sucheo (witching diodes) lox que trabaja a frecuenciae mayores que ls dio- dos normale. Entre los mis conoeldos tenemos el INSI4 y al INGIAB, Hyun po espa de dod rectiicador el cul vine eneapelado conteninde caer unidades on tun solo empaque ys Inerconectadss formando un pene rectifcador lo que facta Is conten de reuitos retcadores de onda completa (ver see GRC:ea de conduceién ono conduccién similar a BEIT» 600 15 0 secs ea La prueba de fos LED también se puede ‘con un mulmetro © con un eicuito sencilla, niendo en cuenta que éstos siempre deben ‘una resstenclaen Sere para que no se supere volaje de conduccién el cual es muy bao. Figu 19.35. Esta misma prueba se puede uclizar psComponentes <4444ed dade deeded ede eesseses igure 933. Praca de unto on une dat ‘Bowe Tae th pats igor 9.34 Pcs dl tes eo odo Zeer Fong dead * w= tts do €] Dio ten ete gw 925. Praca den doo ED Fgura 9.36: Crt dtc eae ro de AM an verfcarel buen estado de os sice segmentos de los dspley de anode y citodo comin, los cuales ‘= eden probar uno por uno o en conjunto,para lo cul se tiene que ensamblar un pequeio circu ‘0 que los alimence a todos. Circuitos con diodos Los deedos se ullan en una gran canedad de ci- catos tiendo los principales los rectiieadores y los reguadores de voltaje con diodos Zener, ue ss etudian onl sezcian de teoria (ver fuentes de poder ode potencis). Hiy otros creultos,como el, llamado detector en los radiorecaptores de AM y FM, figura 9.36, on los cuales se utlizan los dio- ‘dos de sefal Otro uso comin es como protec clon contra corrientesiavesas en a alimenracién de os relevos figura 9.37 el cual hemos visto en algunos de los proyectes de este curso. S ae gu ape Crane de i pomscan on ote co bance » ghee: ane fai eo