DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1. El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr= 5 µs y la velocidad de reducción

de la corriente del diodo es di/dt= 80 A/µs. Si el factor de suavidad es SF= 0,5.
Determine a) La carga de almacenamiento Qrr b) La corriente inversa pico Irr.

2. Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25 °C son

Vd= 1 V a Id= 50 A
Vd= 1,5 V a Id= 600 A

Determinar a) El coeficiente de emisión n b) La corriente de fuga Is

3. Dos diodos están conectados en serie y el voltaje a través de cada uno de ellos se
mantiene igual mediante la conexión de una resistencia de distribución de voltaje, de tal
forma que Vd1=Vd2= 2000 V y R1= 100 kΩ. Determine las corrientes de fuga de cada
diodo y la resistencia R2 a través del diodo D2. Las características v-i de los diodos se
indican en la fig. 1

4. Dos diodos están conectados en paralelo siendo la caída de voltaje directa a través de
cada uno de ellos de 1,5 V. Determine las corrientes directas a través de cada diodo.
Las características v-i de los diodos se indican en la fig. 1

5. Dos diodos están conectados en paralelo, como se muestra en el circuito, con

resistencias de repartición de corriente. Las características v-i de los diodos se indican
en la fig. 1. La corriente total es It= 200 A. El voltaje a través de un diodo y su
resistencia es V= 2.5 V. Determine los valores de las resistencias R1 y R2 si la
corriente se comparte en forma ideal entre ambos diodos.

Fig. 1. Característica V-I