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AMPLIFICADOR SIMETRICO

COMPLEMENTARIO

OBJETIVOS

 Diseñar, simular, implementar y analizar un amplificador simétrico complementario.

INFORME PREVIO

1. Obtenga la ecuación
⁄ para el amplificador de potencia; estime que Q1,

Q2, Q3, Q4 tienen temperaturas aproximadamente iguales.

Información previa del amplificador simétrico complementario:

Actualmente los amplificadores de potencia son construidos en base a la estructura del


par complementario en razón a:

- Su elevada linealidad y mínima distorsión armónica.


- Su baja impedancia de salida.
- Al mínimo efecto de cruce ( cross over)
- Al mínimo consumo de potencia sin señal.

Los pares complementarios más utilizados son los que a continuación se grafican:

Figura a Figura b
El modelo de la figura “a” puede usarse para potencias moderadas y el modelo de la figura
”b” se usa preferentemente para potencias mayores de 40W debido al tamaño del
condensador.

Para el cálculo de potencia tenemos:

POTENCIA

El circuito complementario es un amplificador clase B razón por la cual cada rama trabaja
180 grados por ciclo, por tanto podemos establecer que:

IL = e0 / RL es la corriente en la carga: siendo su valor pico

I = v / 2RL ; por consiguiente;

PLAC = iL2 * RL / 2 es la potencia en la carga y

PLACM = V2 / 8RL es la máxima potencia que puede desarrollarse en R L

También recordamos que el pico de corriente media de la fuente es:

IDC = V/ 2πRL podemos evaluar:

a) PCC = V2 / 2πRL máxima potencia desarrollada por la fuente.

b) PQ = V2 / 4π2RL máxima potencia que disipa cada uno de los transistores que acoplan
carga

CRITERIOS DE ESTABILIDAD:

Cuando se trabaja con amplificadores de potencia los dispositivos del Par Complementario
deben disipar energía calorífica , puesto que al desarrollar potencia en las cargas
inevitablemente los transistores también lo harán produciendo calentamiento en sus

carcasas
indicado y sin duda afectando
consideramos su comportamiento
prudente efectuar unporbreve
ser semiconductor ; en razón
análisis térmico del depar
lo
complementario.

Para facilitar el estudio reemplazaremos el par complementario por un modelo


equivalente en corriente como sigue:
Si expresamos ICBO en función de la temperatura tendremos:

En el circuito ARGOS 3:

Estimando que los transistores, tienen temperaturas aproximadamente iguales:

Si expresamos ICBO en función de la temperatura tendremos:


2.- Diseñe el circuito ARGOS 3 bajo los siguientes requisitos:

Fuente de Operación DC ±12V


 Carga 8Ω

 Elementos Activos Q1, Q7: BD135

Q3: BD136

Q5: 2N2222A

Q2: TIP41

Q4: TIP42

Q6: 2N2907

 Señal de prueba 1 Vp a 1 KHz

 Corrientes  mayores o iguales a 8 mA

 Frecuencia de Corte fi = 100 Hz y fs = 15 KHz

 Ganancia a frecuencias medias 10 (aprox.)

 Protección a sobre corrientes 1 A en la carga