Transistor

El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de

manejar.

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y William

Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

Terminales Emisor, base y colector

 [editar datos en Wikidata]

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida
en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1 El término «transistor» es la contracción
en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente
en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice
[ocultar]

 1Historia
 2Funcionamiento
 3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unión bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
 4Transistores y electrónica de potencia
 5Construcción
o 5.1Material semiconductor
 6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor común
 7Diseño de una etapa en configuración emisor común
o 7.1Base común
o 7.2Colector común
 8El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
 9Véase también
 10Referencias
 11Bibliografía
 12Enlaces externos

Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor
Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19252 una patente para
lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera
el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un
reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en
los años 19263 y 1928.45 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre
sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a
que la producción de materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces,
las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los
años 1920 y 1930, aunque un dispositivo de este tipo ya se había construido.6
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña7 un dispositivo similar.
Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos
en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los
cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
prácticos.8Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de
óxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del
alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que
era posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos
de vacío.8
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell9llevaron a cabo
diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran aplicados a
un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada.10
El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en
los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en
dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en
la propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.11 Según una biografía de John
Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios
Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo
redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los
Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto
de campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el
primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,12a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de
este dispositivo.131415En reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron
galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".16
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes
Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una
subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa en el
desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el
desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él
comenzó a investigar el fenómeno de la "interferencia" que había observado en los rectificadores de
germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y
reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y
Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos
de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a
poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de
Francia.17El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión18
y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,19 tal como
se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año
siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este
dispositivo,20cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.21 Meses antes, el 9 de
mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores
conocido actualmente como transistor Darlington.22
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en
1953,23capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.24 Para fabricarlo, se usó un procedimiento
creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una
base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas
diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones formó el colector
y el emisor.25El primer receptor de radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y
Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.2627
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por
el químico Morris Tanenbaum.28El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una
patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores.29
El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al
trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el
crecimiento de cristales de alta pureza.30 El primer transistor MOSFET fue construido por el
coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los
Laboratorios Bell, en 1960.3132