Elías Muñoz Merino - Nuevos Semiconductores, Nuevas Dimensiones, Nuevas Luces. Iluminación Por Chips en El Siglo XXI. Lección Inaugural 2009

NUEVOS SEMICONDUCTORES,
NUEVAS DIMENSIONES, NUEVAS LUCES

ILUMINACIÓN POR “CHIPS” EN EL SIGLO XXI
Editado por la Real Academia de Ingeniería
© 2009, Real Academia de Ingeniería
© 2009 del texto, Elías Muñoz Merino
ISBN: 978-84-95662-26-2
Depósito legal: M-1447-2009
Impreso en España
LECCIÓN INAUGURAL
DEL AÑO ACADÉMICO 2009
Excmos. Sras y Sres.
Señoras y Señores
Queridos amigos
P r es en ta c i ó n
En primer lugar, quiero agradecer al Presidente y a la Junta de Gobierno

de la Real Academia de Ingeniería la confianza que han depositado en mí,
al proponerme para impartir esta lección de apertura del Curso Académico
del año 2009. Espero no defraudar esta confianza y además gustosamente
quiero contribuir a la vida activa de la Academia, con la cual me siento en
deuda, con ella y con mis compañeros de la misma, por la dedicación y en-
trega que hacen para el buen funcionamiento de esta institución.
A la hora de elegir un tema para esta lección inaugural he seleccionado

uno que creo combina elementos de ingeniería con retos científicos, y
que por otra parte es fruto de una investigación que ha seguido una tra-
yectoria algo heterodoxa, siendo al mismo tiempo un buen ejemplo de
que no hay caminos únicos, y que confirma que el valor fundamental, la
clave, es el investigador.
El tema elegido se enmarca en el área de la Optoelectrónica en el Azul y

el Ultravioleta y plantea el uso potencial de los diodos emisores de luz para
la iluminación general, es decir para “tener nuevas luces, nuevas bombillas”
de estado sólido, chips luminosos de semiconductores que alumbren nues-
tros hogares, oficinas y calles. Llevo varios años trabajando en optoelec-
trónica en el azul y UV, en aspectos algo distintos a este de la iluminación
general, y creo que hay una serie de “razones” para esta elección, que van
desde la preocupación creciente de la sociedad por los temas del con-
sumo energético, por la energía, tema al cual la Real Academia de Inge-
niería ha prestado atención y actividades, porque contiene elementos de
nanoingeniería, “la dimensión de este siglo XXI” y actividad científica fron-
tera actual, y por el reconocimiento que mediante el Premio Príncipe de
Asturias 2008 se ha hecho al ingeniero Prof. Shuji Nakamura, el mayor
artífice de estos emisores de luz en el azul y ultravioleta.
8 ELIAS MUÑOZ MERINO
Figura 1. Pantalla de información y vídeo situada en la Expo Zaragoza 2008 y compuesta de millones de LED o chips
luminosos emitiendo en los colores primarios y el blanco. Con esos mismos chips se plantea la sustitución de las bombillas
usuales para la iluminación interior y exterior.
La fotografía de la figura 1 muestra una pantalla de información y vídeo,

ejemplo hoy ya bien conocido, de un panel bien visible incluso a pleno sol,
con gran cantidad, típicamente millones, de diodos emisores de luz, muy
brillantes, de todos los colores, incluido el blanco. Tomado en sentido am-
plio, estos chips son pastillas de semiconductores que emiten luz, y son
los que se plantean ahora para sustituir a bombillas incandescentes o fluo-
rescentes como elementos para iluminación general. Estas nuevas luces,
son el objeto principal de la lección.
NUEVOS SEMICONDUCTORES, NUEVAS DIMENSIONES, NUEVAS LUCES 9
Introducción
Los materiales semiconductores fueron inicialmente investigados en re-

lación con el transporte y control de cargas eléctricas, por los efectos
que se producen en sus propiedades eléctricas al introducir muy peque-
ñas cantidades de átomos dopantes (formación controlada de regiones
tipo n o tipo p), por el comportamiento que se obtiene cuando puntas
y láminas metálicas se ponen en contacto con ellos, etc. Se buscaba una
funcionalidad electrónica. Los dispositivos semiconductores reemplazaron
finalmente a las válvulas electrónicas de vacío, en las que el control del mo-
vimiento de los electrones se efectuaba en el vacío en vez de hacerse en
un material sólido. Los conceptos de unión metal-semiconductor, unión
entre regiones p y n (unión p-n, una región rica en electrones se una a
otra rica en huecos o cargas positivas), y la invención de los transistores
de unión y de efecto campo, fueron hitos que, seguidos por el primer cir-
cuito integrado de Si en 1958, permitieron el desarrollo de la microelec-
trónica. El primer microprocesador (Intel, 1974) marca el desarrollo de
una nueva era en la informática y las comunicaciones, como nos ilustró el
académico Mateo Valero en su lección de inauguración del año acadé-
mico el 30 enero de 2003.
Esta funcionalidad electrónica de los dispositivos semiconductores es la do-

minante hoy día. Sin embargo, hay otra funcionalidad de los dispositivos
semiconductores que es la optoelectrónica, cuya importancia ha ido cre-
ciendo en los últimos años, y que se refiere a la interacción de los disposi-
tivos semiconductores con la luz. En el caso de una unión p-n que se ilumina,
esta funcionalidad se puede entender como un transductor o conversor
de potencia luminosa en potencia eléctrica debido al efecto fotovoltaico,
y viceversa, al circular una corriente por dicha unión se puede generar
luz (fenómeno de electroluminiscencia). La interacción entre radiación y
materia ya fue utilizada en 1883 para realizar lo que quizás fue la primera
célula solar, formada por un semiconductor (Se) y un metal (Au). En la ac-
tualidad, las células solares fotovoltaicas son un elemento clave en la ge-
neración de energía eléctrica renovable y los fotodetectores son
elementos básicos tanto en comunicaciones ópticas como en todos los
procesos de obtención de imágenes digitales.
En esta lección nos vamos a referir a esta segunda funcionalidad de los

semiconductores, la optoelectrónica, y en concreto, a la generación de
luz en el azul y el ultravioleta mediante uniones p-n basadas en semicon-

ductores de la familia (Al,Ga,In)N. Estos materiales del grupo III con N, de-
nominados simplemente nitruros, se han podido “domesticar” en la última
década, permiten una gran cantidad de aplicaciones y plantean nuevos
problemas de ingeniería de materiales y dispositivos electrónicos. Usando
estos semiconductores ya hay realizaciones comerciales tanto de dispo-
sitivos electrónicos (transistores de potencia para microondas), como op-
toelectrónicos (diodos emisores de luz, diodos láser, fotodetectores...). La
novedad aportada, como veremos, ha sido la posibilidad de tener estos
emisores en el rango del azul y el ultravioleta, algo que no era viable hasta
finales del siglo pasado. Entre las aplicaciones emergentes destaca por su
trascendencia económica, la iluminación de estado sólido, es decir las “lám-
paras de semiconductores”, y que son un camino potencial para el aho-
rro energético en iluminación. Esta optoelectrónica en el azul y el UV
basada en nitruros es un excelente ejemplo de investigación, de ciencia
e ingeniería, fruto de la tenacidad e intuición de unos pocos pioneros a
finales del siglo pasado, y cuyas horas de laboratorio han abierto un nuevo
horizonte en las áreas de la informática, las comunicaciones, la ilumina-
ción, la biofotónica, etc., con consecuencias que han superado las expec-
tativas iniciales de estos investigadores pioneros.
La observación de una emisión luminosa al aplicar un voltaje a un mate-

rial fue ya hecha por Round en 1907 al trabajar con carburo de silicio
(SiC). Dependiendo de la tensión aplicada y de la muestra, se producía una
luminiscencia amarilla o azulada. Esta “curiosidad científica” se produjo
unos 30 años después de la bombilla eléctrica de Edison que usaba un fi-
lamento incandescente.
Podemos recordar que el desarrollo de la Física en la primera mitad del

siglo XX, y en concreto de la Física del Estado Sólido, llevó a la búsqueda
de nuevas formas de amplificadores y emisores de radiación (máser y lá-
ser), al desarrollo de semiconductores compuestos (fundamentalmente
la aleación GaAsP), y a la invención de una variedad de dispositivos se-
miconductores electrónicos y optoelectrónicos. En 1962 se demuestra
que una unión p-n de GaAs puede emitir a bajas temperaturas radiación
estimulada (láser) en el infrarrojo, y que una unión p-n de GaAsP emite
luz roja a temperatura ambiente. Se produce así electroluminiscencia por
inyección de portadores en una unión p-n, se ha creado el diodo emisor
de luz (light emitting diode, LED, abreviatura que vamos a usar en esta lec-
Figura 2. Algunos ejemplos de

señalización usando LED.
ción). La amplificación de la emisión espontánea puede conducir a emi-

sión estimulada en una unión p-n (diodo láser). El LED rojo se convierte
en un dispositivo popular. Poco después, usando distintas familias de se-
miconductores, se consiguen LED emitiendo en el rojo, ámbar y verde
(en este color con poca eficiencia). Se utilizan en visualizadores de datos,
señales de alarma, semáforos, paneles de información (véase la figura 2),
etc. Posteriormente, surge el disco compacto (CD) como memoria óp-
tica, en donde un diodo láser de IR permite la lectura y escritura de in-
formación digital binaria. Los diodos láser y el desarrollo de las fibras
ópticas condujeron a su vez a las comunicaciones ópticas.
El auge de la microelectrónica y el interés por el estudio de las propie-

dades electrónicas y optoelectrónicas de los semiconductores llevan a un
desarrollo tecnológico muy importante y a elaborar un soporte teórico
progresivo. En la década de los setenta se desarrollan las técnicas de cre-
cimiento de láminas monocristalinas de semiconductores sobre un sus-
trato monocristalino (que se conoce como crecimiento epitaxial), con el
control nanométrico de espesores y con muy baja concentración de de-
fectos y contaminantes. Concretamente, nacen la epitaxia por haces mo-
leculares, molecular beam epitaxy MBE y la epitaxia en fase vapor mediante
compuestos organometálicos, metal organic vapor phase epitaxy/metal or-
ganic chemical vapor deposition MOVPE/MOCVD. La fabricación de mues-
tras epitaxiales permite el rápido desarrollo de la Física Teórica y
Experimental sobre nuevas estructuras de semiconductores, que conduce
posteriormente al desarrollo de los dispositivos cuánticos. Primero se pro-
pone la idea de fabricar heterouniones, donde dos semiconductores de
banda prohibida y distintos tipos de conductividad se crecen uno encima
de otro, posibilitando una inyección muy selectiva de huecos o electro-
nes de una región a otra de esa heterounión. La yuxtaposición de dos

heterouniones permite obtener una zona “encajonada” de un semicon-
ductor (la de menor ancho de banda prohibida), confinada por las dos
barreras de potencial que forman las heterouniones. El confinamiento de
electrones, huecos y fotones conduce a ventajas muy importantes, y a
nuevos conceptos en las propiedades de los dispositivos optoelectróni-
cos cuando “se obliga”, por ejemplo, a que esas partículas interactúen en
una “región” de dimensiones más reducidas que la longitud de onda de
De Broglie (la cual es de unas cuantas decenas de nm en los semicon-
ductores usuales). Los dispositivos semiconductores resultantes (pozos,
hilos y puntos cuánticos) son dispositivos en los que una, dos o sus tres
dimensiones son de unos pocos nanómetros. Tenemos los primeros pa-
sos en nanotecnología y nanociencia, donde los semiconductores fueron
pioneros junto a la Biología.
A pesar de todo este bagaje tecnológico y científico, y a pesar de los es-

fuerzos que luego se indicarán, sólo al final de los noventa se dispuso de
LED emitiendo en el azul. No se sabía fabricar uniones p-n para la opto-
electrónica en el azul y el ultravioleta. Hay, pues, un largo periodo de ca-
rencia, de unos 25 años, antes de que se pueda pensar en producir luz
azul, UV o blanca mediante LED, es decir mediante semiconductores.
Pero desde el final de los noventa tenemos LED azules y verdes de alta
luminosidad, usados en semáforos, en grandes pantallas de información y
vídeo en las ciudades (figura 1), paneles compuestos por matrices de LED
de todos los colores, y ha surgido su uso para la iluminación de fachadas
y monumentos (figura 3). Como un ejemplo, para darnos una idea cuan-
titativa, en una pantalla de vídeo de gran tamaño cada píxel o “punto” se
compone de varios LED rojos, verdes, azules y, a veces, algún blanco, hasta
un área por ejemplo de 30 x 30 mm por píxel; puede tener 2 millones de
píxels y usar 16 millones de LED en total (figura 3, pantalla del Nasdaq).
Sabemos también del uso reciente de diodos láser en el azul para los dis-
cos ópticos de memoria (DVD-rayo azul). ¿Por qué esos 25 años “sin el
azul”? En esta lección voy a tratar de dar una idea de las dificultades que
se han vencido, de quiénes fueron las personas que “domesticaron el azul”,
qué camino siguieron para ello y en qué aspectos científicos se sustentan
estos logros. La optoelectrónica basada en los nitruros ha sido un es-
fuerzo de ingeniería de materiales y de dispositivos optoelectrónicos, que
ha utilizado todo el bagaje tecnológico y científico resumido antes, y donde
Figura 3. Ejemplos
de iluminación de
fachadas de edificios
mediante LED
azules y de macro-
pantallas de
información y vídeo
(con 16M de LED,
instalada en la
ciudad de NY).
la mayoría de las respuestas y porqués han sido obtenidos después de las

realizaciones experimentales. El resultado actual comprende aplicaciones
no concebidas a priori, y una de ellas es la iluminación de estado sólido,
una nueva ayuda de los materiales semiconductores en el tema de la
energía. Sobre esta posibilidad haré un mayor énfasis, por plantear una
conjunción de problemas técnicos y científicos, retos de investigación, in-
novación y de ingeniería de productos.
Semiconductores para optoelect rónica en el azul
En forma resumida, los requisitos básicos de un material semiconductor

para ser candidato a servir como material para fabricar un LED azul son:
su energía de banda prohibida debe estar en la región del azul o del UV
cercano (banda prohibida grande, al menos del orden de 2,7 eV); deben
poder fabricarse uniones p-n para obtener electroluminiscencia por in-
yección de portadores; y la estructura de las bandas de energía debe ser
del tipo directo. A estos requisitos se pueden añadir otros de tipo tec-
nológico, pues debe ser posible obtener láminas, capas epitaxiales de ese
semiconductor con alta calidad cristalina y baja concentración de defec-
tos y contaminantes. Como se indicó anteriormente, si pensamos en LED
de alta eficiencia y en diodos láser, es necesario disponer de un semi-
conductor que forme aleaciones que posibiliten ajustar la magnitud de
las bandas prohibidas “a voluntad”, que permita formar heterouniones, y
es necesario que tecnológicamente se puedan obtener capas epitaxiales
de esos semiconductores con un control nanométrico de su espesor. Al
final, para obtener una alta eficiencia debemos poder producir dispositi-
vos cuánticos, ya indicados anteriormente.
Figura 4. Valores de
la energía de la
banda prohibida y
constante de red
cristalina para los
materiales WBS
semiconductores más
usuales. Para el InN, Band Gap [eV]
la banda prohibida
debe de actualizarse a
0,7eV. Se han
indicado los colores
de emisión por
electroluminiscencia.
º]
Lattice Constant [A
Además, bajo un punto de vista práctico, si nuestros emisores en el azul

deben ser útiles realmente en aplicaciones comerciales, deben durar en
funcionamiento un tiempo largo. Sus mecanismos de degradación deben
ser controlables, lentos, y permitir vidas medias de unas miles de horas.
Veremos cómo todos estos requisitos han sido cumplidos por los “nue-
vos semiconductores”, estos compuestos basados en aleaciones de Al, In
y Ga con N, los nitruros: (Al,Ga,In)N.
La figura 4 puede parecer densa; trata de reflejar el mapa de opciones

potenciales para fabricar LED en el azul. Son materiales semiconductores
compuestos, conocidos en mayor o menor grado desde la década de los
sesenta en que hubo un desarrollo muy rápido de los semiconductores
compuestos. Las opciones se pueden agrupar en tres bloques. Por un lado,
con mayor constante de red cristalina, está el bloque de los calcogénidos
II-VI, con el ZnSe como material central; por otro lado tenemos los óxi-
dos II-VI, representados por el ZnO en la figura 4; y por último el bloque
de los nitruros, con el GaN como centro y que tienen menores cons-
tantes de red. La opción basada en ZnSe parece tener todas las ventajas.
Hay sustratos disponibles con buen ajuste de red con el ZnSe y de gran
calidad (el GaAs, por ejemplo), se consiguen capas con dislocaciones en
el orden de 103 cm-2, hay la posibilidad de aleaciones ternarias con sus
binarios vecinos, y se pueden conseguir capas tipo p y n, y por tanto unio-
nes p-n. Todo esto explica que durante varias décadas estos semicon-
ductores II-VI hayan recibido una atención mayoritaria de los
investigadores y de la industria. Pero la vida media de los LED azules y
verdes basados en estos semiconductores II-VI es muy corta: como mu-

cho algunos cientos de horas. A pesar de los esfuerzos tan significativos
que se han hecho, incluidos los efectuados por las grandes compañías ja-
ponesas, la vida media de los dispositivos sigue siendo muy corta y no
hay dispositivos comerciales. Durante el funcionamiento de estos LED se
crean concentraciones crecientes de puntos y líneas negras, centros de re-
combinación no radiante, producidos por la difusión de átomos y por la
generación y propagación de nuevos defectos y dislocaciones.
La opción del GaN aparece como la que tiene un cúmulo inicial de dificulta-
des. No hay sustratos de GaN; el SiC, aunque próximo en constante de red
al GaN, era muy costoso y no muy disponible (en los setenta) y no es el más
adecuado en las aplicaciones ópticas; el zafiro es adecuado como sustrato óp-
tico y con un coste razonable, pero tiene un gran desajuste de red con el GaN,
y tenderá a producir un material epitaxial de muy pobre cristalinidad. Además,
ni en los setenta ni ochenta se consiguen capas tipo p, no hay uniones p-n por
tanto. Sin embargo, ya en 1972, Maruska había demostrado una emisión azul
muy intensa en GaN, lo cual era un indicio muy prometedor. Por último, no
hay experiencia en el crecimiento epitaxial a nivel nanométrico del GaN, ni ex-
periencia en el crecimiento de los otros compuestos de esa familia de mate-
riales (InGaN, AlGaN). La opción potencial del ZnO, el tercer candidato para
esta aplicación, es muy reciente. Aunque el ZnO es un semiconductor usado
comercialmente en varistores desde hace muchos años, sólo se ha conside-
rado en optoelectrónica a partir de los noventa, ante el entusiasmo que des-
pertaron los nitruros. Hoy día el gran incoveniente es que aún no se sabe
producir ZnO tipo p, ni, por tanto, como fabricar uniones p-n.
El diodo electroluminiscente azul: sus artífices
Como hemos indicado anteriormente, la comparación “entre las dos op-

ciones iniciales” es tan desfavorable para el GaN que, como comenta Na-
kamura, en 1989 había 104 investigadores trabajando en ZnSe y sólo 10
trabajando en GaN. Las grandes compañías japonesas seguían apostando
en esas fechas por la opción II-VI, esperando resolver el tema de la vida
media tan corta de los LED fabricados con esos materiales.
El mérito por haber desarrollado las ideas clave y obtener finalmente el

LED y diodo láser azul basados en nitruros lo tienen dos investigadores
japoneses: el Prof. Isamu Akasaki, Universidad de Nagoya, por ciertas ideas

básicas, y el Prof. Shuji Nakamura, hoy día en la Universidad de California
Santa Barbara, aunque toda su investigación en nitruros y la creación del
LED azul los hizo en la compañía japonesa Nichia Chemical Industries. Se
puede afirmar, por tanto, que el LED azul basado en GaN es, sin duda,
una invención japonesa.
Akasaki se graduó en 1952 y empezó a trabajar en tecnología de semi-

conductores en varios centros industriales y universitarios. Ya cargado de
gran experiencia, se dedica al estudio del GaN desde 1973. Sus contri-
buciones al entendimiento del GaN (con su equipo de colaboradores)
se centran en haber sido el primero en desarrollar la tecnología epitaxial
MOVPE para crecimiento del GaN; el haber desarrollado la técnica de
depositar a baja temperatura sobre el zafiro capas adaptadoras extrafinas
de GaN y AlN, láminas colchón para minimizar la creación de dislocacio-
nes verticales en el GaN epitaxial; así como haber demostrado el dopaje
tipo n con Si y haber sido el primero en obtener capas tipo p de GaN
de forma accidental, al activar los aceptores (Mg) de dicha capa con elec-
trones de un microscopio electrónico de barrido. Así produjo la primera
homounión p-n de GaN.
Pero la persona que se considera el padre del LED azul de alta eficiencia
es Shuji Nakamura. Se gradúa como ingeniero eléctrico en 1979 y empieza
a trabajar en epitaxia de semiconductores compuestos en Nichia, una pe-
queña compañía química dedicada a la fabricación de fósforos. Allí tiene
luz verde para hacer lo que “desee”, en solitario, y tiene un presupuesto
razonable. En 1989, después de dedicarse durante 10 años a otros semi-
conductores, pone sus ojos en el GaN, y en 1993 demuestra el primer
LED azul brillante, en 1995 el primer diodo láser violeta en onda conti-
nua usando pozos cuánticos múltiples de GaN/InGaN, y en 1996 el pri-
mer LED de luz blanca. El camino recorrido, los hitos intermedios que logró,
comprenden por ejemplo, el desarrollo de un nuevo tipo de reactor de
crecimiento epitaxial MOVPE, el descubrimiento y solución de que la pa-
sivación de los aceptores por el H era lo que impedía el dopaje tipo p de
las capas de GaN, y ser el primero en crecer capas monocristalinas y po-
zos cuánticos de InGaN.
Al cabo de pocos años, el impacto del LED y diodo láser azules de GaN
fue muy importante. Bajo el punto de vista de los materiales, la alterna-
1954 Born in Seto-cho. Nishiuwa-gun, Ehime Prefecture

1973-77 Majored in electronics at the University of Tokushima,
Department of Engineering
1977-79 Master’s Course at the University of Tokushima Graduate
of Technology
1979-88 Nichia Chemical Industries Co., Ltd.; research and develo
on infrared LED and crystal materials for LED
1988-89 Visiting Research Fellow at the University of Florida; rese
crystal.; development of GaAs on Si
1989-99 Research and development on the blue, green LED and pu
semiconductor laser
1994 Obtained PhD from the University of Tokushima
2000- Professor. Department of Materials. University of Californ
Santa Barbara
Figura 5. Breve trayectoria profesional del Profesor Nakamura.
tiva basada en semiconductores II-VI fue prácticamente abandonada por

las grandes compañías. A nivel del reconocimiento personal a Nakamura,
en 2006 recibe el Premio Findlands Millenium Technology (1M€), y, entre
otros honores, en 2008 recibe el Premio Príncipe de Asturias de Investi-
gación Científica y Técnica, compartido, por su “contribución al área de la
nanotecnología”. Con el Premio Millenium Finlandia la Unión Europea
quiere premiar la innovación tecnológica.
La trayectoria de Nakamura es algo “heterodoxa” en la situación actual

de la I+D, donde por ejemplo en la UE lleva a la saturación de propuestas,
consorcios a formar, informes múltiples, justificación de fines sociales, etc.
Como él mismo ha escrito, con su título de Master, Nakamura es inicial-
mente un investigador en solitario; cuando empezó su trabajo en GaN lo
que quería es publicar sobre GaN; no parece que gastó tiempo relle-
nando papeles, y según indica el mismo, no tenía como objetivo el LED
azul cuando empezó su investigación.
El formidable impacto económico de su innovación es evidente. Pero pa-

rece que no se siente recompensado en su entorno, y en 1999 se muda
a la Universidad de California Santa Barbara (UCSB), en donde, por ejem-
plo, Herbert Kroemer recibe el Premio Nobel de Física en el año 2000
por su contribución al desarrollo de las heterouniones de semiconduc-
tores. Nakamura plantea pleitos a Nichia por sus derechos de patentes, lle-
gándose a acuerdos finalmente. Creo que se puede decir que Japón
reacciona finalmente ante este caso, y se le conceden proyectos guber-
namentales de investigación para su realización en UCSB.
Led azules de GaN
Tras describir aspectos históricos e hitos que los artífices fueron cubriendo,
veamos ahora brevemente algunos aspectos estructurales y de funcionamiento
de un LED azul, y también indicar algunas propiedades de los semiconduc-
tores (Al,Ga,In)N que inciden directamente en el funcionamiento de sus LED
y que explican o permiten justificar las ventajas de los nitruros. Ello nos va a
permitir una mejor comprensión de las dificultades que se vencieron en esta
innovación, conocer las limitaciones que estos emisores de luz de estado
sólido tienen, y vislumbrar algunos de los caminos a recorrer en el futuro.
La figura 6 nos recuerda el esquema de bandas simplificado de un LED de

homounión p-n, primero sin polarización externa, luego con inyección de
portadores por polarización directa de dicha homounión, y finalmente se
muestra la situación de confinamiento o encajonamiento cuando tenemos
un LED de doble heterounión bajo polarización directa. En este último caso,
en la región del semiconductor de menor ancho de banda prohibida se
produce la recombinación radiante de electrones y huecos, es decir con
emisión de luz. Pero en esa región activa del LED la recombinación radiante
de electrones y huecos tiene que competir con la recombinación de los
mismos a través de defectos y con otros mecanismos de recombinación no
radiante (por ejemplo procesos Auger). En el primer caso, la energía libe-
rada en la recombinación no radiante se transforma en calor, en emisión de
fonones (figura 7). En los procesos Auger la energía de recombinación se
transmite a otros electrones y tampoco hay luz emitida.
La eficiencia cuántica interna, la conversión en energía luminosa interna de la

energía eléctrica aplicada es un parámetro clave en un LED. Deben de mini-
mizarse los defectos puntuales y estructurales, los contaminantes, imperfec-
(a) Homojunction under zero bias (b) Homojunction under forward bias (c) Heterojunction under forward bias
Figura 6. Estructuras básicas de un LED: a) homounión p-n sin polarización externa y b) con polarización, cuando
electrones y huecos se recombinan emitiendo luz; c) LED que usa una doble heterounión.
Figura 7. Procesos de recombinación en un semiconductor: a) no radiantes, causados por defectos y procesos Auger;
b) radiantes, con emisión de fotones.
ciones, etc., si se quiere tener un LED eficiente. En teoría, la emisión luminosa

en un LED podría tener una muy alta eficiencia óptica interna, próxima al
100%, y la duración del dispositivo sería ilimitada. Por la carencia de sustratos
adecuados, la preocupación más intuitiva para el caso de las capas de GaN
e InGaN son las dislocaciones, que suben verticalmente y que afloran a la su-
perficie. Estas dislocaciones son centros de recombinación no radiante.
Como usuarios, preocupa la eficiencia de potencia final, en donde otros

factores deben de ser tenidos en cuenta (absorción interna y en contac-
tos óhmicos, caída de potencial en esos contactos, reflexiones, internas y
en las superficies del chip, etc.). Por otra parte, hablando de iluminación,
con el ojo humano como sensor final, hay que recordar que su mayor
sensibilidad está en el verde (555 nm), un orden de magnitud mayor apro-
ximadamente que al azul de 480 nm. Otro aspecto práctico, es la nece-
sidad de que los emisores sean de alto brillo, de alta luminosidad, tema
sobre el que volveremos posteriormente.
Pasemos ahora a completar nuestra descripción de las propiedades más re-

levantes de los nitruros en relación con la optoelectrónica, y a concretar algunos
detalles del funcionamiento de los LED azules de GaN/InGaN. Por falta de es-
pacio-tiempo, no vamos a indicar aspectos del crecimiento epitaxial de las ca-
pas y dispositivos, ni de las tensiones mecánicas causadas por los desajustes de
constantes de red cristalina en relación con el sustrato, o entre capa y capa epi-
taxiales. Además, el crecimiento epitaxial se hace a altas temperaturas, en torno
a 1100 ºC para el GaN por MOVPE y ~800 ºC por MBE, y los coeficientes
de expansión térmica son distintos para cada sustrato y material, originando
Figura 8. Sistema MBE

para el crecimiento de capas
epitaxiales de nitruros bajo
alto vacío. El N entra en la
cámara de crecimiento desde
una fuente de plasma de N
y los átomos de los elementos
sólidos se evaporan desde
células situadas en el
interior de la cámara de
crecimiento.
importantes nuevas tensiones y deformaciones en las capas cuando la es-

tructura pasa a temperatura ambiente. La figura 8 presenta uno de los siste-
mas MBE dedicado al crecimiento de nitruros existentes en el Instituto de
Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) de la Universidad Poli-
técnica de Madrid. Estos sistemas permiten crecer capa tras capa atómica de
GaN, por ejemplo, sobre el sustrato seleccionado. La velocidad de crecimiento
típica es de 0,5 a 1 micra/hora, que implica una capa de átomos cada 2 se-
gundos, aproximadamente. La cámara de crecimiento está bajo condiciones
de alto vacío y su camisa externa está refrigerada mediante nitrógeno líquido.
La figura 9 resume el valor de la energía de la banda prohibida de los nitru-

ros y sus constantes de red cristalina. Los tres binarios y sus aleaciones tie-
nen estructura hexagonal, en concreto wurtzita, la más estable termodiná-
micamente. La célula unidad tiene dos parámetros de red, a (perpendicular
al eje óptico) y c (a lo largo del eje óptico). Las propiedades físicas de los
cristales tipo wurtzita son distintas a lo largo del eje c que en una dirección
normal a él.Típicamente, el crecimiento epitaxial se hace según el eje c. El GaN
es el primer semiconductor comercial no cúbico en aplicaciones optoelec-
trónicas. Para todo el margen de composiciones, la estructura de bandas de
energía es directa (situación óptima para las propiedades optoelectrónicas
al no necesitar fonones para la recombinación de huecos y electrones). To-
mando como referencia el GaN por ejemplo, las diferencias de constantes
de red para contenidos bajos de Al e In son razonables, y por tanto es via-
ble la obtención de aleaciones con los otros binarios de la familia (AlN, InN),
y con ello la fabricación de heterouniones, que resultan ser del tipo I.
Teniendo en cuenta los datos presentados en la figura 9, para una emi-

sión luminosa en el azul (λ ~ 450 nm <=> 2,7 eV), el material activo
Figura 9. Energías de la
banda prohibida y
constantes de red para la
familia de semiconductores
(Al,Ga In)N y posibles
Energy Gap (eV)
sustratos. La energía de la
banda prohibida del InN
debe de corregirse a 0,7 eV.
También se indica su
estructura cristalina,
wurtzita.
Lattice Parameter (A)
debe de ser el InGaN, con un contenido de In del orden del 5% cuando

se usa un pozo cuántico, ya que la emisión del GaN corresponde al UV
cercano, (UVA, λ ~ 360 nm <=> 3,4 eV).
Insistimos en que el sistema hexagonal tiene baja simetría, no tiene cen-

tro de simetría. El eje c [0001] del hexágono no es eje de simetría bidi-
reccional, y el plano C puede contener sólo átomos de Ga o N. Es uno
de los planos polares. También hay planos no polares (planos M y A en la
figura 9). Estos semiconductores tienen polarización espontánea, de mag-
nitud semejante para el GaN y el InN, pero muy diferente cuando hay Al.
Por otra parte, son semiconductores piezoeléctricos, y bajo deformación
generan campos eléctricos altos que se combinan con el campo debido
a la polarización espontánea, con magnitudes resultantes del orden del
MV/cm en dispositivos usuales. Ya se indicó que si mediante barreras de
potencial confinamos los portadores de carga en una región suficiente-
mente estrecha, de unos pocos nanómetros, se forma un pozo cuántico,
llevando a que electrones y huecos sólo puedan ocupar estados con va-
lores discretos de energía (figura 10). La baja dimensionalidad causa un
cambio dramático en la densidad de estados y en las propiedades exci-
tónicas de la estructura. La eficiencia de la recombinación de electrones
y huecos aumenta muy marcadamente en un pozo cuántico, y es la es-
tructura necesaria para obtener un LED de alto brillo.
Una propiedad muy positiva del GaN es su fuerte enlace electrónico (8 eV,
casi el doble que en el ZnSe), enlace que es parcialmente iónico. Es un ma-
terial que aguanta altas temperaturas, es un material duro (especialmente
el AlN), a temperatura ambiente es inerte a ambientes agresivos y a la oxi-
dación atmosférica, en términos relativos es fuerte frente a radiaciones,
Figura 10. Formación de un pozo cuántico mediante dos heterouniones. En él se confinan los portadores, y su energía
toma valores discretos. A la derecha se indica la situación creada por los campos piezoeléctricos en el caso
GaN/InGaN/GaN.
comparado con el Si o el GaAs, y resiste campos eléctricos muy eleva-

dos (del orden de MV/cm). Su índice de refracción es alto (2,6), lo que
causa dificultades para la extracción al exterior de la luz generada en el
chip. Las masas efectivas de electrones y huecos son altas comparadas
con el GaAs, por ejemplo, la movilidad de electrones es razonable en el
material en volumen (~1000-2000 cm2/V.s), la velocidad de arrastre a
campos altos es muy alta (2,8 x 107 cm/s, 1,5 veces la del GaAs), y, en ge-
neral, defectos y contaminantes residuales hacen que sin querer dopar
intencionalmente se obtengan capas con una concentración residual de
electrones del orden de 1017-1018 cm-3. La energía de enlace del excitón
es media-alta (26 meV). Pero la carencia de sustratos de GaN adecuados
es aún el problema más importante. La disponibilidad comercial de sus-
tratos de SiC es ahora notable, y junto con el zafiro y el Si, son los sus-
tratos más usuales según la aplicación. En la figura 9 se han indicado como
referencia los parámetros de red de estos sustratos. La estructura de ban-
das de valencia del GaN es distinta a la de los semiconductores com-
puestos cúbicos. Las propiedades ópticas en un plano es dependiente de
la dirección de crecimiento (polar o no polar), y hay importantes efectos
en la polarización de la radiación emitida. Indiquemos que los dispositivos
electrónicos basados en nitruros también están generando una gran ac-
tividad de I+D, y se han comenzado a introducir comercialmente en elec-
trónica de potencia y en aplicaciones de microondas.
Para el caso de un LED azul con pozo cuántico de GaN/InGaN, la ener-

gía de emisión está gobernada por la anchura del pozo y el contenido de
In. La figura 10.c ilustra cómo debido a la presencia de los campos de po-
larización en el pozo cuántico (en este caso campos piezoeléctricos de-
Figura 11. Estructura

completa de LED de
nitruros basado en
pozos cuánticos, y que
incluye las capas de
confinamiento
óptico/eléctrico.
bidos a la diferencia de constantes de red y a la deformación térmica), se

produce una separación espacial de los electrones y huecos en dicho
pozo, reduciendo la fuerza del oscilador, la probabilidad de recombina-
ción. Para minimizar esta separación espacial de huecos y electrones los
pozos cuánticos de los LED basados en nitruros, crecidos usualmente a
lo largo del eje c, es decir, en un plano polar, se fabrican muy delgados.
Típicamente la zona activa del LED azul tiene de 3 a 5 pozos cuánticos
de InGaN, de 2 a 5 nm de ancho, con un contenido de In del orden del
5-10%, y con barreras de GaN. La figura 11 indica la estructura de un
LED azul que ya contiene las distintas capas, incluida la barrera de bloqueo
de electrones (típicamente una capa de AlGaN que aumenta notable-
mente el confinamiento de los electrones y la eficiencia de recombinación).
El dibujo de los pozos cuánticos está simplificado y no incluye los campos
de polarización. La estructura del primer LED azul con un pozo cuántico,
desarrollado por Nakamura en 1995, se muestra en la figura 12.
What is a blue Light Emitting Diode (LED)?
Figura 12. Estructura de capas, diagrama simplificado de bandas de energía y detalles del chip del primer LED azul
con un pozo cuántico desarrollado por Nakamura en 1995.
Veamos ahora dos aspectos propios de los nitruros en relación con los
LED azules. Por un lado, a) el papel que juegan las dislocaciones, dada su
densidad tan alta en los nitruros, y nos preguntaremos por qué en un ma-
terial con tantas dislocaciones, tan defectuoso, la eficiencia de recombi-
nación radiante de los LED de GaN/InGaN es tan alta. Por otro lado, b)
consideraremos el tema de la vida media de estos LED, su duración en
funcionamiento, y presentaremos los parámetros que parece son más im-
portantes en este comportamiento.
El desajuste de red entre el GaN y el zafiro, o con el Si, es tan grande,

que a pesar de que el uso de las capas finas de acomodación de AlN o
de GaN crecidas a baja temperatura alivian el problema (los buffer de
Akasaki), existe una muy alta densidad de dislocaciones verticales que
desde el sustrato llegan hasta la región activa del dispositivo, e incluso
hasta la superficie. La naturaleza de esas dislocaciones y su papel, deter-
minando si se comportan como centros neutros o bien como centros
de recombinación no radiante, ha sido estudiada en detalle por varias téc-
nicas de luminiscencia y microscopía (PL, CL, EL, HRTEM, SNOM, etc.).
Este estudio se ha hecho a posteriori de la comercialización de los LED
azules. Las dislocaciones de borde son las más numerosas y la información
actual indica que actúan como centros de recombinación no radiante, in-
troduciendo un nivel profundo hacia el centro de la banda prohibida del
GaN. En un modelo muy simplificado de distribución uniforme de dislo-
caciones, y sólo para situarnos numéricamente, en un material con 109 dis-
locaciones por cm2, la distancia media entre ellas sería del orden de 300
nm. Por tanto, por ejemplo en el GaN, la longitud de difusión de los por-
tadores tiene que ser razonablemente más pequeña que esa cantidad
para obtener una razonable recombinación radiante en ese material. Lon-
gitudes de difusión de decenas de nm, o del orden de 100 nm, son muy
pequeñas en comparación con otros semiconductores, y este parece ser
un comportamiento del GaN que explica la alta eficiencia de la recom-
binación radiante en él. Lo que se cree que sucede en un pozo de In-
GaN, en la zona activa de un LED azul actual, se indica posteriormente.
La figura 13 presenta los espectros de emisión de LED azules y verdes ba-

sados en nitruros (GaInN/GaN), y de LED rojos de AlGaInP/GaAs, y pue-
den compararse con el espectro de emisión de una lámpara de
fluorescencia compacta usual. Estos LED rojos y azules tienen hoy día una
eficiencia cuántica externa mayor del 50 %. Este resultado quizás nos
Figura 13. Espectros de emisión de LED basados en nitruros y en AlGaInP, que se puede comparar con el espectro
emitido por una lámpara fluorescente compacta usual.
puede parecer algo sorprendente para el InGaN. Por un lado hemos in-
dicado que los campos de polarización en el pozo cuántico de In-
GaN/GaN no ayudan a una buena eficiencia de la recombinación radiante
en dicho pozo (figura 10b), y además la falta de sustratos adecuados causa
la gran densidad de dislocaciones de los nitruros en comparación con
otros semiconductores comerciales. ¿Cómo es posible que dos LED en
que uno tiene más de seis órdenes de magnitud más dislocaciones por cm2
más que el otro (un azul frente a un rojo de la figura 13), puedan tener
la misma eficiencia cuántica? ¿Cuál es el origen de la alta eficiencia de los
LED de InGaN?.
Este tema ha merecido gran atención, es uno de los puntos clave del fun-
cionamiento del LED azul de InGaN/GaN, y con él surge otra vez el tema
de la baja dimensionalidad. Es conocido que el uso de aleaciones en la
zona activa de un dispositivo, y en concreto en pozos cuánticos, puede
crear no uniformidades localizadas debido a fluctuaciones tanto de la an-
chura del pozo cuántico como de la composición de la aleación. Si ade-
más hay tensiones, es decir, deformación en el pozo, éstas pueden jugar
un papel importante en estas no uniformidades. Se generan fluctuaciones
de potencial que conllevan la localización de portadores y excitones. Es-
tos efectos de localización son más pronunciados en el caso del InGaN
debido a que sus binarios (GaN e InN) tienen bandas prohibidas muy di-
ferentes y diferencias notables en las constantes de red. La existencia de
estos efectos de localización de excitones y portadores en los pozos de
InGaN de los LED azules ha sido demostrada por varias técnicas. Estos
centros de localización se pueden considerar como puntos cuánticos, o
mejor, discos cuánticos. Se estima que tienen unos radios de unos 2 nm,
con alturas de fluctuaciones de potencial de unas decenas de meV, según

el contenido de In y espesor del pozo cuántico, y con unas densidades en
el rango de 1011 cm-2. De estos estudios se ha visto que esta creación de
nano-inhomogeneidades se produce óptimamente cuando las composi-
ciones de In son pequeñas, correspondiendo a emisiones en torno a unos
480 nm (~ 10% de In), cubriendo por tanto el margen violeta-azul. Qui-
zás se puede decir que Nakamura, además, tuvo suerte, pues la visión ac-
tual es que estos centros de localización evitan que portadores y excitones
sean atrapados por otros centros no radiantes, ayudando así a la buena
eficiencia cuántica del LED azul.
Según esta descripción, la zona activa de InGaN contiene gran cantidad

de dislocaciones más esas nano fluctuaciones de In o puntos de localiza-
ción (seudo puntos cuánticos). El modelo actual es que esos centros ori-
ginan fluctuaciones de potencial y en sus mínimos se atrapan portadores
y excitones antes de que lleguen a una dislocación. Deben de tener un
radio de captura pequeño, de unos 20 nm, y posibilitan así una alta efi-
ciencia cuántica incluso en presencia de la alta densidad de dislocaciones.
Si la temperatura aumenta o si la densidad de corriente es muy elevada,

habrá portadores que tiendan a escaparse de los centros de localización,
y, por tanto hay más peligro de que los portadores caigan en las disloca-
ciones. Esta situación hará más sensible al material frente a las disloca-
ciones, obligando a reducir su densidad para tener una buena eficiencia
cuántica interna. La figura 14 trata de esquematizar la situación descrita
en la zona de InGaN: hay muchas nano-inhomogeneidades de In, que es-
Figura 14. Esquema

que trata de representar
la presencia de
dislocaciones en el
InGaN, capa activa del
LED azul, y como entre
ellas hay seudo puntos
cuánticos producidos por
inhomogeneidades del
contenido de In.
tán entre las dislocaciones, y ayudan a la mayor recombinación radiante

porque capturan los portadores antes de que éstos lleguen a esas dislo-
caciones.
Con respecto al importante tema de la vida media, de la duración en fun-

cionamiento de estos LED, en general se sabe que en los dispositivos op-
toelectrónicos que trabajan con altas densidades de corriente la
degradación surge por recombinación no radiante en defectos y disloca-
ciones (generación puntual de calor), provocada por dislocaciones que
pueden moverse, multiplicarse e incluso aglomerarse, formando puntos
y zonas “negras” en el semiconductor. No se conoce mucho aún sobre la
física de la fiabilidad y degradación en dispositivos de (Al,Ga,In,N). Es po-
sible que el enlace electrónico tan fuerte ayude a dificultar el movimiento
de dislocaciones en GaN. Se ha comprobado experimentalmente que si
se quiere obtener una vida media suficiente en LED de alta intensidad o
en un láser, hay que usar un material con una menor densidad de dislo-
caciones que para un LED de baja inyección. Existe una proyección di-
recta entre una alta densidad inicial de dislocaciones en el material, una
elevada densidad de corriente y una menor vida media del dispositivo.
Por tanto, parece que la densidad de dislocaciones impone condiciones
no sólo sobre la eficiencia cuántica sino también sobre la vida media del
dispositivo. Estos resultados experimentales fueron ya detectados en los
primeros desarrollos de diodos láser y LED de potencia y llevaron a crear
técnicas de crecimiento epitaxial más sofisticadas que llevan a una densi-
dad de dislocaciones incluso por debajo de 108 cm-2 (la idea básica se in-
trodujo en la denominada epitaxial lateral overgrowth, ELO o ELOG). Esta
técnica de crecimiento lateral ya fue usada por Nakamura para sus dio-
dos láser. Esta tecnología también permite fabricar LED de muy alto bri-
llo, adecuados para iluminación general, y que permite vidas medias de
varias decenas de miles de horas.
Iluminación de estado sólido
La fabricación de un LED de alta eficiencia y alto brillo implica, primero,

obtener obleas con las capas semiconductoras crecidas epitaxialmente
sobre el sustrato seleccionado (véanse figuras 11 y 12). Posteriormente
se depositarán los contactos metálicos, y las obleas serán cortadas luego
en pastillas o chips, y finalmente los chips luminosos se encapsularán ade-
cuadamente. Desde su invención hace una década, los progresos en LED

azules de nitruros han llevado a una mejora de más de un orden de mag-
nitud en su eficiencia luminosa. Hay dos áreas para introducir mejoras,
por un lado aumentar la eficiencia cuántica de la recombinación radiante,
y por otro lado extraer más eficientemente al exterior del chip esa luz ge-
nerada. En el primer caso hay que cuidar los aspectos “físicos internos”
del dispositivo, la calidad del material, para que los pares electrón-hueco
no se “pierdan” en defectos. En el segundo caso, se requiere una inge-
niería óptica del producto que evite absorciones indeseadas, reflexiones
en la superficie, o luz que se emite al exterior en direcciones no útiles. Hay
que optimizar la textura de las superficies por las que se debe emitir la
luz, y tener en cuenta las diferencias de índice de refracción con el aire,
como se comentará posteriormente. También se plantean diseños que
contemplan espejos, reflectores y cavidades resonantes para la longitud
de onda de emisión. Una técnica usada frecuentemente en aplicaciones
de comunicaciones es el uso de reflectores distribuidos de Bragg, tam-
bién crecidos epitaxialmente.
Las fuentes luminosas, las lámparas usadas normalmente en iluminación,

son del tipo incandescencia, fluorescencia y de alta intensidad por des-
carga en gases. La figura 15 refleja los progresos en la eficiencia luminosa
y en la eficiencia cuántica total de los LED frente a esas fuentes lumino-
sas clásicas. A partir de estos resultados, bajo el punto de vista técnico
no parece un sueño pensar en iluminación general basada en LED, en es-
tado sólido. Muy recientemente se han obtenido en muestras de labora-
torio iluminaciones de 169 lúmenes/W y eficiencias cuánticas internas
mayores que el 75% y eficiencias externas mayores del 60%, lo cual con-
Figura 15. Evolución

histórica de la
eficiencia luminosa de
LED en comparación
con los elementos
usuales de
iluminación. Se
indican resultados
recientes de laboratorio
y de un fabricante
comercial, ambos
obteniendo LED
blancos con eficiencias
mayores de 150
lúmenes por vatio.
firma que hay posibilidades reales para la iluminación con chips, para ilu-
minación de estado sólido. El pasado año se anunció una eficiencia de
100 lúmenes/W ya en línea de producción.
Las ventajas de la iluminación con estado sólido parecen claras: duración

notablemente superior a las lámparas clásicas, no hay partes móviles ni
cápsulas frágiles, tamaño más reducido, se puede hablar de iluminación
distribuida, se puede trabajar en modo pulsado con un control electró-
nico de la iluminación, la eficiencia energética que se puede alcanzar ac-
tualmente en el laboratorio es mayor del 60%, frente al 4% o el 25-40%
de la incandescencia o la fluorescencia comerciales, respectivamente, no
hay uso de Hg (caso fluorescencia), no hay emisión en el IR ni en el UV,
etc. (véase la figura 13).
Pensando en una bombilla de luz blanca de estado sólido, la figura 16 ilus-

tra los caminos posibles hoy día: usar tres LED (rojo, verde y azul); o usar
un LED azul (o UV) que excita un fósforo conversor adecuado (o varios
fósforos). Los fósforos son materiales muy conocidos y que se desarro-
llaron para aplicaciones en electrónica e iluminación convencional. Son
conversores de energía de la radiación, desde un valor alto a uno más
bajo, y su eficiencia de conversión es hoy día muy alta (uso en tubos de
rayos catódicos, pantallas TRC para TV y monitores, tubos fluorescentes
y lámparas compactas fluorescentes, detección de rayos X y otras radia-
ciones muy energéticas, etc.). En concreto, el Y3Al5O12:Ce3+ tiene muy
baja degradación térmica y química, es poco corrosivo, y tiene una efi-
ciencia cuántica de conversión de casi el 100%. La última solución indicada
para un LED blanco, LED azul más este fósforo YAG:Ce (combinación de
radiación azul más la amarilla del fósforo), es la dominante actualmente y
Figura 16. Soluciones

básicas para la
obtención de un LED
blanco: bien
incorporando tres
chips emitiendo en
los colores primarios,
o bien disponiendo
un LED azul, o de
UV, recubierto de un
fósforo adecuado que
complementa la
emisión del chip.
Figura 17. Detalle de la estructura y emisión de un LED blanco basado en un chip azul recubierto de un fósforo
es la más económica. El esquema de la estructura para esta solución se

amarillo.
refleja en la figura 17.
La trascendencia que tendría en el consumo global de electricidad un

ahorro en la energía consumida en iluminación es obvia. La iluminación su-
pone aproximadamente un 20% del consumo global de energía y, ante
estas magnitudes, no es difícil hacer cálculos sencillos y espectaculares
para determinar las reducciones de consumo energético y de combusti-
ble que se derivarían de una introducción progresiva de la iluminación de
estado sólido (figura 18). Varias instituciones en EE UU y Europa han he-
Figura 18. La iluminación nocturna en la Tierra y algunas estimaciones del ahorro energético que la iluminación por
chips supondría.
cho ese tipo de cálculos. En España, para un caso simple, si los 300 000
semáforos instalados utilizasen LED, el ahorro energético sería del orden
de 50 GW.h/año.También por ello, por la importancia económica del mer-
cado, el negocio de estas lámparas de estado sólido es muy significativo.
Es un mercado con gran competición, y con I+D apoyada gubernamen-
talmente en EE UU, Japón, Corea, Taiwán y China. El Departamento de
Energía (DOE) EE UU mantiene un apoyo a la I+D muy significativo, y en
2008 acaba de ”iluminar” con 21 M$ a 13 proyectos sobre iluminación con
estado sólido. Hay que tener en cuenta que este tipo de iluminación abre
nuevas posibilidades sociales en áreas geográficas donde la red de distri-
bución de energía eléctrica no llega a los hogares, pero donde sí pueden
estar disponibles generadores mecánicos o fotovoltaicos.
Para la introducción progresiva de la iluminación general por estado sólido

hay que aumentar la eficiencia energética final de los LED blancos, aumen-
tar el flujo luminoso por dispositivo, establecer normas y criterios para la es-
tandarización, y sobre todo, reducir los costes de fabricación. El encapsulado
de un LED ha pasado de ser simple, con un chip de ~ 0,1 mm2, en un cierto
tipo de resina epoxy y no tener problemas térmicos, a tener que cumplir
nuevos requisitos de todo tipo. Los chips de iluminación tienen áreas del or-
den del mm2, plantean problemas de disipación térmica (en el rango del W),
trabajan con corrientes elevadas, y necesitan un encapsulado que no se de-
grade por el alto flujo óptico o por la radiación UV emitida, según el caso.
Para darnos una idea cuantitativa, podemos tomar como ~ 3 V la tensión
Figura 19. Detalle

de encapsulados de
los chips de nitruros
para emisores
luminosos de
potencia.
Figura 20. Lámparas

basadas en LED para
sustituir directamente a
las convencionales.
a aplicar a un chip de LED azul, y cuando se requiere un emisor de cientos-

miles de lúmenes hay que emplear un número adecuado de chips, de LED,
en paralelo. Aproximadamente, para dispositivos comerciales actuales, en
un chip de 1 mm2 de área se generan 330 lúmenes para una corriente de
1 A, y 570 lúmenes para 3 A, que es superior a la iluminación de un tubo
fluorescente de 40 W.
En una primera fase, la sustitución de las lámparas fluorescentes com-

pactas y de incandescencia por LED se está haciendo empaquetando los
chips de LED de tal forma que los zócalos de conexión y las tensiones de
alimentación sean los mismos que los de las lámparas que se quiere sus-
tituir. Se busca la compatibilidad y la sencillez en la sustitución. La figura
20 muestra unos productos comerciales muy recientes para uso general,
basados en esta filosofía.
En relación con la reducción de costes, todos hemos vivido en las últimas

décadas este aspecto en prácticamente todos los equipos electrónicos. En
ciertos productos se han visto, en pocos años, reducciones de coste del
50%, o, a veces, de casi en un factor diez. Los análisis de algunos fabri-
cantes de LED blancos cifran la reducción necesaria en costes en un fac-
tor del orden de 20 para poder penetrar realmente en el mercado de la
iluminación general. Hay que tener en cuenta que el GaN es un material
que no conlleva el uso de gases venenosos o problemas nuevos con el
medio ambiente, y por tanto la producción a gran escala parece muy via-
ble en términos ecológicos.
Recogemos aquí parte del análisis que ya en 2004 hizo Jeff Y.Tsao, Sandia Na-
cional Laboratories, y que permite poner números y fijar información de forma
cuantitativa. Podemos tomar como referencia, como elemento de ilumina-

ción de nuestra vida ordinaria, una bombilla de incandescencia de 100 W, y
plantearnos tener un chip de LED que sea equivalente: el chip debe de pro-
ducir 1500 lumen de luz blanca, análogo a lo que emite esa bombilla (15
lumen/W, figura 15). Nos planteamos que la eficiencia luminosa del chip
“futuro” sea 200 lumen/W (ya se han demostrado más de 150 lumen/W,
figura 15). Esta eficiencia es el doble que la de los tubos fluorescentes ac-
tuales, y si se llega a esa cifra con LED de una cadena de producción quiere
decir que se ha logrado un hito importante. Eso nos lleva a una potencia
eléctrica para el chip de 7,5 W, que para una conversión de potencia del 50%,
ya obtenida para LED azules y rojos, indica que unos 3,75 W se dedican a
la generación de luz blanca y otros tantos hay que disiparlos como calor. Se
supone que el consumidor quiere pagar sólo 3 $ por su bombilla de es-
tado sólido, lo cual lleva (ganancias y gatos de encapsulado) a un chip ven-
dido por el fabricante en 0,75 $. ¿Cómo debe de ser de grande el chip? Hay
dos casos extremos: un chip de área grande porque es de estructura sim-
ple y el coste por unidad de área no es elevado; el otro caso es pensar en
un chip sofisticado con un coste por unidad de área muy elevado. Tomado
de datos reales para LED y diodos láser de potencia, el coste en el primer
caso es del orden de 30 $/cm2 y en el segundo de 300$/cm2. Para la pri-
mera opción, el chip sería de 2,5 mm2 y para el segundo caso de 0,25 mm2.
Esto lleva a un chip grande trabajando con una densidad de potencia térmica
de 300 W/cm2, o a un chip pequeño trabajando a 3 kW/cm2. Unos cálculos
realistas indican un chip que puede alcanzar los 375 K o un pequeño chip tra-
bajando a 425 K. En comparación con otros materiales, se ha indicado que
los nitruros trabajan bien a alta temperatura, por tanto ambas soluciones son
posibles, aunque los diseños térmicos de los encapsulados serán distintos.
¿Cuál de los dos caminos se seguirá? Como indicaba la figura 19, la tenden-
cia actual ha sido ir pasando de chips de LED del orden de 0,1 mm2 a ta-
maños de ~1 mm2, pero es difícil predecir la próxima tendencia.
Y ahora entran los factores de la vida media, de la duración del disposi-

tivo. Para aumentar la eficiencia luminosa del chip, desde los 150 lumen/W
actuales en el laboratorio hasta los 200 en la línea de producción futura
previstos en este análisis, hay que aumentar la eficacia con la que se ex-
trae la luz generada en el interior del chip y también aumentar la re-
combinación radiante (la eficiencia cuántica interna). Dependiendo de en
cuál de las dos direcciones se quiera/pueda avanzar hay implicaciones so-
bre la calidad del material, sobre la densidad de dislocaciones tolerables.
En el chip pequeño, que está bajo una densidad más alta de corriente y
temperatura más elevada, los portadores pueden escapar ocasionalmente
de las fluctuaciones de potencial y la eficiencia empieza a decrecer cuando
la densidad de dislocaciones está en la zona alta de 108 cm-2. Para el chip
de área grande la disminución de la eficiencia de la recombinación ra-
diante se produce para la zona alta del rango de 109cm-2.
Otras aplicaciones
Antes de plantearnos comentar sobre la I+D aplicable a los LED basados

en nitruros, sobre las esperadas nuevas generaciones de dispositivos que
entren en el mercado de la iluminación general, queremos indicar el im-
pacto que LED y láseres en el azul y el UV están ya teniendo en otros fren-
tes. La aplicación de LED en semáforos fue el primer mercado masivo, y
así lo reconocieron los responsables de las finanzas urbanas (ventajas en
consumo, mantenimiento, duración, versatilidad, etc.). Por su importancia
comercial y en las tecnologías de la información, destacan también los
nuevos sistemas de discos ópticos de gran capacidad (DVD de 27 GB
por capa), que ya han llegado al consumidor gracias al uso de diodos lá-
ser azules para la lectura/escritura. Toda la señalización interna y la ilumi-
nación hacia el exterior de un automóvil parecen técnicamente posibles
vía LED, llevando potencialmente las necesidades de LED blancos y de
ciertos colores a decenas de millones anuales. En relación con iluminación
de teléfonos móviles, pantallas de vídeo y visualizadores de información
alfanumérica, ya se indicaron algunos datos al principio de esta lección, y
es también un sector afianzado y creciente.
Y hay un área muy amplia, de gran interés, en relación con la biofotónica

y la medicina, y muy abierta a la innovación. La radiación solar terrestre
en el rango de 280 a 760 nm (UVA+UVB+VIS) es de gran interés en
Biología, Agricultura, Medicina, Biofotónica, etc. Por primera vez, tenemos
una familia de semiconductores (Al,Ga,In,N), que puede generar luz (LED
y diodos láser) y detectar también esas longitudes de onda sin filtros ex-
ternos, en todo ese rango tan crucial para la vida. El uso de LED y fotode-
tectores específicos permite integrar fuentes luminosas y detectores
diseñados para ciertas longitudes de onda, minimizando tamaño, consumo,
el uso de filtros externos e, incluso de precio bajo. En relación con las
técnicas de fluorescencia, hay ya numerosos desarrollos comerciales
usando LED y diodos láser azules y UV, por ejemplo. Desde sistemas de
lectura de biochips hasta realizaciones de “laboratorio en un chip” (lab on
a chip), todos pueden beneficiarse de los dispositivos optoelectrónicos
basados en nitruros, y pueden además integrar otros tipos de sensores de
tipo electrónico también basados en nitruros.
Otro ejemplo de uso de los LED de UV es en relación con la fotocatáli-

sis del TiO2, que irradiado con luz de λ < 390 nm actúa como oxidante
de materia orgánica generando finalmente CO2 y agua. Se pueden dise-
ñar superficies autolimpiadoras para purificación y limpieza de ambientes,
y en la misma línea, superficies anti-hongos o anti-bacterias. Con esta base
ya se han desarrollado prototipos para refrigeradores domésticos “anti
olores” y pinturas especiales para salas clínicas. Otra aplicación de los LED
de UVB-UVC se refiere a los sistemas de purificación de agua, en que un
conjunto de LED de UV (λ ~250 nm) iluminan la salida del circuito de
provisión de agua, aplicación de esterilización con implicaciones sociales
potencialmente importantes.
En relación con la fotosíntesis, la clorofila absorbe luz en un amplio es-

pectro, desde los 400 a los 700 nm aproximadamente (simplificando,
desde el rojo al azul), y en los experimentos de crecimiento de plantas
bajo una iluminación “por diseño” se ha comprobado el efecto muy po-
sitivo de incluir una fracción en el azul de la intensidad luminosa artificial
que se aplique. Hay también estudios de los efectos de la iluminación so-
bre el estado emocional de las personas, para combatir el desorden afec-
tivo emocional en países nórdicos con poca luz solar, y se ha demostrado
lo beneficioso de la radiación azul. También se han realizado estudios te-
rapéuticos de fotodermatología con LED de UV cercano. Los experi-
mentos del efecto biológico en seres vivos según la longitud de onda
(biological action spectrum), se pueden realizar ahora con elementos sim-
ples y sencillos. Se ha realizado fototerapia contra la ictericia en neona-
tos (la luz azul se absorbe en la piel y produce fotodegradación de la
bilirrubina), usando LED azules. En el caso de los fotodetectores basados
en nitruros, podemos aclarar que igual que controlando la composición
y geometría de la zona activa del LED se diseña cuál es la longitud de
onda de emisión, en la fotodetección la situación es análoga: se diseña el
fotodetector para que sea sensible a ciertas longitudes de onda y “ciego”
a otras, sin necesidad de filtros. Así, por ejemplo, el efecto eritema de la
radiación solar UV sobre la piel humana se puede determinar con un sim-
ple fotodetector de AlGaN sin filtros externos y sin fósforos converso-

res, elementos que sí son necesarios en los equipos comerciales basa-
dos en fotodetectores de Si.
Actividades de I+D
Si dejamos aparte la I+D primaria para cualquier estructura con nitruros

referente a la disponibilidad de sustratos adecuados (por ejemplo, de GaN
o AlGaN) y a mejorar la calidad del material, para el objetivo de aumentar
la eficiencia energética y de iluminación de un LED, destaca en primer lugar
la investigación para incrementar la eficiencia cuántica interna y para producir
emisores muy brillantes de alta intensidad. Para el primer objetivo uno de los
caminos es producir emisores usando nitruros crecidos en planos no pola-
res, es decir, crecidos según direcciones cristalinas que eliminan el efecto pie-
zoeléctrico (planos M, planos A, figura 9) y con ello los campos internos ge-
nerados. De esta forma ya no se generan los campos piezoeléctricos
reflejados en la figura 10.c, campos que separaban huecos y electrones en
los pozos cuánticos, y que reducen la eficiencia cuántica. Esta línea de inves-
tigación está liderada a nivel mundial por el propio grupo de Nakamura en
UCSB, aunque hay una amplia actividad en muchos otros grupos. Se busca
así una mayor eficiencia en los LED y una menor corriente umbral en los
láseres, y ambos objetivos ya han sido parcialmente conseguidos. Además,
para aumentar la eficiencia cuántica interna a altas densidades de corriente
se están estudiando en detalle los mecanismos de recombinación Auger y
considerando diseños optimizados de LED que mantengan una alta eficien-
cia cuántica interna a altas densidades de corriente.
La investigación usando orientaciones no polares enlaza con el objetivo

de producir LED muy eficientes en el verde. En la actualidad, los LED de
alta eficiencia existen en el azul (nitruros plano C) y en el rojo (AlGaAsP),
pero no en el verde. Este “problema del verde” en los nitruros está siendo
estudiado con ahínco por la comunidad científica de los nitruros, y que pa-
rece está ligado a la introducción y comportamiento de la aleación InGaN
para mayores contenidos de In, como hemos señalado antes. Esta línea de
I+D busca un control intencionado de las inhomogeneidades nanométri-
cas de In, de las fluctuaciones de potencial, de la localización, de la forma-
ción de los puntos cuánticos de InGaN. Un enfoque más extremo es la
fabricación de LED basados en puntos cuánticos de InGaN autoensam-
Figura 21. Para

aumentar la
eficiencia de la
extracción al
exterior de la luz
generada en el chip,
se crea una
rugosidad especial,
microconos, en la
superficie de
emisión.
blados, que se crecerán, por ejemplo, formando capas sobre GaN. Este
objetivo en relación con LED y diodos láser en el verde mantiene viva la
I+D de la comunidad aún dedicada a los compuestos II-VI calcogénidos, se-
miconductores ya indicados al principio de la lección (figura 4).
Por otra parte, hay una batería de posibilidades para aplicar a los LED de
nitruros, dirigidas a mejorar la eficiencia de la extracción de la luz, mejo-
ras e ideas en gran medida ya “conceptualmente disponibles”. El alto ín-
dice de refracción del GaN (2,6) origina que si se tienen superficies planas,
las naturales al fabricar el chip, los rayos luminosos generados interna-
mente sufran múltiples reflexiones en la superficie y que al final escapen
al exterior por algún lateral, que suele tener una superficie rugosa deri-
vada del corte con sierra del chip. El ángulo crítico es reducido, hay un
cono de escape, un margen de ángulos de incidencia en la superficie su-
perior del LED, para que la luz escape al exterior sin reflexión hacia el in-
terior del chip. La solución pasa por generar rugosidad o texturizar
adecuadamente la superficie superior del chip, y hoy día se ha propuesto
producir pequeños conos en esas superficies que aumentan en un factor
4 la luz emitida por esa superficie superior (figura 21). Se han obtenido
eficiencias de extracción mayores del 80%. También se pueden conseguir
mejoras en directividad y eficacia de extracción creando una estructura
de cristal fotónico en la superficie superior del LED.
Los LED y láser para UV con longitudes de onda corta presentan proble-
mas propios, que no hemos mencionado, y que requieren una I+D especí-
fica. La mayor energía de emisión requiere estructuras de pozo cuántico en
donde las barreras y los pozos suelen tener Al en concentraciones molares
significativas. El uso de contenidos altos de Al, con importantes desajustes de
red, crea tensiones mecánicas que generan campos piezoeléctricos muy al-
tos y riesgo de grietas, problemas que requieren enfoques nuevos en el cre-
cimiento epitaxial, en las aleaciones usadas (por ejemplo cuaternarias,
AlInGaN), y en la elección de sustratos específicos para estos desarrollos.
Hay importantes problemas de localización y del efecto de los altos campos
de polarización. Recientemente NTT ha demostrado un diodo LED de ho-
mounión de AlN con una emisión UV en 210 nm. Se puede intuir el gran
interés científico y práctico que tienen estos dispositivos de UV, y por ello la
investigación en esta área es muy activa. En la actualidad existen ya LED de
UV comerciales, con emisiones abarcando el rango UV hasta los 250 nm.
Hablando de I+D, el mercado de la iluminación es tan suculento, y las pa-

tentes sobre nitruros están en manos de unas muy pocas compañías (pa-
tentes sobre LED de nitruros que tratan de cubrir todas las posibilidades
ante competidores), que la búsqueda de otras alternativas se ha exacer-
bado. Como se ha indicado, el “problema del verde”, el problema de los
LED verdes de alta eficiencia y de los láseres en el verde, está sin resol-
ver satisfactoriamente. Por todo ello, se buscan nuevas soluciones, nuevos
materiales candidatos entre los que aparecen en la figura 4. Así se siguen
explorando soluciones usando los calcogénidos II-VI. Por otra parte, la in-
vestigación sobre los óxidos II-VI (ZnO, CdO, MgO) para generar luz vi-
sible es hoy día muy intensa, aunque el camino parece largo, dado que
todavía no se han podido conseguir uniones p-n formadas únicamente
por estos materiales. Las constantes de red del ZnO y del GaN son muy
próximas y sí se han fabricado LED de hererounión (GaN:p-ZnMgO:n)
con emisión en varios colores. Podemos pensar que se trata de repetir
la gesta de Nakamura y colaboradores, pero ahora con otros materiales
y/o enfoques aún no tan cubiertos por patentes.
En relación con los LED blancos, finalmente, podemos indicar la investi-

gación en relación con los fósforos conversores de energía. Los fósforos
tradicionales basados en tierras raras pueden ser ahora sustituidos por
puntos cuánticos de semiconductores II-VI, (ej. CdS, ), también con se-
lección amplia de colores de emisión vía el control de su tamaño y com-
posición, puntos cuánticos que realizan esa conversión de energía y que
prometen una gran duración.
Finalmente, hay un aspecto práctico que requiere una labor importante

de desarrollo en el área de las fuentes de alimentación. La iluminación
usual está basada en el uso de la red de 220 V/110 V/CA y, aunque de-
pende de cada aplicación, las necesidades en iluminación con chips re-
quieren bajos voltajes y altas corrientes. Hay que desarrollar conversores
CA/CA y CA/CC, de muy alta eficiencia, para este tipo de aplicaciones.
En general, la tecnología es conocida y la innovación vendrá, también, por
el uso en esas fuentes de alimentación de avanzados chips electrónicos de
potencia, y por su integración con los circuitos de control.
Apreciación final
Es difícil predecir cuándo se darán las condiciones para la implantación

masiva de la iluminación general por estado sólido, iluminación con chips
de nitruros. Además de los aspectos técnicos y económicos que hemos
indicado, hay otros ligados a la “calidad” de la luz percibida por el ser hu-
mano, por el usuario, su percepción de los colores y efectos de satisfac-
ción y confort, etc., que no hemos mencionado en estas páginas, y que
también son muy importantes para la aceptación de este tipo de ilumi-
nación para usos generales. Hay, por tanto, bastantes variables. Mientras
tanto, hay una nueva ingeniería de la iluminación y decoración, y de la co-
municación por súper-pantallas usando estado sólido. La iluminación de es-
tado sólido permite la creación artística y efectos únicos con control por
computador, y tiene implicaciones en arquitectura e iluminación de edifi-
cios e infraestructuras. Quizás los actos de comienzo y final de los Juegos
Olímpicos de Pekín han sido un claro ejemplo del uso masivo de estas
“nuevas luces” basadas en nitruros, los “nuevos semiconductores”.
¿Cuál es el futuro de la iluminación por estado sólido? De la Física que co-

nocemos hoy día, a falta de otros principios físicos que indiquen una re-
combinación de huecos y electrones emitiendo luz aún más eficientemente,
se puede pensar que el LED basado en estructuras de baja dimensionali-
dad, en estructuras cuánticas, es lo mejor que la Física nos ofrece, es “la so-
lución final”. Si esto es así, debería de ser posible, con esfuerzo, poder obtener
LED con las potencias de emisión y longitudes de onda que se necesiten en
cada aplicación. Esta visión es algo separable del factor humano, de pregun-
tarnos si la iluminación con LED tendrá la calidad de colores y efectos sico-
lógicos como para que sea aceptada, como para verla realmente pronto en
nuestras casas y oficinas. Por tanto, tendremos que esperar para ver si esas nue-
vas luces, estos chips luminosos, llegan a iluminar nuestra vida diaria.

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Elías Muñoz Merino - Nuevos Semiconductores, Nuevas Dimensiones, Nuevas Luces. Iluminación Por Chips en El Siglo XXI. Lección Inaugural 2009

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NUEVOS SEMICONDUCTORES,

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En primer lugar, quiero agradecer al Presidente y a la Junta de Gobierno

A la hora de elegir un tema para esta lección inaugural he seleccionado

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A pesar de todo este bagaje tecnológico y científico, y a pesar de los es-

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Como hemos indicado anteriormente, la comparación “entre las dos op-

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1954 Born in Seto-cho. Nishiuwa-gun, Ehime Prefecture

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Como usuarios, preocupa la eficiencia de potencia final, en donde otros

Pasemos ahora a completar nuestra descripción de las propiedades más re-

Figura 8. Sistema MBE

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La figura 9 resume el valor de la energía de la banda prohibida de los nitru-

Teniendo en cuenta los datos presentados en la figura 9, para una emi-

Lattice Parameter (A)

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Insistimos en que el sistema hexagonal tiene baja simetría, no tiene cen-

comparado con el Si o el GaAs, y resiste campos eléctricos muy eleva-

Para el caso de un LED azul con pozo cuántico de GaN/InGaN, la ener-

Figura 11. Estructura

bidos a la diferencia de constantes de red y a la deformación térmica), se

El desajuste de red entre el GaN y el zafiro, o con el Si, es tan grande,

La figura 13 presenta los espectros de emisión de LED azules y verdes ba-

con alturas de fluctuaciones de potencial de unas decenas de meV, según

Según esta descripción, la zona activa de InGaN contiene gran cantidad

Si la temperatura aumenta o si la densidad de corriente es muy elevada,

Figura 14. Esquema

tán entre las dislocaciones, y ayudan a la mayor recombinación radiante

Con respecto al importante tema de la vida media, de la duración en fun-